有機發光二極管顯示器設備的制作方法

            文檔序號:12485621閱讀:280來源:國知局
            有機發光二極管顯示器設備的制作方法與工藝

            本申請要求2015年6月19日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請案第10-2015-0087824號的權益,所述專利申請案以全文引用的方式并入本文中。

            技術領域

            本發明涉及一種有機發光二極管顯示器設備。



            背景技術:

            有機發光二極管易因濕氣和/或氣體受損。有機發光二極管可能因濕氣而在金屬區域與發光層之間的界面遭受分層。有機發光二極管可能因金屬氧化而具有高電阻,并且在發光層中可能因濕氣和/或氧氣而遭受有機物質降解。有機發光二極管可能因通過在有機發光二極管內部或外部除氣而發光層或金屬區域發生氧化而遭受發光劣化。因此,有機發光二極管必須由能夠保護有機發光二極管免受濕氣和/或氣體的包封組成物包封。

            有機發光二極管可以由具有多層結構的包封層包封,其中有機層和無機層一個在另一個上交替堆疊。有機層可以由等離子沉積形成。然而,有機層可以由等離子進行蝕刻。有機層的蝕刻可能降低有機層的包封功能并且對無機層的形成造成不良影響。有機層中的每一者形成于兩個相鄰無機層之間。如果有機層呈現低等離子抗性,那么可能難以形成無機層。因此,有機發光二極管的發光特性和可靠性可能遭受劣化。

            包封層包含襯底上的多個無機層。因此,包封層可能遭受無機層之間的略微提升和/或分層或襯底與無機層之間的略微提升。因此,無機層不足以防止濕氣和/或氧氣滲透有機發光二極管。

            韓國專利早期公開案第2011-0071039號中公開了本發明的背景技術。



            技術實現要素:

            本發明的一個方面提供一種包含展現高等離子抗性的有機層的有機發光二極管顯示器設備。

            本發明的另一方面提供一種包含水蒸氣滲透性和氧氣滲透性顯著低的有機層的有機發光二極管顯示器設備。

            本發明的另一方面提供一種包含展現優良透光度的有機層的有機發光二極管顯示器設備。

            本發明的又一方面為提供一種有機發光二極管顯示器設備,所述顯示器設備包含能夠通過保護有機發光二極管顯示器設備免受包括濕氣和氣體的圍繞而在運行時間內確保可靠性的有機層。

            本發明的又一方面為提供一種有機發光二極管顯示器設備,其確保光提取效率以按低功率驅動有機發光二極管顯示器設備。

            根據本發明的一個方面,有機發光二極管顯示器設備包含:襯底;安置于所述襯底上的有機發光二極管;以及包封所述有機發光二極管的包封層,其中所述包封層具有兩個或多于兩個無機層和一或多個有機層一個在另一個上交替堆疊的結構,無機層中的每一者的厚度為40納米到1000納米并且折射率為1.41到2.0,有機層中的每一者的厚度為0.2微米到15微米并且折射率為1.4到1.65,所述有機層由包封組成物形成,且其中所述包封組成物包含:10重量%到70重量%的(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯、20重量%到70重量%的(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯、5重量%到40重量%的(C)單(甲基)丙烯酸酯以及1重量%到10重量%的(D)起始劑,所述(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯由式1表示:

            (其中R1、R2、R3、R4、X1、X2、X3、X4、X5、X6以及n與以下實施方式中所定義相同)。

            本發明提供一種包含展現高等離子抗性的有機層的有機發光二極管顯示器設備。

            本發明提供一種包含具有顯著低水蒸氣滲透性和氧氣滲透性的有機層的有機發光二極管顯示器設備。

            本發明提供一種包含展現優良透光度的有機層的有機發光二極管顯示器設備。

            本發明提供一種有機發光二極管顯示器設備,所述顯示器設備包含能夠通過保護所述有機發光二極管顯示器設備免受包括濕氣和氣體的圍繞而在運行時間內確保可靠性的有機層。

            本發明提供一種有機發光二極管顯示器設備,其確保光提取效率以按低功率驅動有機發光二極管顯示器設備。

            本發明提供一種有機發光二極管顯示器設備,其中形成兩個相鄰無機層以彼此接觸以防止無機層之間或襯底與無機層之間的略微提升和/或分層,由此抑制濕氣和/或氧氣經由其邊緣滲透到包封層中。

            附圖說明

            圖1為根據本發明的一個實施例的有機發光二極管顯示器設備的截面視圖。

            圖2為根據本發明的另一實施例的有機發光二極管顯示器設備的截面視圖。

            具體實施方式

            下文將參照附圖詳細描述本發明的實施例。應理解,本發明不限于以下實施例且可以不同方式實施,且給出以下實施例是為了提供本發明的完整公開并且便于所屬領域的技術人員透徹理解本發明。應注意,附圖的比例并不是精確的,而且為了便于附圖中清楚地描述,有些尺寸,例如寬度、長度、厚度等,可能經過放大。此外,盡管為方便描述起見僅說明一部分組分,但對于所屬領域的技術人員組分的其它部分可以變得顯而易見。此外,應了解,在不背離本發明的精神和范圍的情況下,本發明可以由所屬領域的技術人員以不同方式實施。

            如本文所用,如“上”和“下”的空間上相對的術語為參照附圖定義的。因此,應了解,“上”與“下”可以互換使用。應了解,當將一個層稱為“在”另一層“上”時,這個層可以直接形成于另一層上或還可以存在插入層。因此,應了解,當將層稱為“直接在”另一層“上”時,其間不插入插入層。

            如本文所用,術語“(甲基)丙烯酰基”是指丙烯酰基和/或甲基丙烯酰基。

            除非另外說明,否則在本文中,術語“經取代的”意思是官能團中的至少一個氫原子經以下各者取代:鹵素原子(例如(F、Cl、Br或I)、羥基、硝基、氰基、亞氨基(=NH、=NR,R為C1到C10烷基))、氨基(-NH2、-NH(R')、-N(R")(R"'),R'、R"以及R"'各自獨立地為C1到C10烷基)、脒基、肼基、腙基、羧酸基、C1到C20烷基、C6到C30芳基、C3到C30環烷基、C3到C30雜芳基或C2到C30雜環烷基。

            如本文所用,術語“芳基”是指環狀取代基的所有元素具有p軌道并且使這些p軌道共軛的官能團。芳基包含單環、非稠合多環或稠合多環官能團。此處,術語“稠合”意思是相鄰環共享一對碳原子。芳基還包含聯苯基(biphenyl group)、聯三苯基(terphenyl group)或聯四苯基(quaterphenyl group),其中至少兩個芳基通過σ鍵(sigma bond)彼此連接。芳基可以指苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、2-乙基-l-苯并菲基(chrysenyl group)等。

            如本文所用,術語“雜芳基”是指其中芳基含有1到3個由以下各者組成的族群中群組選出的雜原子的官能團:N、O、S、P以及Si,并且所述芳基中的其它原子為碳。雜芳基還包含至少兩個雜芳基通過σ鍵直接連接的官能團。雜芳基還包含至少兩個雜芳基發生稠合的官能團。如果雜芳基發生稠合,那么每一環可以包括1到3個如上文所述的雜原子。雜芳基可以指例如吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基等。

