一種含有吖啶螺蒽酮類化合物的有機電致發光器件及其應用的制作方法

本發明涉及半導體
技術領域：
，尤其是涉及一種發光層材料為吖啶螺蒽酮類化合物的有機電致發光器件及其應用。
背景技術：
：有機電致發光(oled:organiclightemissiondiodes)器件技術既可以用來制造新型顯示產品，也可以用于制作新型照明產品，有望替代現有的液晶顯示和熒光燈照明，應用前景十分廣泛。oled發光器件猶如三明治的結構，包括電極材料膜層，以及夾在不同電極膜層之間的有機功能材料，各種不同功能材料根據用途相互疊加在一起共同組成oled發光器件。作為電流器件，當對oled發光器件的兩端電極施加電壓，并通過電場作用有機層功能材料膜層中的正負電荷，正負電荷進一步在發光層中復合，即產生oled電致發光。有機發光二極管(oled)在大面積平板顯示和照明方面的應用引起了工業界和學術界的廣泛關注。然而，傳統有機熒光材料只能利用電激發形成的25％單線態激子發光，器件的內量子效率較低(最高為25％)。外量子效率普遍低于5％，與磷光器件的效率還有很大差距。盡管磷光材料由于重原子中心強的自旋-軌道耦合增強了系間竄越，可以有效利用電激發形成的單線態激子和三線態激子發光，使器件的內量子效率達100％。但磷光材料存在價格昂貴，材料穩定性較差，器件效率滾落嚴重等問題限制了其在oleds的應用。熱激活延遲熒光(tadf)材料是繼有機熒光材料和有機磷光材料之后發展的第三代有機發光材料。該類材料一般具有小的單線態-三線態能級差(△est)，三線態激子可以通過反系間竄越轉變成單線態激子發光。這可以充分利用電激發下形成的單線態激子和三線態激子，器件的內量子效率可以達到100％。同時，材料結構可控，性質穩定，價格便宜無需貴重金屬，在oled領域的應用前景廣闊。雖然理論上tadf材料可以實現100％的激子利用率，但實際上存在如下問題:(1)設計分子的t1和s1態具有強的ct特征，非常小的s1-t1態能隙，雖然可以通過tadf過程實現高t1→s1態激子轉化率，但同時導致低的s1態輻射躍遷速率，因此，難于兼具(或同時實現)高激子利用率和高熒光輻射效率；(2)即使已經采用摻雜器件減輕t激子濃度猝滅效應，大多數tadf材料的器件在高電流密度下效率滾降嚴重。就當前oled顯示照明產業的實際需求而言，目前oled材料的發展還遠遠不夠，落后于面板制造企業的要求，作為材料企業開發更高性能的有機功能材料顯得尤為重要。技術實現要素：針對現有技術存在的上述問題，本發明提供了一種含有吖啶螺蒽酮類化合物的有機電致發光器件。本發明基于tadf機理的吖啶螺蒽酮類化合物作為發光層材料應用于有機發光二極管上，具有良好的光電性能，能夠滿足oled器件企業，特別是oled顯示面板和oled照明企業的需求。本發明的技術方案如下：一種含有吖啶螺蒽酮類化合物的有機電致發光器件，該器件包括空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層，該器件發光層材料包括含有吖啶螺蒽酮基團的化合物，所述化合物的結構式如通式(1)所示：通式(1)中，ar表示或者-r；其中，ar1表示苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、蒽基或菲基；r采用通式(2)、通式(3)、通式(4)或通式(5)表示：其中，r1、r2分別獨立的選取氫或通式(6)所示結構：a為x2、x3分別為氧原子、硫原子、硒原子、c1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的胺基中的一種；a與cl1-cl2鍵、cl2-cl3鍵、cl3-cl4鍵、cl4-cl5鍵、cl‘1-cl’2鍵、cl‘2-cl’3鍵、cl‘3-cl’4鍵或cl‘4-cl’5鍵連接；其中，r3表示苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、蒽基或菲基；x1為氧原子、硫原子、硒原子、c1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的胺基中的一種；x表示為氧原子、硫原子、硒原子、c1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的胺基中的一種。所述化合物中當a表示且與cl4-cl5鍵或cl‘4-cl’5鍵連接時，x1和x2的位置重疊，只取x1或者x2；x3表示為氧原子、硫原子、硒原子、c1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的胺基中的一種。所述化合物的結構通式為：中的任一種。所述通式(1)中ar為：中的任一種。所述化合物的具體結構式為：所述通式(1)所示的材料作為發光層主體材料；所述發光層的摻雜材料使用下列通式(12)、(13)、(14)或(15)所示材料中的一種：通式(12)中，b1-b10選擇為氫、c1-30直鏈或支鏈烷基取代的烷基或烷氧基、取代或未取代的c6-30芳基、取代或未取代的3元至30元雜芳基；b1-b10不同時為氫；通式(13)中，y1-y6各自獨立的表示為氧、碳、氮原子的一種；分別表示為含有兩個原子的基團通過任意化學鍵相連成環；通式(14)和通式(15)中y1-y4各自獨立的表示為氧、碳、氮原子的一種；分別表示為含有兩個原子的基團通過任意化學鍵相連成環。所述空穴傳輸層的材料為含有三芳基胺基團的化合物，所述化合物的結構式通式如通式(16)所示：通式(16)中d1-d3各自獨立表示取代或未取代的c6-30芳基、取代或未取代的3元至30元雜芳基；d1-d3可以相同或者不同。所述電子傳輸層的材料為下列通式(17)、(18)、(19)、(20)或(21)所示材料中的一種：通式(17)、通式(18)、通式(19)、通式(20)、通式(21)中e1-e10選擇為氫、c1-30直鏈或支鏈烷基取代的烷基或烷氧基、取代或未取代的c6-30芳基、取代或未取代的3元至30元雜芳基；e1-e10不同時為氫。