一種集成光耦合器件及其制造方法與流程

本發(fā)明屬于光耦合器件領(lǐng)域，涉及一種集成光耦合器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

光耦合器件(或稱光耦合器)包含至少一個光發(fā)射器件，該光發(fā)射器件通過光傳輸介質(zhì)耦合至光接收器件。這種結(jié)構(gòu)允許信息從包含光發(fā)射器件的一個電路傳輸至包含光接收器件的另一電路。而在所述兩個電路之間保持高度電絕緣。

信息通過光學(xué)傳播的方式是通過電絕緣帶。例如，光接收器件不能改變包含光發(fā)射器件的電路操作，形成電學(xué)上的隔離。例如，發(fā)射器可以被使用微處理器或邏輯門的低壓電路所驅(qū)動，而輸出光接收器件可以是高壓dc或ac負(fù)載電路的一部分。所述情形下的電學(xué)隔離是必要的，防止了由于相對沖突的輸出電路所引起的對輸入電路的損害。

眾所周知，現(xiàn)有的技術(shù)方法皆以封裝技術(shù)為基礎(chǔ)，將原本分立的器件(光發(fā)射器件、光接收器件)，通過貼片、嵌入等方式貼合到絕緣襯底上，襯底上有預(yù)置的引線用以器件的連接和引出，而后用玻璃、環(huán)氧樹脂等材料封裝。

圖1所示的是現(xiàn)有的封裝的光耦合器件側(cè)視圖。所示的封裝光耦合器10包括襯底101以及在襯底101上的焊錫球102。led(發(fā)光二極管)器件103以及光電晶體管器件104分別處于襯底101上分立的兩個位置，并且被光傳輸介質(zhì)105覆蓋。

因?yàn)楣怆娋w管器件104接收由led器件102所發(fā)出的光非常有限，因而效率低下，所以光電晶體管器件104輸出電流很低(例如，大約數(shù)納安培(na)，與噪音量級相當(dāng))，這就要求封裝的光耦合器件具有很好的電學(xué)性能。但led器件103與光電晶體管器件104原本分立，與襯底101也是分離的，通過連線等方式接合起來的整體封裝可以引發(fā)與輸出電流相等甚至大于輸出電流的噪音電平。

另外，由于接合線和預(yù)模制結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)光耦合器封裝體的尺寸往往難以減小。這就會限制其應(yīng)用到要求超薄超小尺寸的電子產(chǎn)品的新生產(chǎn)。

圖2所示是現(xiàn)有四通道光耦合器件的俯視圖。一個led和一個光電晶體管組成一個光通道。光通道與光通道可能產(chǎn)生串?dāng)_。眾所周知，一般技術(shù)是將led與對應(yīng)光電晶體管進(jìn)行光學(xué)對準(zhǔn)，同時增大通道間間距。但封裝過程中光學(xué)對準(zhǔn)，對定位要求高，一方面生產(chǎn)效率不高，另一方面，通道道間間距的增加以及隔光材料的使用等都會增加產(chǎn)品成本。

因此，如何提供一種集成光耦合器件及其制造方法，以降低器件噪聲信號、提高器件生 產(chǎn)效率，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個重要技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種集成光耦合器件及其制造方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中光耦合器件噪聲信號大、尺寸難以縮小、光學(xué)對準(zhǔn)難度大、生產(chǎn)效率低、成本高的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種集成光耦合器件，所述集成光耦合器件包括：

