有機發光二極管顯示器的制作方法

本申請要求于2015年7月29日提交到韓國知識產權局的第10-2015-0107415號韓國專利申請的權益，該韓國專利申請的公開內容通過引用整體并入本文。

技術領域

所描述的技術總體上涉及有機發光二極管(OLED)顯示器。

背景技術：

OLED顯示器通常包括空穴注入電極、電子注入電極以及設置在二者之間的OLED。當從空穴注入電極發射的空穴與從電子注入電極發射的電子在有機發射層中復合時生成激子，這些激子發光。

OLED顯示器設計為由低電壓驅動且制造為輕的和薄的。此外，這些顯示器具有良好的特性，例如寬視角、高對比度以及快速刷新率，因此它們作為下一代顯示設備已受到關注。然而，因為OLED的特性可能由于環境狀況如外部水分、氧氣等而退化，所以應該保護OLED免受環境影響。

技術實現要素：

一個發明方面涉及OLED顯示器。

另一方面是OLED顯示器，包括：襯底；顯示單元，位于襯底上并包括顯示區和位于顯示區外部的非顯示區；薄膜封裝層，用于密封顯示單元；電壓線，形成在非顯示區中并圍繞顯示區；以及壩單元，具有接觸電壓線的至少一部分，其中電壓線包括設置為對應于顯示區的一側的第一電壓線，其中第一電壓線包括一對第一端部以及分別連接到一對第一端部的一對第一連接單元，其中包括與電壓線的材料相同的材料的金屬層設置在一對第一連接單元之間，并且其中壩單元包括至少兩個壩并具有接觸金屬層的至少一部分。

壩單元可包括彼此間隔開的第一壩和第二壩，其中第一壩圍繞顯示區，以及第二壩圍繞第一壩。

第二壩的高度可以高于第一壩的高度。

金屬層可與電壓線絕緣。

顯示單元可包括至少一個薄膜晶體管，以及金屬層可形成在與薄膜晶體管的源電極和漏電極相同的層上。

金屬層可位于壩單元的下部。

顯示單元可包括薄膜晶體管、電連接到薄膜晶體管的有機發光設備、以及設置在薄膜晶體管和有機發光設備之間的平坦化層，以及壩單元形成在與平坦化層相同的層上。

顯示單元可還包括限定像素區的像素限定層，以及壩單元可包括形成在與平坦化層相同的層上的第一層以及形成在與像素限定層相同的層上的第二層。

第一層和第二層可一體地形成。

薄膜封裝層可包括至少一個無機層和至少一個有機層，以及至少一個有機層可位于壩單元的內部。

電壓線可包括圍繞一對第一端部和顯示區的其他側的第二電壓線，以及第二電壓線可包括彎曲成圍繞一對第一端部的外側的一對第二端部，以及分別連接到一對第二端部的一對第二連接單元。

壩單元可接觸位于顯示區的其他側的外部的第二電壓線，以及壩單元可在顯示區的一側的外部具有直線形狀，同時接觸一對第二端部、一對第一連接單元以及金屬層。

顯示單元可還包括用于向顯示區施加電信號的焊盤單元，顯示單元可設置在顯示區的一側的外部，以及一對第一連接單元和一對第二連接單元可連接到焊盤單元。

金屬層可與第一電壓線連續地形成。

第一電壓線可延伸到形成在最外部的壩。

電壓線可包括圍繞一對第一端部和顯示區的其他側的第二電壓線，以及金屬層的外側和第二電壓線的外側可位于顯示區的一側的外部的相同線上。

薄膜晶體管可包括有源層、柵電極、源電極以及漏電極，柵絕緣層可設置在有源層和柵電極之間，層間絕緣層可設置在柵電極、源電極以及漏電極之間，柵絕緣層和層間絕緣層可延伸到非顯示區，以及薄膜封裝層可包括在壩單元的外部接觸柵絕緣層或層間絕緣層的至少一個無機層。

至少一個無機層可通過經過層間絕緣層的端部而接觸襯底的頂表面。

另一方面是有機發光二極管(OLED)顯示器，包括：襯底；顯示單元，位于襯底上并包括顯示區和位于顯示區外部的非顯示區；薄膜封裝層，密封顯示單元；電壓線，形成在非顯示區中并圍繞顯示區；金屬層，由與電壓線相同的材料形成；以及壩，具有接觸電壓線的至少一部分，其中電壓線包括設置在顯示區的一側的第一電壓線，其中第一電壓線包括一對第一端部以及分別連接到一對第一端部且從顯示區延伸出去的一對第一連接器，其中金屬層設置在一對第一連接器之間，并且其中壩接觸金屬層。