所述的有機電致發光器件，還包括空穴注入層；所述空穴注入層材料為下列結構通式(22)、(23)、(24)所示材料中的一種：通式(22)中，f1-f3各自獨立表示取代或未取代的c6-30芳基、取代或未取代的3元至30元雜芳基；f1-f3可以相同或者不同；通式(23)、通式(24)中，g1-g6各自獨立的表示氫、腈基、鹵素、酰胺基、烷氧基、酯基、硝基、c1-30直鏈或支鏈烷基取代的碳原子、取代或未取代的c6-30芳基、3元至30元雜芳基，g1-g6不同時為氫。所述的有機電致發光器件還包括電子注入層；所述電子注入層材料為鋰、鋰鹽或銫鹽中的一種；所述鋰鹽為8-羥基喹啉鋰、氟化鋰、碳酸鋰、疊氮化鋰；所述銫鹽為氟化銫、碳酸銫、疊氮化銫。所述發光層的摻雜材料與發光層的主體材料的質量比為0.005～0.2:1。所述通式(1)所示化合物還可以作為發光層的摻雜材料使用。一種所述有機電致發光器件的應用，用于制備頂發光oled發光器件。一種所述有機電致發光器件的應用，應用于am-oled顯示器。本發明有益的技術效果在于：組成本發明所述oled發光器件的吖啶螺蒽酮類化合物具有tadf的結構特點，容易實現非常小的s1-t1態能隙差，在激發情況下，容易實現三線態到單線態的反系間竄越，使原本不能發光，以熱的形式散失的熱量轉化為可產生光能的能量，并有望獲得極高的效率。基于以上原理分析，本發明所述oled發光器件，既可以選擇熒光材料作為摻雜材料，也可以選擇磷光材料作為摻雜材料，亦可以將本發明所述tadf材料直接作為摻雜材料使用。所述吖啶螺蒽酮類化合物作為oled發光器件的主體材料搭配銥，鉑類磷光材料或蒽類熒光材料使用時，器件的電流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同時，對于器件壽命提升非常明顯。進一步的，在oled器件層結構搭配上，引入空穴和電子注入層后，使透明陽極、金屬陰極和有機材料接觸界面更穩定，空穴、電子注入效果提升；空穴傳輸層又可疊層為兩層或多層， 鄰接發光層一側的空穴傳輸層又可以命名為電子阻擋層(ebl)，提供電子阻擋作用，使發光層內激子復合效率提升，鄰接空穴注入層一側的空穴傳輸層則起到空穴傳輸及降低激子傳遞壁壘的作用；電子傳輸層又可疊層為兩層或多層，鄰接發光層一側的電子傳輸層又可以命名為空穴阻擋層(hbl)，提供空穴阻擋作用，使發光層內激子復合效率提升，鄰接電子注入層一側的電子傳輸層則起到電子傳輸及降低激子傳遞壁壘的作用。然而，應當指出，這些層中的每個都并非必須存在。本發明所述oled器件化合物的組合效果：使得器件的驅動電壓降低，電流效率、功率效率、外量子效率得到進一步提高，器件壽命提升效果明顯。在oled發光器件中具有良好的應用效果，具有良好的產業化前景。令人預料不到地，已經發現，在下文中更詳細描述的化合物組合實現了這個目的，并且導致有機電致發光器件的改進，特別是電壓、效率和壽命的改進。這特別適用于紅色或綠色磷光的電致發光器件，尤其是在使用本發明的器件結構及材料組合時，情況如此。附圖說明圖1為本發明實施例疊層oled器件的結構示意圖；圖1中：1為透明襯底、2為ito陽極層、3為空穴注入層(hil)、4為空穴傳輸層(htl)、5為電子阻擋層(ebl)、6為發光層(eml)、7為空穴阻擋層(hbl)、8為電子傳輸層(etl)、9為電子注入層(eil)、10為陰極反射電極層。圖2為本發明器件實施例所用關鍵原料的結構式。具體實施方式下面結合附圖和實施例，對本發明進行具體描述。實施例1化合物1的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol2-溴二苯并呋喃，0.025mol吖啶螺蒽酮，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molpd2(dba)3，1×10-4mol三 叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度99.2％，收率67.00％。元素分析結構(分子式c38h23no2)：理論值c,86.84；h,4.41；n,2.66；o,6.09；測試值：c,86.91；h,4.44；n,2.70；o,5.95。hplc-ms：材料分子量為525.17，實測分子量525.71。實施例2化合物2的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol2-(4-溴苯基)-二苯并呋喃，0.025mol吖啶螺蒽酮，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molpd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度99.0％，收率69.00％。元素分析結構(分子式c44h27no2)：理論值c,87.83；h,4.52；n,2.33；o,5.32；測試值：c,87.88；h,4.46；n,2.30；o,5.36。hplc-ms：材料分子量為601.20，實測分子量601.76。實施例3化合物4的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol9-(4-溴苯基)-9h-咔唑，0.025mol吖啶螺蒽酮，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molpd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度95.8％，收率74.00％。元素分析結構(分子式c44h28n2o)：理論值c,87.97；h,4.70；n,4.66；o,2.66；測試值：c,87.96；h,4.65；n,4.63；o,2.76。hplc-ms：材料分子量為600.22，實測分子量600.79。