背襯底；

形成于所述背襯底上的埋氧層；

形成于所述埋氧層上的頂層硅；所述頂層硅包括分立設(shè)置的第一硅島及第二硅島；

形成于所述第一硅島上的光發(fā)射器；

形成于所述第二硅島中的光接收器。

可選地，所述頂層硅為本征硅、n型輕摻雜硅或p型輕摻雜硅，電阻率大于10ω·cm。

可選地，所述頂層硅為111晶向。

可選地，所述光發(fā)射器為發(fā)光二極管或激光二極管。

可選地，所述光發(fā)射器為基于縱向外延氮化物材料的橫向出光結(jié)構(gòu)。

可選地，所述氮化物材料包括gan、aln、inn、ingan及algan材料中的一種或多種。

可選地，所述光接收器選自pn結(jié)硅光電二極管、pin硅光電二極管、雪崩二極管及硅光電三極管中的任意一種。

本發(fā)明還提供一種集成光耦合器件的制造方法，包括如下步驟：

s1：提供一自下而上依次包括背襯底、埋氧層及頂層硅的soi襯底；

s2：在所述頂層硅的第一預(yù)設(shè)區(qū)域上形成光發(fā)射器，在所述頂層硅的第二預(yù)設(shè)區(qū)域中形成光接收器；

s3：刻蝕所述頂層硅以將所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域與第二預(yù)設(shè)區(qū)域隔離開，得到分立設(shè)置的第一硅島及第二硅島。

可選地，所述步驟s2包括：

s2-1：在所述頂層硅表面形成二氧化硅介質(zhì)薄膜；

s2-2：采用離子注入法在所述頂層硅的第二預(yù)設(shè)區(qū)域中形成光接收器；

s2-3：在所述二氧化硅介質(zhì)層薄膜中形成暴露出所述頂層硅的第一預(yù)設(shè)區(qū)域的開口；

s2-4：在所述頂層硅的第一預(yù)設(shè)區(qū)域上形成光發(fā)射器。

可選地，于所述步驟s2-3中，采用濕法刻蝕形成所述開口。

可選地，所述光發(fā)射器為發(fā)光二極管或激光二極管。

可選地，所述光發(fā)射器為基于縱向外延氮化物材料的橫向出光結(jié)構(gòu)。

可選地，所述氮化物材料包括gan、aln、inn、ingan及algan材料中的一種或多種。

可選地，所述光接收器選自pn結(jié)硅光電二極管、pin硅光電二極管、雪崩二極管及硅光電三極管中的任意一種。

可選地，所述頂層硅為111晶向。

可選地，所述頂層硅為本征硅、n型輕摻雜硅或p型輕摻雜硅，電阻率大于10ω·cm。

如上所述，本發(fā)明的集成光耦合器件及其制造方法，具有以下有益效果：本發(fā)明的集成光耦合器件及其制造方法可以實(shí)現(xiàn)光發(fā)射器與光接收器集成于同一絕緣襯底上，減少了器件在封裝中的接合線，降低了噪聲信號。同時，集成光耦合器件器件尺寸極小，甚至可用于芯片內(nèi)電學(xué)隔離，也免去了封裝的光學(xué)對準(zhǔn)，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本。

附圖說明

圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中封裝的光耦合器件的側(cè)視圖。

圖2顯示為現(xiàn)有技術(shù)中四通道光耦合器件的俯視圖。

圖3顯示為本發(fā)明的集成光耦合器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4顯示為本發(fā)明的集成光耦合器件的制造方法的工藝流程圖。

圖5顯示為本發(fā)明的集成光耦合器件的制造方法中提供的soi襯底的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6顯示為本發(fā)明的集成光耦合器件的制造方法中在所述頂層硅表面形成二氧化硅介質(zhì)薄膜的示意圖。

圖7顯示為本發(fā)明的集成光耦合器件的制造方法中采用離子注入法在所述頂層硅的第二預(yù)設(shè)區(qū)域中形成光接收器的示意圖。

圖8顯示為本發(fā)明的集成光耦合器件的制造方法中在所述二氧化硅介質(zhì)層薄膜中形成暴露出所述頂層硅的第一預(yù)設(shè)區(qū)域的開口的示意圖。