            更具體來說,C6到C30芳基和/或C3到C30雜芳基可以為經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的萘基、經取代或未經取代的蒽基、經取代或未經取代的菲基、經取代或未經取代的稠四苯基、經取代或未經取代的芘基、經取代或未經取代的聯苯基、經取代或未經取代的對聯三苯基、經取代或未經取代的間聯三苯基、經取代或未經取代的2-乙基-l-苯并菲基、經取代或未經取代的三亞苯基、經取代或未經取代的亞苯基、經取代或未經取代的茚基、經取代或未經取代的呋喃基、經取代或未經取代的噻吩基、經取代或未經取代的吡咯基、經取代或未經取代的吡唑基、經取代或未經取代的咪唑基、經取代或未經取代的三唑基、經取代或未經取代的惡唑基、經取代或未經取代的噻唑基、經取代或未經取代的惡二唑基、經取代或未經取代的噻二唑基、經取代或未經取代的吡啶基、經取代或未經取代的嘧啶基、經取代或未經取代的吡嗪基、經取代或未經取代的三嗪基、經取代或未經取代的苯并呋喃基、經取代或未經取代的苯并噻吩基、經取代或未經取代的苯并咪唑基、經取代或未經取代的吲哚基、經取代或未經取代的喹啉基、經取代或未經取代的異喹啉基、經取代或未經取代的喹唑啉基、經取代或未經取代的喹喔啉基、經取代或未經取代的萘啶基、經取代或未經取代的苯并惡嗪基、經取代或未經取代的苯并噻嗪基、經取代或未經取代的吖啶基、經取代或未經取代的啡嗪基、經取代或未經取代的啡噻嗪基、經取代或未經取代的啡惡嗪基、經取代或未經取代的二苯并呋喃基、經取代或未經取代的二苯并噻吩基或其組合,但不限于這些。

            如本文所用,術語“歸因于等離子的有機層的蝕刻率”或“等離子蝕刻率”是指在以下程序之后由等式2計算的值:測量由將包封組成物沉積到預定厚度并且使所述組成物光固化所形成的有機層的初始高度T1(單位微米),之后測量在以下條件下等離子處理后的有機層的高度T2(單位:微米):電感耦合等離子(ICP)功率:2500瓦、射頻(RF)功率:300瓦、直流偏壓:200伏、Ar流量:50sccm、蝕刻時間:1分鐘以及壓力:10毫托。此處,有機層的初始高度(T1)可以在1微米到10微米的范圍內。通過等式2計算的值與有機層的等離子抗性成反比。

            <等式2>

            歸因于等離子的有機層的蝕刻率(%)=(T1-T2)/T1×100

            如本文所用,術語“折射率”意思是通過光譜橢率測量術(spectroscopic ellipsometry)關于有機層或無機層測量的值。

            根據本發明的有機發光二極管顯示器設備包含襯底;安置于所述襯底上的有機發光二極管以及包封所述有機發光二極管的包封層,其中所述包封層具有兩個或多于兩個無機層和一或多個有機層一個在另一個上交替堆疊的結構,無機層中的每一者的厚度為40納米到1000納米并且折射率為1.41到2.0,有機層中的每一者的厚度為0.2微米到15微米并且折射率為1.4到1.65,并且所述有機層可以由包封組成物形成。

            根據本發明的包封組成物可以實現具有優良等離子抗性的有機層。因此,在根據本發明的有機發光二極管顯示器設備中,這類有機層形成于無機層之間以實現通過阻斷無機層的缺陷阻斷外部濕氣和氧氣滲透同時使無機層平坦化的作用,由此實現厚度薄的包封層。

            根據本發明的包封組成物可以實現展現顯著低水蒸氣滲透性和氧氣滲透性的有機層。因此,根據本發明的有機發光二極管顯示器設備可以進一步抑制外部濕氣和/或氧氣向有機發光二極管中的滲透同時改進在運行時間內有機發光二極管的可靠性。

            無機層中的每一者的厚度可以為40納米到1000納米并且折射率為1.41到2.0。在這些范圍內,無機層可以阻斷外部濕氣和/或氧氣向有機發光二極管中的滲透同時確保光提取效率。具體來說,無機層中的每一者的厚度可以為100納米到1000納米并且折射率為1.41到1.8。在這些范圍內,無機層可以確保光提取效率同時展現透光度。

            有機層中的每一者的厚度可以為0.2微米到15微米并且折射率為1.4到1.65。在這些范圍內,有機層可以實現阻斷外部濕氣和氧氣滲透的作用,并且可以通過阻斷無機層的缺陷同時使無機層平坦化確保光提取效率,由此實現厚度薄的包封層。具體來說,有機層中的每一者的厚度可以為1微米到15微米,例如1微米、2微米、3微米、4微米、5微米、6微米、7微米、8微米、9微米或10微米,并且折射率為例如1.4、1.45、1.5、1.55或1.6。在這些范圍內,有機層可以更高效地阻斷無機層的缺陷同時使無機層平坦化,并且可以確保進一步改進光提取效率同時展現透光度。

            無機層和有機層可以具有相同或不同的折射率和/或相同或不同的厚度。

            舉例來說,在根據本發明的有機發光二極管顯示器設備中,無機層包括第一無機層和第二無機層;有機層包括第一有機層;并且包封層包括一個在另一個上交替堆疊的所述第一無機層、所述第一有機層以及所述第二無機層。

            包封層可以具有所述第一無機層和所述第二無機層在其邊緣依序堆疊的結構。在一個實施例中,第一無機層和第二無機層可以具有相同面積。在另一實施例中,第二無機層可以形成以包圍第一有機層。在其它實施例中,無機層可以具有相同面積或可以隨距所述有機發光二極管的距離增加而逐漸遞增的面積。

            接下來,將參看圖1描述根據本發明的一個實施例的有機發光二極管顯示器設備。圖1為根據本發明的一個實施例的有機發光二極管顯示器設備的部分截面視圖。

            參看圖1,根據一個實施例的有機發光二極管顯示器設備100包含襯底110、有機發光二極管120以及包封層130,所述包封層可以包封所述有機發光二極管120。

            襯底110可以安置于有機發光二極管120和包封層130之下以支撐所述有機發光二極管120和所述包封層130。襯底110可以包括其中形成有機發光二極管120的發光區域,和與不包括發光區域的區域對應的非發光區域。

            襯底110可以為玻璃襯底、石英襯底或透明塑料襯底。透明塑料襯底可以通過為有機發光二極管顯示器設備提供柔性而用于柔性產品。透明塑料襯底可以由以下各者中的至少一個形成:聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚丙烯酸酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚樹脂、包括聚對苯二甲酸乙二酯的聚酯樹脂以及磺酸樹脂,但不限于這些。