在上述OLED顯示器中，壩包括彼此間隔開的第一壩和第二壩，其中第一壩圍繞顯示區，并且其中第二壩圍繞第一壩。

在上述OLED顯示器中，第二壩具有大于第一壩的高度的高度。

在上述OLED顯示器中，金屬層與電壓線電絕緣。

在上述OLED顯示器中，顯示單元包括至少一個薄膜晶體管(TFT)，其中TFT包括源電極和漏電極，并且其中金屬層形成在與源電極和漏電極相同的層上。

在上述OLED顯示器中，金屬層位于壩的下方。

在上述OLED顯示器中，顯示單元包括薄膜晶體管(TFT)、電連接到TFT的OLED、以及設置在TFT和OLED之間的平坦化層，其中壩形成在與平坦化層相同的層上。

在上述OLED顯示器中，顯示單元還包括限定像素區的像素限定層，其中壩包括形成在與平坦化層相同的層上的第一層以及形成在與像素限定層相同的層上的第二層。

在上述OLED顯示器中，第一層和第二層一體地形成。

在上述OLED顯示器中，薄膜封裝層由至少一個無機層和至少一個有機層形成，其中至少一個有機層位于壩的內部。

在上述OLED顯示器中，電壓線包括圍繞一對第一端部的第二電壓線，其中第二電壓線包括彎曲成至少部分地圍繞一對第一端部的外側的一對第二端部，以及與一對第一連接器平行并從一對第二端部延伸的一對第二連接器。

在上述OLED顯示器中，壩接觸位于顯示區的其余側的外部的第二電壓線，其中壩的一部分具有直線形狀，并接觸一對第二端部、一對第一連接器以及金屬層。

在上述OLED顯示器中，顯示單元還包括配置為向顯示區施加電信號的焊盤單元，其中焊盤單元設置在非顯示區中，并且其中一對第一連接器和一對第二連接器連接到焊盤單元。

在上述OLED顯示器中，金屬層與第一電壓線一體地形成。

在上述OLED顯示器中，壩包括多個壩，并且其中第一電壓線延伸到最外部的壩。

在上述OLED顯示器中，電壓線包括圍繞一對第一端部和顯示區的其余側的第二電壓線，其中金屬層和第二電壓線的外側在OLED的深度維度上重疊。

在上述OLED顯示器中，TFT包括有源層、柵電極、源電極以及漏電極，其中OLED顯示器還包括：柵絕緣層，設置在有源層和柵電極之間；以及層間絕緣層，設置在柵電極與源電極和漏電極之間，其中柵絕緣層和層間絕緣層從顯示區延伸到非顯示區，并且其中薄膜封裝層包括在壩的外部接觸柵絕緣層或層間絕緣層的至少一個無機層。

在上述OLED顯示器中，至少一個無機層具有接觸襯底的頂表面的一部分。

另一方面是有機發光二極管(OLED)顯示器，OLED顯示器包括：顯示單元，包括顯示區和圍繞顯示區的非顯示區；電壓線，形成在非顯示區中并圍繞顯示區；多個壩，形成在非顯示區中并圍繞顯示區；以及金屬層，布置為與電壓線相鄰，其中金屬層和電壓線在OLED顯示器的深度維度上與壩重疊。

在上述OLED顯示器中，電壓線包括設置在顯示區的一側的第一電壓線，其中第一電壓線包括一對第一端部以及分別連接到一對第一端部的一對第一連接器，其中金屬層設置在一對第一連接器之間，并且其中壩在OLED顯示器的深度維度上與第一連接器重疊。

在上述OLED顯示器中，電壓線包括與壩重疊的第二電壓線。

附圖說明

圖1是根據示例性實施方式的OLED顯示器的示意性平面圖。

圖2是圖1的區域A的示意性放大平面圖。

圖3是沿著圖2的線II-II'截取的示意性剖視圖。

圖4是根據示例性實施方式的顯示單元的剖視圖。

圖5是根據另一示例性實施方式的OLED顯示器的剖視圖。

圖6是根據另一示例性實施方式的OLED顯示器的剖視圖。

圖7是根據另一示例性實施方式的OLED顯示器的剖視圖。

圖8是根據另一示例性實施方式的OLED顯示器的剖視圖。

圖9是根據另一示例性實施方式的OLED顯示器的示意性平面圖。

圖10是圖9的區域B的示意性放大平面圖。

圖11是沿著圖10的線X-X'截取的示意性剖視圖。

圖12是根據另一示例性實施方式的OLED顯示器的剖視圖。

具體實施方式

現在，將詳細參考示例性實施方式，其示例在附圖中示出，在附圖中相同的參考數字始終指示相同的元件。就這一點而言，本示例性實施方式可具有不同的形式，且不應該解釋為限于本文闡述的描述。因此，下面僅通過參考附圖描述示例性實施方式，以解釋本描述的諸多方面。如本文使用的，術語“和/或”包括一個或多個相關列出項的任何和所有組合。諸如“......中的至少一個”的術語當放在一列元件之后時，修飾整列元件而不修飾該列中的單獨的元件。

由于描述的技術可具有多種變型和數個實施方式，所以示例性實施方式在附圖中示出并將詳細地描述。將參照下面詳細描述的實施方式連同附圖來詳細說明其優點、特點和實現的方法。然而，實施方式可具有不同的形式且不應該解釋為限于本文闡述的描述。