實施例4化合物5的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol2-溴-9,9-二甲基-9h-芴，0.025mol吖啶螺蒽酮，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molpd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度95.8％，收率74.00％。元素分析結構(分子式c41h29no)：理論值c,89.26；h,5.30；n,2.54；o,2.90；測試值：c,89.29；h,5.36；n,2.50；o,2.85。hplc-ms：材料分子量為551.22，實測分子量551.69。實施例5化合物6的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol2-溴-9,9-二苯基-9h-芴，0.025mol吖啶螺蒽酮，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molpd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度95.3％，收率61.00％。元素分析結構(分子式c51h33no)：理論值c,90.64；h,4.92；n,2.07；o,2.37；測試值：c,90.69；h,4.90；n,2.10；o,2.31。hplc-ms：材料分子量為675.26，實測分子量675.69。實施例6化合物7的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol2-溴-9,9-二甲基-10-苯基-9,10-二氫-吖啶，0.025mol吖啶螺蒽酮，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molpd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度99.2％，收率62.00％。元素分析結構(分子式c47h34n2o)：理論值c,87.82；h,5.33；n,4.36；o,2.49；測試值：c,87.85；h,5.36；n,4.30；o,2.49。hplc-ms：材料分子量為642.27，實測分子量642.96。實施例7化合物8的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol10-(4-溴苯基)-9,9-二甲基-9,10-二氫-吖啶，0.025mol吖啶螺蒽酮，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molpd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度99.1％，收率69.00％。元素分析結構(分子式c47h34n2o)：理論值c,87.82；h,5.33；n,4.36；o,2.49；測試值：c,87.96；h,5.43；n,4.34；o,2.27。hplc-ms：材料分子量為642.27，實測分子量642.36。實施例8化合物9的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol10-(4-溴苯基)-10h-吩惡嗪，0.025mol吖啶螺蒽酮，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molpd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度97.9％，收率75.00％。元素分析結構(分子式c44h28n2o2)：理論值c,85.69；h,4.58；n,4.54；o,5.19；測試值：c,85.75；h,4.55；n,4.56；o,5.14。hplc-ms：材料分子量為616.22，實測分子量616.76。實施例9化合物10的合成化合物10的制備方法同實施例1，不同之處在于原料10-(4-溴萘基)-10h-吩惡嗪替換2-溴二苯并呋喃。實施例10化合物12的合成化合物12的制備方法同實施例1，不同之處在于原料5-(3-溴苯基)-10-萘-1-基-5,10-二氫-吩嗪替換2-溴二苯并呋喃。實施例11化合物13的合成化合物13的制備方法同實施例1，不同之處在于原料10-聯苯-3-基-3-溴-10h-吩惡嗪替換2-溴二苯并呋喃。實施例12化合物15的合成化合物15的制備方法同實施例1，不同之處在于原料3-溴-12-苯基-12h-6-氧雜-12-氮雜-吲哚[1,2-b]芴替換2-溴二苯并呋喃。實施例13化合物16的合成化合物16的制備方法同實施例1，不同之處在于原料3-(4-溴苯基)-12-苯基-12h-6-氧雜-12-氮雜-吲哚[1,2-b]芴替換2-溴二苯并呋喃。實施例14化合物17的合成化合物17的制備方法同實施例1，不同之處在于原料3-(3-溴苯基)-12-苯基-12h-6-氧雜-12-氧雜-吲哚[1,2-b]芴替換2-溴二苯并呋喃。實施例15化合物21的合成化合物21的制備方法同實施例1，不同之處在于原料13-(3-溴苯基)-13h-13-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽替換2-溴二苯并呋喃。實施例16化合物22的合成化合物22的制備方法同實施例1，不同之處在于原料3-溴-13-苯基-13h-6,11-二氧雜-13-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽替換2-溴二苯并呋喃。實施例17化合物28的合成化合物28的制備方法同實施例1，不同之處在于原料6-(4'-溴聯苯-4-基)-11,11-二甲基-6,11-二氫-13-氧雜-6-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽替換2-溴二苯并呋喃。