            有機發光二極管120可以形成于襯底110的發光區域上,以驅動有機發光二極管顯示器設備。有機發光二極管為自發光裝置并且可以包括所屬領域中公開已知的典型結構。

            具體來說,有機發光二極管可以具有其中陽極、空穴傳輸區域、發光層、電子傳輸區域以及陰極以這一次序依序堆疊的結構。空穴傳輸區域可以包括空穴注入層、空穴傳輸層以及電子阻擋層中的至少一者。電子傳輸區域可以包含空穴阻擋層、電子傳輸層以及電子注入層中的至少一者。光通過在發光層中重組由陽極產生的空穴和由陰極產生的電子由發光層發出。陽極、空穴傳輸區域、發光層、電子傳輸區域以及陰極的細節為所屬領域的技術人員所熟知。

            具體來說,陽極可以由具有高功函數的材料形成以使得空穴有效注入到發光層中。用于陽極的材料的實例可以包含金屬,如鎳、鉑、釩、鉻、銅、鋅以及金、其金屬合金;金屬氧化物,如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫以及氧化銦鋅,金屬和金屬氧化物的組合,如氧化鋅和鋁的組合;氧化鋅和銻的組合。陰極可以由具有低功函數的材料形成以允許電子容易注入到有機發光層中。用于陰極的材料的實例可以包含金屬,如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫、鉛、銫、鋇或其金屬合金。

            發光層可以包含所屬領域的技術人員已知的材料。舉例來說,發光層可以包含氟衍生物和金屬絡合物,但不限于這些。

            空穴傳輸區域可以由如如下的材料形成:間-MTDATA(m-MTDATA)、TDATA、2-TNATA、NPB、β-NPB、TPD、螺-TPD(spiro-TPD)、螺-NPB(spiro-NPB)、α-NPB、TAPC、HMTPD、PEDOTT/PSS(聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯))以及PANI/PSS(聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)),但不限于這些。

            在電子傳輸區域中,空穴阻擋層可以包含如下BCP和Bphen中的至少一者,但不限于這些。

            電子傳輸層可以包含如上BCP和Bphen中的至少一者和如下Alq3、BAlq、TAZ、NTAZ、ET1以及ET2,但不限于這些。

            電子注入層可以包含LiF、NaCl、CsF、Li2O以及BaO中的至少一者,但不限于這些。

            包封層130可以直接形成于有機發光二極管120上以包封有機發光二極管120。在本文中,表達“直接形成于……上”意思是包封層與有機發光二極管之間無粘合劑層、結合層和/或空氣層插入。

            包封層130可以具有其中兩個或多于兩個無機層和一或多個有機層一個在另一個上交替堆疊的多層結構。圖1展示包括包封層的有機發光二極管顯示器設備,其中兩個無機層和一個有機層交替堆疊,總計為三層。具體來說,圖1展示包括包封層的有機發光二極管顯示器設備,其中第一無機層131、第一有機層132以及第二無機層133交替堆疊。在其它實施例中,包封層可以具有其它類型的多層結構,其中無機層和有機層交替堆疊,總計為5層到15層,具體來說,5層、6層或7層。舉例來說,在包封層包含總計5層的結構中,包封層可以包含一個在另一上交替堆疊的第一無機層、第一有機層、第二無機層、第二有機層以及第三無機層。在包封層包含總計7層的結構中,包封層可以包含一個在另一個上交替堆疊的第一無機層、第一有機層、第二無機層、第二有機層、第三無機層、第三有機層以及第四無機層。一般來說,包封層的最外層可以為無機層。在這一結構下,根據本發明的有機發光二極管顯示器設備可以在運行時間內確保可靠性。

            舉例來說,在根據本發明的有機發光二極管顯示器設備中,無機層包含第一無機層和第二無機層;所述有機層包含第一有機層;并且所述包封層包含一個在另一個上交替堆疊的第一無機層、第一有機層以及第二無機層,其中所述第一無機層和所述第二無機層可以至少部分彼此接觸。在一些實施例中,包封層可以具有所述第一無機層和所述第二無機層在其邊緣依序堆疊的結構。此外,在根據本發明的有機發光二極管顯示器設備中,無機層和有機層中的每一者可以具有隨距所述有機發光二極管的距離增加而逐漸遞增的面積。

            在根據本發明的有機發光二極管顯示器設備中,所述無機層可以具有相同面積或隨距所述有機發光二極管120的距離增加而逐漸遞增的面積。

            參看圖1,將更詳細描述無機層包含第一無機層131和第二無機層133并且有機層包含第一有機層132的包封層的結構。

            第一無機層131和第二無機層133中的每一者具有與第一有機層132相比不同的組成,并且可以補償第一有機層132的影響。第一無機層131和第二無機層133中的每一者可以抑制氧氣或濕氣向有機發光二極管120中的滲透。

            第一無機層131和第二無機層133中的每一者的厚度為40納米到1000納米并且折射率為1.41到2.0。在這些范圍內,無機層可以阻斷外部濕氣和/或氧氣向有機發光二極管中的滲透同時確保光提取效率。

            第一無機層131形成以直接接觸有機發光二極管120和襯底110。在這一結構下,第一無機層131可以抑制外部濕氣和/或氧氣向有機發光二極管120中滲透。如本文所用,表達“形成以直接接觸”意思是在有機發光二極管120與第一無機層131之間無粘合劑層、結合層和/或空氣層插入。

            第二無機層133直接形成于第一有機層132上。第一有機層132具有高等離子抗性。因此,第二無機層133可以確保厚度均勻并且包封層130可以確保表面粗糙度均勻。

            第二無機層133形成以至少部分接觸第一無機層131。因此,包封層130可以具有第一無機層131和第二無機層133依序堆疊于襯底110上的結構。在這一結構下,包封層130可以進一步抑制外部濕氣和/或氧氣向有機發光二極管120中滲透,同時進一步改進有機發光二極管120側表面的包封功能。此外,包封層130可以通過防止第一無機層131與第二無機層133之間的略微提升和/或分層改良有機發光二極管120的可靠性。參看圖1,包封層130具有第一無機層131和第二無機層133依序堆疊于其邊緣的結構。

            第二無機層133具有接觸第一無機層131的下表面。在這一結構下,第一無機層131與第二無機層133之間的接觸面積放大,由此進一步改進包封作用。或者,可以形成第二無機層133以在第二無機層133的邊緣(尤其第二無機層133的厚度部分或下表面)接觸第一無機層131。

            第二無機層133圍繞第一有機層132并且依序堆疊于第一無機層131上。在這一結構中,第一無機層131具有與第二無機層133相同的面積。或者,第二無機層133可以形成以圍繞第一有機層132與第一無機層131。或者,無機層的面積可以隨距有機發光二極管120的距離增加而逐漸遞增。在這一結構下,包封層130可以抑制外部濕氣和/或氧氣向有機發光二極管120中滲透,同時進一步抑制第一無機層131與第二無機層133之間的分層和/或略微提升。