圖9顯示為本發(fā)明的集成光耦合器件的制造方法中在所述頂層硅的第一預(yù)設(shè)區(qū)域上形成光發(fā)射器的示意圖。

圖10顯示為本發(fā)明的集成光耦合器件的制造方法中刻蝕所述頂層硅以將所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域與第二預(yù)設(shè)區(qū)域隔離開，得到分立設(shè)置的第一硅島及第二硅島。

圖11顯示為本發(fā)明的集成光耦合器件的電路原理圖。

元件標(biāo)號說明

10封裝光耦合器

101襯底

102錫焊球

103led器件

104光電晶體管器件

105光傳輸介質(zhì)

20集成光耦合器件

201背襯底

202埋氧層

203第一硅島

204第二硅島

205光發(fā)射器

206光接收器

207頂層硅

208二氧化硅介質(zhì)薄膜

209開口

s1～s3步驟

具體實(shí)施方式

以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請參閱圖3至圖11。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

實(shí)施例一

本發(fā)明提供一種集成光耦合器件，請參閱圖3，顯示為所述集成光耦合器件20的結(jié)構(gòu)示 意圖，包括：

背襯底201；

形成于所述背襯底201上的埋氧層202；

形成于所述埋氧層202上的頂層硅；所述頂層硅包括分立設(shè)置的第一硅島203及第二硅島204；

形成于所述第一硅島203上的光發(fā)射器205；

形成于所述第二硅島204中的光接收器206。

具體的，所述背襯底201、埋氧層202及頂層硅可由soi(silicon-on-insulator，絕緣體上硅)而來。所述背襯底201包括但不限于硅、鍺、鍺硅、iii-v族化合物、藍(lán)寶石等常規(guī)襯底。所述埋氧層202采用sio2絕緣層，其厚度為1μm以上。所述頂層硅包括但不限于本征硅、n型輕摻雜硅或p型輕摻雜硅。作為示例，所述頂層硅的電阻率大于10ω·cm，并采用111晶向。111晶向的頂層硅有利于氮化物材料在其上的外延生長。

具體的，所述光發(fā)射器205位于所述頂層硅一側(cè)選區(qū)，用于發(fā)出光信號；所述光接收器206位于所述頂層硅另一側(cè)選區(qū)，用于接收從所述光發(fā)射器205發(fā)出的光信號。此處，所謂一側(cè)選區(qū)是指頂層硅某一塊區(qū)域，利用掩膜版(mask)開窗口，以指定特定區(qū)域作為生長區(qū)域；另一側(cè)選區(qū)是指位于頂層硅的相對于光發(fā)射器的另一塊區(qū)域。

由于光耦合器件中，包含光發(fā)射器的一個電路與包含光接收器的一個電路需要完全電學(xué)隔離而光學(xué)導(dǎo)通，因此本發(fā)明的集成光耦合器件中，位于頂層硅的光發(fā)射器必須與同樣位于頂層硅的光接收器進(jìn)行電學(xué)隔離。本實(shí)施例中，所述集成光耦合器件10采用soi工藝中常見的硅島隔離技術(shù)，即通過對光發(fā)射器205和光接收器206周圍的頂層硅刻蝕直至埋氧層，形成獨(dú)立的硅島，光發(fā)射器205與光接收器206位于獨(dú)立的硅島上，即上述分立設(shè)置的第一硅島203及第二硅島204，實(shí)現(xiàn)所述光發(fā)射器205與光接收器206完全電學(xué)隔離，而不影響其光學(xué)導(dǎo)通。

由于器件結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性和成本問題，所述光發(fā)射器205一般是發(fā)光二極管(lightemittingdiode，led)，例如iii-n族發(fā)光二極管。led是半導(dǎo)體二極管的一種，可以把電能轉(zhuǎn)化成光能。發(fā)光二極管與普通二極管一樣是由一個pn結(jié)組成，也具有單向?qū)щ娦浴．?dāng)給發(fā)光二極管加上正向電壓后，從p區(qū)注入到n區(qū)的空穴和由n區(qū)注入到p區(qū)的電子，在pn結(jié)附近數(shù)微米內(nèi)分別與n區(qū)的電子和p區(qū)的空穴復(fù)合，產(chǎn)生自發(fā)輻射的熒光。