實施例18化合物30的合成化合物30的制備方法同實施例1，不同之處在于原料11-(4-溴苯基)-13,13-二甲基-11,13-二氫-6-氧雜-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽替換2-溴二苯并呋喃。實施例19化合物34的合成化合物34的制備方法同實施例1，不同之處在于原料5-(4-溴苯基)-14,14-二甲基-7-苯基-7,14-二氫-5h-12-氧雜-5,7-二氮雜-并五苯替換2-溴二苯并呋喃。實施例20化合物36的合成化合物36的制備方法同實施例1，不同之處在于原料5-(4-溴苯基)-9,9-二甲基-5h,9h-5,13b-二氮雜-萘并[3,2,1-de]蒽替換2-溴二苯并呋喃。實施例21化合物37的合成化合物37的制備方法同實施例1，不同之處在于原料9-(4-溴苯基)-9h-5-氧 雜-9,13b-二氮雜-萘并[3,2,1-de]蒽替換2-溴二苯并呋喃。實施例22化合物38的合成化合物38的制備方法同實施例1，不同之處在于原料11-(4-溴苯基)-6,6-二甲基-6,11-二氫-13，13’-二氧雜-11，11’-二氮雜-吲哚[1,2-b]蒽替換2-溴二苯并呋喃。本發明化合物可以作為發光層材料使用，對本發明化合物12、化合物37、現有材料cbp分別進行熱性能、發光光譜、熒光量子效率以及循環伏安穩定性的測定，檢測結果如表1所示。表1化合物td(℃)λpl(nm)φf循環伏安穩定性化合物1243650986.5優化合物3747951876.0優材料cbp35336926.1差注：熱失重溫度td是在氮氣氣氛中失重1％的溫度，在日本島津公司的tga-50h熱重分析儀上進行測定，氮氣流量為20ml/min；λpl是樣品溶液熒光發射波長，利用日本拓普康sr-3分光輻射度計測定；φf是固體粉末熒光量子效率(利用美國海洋光學的maya2000pro光纖光譜儀，美國藍菲公司的c-701積分球和海洋光學lls-led光源組成的測試固體熒光量子效率測試系統，參照文獻adv.mater.1997，9，230-232的方法進行測定)；循環伏安穩定性是通過循環伏安法觀測材料的氧化還原特性來進行鑒定；測試條件：測試樣品溶于體積比為2:1的二氯甲烷和乙腈混合溶劑，濃度1mg/ml，電解液是0.1m的四氟硼酸四丁基銨或六氟磷酸四丁基銨的有機溶液。參比電極是ag/ag+電極，對電極為鈦板，工作電極為ito電極，循環次數為20次。由上表數據可知，本發明化合物具有較好的氧化還原穩定性，較高的熱穩定性，適合作為發光層的主體材料；同時，本發明化合物具有合適的發光光譜，較高的φf，使得應用本發明化合物作為摻雜材料的oled器件效率和壽命得到提升。以下通過器件實施例1-16和器件比較例1詳細說明本發明化合物組合在器件 中應用效果。本發明所述器件實施例2-16、器件比較例1與器件實施例1相比所述器件的制作工藝完全相同，并且所采用了相同的基板材料和電極材料，所不同的是，器件測層疊結構、搭配材料及膜層厚度有所不同。器件疊層結構如表2所示。各器件的性能測試結果如表3所示。器件實施例1器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：包含空穴傳輸層4、發光層6、電子傳輸層8。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴傳輸層(厚度：120nm，材料：ht6)/發光層(厚度：40nm，材料：化合物1和gd1按重量比90：10混摻構成)/電子傳輸層(厚度：35nm，材料：et2和ei1，質量比1:1)/al(厚度：100nm)。具體制備過程如下：對ito陽極層2(膜厚為150nm)洗滌，依次進行堿洗滌、純水洗滌、干燥后進行紫外線-臭氧洗滌以清除透明ito表面的有機殘留物。在所述洗滌后的ito陽極層2上，利用真空蒸鍍裝置，蒸鍍空穴傳輸層4，空穴傳輸層材料使用ht6，膜厚為120nm，此層作為器件結構中的空穴傳輸層4；在空穴傳輸層4上，通過真空蒸鍍方式，蒸鍍發光層6，發光層材料使用化合物1作為主體材料，gd1作為摻雜材料，摻雜質量比例為9：1，發光層膜厚為40nm，此層作為器件結構中的發光層6；在發光層6上，通過真空蒸鍍方式，蒸鍍電子傳輸層8，電子傳輸層材料使用et2和ei1混合摻雜，摻雜質量比為1:1，膜厚為35nm，此層作為器件結構中的電子傳輸層8；在電子傳輸層8上，通過真空蒸鍍方式，蒸鍍陰極鋁層，膜厚為100nm，此層為陰極反射電極層10使用。如上所述地完成oled發光器件制作后，用公知的驅動電路將陽極和陰極連接起來，測量器件的發光效率，發光光譜以及器件的電流-電壓特性。器件實施例2器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：包含空穴注入層3、空穴傳輸層4、發光層6和電子傳輸層8。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi1)/空穴傳輸層4(厚度：110nm，材料：ht2)/發光層6(厚度：40nm，材料：化 合物4和gd2按重量比88：12混摻構成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et02和ei1，質量比1:1)/al(厚度：100nm)。器件實施例3器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：包含空穴注入層3、空穴傳輸層4、發光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi2)/空穴傳輸層4(厚度：110nm，材料：ht4)/發光層6(厚度：40nm，材料：化合物6和gd2按重量比88：12混摻構成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et3和ei1，質量比1:1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：lin3)/al(厚度：100nm)。