            第一無機層131和第二無機層133中的每一者可以由具有優良透光率的無機材料形成。第一無機層131和第二無機層133可以由相同或不同的無機材料形成。具體來說,無機材料可以包含金屬、非金屬、金屬間化合物或合金、非金屬間化合物或合金、金屬或非金屬的氧化物、金屬或非金屬的氟化物、金屬或非金屬的氮化物、金屬或非金屬的碳化物、金屬或非金屬的氮氧化物、金屬或非金屬的硼化物、金屬或非金屬的硼氧化物、金屬或非金屬的硅化物以及其混合物。金屬或非金屬可以包含硅(Si)、鋁(Al)、硒(Se)、鋅(Zn)、銻(Sb)、銦(In)、鍺(Ge)、錫(Sn)、鉍(Bi)、過渡金屬以及鑭系金屬,但不限于這些。具體來說,無機材料可以包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、ZnSe、ZnO、Sb2O3、AlOx(包括Al2O3)、In2O3或SnO2。此處,x和y中的每一者在1到5的范圍內。

            第一有機層132可以安置在界定于第一無機層131與第二無機層133之間的區域內。也就是說,第一有機層132可以由第一無機層131和第二無機層133完全圍繞。

            第一有機層132的厚度可以為0.2微米到15微米并且折射率為1.4到1.65。在這些范圍內,第一有機層可以實現阻斷外部濕氣和氧氣滲透的作用,并且可以通過阻斷無機層的缺陷同時使無機層平坦化確保光提取效率。

            第一有機層132可以由根據本發明的包封組成物形成。因此,第一有機層132可以阻斷外部濕氣和氧氣。

            圖1展示其中包封層130僅包含第一有機層132作為有機層的結構。在另一實施例中,包封層130可以更包含依序形成于第二無機層133上的第二有機層和第三無機層。在這個實施例中,第一有機層132和第二有機層可以具有相同的面積。或者,第二有機層可以具有與第一有機層相比較大的面積。也就是說,有機層可以具有相同的面積或面積可以隨距有機發光二極管120的距離增加而逐漸遞增。

            第一有機層132由根據本發明的實施例的包封組成物形成。因此,根據本發明的實施例的有機發光二極管顯示器設備100具有具有電漿抗性和平坦度的包封層,并且可以抑制外部濕氣和氧氣滲透。此外,在根據本發明的實施例的有機發光二極管顯示器設備100中,無機層中的每一者的厚度為40納米到1000納米并且折射率為1.41到2.0;有機層中的每一者的厚度為0.2微米到15微米并且折射率為1.4到1.65,并且有機層由根據本發明的實施例的包封組成物形成,由此更有效阻斷外部濕氣和氧氣向有機發光二極管顯示器設備中的滲透。

            接下來,將描述根據本發明的實施例的包封組成物。

            根據本發明的一個實施例的包封組成物包含:10重量%到70重量%的(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯;20重量%到70重量%的(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯;5重量%到40重量%的(C)單(甲基)丙烯酸酯;以及1重量%到10重量%的(D)起始劑,其中所述(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯可以由式1表示:

            (其中下文將詳細描述R1、R2、R3、R4、X1、X2、X3、X4、X5、X6以及n)。

            根據本發明的實施例的包封組成物可以包含(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯、(B)由式1表示的硅類二(甲基)丙烯酸酯、(C)單(甲基)丙烯酸酯以及(D)起始劑。另外,根據實施例的包封組成物可以包含如上文所述特定量的(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯、(B)由式1表示的硅類二(甲基)丙烯酸酯、(C)單(甲基)丙烯酸酯以及(D)起始劑。因此,包封組成物可以呈現顯著改進的光固化率。此外,包封組成物可以實現在固化之后展現優良透光率、同時展現顯著高的等離子抗性的有機層。因此,根據實施例的包封組成物可以實現歸因于用于形成無機層的等離子的具有低蝕刻率的有機層,并且因此可以改進有機發光二極管的可靠性。

            具體來說,根據實施例的包封組成物的光固化率可以為88%或大于88%,具體來說88%到99%、更具體來說90%到99%,例如90%、91%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%或99%。另外,根據實施例的包封組成物在380納米到700納米的波長下固化后的透光率可以為93%,例如93.5%到100%、94.2%到100%、95%到99%、或96%到99%。此外,根據實施例的包封組成物的固化后的歸因于等離子的有機層的蝕刻率可以為20%或小于20%,例如0.1%、1%、2%、3%、4%、5%、6%、7%、8%、9%、10%、11%、12%、13%、14%、15%、16%、17%、18%、19%或20%。在光固化率、透光率以及歸因于等離子的有機層的蝕刻率的這些范圍內,根據實施例的包封組成物可以顯著改進有機發光二極管的可靠性。

            在一個實施例中,包封組成物可以包含以(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計10重量%到50重量%的(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯、20重量%到70重量%的(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯、5重量%到40重量%的(C)單(甲基)丙烯酸酯以及1重量%到10重量%的(D)起始劑。

            如本文所用,(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯、(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯、(C)單(甲基)丙烯酸酯以及(D)起始劑為不同化合物。

            在下文中,將更詳細描述(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯、(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯、(C)單(甲基)丙烯酸酯以及(D)起始劑。

            (A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯

            (A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯為不包含硅(Si)并且具有兩個(甲基)丙烯酸酯基的光可固化單體。因此,包封組成物可以具有改進的光固化率和改進的固化后透光率。另外,(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯在25℃下具有低粘度,并且因此可以降低包封組成物的粘度。因此,包封組成物可以有助于使用如噴墨印刷等方法在有機發光二極管上或在包封有機發光二極管的無機層上形成有機層。

            (A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯為不含有芳香族基團的非芳香族非硅類二(甲基)丙烯酸酯,并且可以包含含經取代或未經取代的長鏈亞烷基的非硅類二(甲基)丙烯酸酯。在這種情況下,包封組成物有助于使用如沉積等方法在有機發光二極管上或在包封有機發光二極管的無機層上形成有機層。

            具體來說,(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯可以為含經取代或未經取代的C1到C20亞烷基的二(甲基)丙烯酸酯。更具體來說,(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯可以包含(甲基)丙烯酸酯基之間具有未經取代的C1到C15亞烷基的二(甲基)丙烯酸酯。此處,亞烷基中的碳原子數是指不包括二(甲基)丙烯酸酯基中存在的碳原子的僅在亞烷基中存在的碳原子的數量。

            在一個實施例中,(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯可以由式2表示:

            其中R3和R4各自獨立地為氫或甲基,并且R5為經取代或未經取代的C1到C20亞烷基。

            因為根據本發明的包封組成物包含(A)由式2表示的非硅類二(甲基)丙烯酸酯,所以包封組成物可以呈現較高光固化率并且因其低粘度而更容易沉積。

            舉例來說,式2中的R5可以為未經取代的C8到C12亞烷基。更具體來說,(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯可以包含辛二醇二(甲基)丙烯酸酯、壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、十一烷二醇二(甲基)丙烯酸酯以及十二烷二醇二(甲基)丙烯酸酯中的至少一者。

