一種碳納米管冷陰極的制備方法與流程

本發明涉及一種平板顯示器制作方法，具體涉及一種碳納米管冷陰極的制備方法。

背景技術：

碳納米管是一種非常優良的場發射材料。它具有開啟電壓低、長徑比大、穩定性高的特點，在較低的電壓下就可以發射電子，而且長時間經受較大的電流也不容易被破壞，很適合用于平板顯示器。

碳納米管場發射性能主要體現在碳納米管尖端場發射，碳納米管尖端密度過大時就會出現電磁場屏蔽現象，導致影響場發射電流密度。改變碳納米管陣列的整體取向，可以改變碳納米管尖端電場分布，從而達到場發射顯示器高亮度的要求。

場發射顯示器的核心部件是冷陰極結構，如何在單位空間內增加碳納米管冷陰極結構的場發射強度，一直是本領域研究的重點。

技術實現要素：
：

本發明是針對上述技術的問題，提出以下發明內容：

一種碳納米管冷陰極的制備方法，包括如下步驟：

步驟1：將待沉積的柔性導電材料加熱至70-90℃，并且保持恒定溫度；

步驟2：柔性導電材料表面沉積1-3μm厚金屬薄膜；

步驟3：采用CVD法在金屬薄膜表面生長碳納米管；

步驟4：將沉積好的陰極材料取出，常溫冷卻并且封裝。

優選地，柔性導電材料可以選用PDMS。

優選地，陰極材料常溫冷卻2-5天。

優選地，冷卻后的冷陰極材料金屬表面呈U型褶皺狀屈曲結構，碳納米管垂直于金屬表面生長。

本發明的有益效果：褶皺層碳納米管結構，增加了單位空間的場發射面積，而且降低了電磁屏蔽對場發射性能的影響。

附圖說明

圖1碳納米管冷陰極平面結構

圖2碳納米管冷陰極褶皺結構

具體實施方式

實施例1：將處理好的PDMS3放入真空濺射設備，恒溫加熱到所需溫度70-90℃，PDMS3表面濺射所需金屬薄膜2，通過時間控制得到所需薄膜厚度1-3μm。采用CVD法在金屬薄膜 2表面生長碳納米管1，催化劑采用鐵、鈷、鎳等納米顆粒。如圖1所示，控制催化劑的陣列及碳納米管1的密度，同時控制得到所需碳納米管1高度。

實施例2：將陰極材料常溫冷卻2-5天，在應力作用下，PDMS3會產生有規律的褶皺，金屬薄2膜由于粘附PDMS3表面，也會產生相應的屈曲形變，得到如圖2所示的形狀效果，同時碳納米管1垂直所在的金屬薄膜2微小平面。

褶皺層碳納米管結構，增加了單位空間的場發射面積，而且降低了電磁屏蔽對場發射性能的影響。