下面將參照附圖更詳細地描述描述的技術的實施方式。不管圖號如何，相同或相對應的那些部件給予相同的參考數字，且省略冗余的解釋。

將理解的是，雖然術語“第一”、“第二”等可在本文中使用以描述各個部件，但是這些部件不應該由這些術語限制。這些術語僅用于將一個部件與另一個部件區分開。

除非在上下文中另外限定，否則單數表述包括復數表述。

在下面的實施方式中，將進一步理解的是，本文中使用的術語“包括”和/或“具有”說明敘述的特征或部件的存在，但是不排除一個或多個其它特征或部件的存在或增加。

此外，在附圖中，為了便于描述，可夸大或縮小元件的尺寸。換句話說，由于為了便于解釋而在附圖中任意地示出部件的尺寸和厚度，所以下面的實施方式不限于此。

當示例性實施方式能夠以另一方式實現時，預定的過程順序可不同于描述的順序。例如，連續描述的兩個過程可基本上同時執行或可以以與描述的順序相反的順序執行。在本公開中，術語“基本上”包括完全地、幾乎完全地、或者在一些應用的情況下且根據本領域技術人員的理解的至任何顯著程度的意思。此外，“形成、設置或布置在......上方”也可意味著“形成、設置或布置在......上”。術語“連接”包括電連接。

圖1是根據示例性實施方式的OLED顯示器1000的示意性平面圖。圖2是圖1的區域A的示意性放大平面圖。圖3是沿著圖2的線II-II'截取的示意性剖視圖。圖4是根據示例性實施方式的顯示單元的剖視圖。

參照圖1至4，根據示例性實施方式的OLED顯示器1000包括襯底100、位于襯底100上的顯示單元200、用于密封顯示單元200的薄膜封裝層300、形成在非顯示區中并圍繞顯示區DA的電壓線10a和20、以及具有接觸電壓線10a和20的至少一部分的壩單元(或壩)50a。

襯底100可包括各種材料。根據示例性實施方式，襯底100包括SiO₂基透明玻璃材料，但是不限于此。襯底100可包括透明塑性材料。塑性材料可以是從以下材料構成的組中選擇的有機材料：聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚丙烯酸酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纖維素(TAC)以及醋酸丙酸纖維素(CAP)，它們是絕緣的有機材料。

當OLED顯示器1000是其中圖像沿著朝向襯底100的方向形成的底部發射型顯示設備時，襯底100應該由透明材料形成。然而，當OLED顯示器1000是其中圖像沿著遠離襯底100的方向形成的頂部發射型顯示設備時，襯底100無需包括透明材料。在這種情況下，襯底100可由金屬形成。當襯底100包括金屬時，襯底100可包括但不限于以下材料中的至少一種：鐵、鉻、錳、鎳、鈦、鉬、不銹鋼(SUS)、殷鋼合金、因科內爾合金以及柯伐合金。

顯示單元200可形成在襯底100上。顯示單元200可包括其中形成圖像且由用戶觀看的顯示區DA，以及作為顯示區DA的周邊的非顯示區。

OLED可設置在顯示區DA中，以及電壓線10a和20可設置在非顯示區中并向OLED供電。

在非顯示區中，可還包括焊盤單元PAD，焊盤單元PAD可將來自電源(未示出)或信號發生器(未示出)的電信號傳輸到顯示區DA。

焊盤單元PAD可包括驅動器IC 410、將驅動器IC 410連接到像素電路的焊盤430、以及扇出線420。

驅動器IC 410可包括用于向像素電路供應數據信號的數據驅動單元(或數據驅動器)以及用于驅動像素電路的各種功能單元。驅動器IC 410可安裝在襯底100上作為玻璃上芯片(COG)類型。電連接到形成在襯底100上的焊盤430的連接端子(未示出)可設置到驅動器IC 410的一側。包括導電球且能夠電連接的粘合材料可設置在焊盤430和連接端子(未示出)之間以結合焊盤430和連接端子(未示出)。粘合材料的示例可包括各向異性導電膜、自發式導電膜等。

焊盤430可以是形成在襯底100上且電連接到驅動器IC 410的連接端子的部件。焊盤430可電連接到扇出線420。如圖1所示，焊盤430可設置在與扇出線420的層不同的層上，但是不限于此。焊盤430可從扇出線420延長且設置在與扇出線420相同的層上。焊盤430可包括一層或多層，這一層或多層包括從鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)以及鈦(Ti)選擇的至少一種材料。

扇出線420可將焊盤430連接到像素電路。扇出線420可由與柵電極G的材料相同的材料形成且形成在與柵電極G的層相同的層上。即，扇出線420可設置在柵絕緣層210上。

下面將參照圖4更詳細地描述顯示單元200。

緩沖層110可形成在襯底100上。緩沖層110可在襯底100上提供平坦表面并防止雜質或水分滲入襯底100。例如，緩沖層110由無機材料例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、氮化鈦等，有機材料例如聚酰亞胺、聚酯、丙烯酸樹脂等形成，或者由包括上述材料之中的多種材料的堆疊結構形成。緩沖層110可形成在顯示區DA上并延伸到非顯示區。

顯示區DA可具有例如矩形形狀。薄膜晶體管TFT和電連接到薄膜晶體管TFT的OLED可設置在顯示區DA中。

薄膜晶體管TFT可包括有源層A、柵電極G、源電極S以及漏電極D。

薄膜晶體管TFT是頂部柵型晶體管，其中有源層A、柵電極G、源電極S以及漏電極D按照該順序依次形成。然而，示例性實施方式不限于此，各種其他類型的薄膜晶體管例如底部柵型晶體管可用作薄膜晶體管TFT。