            (A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯可以單獨使用或以組合形式用于包封組成物中。

            (A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯可以按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計以10重量%到70重量%的量存在。舉例來說,按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計,(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯可以以10重量%到50重量%,例如35重量%、36重量%、37重量%、38重量%、39重量%、40重量%、41重量%、42重量%、43重量%、44重量%、45重量%、46重量%、47重量%或48重量%的量存在。在這一范圍內,包封組成物可以呈現改進的光固化率,并且可以實現展現高透光率和低等離子蝕刻率的有機層。

            (B)硅類二(甲基)丙烯酸酯

            (B)硅類二(甲基)丙烯酸酯包含至少一個連接到硅原子的經取代或未經取代的C6到C30芳基。因此,包封組成物可以實現具有極高等離子抗性,由此展現低等離子蝕刻率的有機層。

            (B)硅類二(甲基)丙烯酸酯可以由式1表示:

            其中R1和R2各自獨立地為單鍵、經取代或未經取代的C1到C20亞烷基、經取代或未經取代的C1到C30亞烷基醚、*-N(R')-(R")-*(*表示元素的結合位點,R'為氫或經取代或未經取代的C1到C30烷基,并且R"為經取代或未經取代的C1到C20亞烷基)、經取代或未經取代的C6到C30亞芳基、經取代或未經取代的C7到C30芳基亞烷基或*-(R')-O-**(*表示式1中O的結合位點,**表示式1中Si的結合位點,并且R'為經取代或未經取代的C1到C30亞烷基);

            X1、X2、X3、X4、X5以及X6各自獨立地為氫、羥基、鹵素、氰基、經取代或未經取代的C1到C30烷基、經取代或未經取代的C1到C30雜環烷基、經取代或未經取代的C3到C30環烷基、經取代或未經取代的C1到C30烷基醚基、*-N(R')-(R")-*(*表示元素的結合位點,并且R'和R"各自獨立地為氫或經取代或未經取代的C1到C30烷基)、經取代或未經取代的C1到C30硫化烷基(alkyl sulfide group)、經取代或未經取代的C6到C30芳基、經取代或未經取代的C2到C30雜芳基或經取代或未經取代的C7到C30芳基烷基;

            X1、X2、X3、X4、X5以及X6中的至少一者為經取代或未經取代的C6到C30芳基或經取代或未經取代的C2到C30雜芳基;

            R3和R4各自獨立地為氫或甲基;以及

            n為0到30的整數,或平均在0到30的范圍內。

            術語“單鍵”意思是在式1中Si和O直接連接(Si-O)。

            具體來說,在式1中,R1和R2可以各自獨立地為單鍵、經取代或未經取代的C1到C20亞烷基或經取代或未經取代的C1到C30亞烷基醚基(alkylene ether group)。具體來說,X1、X2、X3、X4、X5以及X6可以各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1到C30烷基、經取代或未經取代的C3到C30環烷基、經取代或未經取代的C1到C30烷基醚基、經取代或未經取代的C6到C30芳基、經取代或未經取代的C2到C30雜芳基、或經取代或未經取代的C7到C30芳基烷基;并且X1、X2、X3、X4、X5以及X6中的至少一者可以為經取代或未經取代的C6到C30芳基。

            更具體來說,在式1中,R1和R2可以各自獨立地為單鍵或經取代或未經取代的C1到C20亞烷基。在這種情況下,包封組成物可以進一步降低等離子蝕刻率。

            更具體來說,在式1中,X1、X2、X3、X4、X5以及X6可以各自獨立地為經取代或未經取代的C1到C10烷基、或經取代或未經取代的C6到C10芳基;并且X1、X2、X3、X4、X5以及X6中的至少一者可以為經取代或未經取代的C6到C10芳基。更具體來說,X1、X2、X3、X4、X5以及X6可以各自獨立地為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、聯苯基或萘基;并且X1、X2、X3、X4、X5以及X6中的一者、兩者、三者或六者可以為苯基或萘基。在這種情況下,包封組成物可以進一步降低等離子蝕刻率。

            更具體來說,n為1到5的整數。在這種情況下,包封組成物可以進一步降低等離子蝕刻率。

            更具體來說,(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯可以由式3到式8中的任一者表示。

            <式3>

            <式4>

            <式5>

            <式6>

            <式7>

            <式8>

            (B)硅類二(甲基)丙烯酸酯可單獨使用或以其組合使用。

            按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計,(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯可以以20重量%到70重量%的量存在。舉例來說,按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計,(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯可以以25重量%到45重量%,例如28重量%、29重量%、30重量%、31重量%、32重量%、33重量%、34重量%、35重量%、36重量%、37重量%、38重量%、39重量%、40重量%或41重量%的量存在。在這一范圍內,包封組成物可以呈現高光固化率。另外,包封組成物可以實現展現高透光率和低等離子蝕刻率的有機層。

            (A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯和由式1表示的(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯可以按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計以50重量%到90重量%,具體來說60重量%到90重量%的總量存在。在這一范圍內,包封組成物可以實現展現低等離子蝕刻率的有機層。

            (A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯和由式1表示的(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯可以例如1:0.1到1:1、1:0.1到1:85、1:0.1到1:80、1:0.1到1:75、1:0.1到1:70、1:0.1到1:0.65、或1:0.1到1:0.6的重量比(A:B)存在。在這一范圍內,包封組成物可以實現展現進一步降低的等離子蝕刻率的有機層。

            (B)硅類二(甲基)丙烯酸酯可以通過典型方法制備。舉例來說,(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯可以通過使經取代或未經取代的C6到C30芳基或經取代或未經取代的C2到C30雜芳基連接到至少一個硅原子的硅氧烷化合物與擴展碳鏈的化合物(例如烯丙醇)反應,之后與(甲基)丙烯酰氯反應來制備,但不限于這些。或者,(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯可以通過使經取代或未經取代的C6到C30芳基或經取代或未經取代的C2到C30雜芳基連接到至少一個硅原子的硅氧烷化合物與(甲基)丙烯酰氯反應來制備,但不限于這些。

            (C)單(甲基)丙烯酸酯

            包封組成物中所包括的(C)單(甲基)丙烯酸酯可以增加包封組成物的光固化率。另外,(C)單(甲基)丙烯酸酯可以降低有機層的等離子蝕刻率,同時增加有機層的透光率。

            (C)單(甲基)丙烯酸酯可以包含不含硅的非硅類單(甲基)丙烯酸酯。具體來說,(C)單(甲基)丙烯酸酯可以包含含有芳香族基團的芳香族單(甲基)丙烯酸酯和不含芳香族基團的非芳香族單(甲基)丙烯酸酯中的至少一者。

            (C)單(甲基)丙烯酸酯可以單獨使用或以其組合形式使用。(C)單(甲基)丙烯酸酯中的芳香族單(甲基)丙烯酸酯可以單獨使用或以其組合使用。(C)單(甲基)丙烯酸酯中的非芳香族單(甲基)丙烯酸酯可以單獨使用或以其組合使用。