當(dāng)然，所述光發(fā)射器205也可以是激光二極管(laserdiode，ld)。激光二極管本質(zhì)上也是一種半導(dǎo)體二極管，按照pn結(jié)材料是否相同，可以把激光二極管分為同質(zhì)結(jié)、單異質(zhì)結(jié)(sh)、雙異質(zhì)結(jié)(dh)和量子阱(qw)激光二極管。激光二極管的特色之一，是能直接 從電流調(diào)制其輸出光的強(qiáng)弱。因?yàn)檩敵龉夤β逝c輸入電流之間多為線性關(guān)系，所以激光二極管可以采用模擬或數(shù)字電流直接調(diào)制輸出光的強(qiáng)弱，省掉昂貴的調(diào)制器，使二極管的應(yīng)用更加經(jīng)濟(jì)實(shí)惠。

作為示例，所述光發(fā)射器205為基于縱向外延氮化物材料的橫向出光結(jié)構(gòu)。所述氮化物材料包括gan、aln、inn、ingan及algan材料中的一種或多種，其禁帶寬度從aln的6.3ev到inn的1.9ev，發(fā)光波長可以從深紫外210nm到紅光650nm，因此，可以提供十分廣泛的熒光激發(fā)光源。

具體的，所述光接收器為207為硅探測器，硅探測器的光譜范圍為300nm-1100nm。

作為示例，所述光接收器為207可以是基于傳統(tǒng)cmos工藝制作的pn結(jié)硅光電二極管，也可以是pin二極管、雪崩二極管(avalanchephotodiodes，apd)，或是硅光電三極管。

其中，pn結(jié)硅光電二極管是在反向電壓作用下工作的，沒有光照時，反向電流極其微弱，稱為暗電流；有光照時，反向電流迅速增大到幾十微安，稱為光電流。光的強(qiáng)度越大，反向電流也越大。光的變化引起光電二極管電流變化，這就可以把光信號轉(zhuǎn)換成電信號，成為光檢測器。

pin光電二極管也稱pin結(jié)二極管或pin二極管，其在p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體之間夾著一層本征半導(dǎo)體(intrinsic層，或稱i層)，吸收光輻射而產(chǎn)生光電流，可作為一種光檢測器。pin光電二極管具有結(jié)電容小、渡越時間短、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)。因?yàn)楸菊鲗酉鄬τ趐區(qū)和n區(qū)是高阻區(qū)，pn結(jié)的內(nèi)電場就基本上全集中于i層中。pin光電二極管中，i層較厚，幾乎占據(jù)了整個耗盡區(qū)。絕大部分的入射光在i層內(nèi)被吸收并產(chǎn)生大量的電子-空穴對。在i層兩側(cè)是摻雜濃度很高的p型和n型半導(dǎo)體，p層和n層很薄，吸收入射光的比例很小。因而光產(chǎn)生電流中漂移分量占了主導(dǎo)地位，這就大大加快了響應(yīng)速度。

雪崩二極管是利用半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應(yīng)而產(chǎn)生負(fù)阻的固體微波器件。pn結(jié)有單向?qū)щ娦裕螂娮栊?，反向電阻很大。?dāng)反向電壓增大到一定數(shù)值時，反向電流突然增加，就是反向電擊穿，它分雪崩擊穿和齊納擊穿(隧道擊穿)。雪崩擊穿是pn結(jié)反向電壓增大到一數(shù)值時，載流子倍增就像雪崩一樣，增加得多而快。利用這個特性制作的二極管就是雪崩二極管。