有源層A可由多晶硅形成，并可包括未摻有雜質的溝道區以及在溝道區的兩側上摻有雜質的源區和漏區。就這一點而言，雜質可根據薄膜晶體管TFT的類型而不同，且可以是N型雜質或P型雜質。

在有源層A形成之后，柵絕緣層210可形成在有源層A上，在襯底100的整個表面上方。柵絕緣層210可包括由無機材料例如氧化硅或氮化硅形成的多層結構或單層。柵絕緣層210可使有源層A與設置在有源層A上的柵電極G絕緣。柵絕緣層210不僅可延伸到達顯示區DA而且可延伸到達非顯示區的一部分。

在柵絕緣層210形成之后，柵電極G可形成在柵絕緣層210上。柵電極G可使用光刻工藝和蝕刻工藝形成。

柵電極G可形成在柵絕緣層210上。柵電極G可連接到向薄膜晶體管TFT施加開/關信號的柵極線(未示出)。

柵電極G可包括低電阻金屬材料。通過考慮柵電極G和與之相鄰的層之間的粘合強度、表面平坦度以及堆疊層的可加工性等，柵電極G可包括使用例如以下材料中的至少一種的單層或多層：鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)以及銅(Cu)。

在柵電極G形成之后，層間絕緣層230可形成在襯底100的整個表面上方。層間絕緣層230可在源電極S和漏電極D與柵電極G之間絕緣。層間絕緣層230不僅可延伸到達顯示區DA而且可延伸到達非顯示區的一部分。

層間絕緣層230可由無機材料形成。根據示例性實施方式，層間絕緣層230由金屬氧化物或金屬氮化物形成。無機材料的示例可包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鈦(TiO₂)、氧化鉭(Ta₂O₅)、氧化鉿(HfO₂)以及氧化鋯(ZrO₂)。

層間絕緣層230可包括由無機材料例如氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)形成的多層結構或單層。在一些示例性實施方式中，層間絕緣層230可具有SiOx/SiNy或SiNx/SiOy的雙層結構。

薄膜晶體管TFT的源電極S和漏電極D可設置在層間絕緣層230上。源電極S和漏電極D均可包括包含例如以下材料中的至少一種的單層或多層：鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)以及銅(Cu)。源電極S和漏電極D可形成為接觸有源層A的區域。

平坦化層250可形成在襯底100的整個表面上方，并覆蓋源電極S和漏電極D。平坦化層250可去除由薄膜晶體管TFT形成的臺階，平坦化襯底100的上表面，以及防止由于下方不均勻結構導致的OLED故障。

平坦化層250可由絕緣材料形成。例如，平坦化層250通過使用各種沉積方法由無機材料、有機材料或有機/無機復合材料形成并具有單層或多層結構。在一些示例性實施方式中，平坦化層250由來自以下材料之中的至少一種材料形成：丙烯酸樹脂(聚丙烯酸樹脂)、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰氨樹脂、聚酰亞胺樹脂、不飽和聚脂樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂以及苯并環丁烯(BCB)。

OLED可設置在平坦化層250上。OLED可包括像素電極281、包括有機發射層的中間層283、以及相對電極285。如圖4所示，像素電極281可電連接到漏電極D。

像素電極281和/或相對電極285可包括透明電極或反射電極。當像素電極281和/或相對電極285包括透明電極時，透明電極可包括ITO、IZO、ZnO或In₂O₃。當像素電極281和/或相對電極285包括反射電極時，反射電極可包括反射層和透明層，反射層包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它們的化合物，以及透明層包括ITO、IZO、ZnO或In₂O₃。在一些示例性實施方式中，像素電極281或相對電極285可具有ITO/Ag/ITO結構。

像素電極281可形成在平坦化層250上，并通過形成在平坦化層250中的接觸孔電連接到薄膜晶體管TFT。例如，像素電極281是反射電極。例如，像素電極281包括反射膜以及形成在反射膜上的透明的或半透明的電極層，其中反射膜由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它們的組合形成。透明的或半透明的電極層可包括以下材料中的至少一種：銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)、銦鎵氧化物(IGO)以及鋁鋅氧化物(AZO)。

與像素電極281相對地設置的相對電極285可以是透明的或半透明的電極，且可包括具有低功函數的金屬薄膜，例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的組合。輔助電極層或匯流電極可通過使用用于形成透明電極的材料例如ITO、IZO、ZnO、In₂O₃等，進一步形成在金屬薄膜上。因此，相對電極285可允許從包括在中間層283中的有機發射層發射的光穿過。即，從有機發射層發射的光可直接反射或通過作為反射電極的像素電極281反射，并朝著相對電極285發射。

然而，根據本實施方式的顯示單元200不限于頂部發射型顯示設備，且可以是底部發射型顯示設備，其中從有機發射層發射的光朝著襯底100發射。在這種情況下，像素電極281可以是透明的或半透明的電極，以及相對電極285可以是反射電極。此外，根據本實施方式的顯示單元200可以是雙發射型顯示設備，其中沿著其前表面和底表面這兩個方向發射光。

由絕緣材料形成的像素限定層270可設置在相對電極285上。像素限定層270可通過旋轉涂覆等由從由聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹脂、苯并環丁烯以及酚醛樹脂構成的組中選擇的至少一種有機絕緣材料形成。