器件實施例4器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發光層6和電子傳輸層8。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi1)/空穴傳輸層4(厚度：90nm，材料：ht3)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發光層6(厚度：40nm，材料：化合物8和gd3按重量比89：11混摻構成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et3和ei1，質量比1:1)/al(厚度：100nm)。器件實施例5器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、發光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi3和ht3，按質量比5:95混摻構成)/空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：ht3)/發光層6(厚度：40nm，材料：化合物9和gd3按重量比89：11混摻構成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et3)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：li)/al(厚度：100nm)。器件實施例6器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、發光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi4和 ht3，按質量比5:95混摻構成)/空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：ht6)/發光層6(厚度：40nm，材料：化合物12和gd4按重量比92：8混摻構成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et4和ei1，質量比1:1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：lif)/al(厚度：100nm)。器件實施例7器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發光層6、空穴阻擋層7和電子傳輸層8。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi1)/空穴傳輸層4(厚度：90nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb1)/發光層6(厚度：40nm，材料：化合物16和gd4按重量比92：8混摻構成)/空穴阻擋層7(厚度：20nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：15nm，材料：et2和ei1，質量比1:1)/al(厚度：100nm)。器件實施例8器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht3，按質量比5:95混摻構成)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：ht5)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb3)/發光層6(厚度：40nm，材料：化合物21和gd5按重量比92：8混摻構成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et2和ei1，質量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：cs2co3)/al(厚度：100nm)。器件實施例9器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi6和ht4，按質量比5:95混摻構成)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發光層6(厚度：40nm，材料：化合物22和gd6按重量比95：5混摻構成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et2和ei1，質量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：ei1)/al(厚度：100nm)。器件實施例10器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發光層6、空穴阻擋層7、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi1)/空穴傳輸層4(厚度：90nm，材料：ht3)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb1)/發光層6(厚度：40nm，材料：化合物28和gd5按重量比92：8混摻構成)/空穴阻擋層8(厚度：25nm，材料：hb1)/電子傳輸層(厚度：10nm，材料：et5)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：ei1)/al(厚度：100nm)。