硅光電三極管是用硅單晶做成n-p-n結(jié)構(gòu)的。管芯基區(qū)面積做得較大，發(fā)射區(qū)面積卻做得較小，入射光線主要被基區(qū)吸收。與光電二極管一樣，入射光在基區(qū)中激發(fā)出電子與空穴。在基區(qū)漂移場的作用下，電子被拉向集電區(qū)，而空穴被積聚在靠近發(fā)射區(qū)的一邊。由于空穴的積累而引起發(fā)射區(qū)勢壘的降低，其結(jié)果相當(dāng)于在發(fā)射區(qū)兩端加上一個正向電壓，從而引起了倍率為β+1(相當(dāng)于三極管共發(fā)射極電路中的電流增益)的電子注入。硅光電三極管的靈敏 度比硅光電二極管高，輸出電流也比光電二極管大，多為毫安級。但它的光電特性不如光電二極管好，在較強(qiáng)的光照下，光電流與照度不成線性關(guān)系。

本發(fā)明的集成光耦合器件中，光發(fā)射器與光接收器集成于同一絕緣襯底上，減少了器件在封裝中的接合線，降低了噪聲信號。同時，相對于傳統(tǒng)封裝光耦合器件，本發(fā)明的集成光耦合器件可以實(shí)現(xiàn)更小的尺寸，有利于應(yīng)用到超薄超小尺寸的電子產(chǎn)品的生產(chǎn)中，甚至可用于芯片內(nèi)電學(xué)隔離，也免去了封裝的光學(xué)對準(zhǔn)，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本。

實(shí)施例二

本發(fā)明還提供一種集成光耦合器件的制造方法，請參閱圖4，顯示為該方法的工藝流程圖，包括如下步驟：

s1：提供一自下而上依次包括背襯底、埋氧層及頂層硅的soi襯底；

s2：在所述頂層硅的第一預(yù)設(shè)區(qū)域上形成光發(fā)射器，在所述頂層硅的第二預(yù)設(shè)區(qū)域中形成光接收器；

s3：刻蝕所述頂層硅以將所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域與第二預(yù)設(shè)區(qū)域隔離開，得到分立設(shè)置的第一硅島及第二硅島。

首先請參閱圖5，執(zhí)行步驟s1：提供一自下而上依次包括背襯底201、埋氧層202及頂層硅207的soi襯底。

具體的，所述背襯底201包括但不限于硅、鍺、鍺硅、iii-v族化合物、藍(lán)寶石等常規(guī)襯底。所述埋氧層202采用sio2絕緣層，其厚度為1μm以上。所述頂層硅包括但不限于本征硅、n型輕摻雜硅或p型輕摻雜硅。作為示例，所述頂層硅的電阻率大于10ω·cm，并采用111晶向。111晶向的頂層硅有利于氮化物材料的外延生長。

然后請參閱圖6至圖9，執(zhí)行步驟s2：在所述頂層硅207的第一預(yù)設(shè)區(qū)域上形成光發(fā)射器205，在所述頂層硅207的第二預(yù)設(shè)區(qū)域中形成光接收器206。

作為示例，所述步驟s2包括：

s2-1：如圖6所示，在所述頂層硅207表面形成二氧化硅介質(zhì)薄膜208。

具體的，采用pecvd或lpcvd的方法形成所述二氧化硅介質(zhì)薄膜208。本實(shí)施例中，所述二氧化硅介質(zhì)薄膜208的厚度優(yōu)選為不大于1μm。

所述二氧化硅介質(zhì)薄膜208的作用包括兩方面：一方面在后續(xù)形成光接收器的過程中，抑制離子注入對頂層硅表面的損傷；另一方面在后續(xù)形成光發(fā)射器的過程中，作為選區(qū)外延的掩膜。

s2-2：如圖7所示，采用離子注入法在所述頂層硅207的第二預(yù)設(shè)區(qū)域中形成光接收器 206。

具體的，所述光接收器206可選用pn結(jié)硅光電二極管、pin硅光電二極管及雪崩二極管中的任意一種。為使光耦合器的光接收器端電流輸出增大，所述光接收器206也可以采用硅光電三極管。