像素限定層270可用于限定像素區和非像素區。像素限定層270可形成在襯底100上并包括部分地暴露像素電極281的開口。如圖3所示，薄膜封裝層300可密封顯示單元200并防止外部氧氣和水分滲入顯示單元200中。薄膜封裝層300可包括多個有機層330和多個無機層310。有機層330和無機層310可交替地堆疊以形成多層結構。包括兩個有機層330a和330b以及兩個無機層310a和310b的薄膜封裝層300的示例在圖3中示出，但是示例性實施方式不限于此。

有機層330a和330b均可包括例如以下材料中的至少一種：丙烯酸基樹脂、甲基丙烯酸基樹脂、聚異戊二烯、乙烯基樹脂、環氧基樹脂、尿烷基樹脂、纖維素基樹脂以及二萘嵌苯基樹脂。

無機層310a和310b均可包括例如以下材料中的至少一種：氮化硅、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鈰以及氮氧化硅(SiON)。

如圖1所示，圍繞顯示區DA的電壓線10a和20以及壩單元50a可設置在顯示區DA外部的非顯示區中。

電壓線10a和20可由與源電極S和漏電極D的材料相同的材料形成。電壓線10a和20可包括第一電壓線10a和第二電壓線20。根據示例性實施方式，第一電壓線10a是驅動電壓線ELVDD，以及第二電壓線20可以是公共電壓線ELVSS。第二電壓線20可連接到相對電極285。

第一電壓線10a可設置為對應于顯示區DA的至少一邊。第一電壓線10a可包括平行于顯示區DA的一邊形成的一對第一端部11。就這一點而言，對應于第一電壓線10a的所述至少一邊可以是與焊盤單元PAD相鄰的邊。

第二電壓線20可圍繞第一電壓線10a的一對第一端部11和顯示區DA的其他邊。

第二電壓線20可包括彎曲成圍繞一對第一端部11的外側的一對第二端部21。第一端部11中的每個可設置在顯示區DA和一對第二端部21之間。

第一電壓線10a可包括一對第一連接單元(或連接器)12a。第二電壓線20可包括一對第二連接單元22。一對第一連接單元12a可沿著垂直于一對第一端部11(或與一對第一端部11相交)的方向延伸。一對第二連接單元22可從一對第二端部21平行于一對第一連接單元12a形成。

一對第一連接單元12a和一對第二連接單元22可連接到位于顯示區DA的至少一側的外部的焊盤單元PAD。

壩單元50a的至少一部分可形成為接觸第一電壓線10a和/或第二電壓線20。

壩單元50a可在顯示區DA的外部圍繞顯示區DA的四個邊并繞著在顯示區DA的四個邊一體地連接。即，壩單元50a可以以環形形狀連續地圍繞顯示區DA的四個邊。

當形成用于密封顯示單元100的薄膜封裝層300的有機層330時，壩單元50a可防止有機材料沿著襯底100的邊緣流動，從而防止有機層330的邊緣尾的形成。

如圖3所示，薄膜封裝層300的有機層330可形成為大于無機層310。就這一點而言，當形成有機層330時，壩單元50a可防止有機材料沿著襯底100的邊緣流動。有機層330可設置在壩單元50a的內部。

根據示例性實施方式，無機層310在壩單元50a的外部延伸并彼此接觸。無機層310中的至少一個可在壩單元50a的外部接觸柵絕緣層210或層間絕緣層230，從而防止外部水分滲入薄膜封裝層300的側表面并提高薄膜封裝層300的粘合強度。

根據示例性實施方式，在壩單元50a的外部，無機層310中的至少一個通過經過層間絕緣層230的端部而接觸襯底100的頂表面，并可接觸柵絕緣層210和層間絕緣層230的側表面。因此，可分離無機層310的邊緣，從而防止薄膜封裝層300的封裝特性的弱化和去除。

根據本實施方式的OLED顯示器1000的壩單元50a可包括至少兩個壩。

根據示例性實施方式，如圖1至3所示，壩單元50a包括第一壩51a和第二壩53a，第二壩53a與第一壩51a間隔開預定距離并形成在第一壩51a的外部。

壩單元50a可包括至少兩個壩，從而有效地阻止有機材料的回流并防止當僅提供一個壩時有機材料的流動。

雖然圖1至3示出了壩單元50a包括第一壩51a和第二壩53a的實施方式，但是壩的數量不限于此，只要提供至少兩個壩即可。

雖然在圖1至3的實施方式中第一壩51a和第二壩53a具有相同的高度，但是當形成兩個或更多個壩時，壩單元50a的高度可朝著襯底100的外部增加。

當有機層330形成于在襯底100上位于最內部的第一壩51a的內部時，由于壩單元50a，根據本實施方式的OLED顯示器1000的薄膜封裝層300的有機層330可阻止有機材料擴散和溢出。

即，壩單元50a可提供包括第一壩51a和第二壩53a的雙壩，從而由于第一壩51a，阻止有機材料擴散和溢出，因此沒有有機層可形成在第一壩51a和第二壩53a之間。

沒有有機層可形成在第一壩51a和第二壩53a之間，從而有效地防止外部水分的滲入。

壩單元50a可包括有機材料。根據示例性實施方式，壩單元50a可包括從由聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹脂、苯并環丁烯以及酚醛樹脂構成的組中選擇的至少一種有機絕緣材料。