            在一個實施例中,(C)單(甲基)丙烯酸酯可以包含含芳香族基團的單(甲基)丙烯酸酯。因為如上文所述的含芳香族基團的單(甲基)丙烯酸酯與(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯都含有芳香族基團,所以當一起使用含芳香族基團的單(甲基)丙烯酸酯和(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯時呈現在包封組成物中進一步改進的相容性。因此,(C)單(甲基)丙烯酸酯可以呈現進一步改進的與(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯的混溶性。在這種情況下,包封組成物可以具有改進的降低有機層的等離子蝕刻率的作用。

            芳香族單(甲基)丙烯酸酯可以包含含經取代或未經取代的芳香族基團的單(甲基)丙烯酸酯。此處,術語“芳香族基團”是指單環芳香族基團或指包括稠合形式等或是指多個單環通過σ鍵彼此連接的形式的多環芳香族基團。舉例來說,芳香族基團可以指經取代或未經取代的C6到C50芳基、經取代或未經取代的C7到C50芳基烷基、經取代或未經取代的C3到C50雜芳基以及經取代或未經取代的C3到C50雜芳基烷基中的至少一者。更具體來說,芳香族基團可以包含以下各者中的至少一者:苯基、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、萘基、蒽基、菲基、2-乙基-l-苯并菲基、三亞苯基、并四苯基、芘基、苯并芘基、稠五苯基、蔻基、莪基、碗烯基、苯甲基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、吖啶基、喹唑啉基、噌啉基、酞嗪基、噻唑基、苯并噻唑基、異惡唑基、苯并異惡唑基、惡唑基、苯并惡唑基、吡唑基、吲唑基、咪唑基、苯并咪唑基、嘌呤基、噻吩基、苯并噻吩基、呋喃基、苯并呋喃基以及異苯并呋喃基。

            舉例來說,芳香族單(甲基)丙烯酸酯可以由式9表示:

            其中R3為氫或甲基;s為0到10的整數;并且R6為經取代或未經取代的C6到C50芳基或經取代或未經取代的C6到C50芳氧基。

            舉例來說,R6可以為苯基苯氧基乙基、苯氧基乙基、苯甲基、苯基、苯基苯氧基、苯氧基、苯乙基、苯丙基、苯丁基、甲基苯基乙基、丙基苯基乙基、甲氧基苯乙基、環己基苯乙基、氯苯乙基、溴苯乙基、甲基苯基、甲基乙基苯基、甲氧苯基、丙基苯基、環己基苯基、氯苯基、溴苯基、苯基苯基、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、蒽基、萘基、三亞苯基(triphenylenyl group)、甲基苯氧基、乙基苯氧基、甲基乙基苯氧基、甲氧基苯氧基、丙基苯氧基、環己基苯氧基、氯苯氧基、溴苯氧基、聯苯氧基、聯三苯氧基、聯四苯氧基、蒽氧基、萘氧基或三亞苯氧基。

            具體來說,芳香族單(甲基)丙烯酸酯可以包含以下各者中的至少一者:(甲基)丙烯酸2-苯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苯氧酯、(甲基)丙烯酸2-乙基苯氧酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、(甲基)丙烯酸2-苯乙酯、(甲基)丙烯酸3-苯丙酯、(甲基)丙烯酸4-苯丁酯、(甲基)丙烯酸2-(2-甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(3-甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-丙基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-(1-甲基乙基)苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-甲氧苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-環己基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(2-氯苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(3-氯苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-氯苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-溴苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(3-苯基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸4-(聯苯-2-基氧基)丁酯、(甲基)丙烯酸3-(聯苯-2-基氧基)丁酯、(甲基)丙烯酸2-(聯苯-2-基氧基)丁酯、(甲基)丙烯酸1-(聯苯-2-基氧基)丁酯、(甲基)丙烯酸4-(聯苯-2-基氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸3-(聯苯-2-基氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸2-(聯苯-2-基氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸1-(聯苯-2-基氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸4-(聯苯-2-基氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸3-(聯苯-2-基氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(聯苯-2-基氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸1-(聯苯-2-基氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-苯甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸1-(4-苯甲基苯基)乙酯以及其結構性異構體,但不限于這些。另外,應了解本文所述的(甲基)丙烯酸酯僅以舉例的方式提供并且本發明不限于這些。此外,根據本發明的(甲基)丙烯酸酯包含與結構性異構體對應的所有丙烯酸酯。舉例來說,盡管僅以舉例方式提及(甲基)丙烯酸2-苯乙酯,但根據本發明的(甲基)丙烯酸酯包含所有(甲基)丙烯酸3-苯乙酯和(甲基)丙烯酸4-苯酯。

            非芳香族單(甲基)丙烯酸酯可以為含經取代或未經取代的C1到C20烷基的單(甲基)丙烯酸酯。具體來說,非芳香族單(甲基)丙烯酸酯可以為含未經取代的直鏈C1到C20烷基的單(甲基)丙烯酸酯,更具體來說含未經取代的直鏈C10到C20烷基的單(甲基)丙烯酸酯。舉例來說,非芳香族單(甲基)丙烯酸酯可以包含以下各者中的至少一者:(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸十九烷酯以及(甲基)丙烯酸二十烷酯,但不限于這些。

            (C)單(甲基)丙烯酸酯可以按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計以5重量%到40重量%的量存在。舉例來說,(C)單(甲基)丙烯酸酯可以按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計以5重量%到30重量%的量存在。在這一范圍內,包封組成物可以呈現高光固化率。另外,包封組成物可以實現展現高透光率和低等離子蝕刻率的有機層。

            (D)起始劑

            (D)起始劑允許通過固化(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯、(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯以及(C)單(甲基)丙烯酸酯形成有機層,并且可以包含(但不限于)任何典型光聚合起始劑。

            (D)起始劑可以包含三嗪、苯乙酮、二苯甲酮、噻噸酮、安息香、磷以及肟起始劑中的至少一者,但不限于這些。舉例來說,磷起始劑可以包含二苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、苯甲基(二苯基)氧化膦、雙(2,6-二甲氧基苯甲酰基)(2,4,4-三甲基苯基)氧化膦以及其混合物。舉例來說,在長波長的紫外光下在根據本發明的組成物中磷起始劑可以呈現較好的起始性能。

            在包封組成物中,(D)起始劑可以單獨使用或以其組合使用。

            (D)起始劑可以按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計以1重量%到10重量%的量存在。在這一范圍內,包封組成物允許在曝露于光下的足夠光聚合。另外,可以降低在光聚合之后剩余的未反應起始劑,由此有機層可以呈現進一步改進的透光率。具體來說,(D)起始劑可以按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計以2重量%、3重量%、4重量%或5重量%的量存在。

            包封組成物可以由混合(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯、(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯、(C)單(甲基)丙烯酸酯以及(D)起始劑形成。舉例來說,包封組成物可以不含溶劑的無溶劑組成物形式形成。舉例來說,當用于包封有機發光二極管的組成物為無溶劑組成物時,重量%是基于(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯、(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯、(C)單(甲基)丙烯酸酯以及(D)起始劑的總重量。