本步驟中，采用離子注入的方法，可以方便地在所述頂層硅207的第二預(yù)設(shè)區(qū)域中的不同位置進(jìn)行p型或n型的摻雜，從而得到相應(yīng)類型的光接收器。

s2-3：如圖8所示，在所述二氧化硅介質(zhì)層薄膜208中形成暴露出所述頂層硅207的第一預(yù)設(shè)區(qū)域的開口209。

本實(shí)施例中，優(yōu)選采用濕法刻蝕形成所述開口209。因?yàn)楦煞涛g會部分損傷頂層硅，對后續(xù)外延產(chǎn)生不利影響。而濕法刻蝕雖然在一定程度上會發(fā)生橫向刻蝕，但考慮的器件橫向尺寸在幾百微米左右，因此影響不大。

s2-4：如圖9所示，在所述頂層硅207的第一預(yù)設(shè)區(qū)域上形成光發(fā)射器205。

具體的，所述光發(fā)射器205選用發(fā)光二極管或激光二極管。本實(shí)施例中，所述光發(fā)射器205優(yōu)選采用基于縱向外延氮化物材料的橫向出光結(jié)構(gòu)。所述氮化物材料包括gan、aln、inn、ingan及algan材料中的一種或多種。其中，gan基材料可以生長于硅111面上，本發(fā)明使用111晶向頂層硅，通過掩膜選區(qū)外延生長gan基材料。

作為示例，選用mocvd(metal-organicchemicalvapordeposition，金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀)生長設(shè)備，以ⅲ族元素的有機(jī)化合物和v族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長各種ⅲ-v族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。

最后請參閱圖10，執(zhí)行步驟s3：刻蝕所述頂層硅207以將所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域與第二預(yù)設(shè)區(qū)域隔離開，得到分立設(shè)置的第一硅島203及第二硅島204。

由于所述光發(fā)射器205與光接收器206分別形成于所述第一硅島203上及所述第二硅島204中，本步驟通過硅島隔離技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)所述光發(fā)射器205與所述光接收器206的完全電學(xué)隔離，而不影響其光學(xué)導(dǎo)通。

請參閱圖11，顯示為本發(fā)明的集成光耦合器件的電路原理圖，其中，所述光發(fā)射器205以側(cè)向出光ingan/gan的量子阱發(fā)光二極管(led)為例，所述光接收器206以硅光電三極管為例。所述集成光耦合器件共有四個引腳，其中引腳1(pin1)作為led的電流輸入的正極，引腳2(pin2)作為負(fù)極，引腳3(pin3)是光電三極管的發(fā)射極，引腳4(pin4)是光電三極管的集電極。

本發(fā)明的集成光耦合器件的制造方法于soi襯底上制作光發(fā)射器與光接收器，并利用硅 島隔離技術(shù)實(shí)現(xiàn)光發(fā)射器與光接收器的完全電學(xué)隔離，而不影響其光學(xué)導(dǎo)通，并減少了器件在封裝中的接合線，降低了噪聲信號。相對于傳統(tǒng)的光耦合器封裝方法，本發(fā)明的集成光耦合器件的制作方法由于減少了接合線及預(yù)模制結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)更小的器件尺寸，有利于應(yīng)用到超薄超小尺寸的電子產(chǎn)品的生產(chǎn)中；同時也免去了封裝的光學(xué)對準(zhǔn)，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本。

綜上所述，本發(fā)明的集成光耦合器件及其制造方法可以實(shí)現(xiàn)光發(fā)射器與光接收器集成于同一絕緣襯底上，減少了器件在封裝中的接合線，降低了噪聲信號。同時，集成光耦合器件器件尺寸極小，甚至可用于芯片內(nèi)電學(xué)隔離，也免去了封裝的光學(xué)對準(zhǔn)，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。

上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。