金屬層30a可形成在第一電壓線10a的一對第一連接單元12a之間。如圖3所示，金屬層30a可位于壩單元50a的下方以接觸壩單元50a。

因此，金屬層30a可提高形成在一對第一連接單元12a之間的壩單元50a的粘合強度。

當壩單元50a包括有機材料時，相對于無機材料，壩單元50a的有機材料的粘合強度較弱。因此，當壩單元50a附著到無機材料時，可發生分離現象，并且外部水分或氧氣可滲入，因此可損壞OLED。

在根據本實施方式的OLED顯示器1000中，壩單元50a可一體地連接并連續地圍繞顯示區DA的四個邊，并且金屬層30a可接觸位于一對第一連接單元12a之間的、壩單元50a的下部，因此可提高壩單元50a的粘合強度。

其中形成金屬層30a的區域不受限制。因此，只要金屬層30a的至少一部分位于壩單元50下方，金屬層30a就可形成在一對連接單元12a之間，而不受限制。

根據示例性實施方式，金屬層30a可與第一電壓線10a一起形成。因此，金屬層30a可形成在與第一電壓線10a相同的層上且可由與第一電壓線10a相同的材料形成。

根據示例性實施方式，金屬層30a可由以下材料中的至少一種形成：鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)以及銅(Cu)。

作為另一選擇性實施方式，金屬層30a與薄膜晶體管TFT的源電極S和漏電極D一起形成。因此，金屬層30a可形成在與源電極S和漏電極D相同的層上且可包括與源電極S和漏電極D相同的材料。

如圖3所示，壩單元50a形成在與平坦化層250相同的層上且由與平坦化層250相同的材料形成。

金屬層30a可形成在壩單元50a下方，并因此，壩單元50a的下部可接觸金屬層30a。壩單元50a可形成在金屬層30a上方并具有與平坦化層250的高度基本上相同的高度。然而，壩單元50a的高度不限于此。

根據示例性實施方式，壩單元50a由有機絕緣材料形成，該有機絕緣材料包括來自以下材料之中的至少一種材料：丙烯酸樹脂(聚丙烯酸樹脂)、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰氨樹脂、聚酰亞胺樹脂、不飽和聚脂樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂以及苯并環丁烯(BCB)。

如圖1所示，根據本實施方式的OLED顯示器1000的壩單元50a可形成為接觸位于顯示區DA的至少三個邊上的第二電壓線20。

即，在壩單元50a中形成在最外部的第二壩53a可形成為接觸位于顯示區DA的至少三個邊上的第二電壓線20的邊緣。

在與其中設置第一電壓線10a的第一端部11的側部對應的、顯示區DA的一側上，圍繞顯示區DA的壩單元50a可一體地且連續地連接，且可具有接觸第二端部21的至少一部分。在壩單元50a的其他部分，壩單元50a的至少一部分可接觸第一連接單元12a。在壩單元50a的其他部分，壩單元50a的至少一部分可接觸金屬層30a。

因此，包括環形形狀的四個邊的、壩單元50a的至少三個邊可接觸第二電壓線20，以及壩單元50a的一邊可接觸第二端部21、第一連接單元12a以及金屬層30a，從而提高壩單元50a的粘合強度。

圖5是根據另一示例性實施方式的OLED顯示器2000的剖視圖。在圖1至4與圖5之間相同的參考數字指示相同的元件，因此為了簡化說明，省略其冗余描述。

根據本實施方式的OLED顯示器2000的壩單元50b可具有與圖1至3中示出的OLED顯示器1000的壩單元50a的功能相同的功能，因此現在將描述二者之間的區別。

壩單元50b可包括至少兩個壩，且可一體地連接并在顯示區DA的外部圍繞顯示區DA的四個邊。即，壩單元50b可以以環形形狀連續地圍繞顯示區DA的四個邊。

壩單元50b可接觸一對第一連接單元12a之間的金屬層30a(見圖1)，因此可提高壩單元50b的粘合強度，從而減小外部水分或氧氣可滲入的可能性并提高OLED的可靠性。

根據示例性實施方式，壩單元50b包括形成在與平坦化層250相同的層上的一部分以及形成在與像素限定層270相同的層上的一部分。

即，當形成平坦化層250時，壩單元50b的一部分可形成在與平坦化層250相同的層上，以及當形成像素限定層270時，壩單元50b的一部分可形成在與像素限定層270相同的層上。

形成在與像素限定層270相同的層上的、壩單元50b的一部分可由與像素限定層270的材料相同的材料形成。根據示例性實施方式，壩單元50b的一部分由從由聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹脂以及苯并環丁烯構成的組中選擇的至少一種有機絕緣材料形成。