            包封組成物可以包含10重量%到50重量%的Si。在這一范圍內,組成物可以進一步降低有機層的等離子蝕刻率。

            包封組成物在25℃±2℃(23℃到27℃)下的粘度可以為0厘泊(cPs)到200厘泊,具體來說100厘泊或小于100厘泊,更具體來說5厘泊到50厘泊、5厘泊到40厘泊、或5厘泊到30厘泊。在這一范圍內,包封組成物可以有助于形成有機層。在這一范圍內,有利的是在形成有機層時進行如沉積和噴墨印刷的方法。

            包封組成物為光可固化組成物,并且可以通過100毫瓦/平方厘米(mW/cm2)到500毫瓦/平方厘米的紫外線照射1秒到100秒來固化,但不限于這些。

            包封組成物可以更包含熱穩定劑。

            在下文中,將詳細地描述根據本發明的另一個實施例的包封組成物。

            根據本發明的另一個實施例,包封組成物可以包含(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯、(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯、(C)單(甲基)丙烯酸酯、(D)起始劑以及(E)熱穩定劑,其中(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯可以由式1表示,且其中包封組成物可以按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計包含:10重量%到70重量%的(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯;20重量%到70重量%的(B)硅類二(甲基)丙烯酸酯;5重量%到40重量%的(C)單(甲基)丙烯酸酯;以及1重量%到10重量%的(D)起始劑。

            根據這一實施例的包封組成物可以抑制在室溫下的粘度變化。與不包含熱穩定劑的用于包封材料的組合物相比,根據這一實施例的包封組成物可以呈現較高透光率、較高光固化率以及較低等離子蝕刻率。除了熱穩定劑,根據這一實施例的包封組成物的組分與根據以上實施例的組成物的組分相同。因此,將在下文中僅詳細地描述熱穩定劑。

            (E)熱穩定劑包含于用于包封的組成物中以抑制室溫下的粘度變化,并且可以包含任何典型熱穩定劑。在一些實施例中,(E)熱穩定劑可以為空間位阻酚系熱穩定劑。

            具體來說,(E)熱穩定劑可以包含以下各者中的至少一者:季戊四醇-四[3-(3,5-二叔丁基-4-羥苯基)丙酸酯]、硬脂基-3-(3,5-二叔丁基-4-羥苯基)丙酸酯、1,3,5-三(2,6-二甲基-3-羥基-4-叔丁基苯甲基)異氰尿酸酯、1,3,5-三(3,5-二叔丁基-4-羥基苯甲基)異氰尿酸酯、1,3,5-三(2-羥乙基)異氰尿酸酯、季戊四醇-四[3-(3,5-二叔丁基羥苯基)丙酸酯]及三(4-叔丁基-3-羥基-2,6-二甲基芐基)異氰尿酸酯,但不限于這些。

            (E)熱穩定劑可以按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計以2,000ppm或小于2,000ppm,具體來說0.01ppm到2,000ppm,更具體來說100ppm到800ppm,或100ppm到750ppm的量存在。在這一范圍內,熱穩定劑可以進一步改進液體狀態下包封組成物的存儲穩定性和可加工性。

            在一個實施例中,包封組成物可以包含(A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯,其包含含C1到C20亞烷基的二(甲基)丙烯酸酯;(B)由式3到式8中的一者表示的硅類二(甲基)丙烯酸酯;(C)由式9表示的單(甲基)丙烯酸酯;(D)包括磷起始劑的起始劑;以及(E)熱穩定劑。

            盡管圖1中未示出,但有機發光二極管顯示器設備100可以包含用于驅動有機發光二極管120的驅動電路。在一些實施例中,盡管圖1中未示出,但有機發光二極管顯示器設備可以更包含薄膜晶體管(TFT)層和襯底110與有機發光二極管120之間的緩沖層。TFT層驅動有機發光二極管并且可以包含柵極線、數據線、驅動電力線、參比電力線以及電容器。

            在一些實施例中,盡管圖1中未示出,但有機發光二極管顯示器設備可以更包含覆蓋包封層的結合層和結合到結合層以包封有機發光二極管的襯底。所述結合層可以為透明結合薄膜。結合層和襯底可以由所屬領域的技術人員已知的典型材料形成。

            接下來,將參看圖2描述根據本發明的另一個實施例的有機發光二極管顯示器設備。

            參看圖2,根據這一實施例的有機發光二極管顯示器設備200包含襯底110、有機發光二極管120以及包封層130',所述包封層包封所述有機發光二極管120。

            在根據這一實施例的有機發光二極管顯示器設備200中,包封層130'包含第一無機層131、第一有機層132、第二無機層133、第二有機層134以及第三無機層135。在這一實施例中,第二無機層133形成以接觸第三無機層135的至少一部分,并且第二有機層134安置在第二無機層133與第三無機層135之間的區域內。

            接下來,將描述制造根據本發明的一個實施例的有機發光二極管顯示器設備的方法。

            制造根據本發明的一個實施例的有機發光二極管顯示器設備的方法可以包含在襯底上形成有機發光二極管,以及形成其中無機層和有機層交替形成于有機發光二極管上的包封層,其中有機層可以由本發明的實施例的包封組成物形成。

            首先,有機發光二極管形成于襯底上。具體來說,陰極形成于襯底上;并且發光層和其它層通過如真空沉積、濺鍍、等離子鍍覆以及離子鍍覆的干式涂布或如旋轉涂布、浸漬以及流動涂布的濕式涂布形成于其上,之后在其上形成陽極,由此在襯底上形成有機發光二極管。

            無機層可以由包括以下各者的任何適合的真空方法形成:濺鍍、蒸發、升華、CVD、PECVD、ECR-PECVD(electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition;電子回旋共振等離子增強式化學氣相沉積)以及其組合,但不限于這些。有機層可以由如沉積、旋轉涂布、印刷、噴墨印刷以及噴涂的任何方法形成,但不限于這些。

            接下來,將參考一些實例更詳細描述本發明。應了解,提供這些實例僅為進行說明,并且這些實例不應以任何方式理解為限制本發明。

            制備實例1

            在1000毫升具有冷卻管和攪拌棒的燒瓶中,放入300毫升乙酸乙酯、25克3-苯基-1,1,3,5,5-五甲基三硅氧烷(蓋勒斯特公司(Gelest Inc.))以及43克烯丙醇(大中化工與金屬有限公司(Daejung Chemicals&Materials Co.Ltd)),之后氮氣吹掃30分鐘。接下來,將72ppm鉑/碳黑粉末(奧德里奇有限公司(Aldrich GmbH))添加到混合物中,之后將燒瓶加熱到80℃并且攪拌混合物4小時。通過蒸餾去除剩余溶劑,由此獲得化合物。依序將71.5克獲得的化合物和39克三乙胺添加到300毫升二氯甲烷中,之后緩慢添加34.3克丙烯酰氯,同時在0℃下攪拌混合物。通過蒸餾去除剩余溶劑,由此獲得由式3表示并且通過HPLC確定的純度為97%的單體(分子量:522.85克/摩爾)。(1H NMR:δ7.61,m,3H;δ7.12,m,2H;δ6.25,d,2H;δ6.02,dd,2H;δ5.82,t,1H;δ5.59,d,2H;δ3.87,m,4H;δ1.54,m,4H;δ0.58,m,4H;δ0.02,m,15H)