形成在與平坦化層250相同的層上的、壩單元50b的一部分，以及形成在與像素限定層270相同的層上的、壩單元50b的一部分，可一體地形成。

可通過第一壩51b阻止有機層330擴散和溢出，并因此，有機層330可以不形成在第一壩51b和第二壩53b之間。

沒有有機層330可形成在第一壩51b和第二壩53b之間，并且有機層330可形成在第一壩51b內部，從而有效地防止外部水分的滲入。

如圖5所示，壩單元50b可形成在金屬層30a上方，并具有與平坦化層250和像素限定層270的高度相同的高度。然而，壩單元50b的高度不限于此。

根據示例性實施方式，第一壩51b和第二壩53b形成為具有不同的高度。即，在襯底100上位于外側的第二壩53b的高度可相對高于第一壩51b的高度。

圖6是根據另一示例性實施方式的OLED顯示器3000的剖視圖。在圖1至4與圖6之間相同的參考數字指示相同的元件，因此為了簡化說明，省略其冗余描述。

根據本實施方式的OLED顯示器3000的壩單元50c可具有與上述壩單元50a和50b的功能相同的功能，因此為了便于描述，現在將描述二者之間的區別。

根據本實施方式的OLED顯示器3000的壩單元50c可包括具有不同的高度的第一壩51c和第二壩53b。即，第二壩53b的高度可高于第一壩51c的高度。

在這種情況下，當形成像素限定層270時，第一壩51c可包括與像素限定層270相同的材料，以及當形成平坦化層250時，第二壩53b的下部可包括與平坦化層250的材料相同的材料，然后當形成像素限定層270時，第二壩53b的上部可包括與像素限定層270和第一壩51c的材料相同的材料。

即，當形成平坦化層250和/或像素限定層270時，壩單元50c可包括與平坦化層250和/或像素限定層270的材料相同的材料。在這種情況下，壩單元50c的高度和材料不受限制。

根據示例性實施方式，形成在與平坦化層250相同的層上的、第二壩53b的一部分，以及形成在與像素限定層270相同的層上的、第二壩53b的一部分，可包括相同的材料，以使第二壩53b的上部和下部可一體地形成。

沒有有機層可形成在第一壩51c和第二壩53b之間，并且有機層330可形成在第一壩51c內部，從而有效地防止外部水分的滲入。

圖7是根據另一示例性實施方式的OLED顯示器4000的剖視圖。在圖1至4與圖7之間相同的參考數字指示相同的元件，因此為了簡化說明，省略其冗余描述。

根據本實施方式的OLED顯示器4000的金屬層30b可僅形成在壩單元50a的下部。即，金屬層30b可完全位于壩單元50a的下部以接觸壩單元50a。

根據本實施方式，金屬層30b可形成在無機層例如柵絕緣層210、層間絕緣層230等與壩單元50a之間，從而提高壩單元50a的粘合強度且有效地阻止外部水分或氧氣的滲入，以提高OLED的可靠性。

根據示例性實施方式，金屬層30b可形成在與薄膜晶體管TFT的源電極S和漏電極D相同的層上，并包括與源電極S和漏電極D的材料相同的材料。

壩單元50a可包括第一壩51a和第二壩53a，且可形成在與平坦化層250相同的層上并包括與平坦化層250的材料相同的材料。

如圖7所示，壩單元50a具有與平坦化層250的高度基本上相同的高度，但是壩單元50a的高度不限于此。根據示例性實施方式，在襯底100上位于外側的第二壩53a的高度可大于第一壩51a的高度。

圖8是根據另一示例性實施方式的OLED顯示器5000的剖視圖。在圖1至5與圖8之間相同的參考數字指示相同的元件，因此為了簡化說明，省略其冗余描述。

在根據本示例性實施方式的OLED顯示器5000中，金屬層30b完全位于壩單元50b的下部并接觸壩單元50b。即，金屬層30b可僅形成在其中形成壩單元50b的區域中。

金屬層30b可形成在其中形成壩單元50b的區域的下部中，從而提高壩單元50b的粘合強度且有效地阻止外部水分或氧氣的滲入，以提高OLED的可靠性。

根據示例性實施方式，金屬層30b形成在與第一電壓線10a相同的層上，且由與第一電壓線10a的材料相同的材料形成。

作為另一選擇性實施方式，金屬層30b形成在與薄膜晶體管TFT的源電極S和漏電極D相同的層上，且由與源電極S和漏電極D的材料相同的材料形成。

壩單元50b可包括第一壩51b和第二壩53b，且根據示例性實施方式，壩單元50b可包括形成在與平坦化層250相同的層上的一部分以及形成在與像素限定層270相同的層上的一部分。

如圖8所示，第一壩51b和第二壩53b可具有相同的高度，但是第一壩51b的高度不限于此。在襯底100上位于外側的第二壩53b的高度可相對高于第一壩51b的高度。

根據示例性實施方式，當形成平坦化層250時，壩單元50b的下部可與平坦化層250一起形成，然后當形成像素限定層270時，第一壩51b和第二壩53b的上部可與像素限定層270一起形成。

根據示例性實施方式，形成在與平坦化層250相同的層上的、壩單元50b的一部分，以及形成在與像素限定層270相同的層上的、壩單元50b的一部分，由相同的材料形成且一體地形成。

圖9是根據另一示例性實施方式的OLED顯示器6000的示意性平面圖。圖10是圖9的區域B的示意性放大平面圖。圖11是沿著圖10的線X-X'截取的示意性剖視圖。

在圖1至4與圖9至11之間相同的參考數字指示相同的元件，因此為了簡化說明，省略其冗余描述。

根據本示例性實施方式的OLED顯示器6000可包括襯底100、位于襯底100上的顯示單元200、用于密封顯示單元200的薄膜封裝層300、形成在非顯示區中并圍繞顯示區DA的電壓線10b和20、以及具有接觸電壓線10b和20的至少一部分的壩單元50a。

第一電壓線10b可設置為對應于顯示區DA的至少一邊。就這一點而言，對應于第一電壓線10b的至少一邊可以是與焊盤單元PAD相鄰的邊。

第一電壓線10b可包括連接到焊盤單元PAD的一對第一連接單元12b。

金屬層可設置在一對第一連接單元12b之間。壩單元50a可接觸第一連接單元12b之間的金屬層，并可一體地連接且連續地圍繞顯示區DA。

如圖9所示，根據本實施方式的OLED顯示器6000的金屬層通過延伸第一電壓線10b而形成。

即，金屬層可以不設置在第一連接單元12b之間，而是可以當形成第一電壓線10b時通過使第一電壓線10b延伸到第一連接單元12b之間的空白區而形成，以使壩單元50a的下部可接觸第一連接單元12b之間的第一電壓線10b。

根據示例性實施方式，第一電壓線10b通過以金屬填充在第一連接單元12b之間而不存在空的空間這樣的方式延伸而形成。

第一電壓線10b可通過延伸到其中壩至少形成在壩單元50a的最外部的區域而形成。

根據示例性實施方式，當壩單元50a包括第一壩51a和第二壩53a時，壩單元50a通過延伸到其中形成第二壩53a的區域而形成。因此，第一壩51a和第二壩53a的下部可附著到第一電壓線10b。

在根據本示例性實施方式的OLED顯示器6000中，壩單元50a完全接觸第一連接單元12b之間的第一電壓線10b的下部，從而提高壩單元50a的粘合強度以減小外部水分或氧氣可滲入的可能性，并提高OLED的可靠性。

電壓線10b和20可包括第二電壓線20。第二電壓線20可包括彎曲成圍繞一對第一端部11的外側的一對第二端部21。第一端部11中的每個可設置在顯示區DA和一對第二端部21之間。

第二電壓線20可包括一對第二連接單元22。一對第一連接單元12b可沿著垂直于一對第一端部11的方向(或與一對第一端部11相交)的方向延伸。一對第二連接單元22可平行于一對第一連接單元12b形成并從一對第二端部21延伸。

一對第一連接單元12b和一對第二連接單元22可連接到位于顯示區DA的至少一邊的外部的焊盤單元PAD。

根據示例性實施方式，第一電壓線10b和第二電壓線20的外側在顯示區DA的設置第一端部11的邊的外部位于相同的線上。

即，在顯示區DA的四個邊中供第一端部11設置在外側的邊的外部第一電壓線10b的外側可延伸到第二端部21的外側，以使第一電壓線10b和第二電壓線20的外側可位于相同的線上。

如圖11所示，壩單元50a形成在與平坦化層250相同的層上且由與平坦化層250的材料相同的材料形成。

第一壩51a和第二壩53a可具有相同的高度，但是壩單元50a的高度不限于此。在襯底100上位于外側的第二壩53a的高度可相對高于第一壩51a的高度。

如圖11所示，第一電壓線10b延伸到第二壩53a的下部，以及第一電壓線10b設置在壩單元50a和下方無機層之間，因此壩單元50a可接觸由金屬材料形成的第一電壓線10b，從而提高壩單元50a的粘合強度。

圖12是根據另一示例性實施方式的OLED顯示器7000的剖視圖。在圖1至6與圖12之間相同的參考數字指示相同的元件，因此為了簡化說明，省略其冗余描述。

在根據本示例性實施方式的OLED顯示器7000中，第一電壓線10b延伸到其中形成第二壩53b的區域，以及第一電壓線10b設置在壩單元50c和下方無機層之間，因此壩單元50c可接觸由金屬材料形成的第一電壓線10b，從而提高壩單元50c的粘合強度。

在根據本示例性實施方式的OLED顯示器7000中，壩單元50c包括具有不同高度的第一壩51c和第二壩53b。即，在襯底100上位于外側的第二壩53b的高度可高于第一壩51c的高度。

即，當形成平坦化層250時，壩單元50c的下部可與平坦化層250一起形成，然后當形成像素限定層270時，第一壩51c和第二壩53b的上部可與像素限定層270一起形成。

根據示例性實施方式，形成在與平坦化層250相同的層上的、壩單元50c的一部分，以及形成在與像素限定層270相同的層上的、壩單元50c的一部分，由相同的材料形成且一體地形成。

沒有有機層可形成在第一壩51c和第二壩53b之間，以及有機層330可形成在第一壩51c內部，從而有效地防止外部水分的滲入。

形成在與平坦化層250相同的層上的、第二壩53b的下部，以及形成在與像素限定層270相同的層上的、第二壩53b的上部，可由相同的材料形成且一體地形成。

如上所述，根據示例性實施方式中的一個或多個，通過有效地防止外部水分或氧氣滲入，提高了可靠性。

應該理解的是，本文描述的示例性實施方式應該被認為僅僅是描述性意義并非為了限制的目的。對于每個示例性實施方式內的特征或方面的描述通常應該認為可用于其他示例性實施方式中的其他相似特征或方面。

雖然已經參照附圖描述了本發明的技術，但是將由本領域普通技術人員理解的是，在不脫離由所附權利要求限定的精神和范圍的情況下，在此可進行形式和細節上的各種改變。