            <式3>

            制備實例2

            由式4表示的單體(分子量:584.92克/摩爾)以與制備實例1中相同的方式制備,但其中改用21克3,3-二苯基-1,1,5,5-四甲基三硅氧烷替代25克3-苯基-1,1,3,5,5-五甲基三硅氧烷并且用30.2克甲基丙烯酰氯替代34.3克丙烯酰氯。如由HPLC所確定獲得的單體的純度為96%。(1H NMR:δ7.52,m,6H;δ7.42,m,4H;δ6.25,d,2H;δ6.02,dd,2H;δ5.82,t,1H;δ5.59,d,2H;δ3.86,m,4H;δ1.52,m,4H;δ0.58,m,4H;δ0.04,m,12H)

            <式4>

            制備實例3

            由式5表示的單體(分子量:646.99克/摩爾)以與制備實例1相同的方式制備,但其中改用21克3,3-二苯基-1,1,5,5-四甲基三硅氧烷替代25克3-苯基-1,1,3,5,5-五甲基三硅氧烷。如由HPLC所確定獲得的單體的純度為94%。(1H NMR:δ7.61,m,6H;δ7.12,m,4H;δ6.25,d,2H;δ6.02,dd,2H;δ5.82,t,2H;δ3.87,m,4H;δ1.54,m,4H;δ0.58,m,4H;δ0.02,m,12H)。

            <式5>

            實例和比較例中所用的組分的詳情如下。

            (A)非硅類二(甲基)丙烯酸酯:(A1)1,12-十二烷二醇二甲基丙烯酸酯(沙多瑪公司(Sartomer Co.,Ltd.))、(A2)1,10-癸二醇二甲基丙烯酸酯(新中村化學工業株式會社(Shin Nakamura Chemical Co.,Ltd.))。

            (B)硅類二(甲基)丙烯酸酯:(B1)制備實例1的單體、(B2)制備實例2的單體、(B3)制備實例3的單體。

            (C)單(甲基)丙烯酸酯:(C1)HRI-07(大林化學有限公司(Daelim Chemical Co.,Ltd.))、(C2)甲基苯甲酸苯甲酯(梯希愛有限公司(TCI Co.,Ltd.))、(C3)丙烯酸十二烷酯(奧德里奇有限公司)。

            (D)起始劑:德牢固(Darocur)TPO(巴斯夫有限公司(BASF GmbH))。

            (E)熱穩定劑:艷佳諾(IRGANOX)1010(巴斯夫有限公司)。

            (F)由式10表示的單體(X-22-164,分子量:460.78克/摩爾,信越株式會社(Shin-Etsu Co.,Ltd.)

            <式10>

            實例1

            將47.8重量份的(A1)、28.7重量份的(B1)、19.2重量份的(C1)以及4.3重量份的(D)放入125毫升棕色聚丙烯瓶中,之后在室溫下使用振蕩器混合3小時,由此制備包封組成物(25℃下的粘度:21厘泊)。

            實例2到實例13和比較例1到比較例4

            用于包封材料的組合物以與實例1相同的方式制備,但其中如表1中所列出改變(A)、(B)、(C)、(D)以及(E)的類別和/或量(單位:重量份)。

            比較例5

            包封組成物以與實例1相同的方式制備,但其中改用28.7重量份的(F)單體替代28.7重量份的制備實例1的(B1)單體。

            如表1所列出,對用于實例和比較例中制備的包封材料的組合物中的每一者進行關于特性的評估。結果示于表1和表2中。

            表1

            表2

            如表1中所示,根據本發明的包封組成物可以實現展現高光固化率、高透光率以及低等離子蝕刻率的有機層。

            此外,甚至當實例和比較例的組合物具有如本文中所定義的類似折射率時,實例的組合物展示優于比較例的組合物的優良等離子抗性,由此改進有機發光二極管的耐久性和可靠性。

            此外,實例的組合物展示優于比較例的組合物的優良的透光率,由此使有機發光二極管顯示器設備能夠實現更清晰的圖像質量。

            相反,如表2中所示,包括根據本發明的范圍外的量的(A)、(B)和(C)的比較例1的包封組成物具有等離子蝕刻率高的問題。另外,不包含(B)和(C)中的任一者的比較例2到比較例4的包封組成物還具有等離子蝕刻率高的問題。此外,包括不含芳基的硅類二(甲基)丙烯酸酯的比較例5的包封組成物還具有等離子蝕刻率高的問題

            <特性的評估>

            (1)光固化率:關于在1635cm-1(C=C)和1720cm-1(C=O)附近的吸收峰的強度,使用FT-IR(尼科勒特(NICOLET)4700,熱電有限公司(Thermo Co.,Ltd.))對包封組成物進行測量。使用噴霧器將組成物涂布到玻璃襯底,之后通過以100毫瓦/平方厘米UV照射10秒進行UV固化,由此獲得大小為20cm×20cm×3μm(寬度×長度×厚度)的樣本。接著,將固化膜等分并且在1635cm-1(C=C)和1720cm-1(C=O)附近使用FT-IR(尼科勒特4700,熱電有限公司)測量固化膜的吸收峰的強度。通過等式1計算光固化率:

            光固化率(%)=|1-(A/B)|×100

            (其中A為經固化的膜的1635cm-1附近的吸收峰強度與1720cm-1附近的吸收峰強度的比率;并且B為包封組成物的1635cm-1附近的吸收峰強度與1720cm-1附近的吸收峰強度的比率)。

            (2)透光率:包封組成物經歷N2下的UV固化以形成10微米厚的薄膜。接下來,使用拉姆達950(Lambda 950)(珀金埃爾默有限公司(Perkin Elmer Co.,Ltd.))量測550納米可見光范圍中薄膜的透光率。

            (3)等離子蝕刻率:將包封組成物涂布到預定厚度并且進行光固化以形成有機層,之后測量有機層的初始涂層高度(T1,1微米到10微米)。在以下條件下使有機層經歷等離子處理:ICP功率:2500瓦、RF功率:300瓦、直流偏壓:200伏、Ar流量:50sccm、蝕刻時間:1分鐘以及壓力:10毫托,之后測量有機層的高度(T2,單位:微米)。通過方程式2計算有機層的等離子蝕刻率:

            歸因于等離子的有機層的蝕刻率(%)=(T1-T2)/T1×100

            (4)折射率:使包封組成物以預定厚度沉積于玻璃板上并且經歷光固化以形成有機層。使用EC-400(J.A.烏蘭公司(J.A.WooLLAM Co.,Ltd.))關于有機層的涂層高度(T1,1微米到10微米)的量測中所用的樣本測量折射率,之后擬合于柯西模型(Cauchy model)中。在550納米的波長下的折射率確定為代表性折射率。

            應了解,所屬領域的技術人員可以進行各種修改、變化、更改以及等效實施例,而不脫離本發明的精神和范圍。

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