器件實施例11器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發光層6、空穴阻擋層7、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht6，按質量比5:95混摻構成)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發光層6(厚度：40nm，材料：化合物34和gd4按重量比92：8混摻構成)/空穴阻擋層7(厚度：15nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：et2和ei1，質量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：li2co3)/al(厚度：100nm)。器件實施例12器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、發光層6、空穴阻擋層7、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht3，按質量比5:95混摻構成)/空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：ht6)/發光層6(厚度：40nm，材料：化合物36和gd6按重量比95：5混摻構成)/空穴阻擋層7(厚度：15nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：et6)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：csf)/al(厚度：100nm)。器件實施例13器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht3，按質量比5:95混摻構成)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：ht6)/電 子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發光層6(厚度：40nm，材料：化合物37和gd2按重量比88：12混摻構成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et2和ei1，質量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：csn3)/al(厚度：100nm)。器件實施例14器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發光層6、空穴阻擋層7和電子傳輸層8。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht3，按質量比5:95混摻構成)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發光層6(厚度：40nm，材料：化合物38、gh2和gd2按重量比60：30：10混摻構成)/空穴阻擋層7(厚度15nm，材料：eb2)/電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：et2和ei1，質量比1：1)/al(厚度：100nm)。器件實施例15器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發光層6、空穴阻擋層7和電子傳輸層8。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht3，按質量比5:95混摻構成)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發光層6(厚度：40nm，材料：化合物13、gh4和gd2按重量比60：30：10混摻構成)/空穴阻擋層7(厚度15nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：et2和ei1，質量比1：1)/al(厚度：100nm)。器件實施例16器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、發光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi4和ht3，按質量比5:95混摻構成)/空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：ht6)/發光層6(厚度：40nm，材料：gh3和化合物36按重量比92：8混摻構成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et4和ei1，質量比1:1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：lif)/al(厚度：100nm)。器件比較例1器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：包括空穴傳輸層4、發光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴傳輸層4(厚度：120nm，材料：hti)/發光層6(厚度：40nm，材料：gh1和gd1按重量比90：10混摻構成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：lif)/al(厚度：100nm)。通過標準方法表征所述oled，從呈現郎伯發射特性的電流/電壓/發光密度特性線計算，和測量壽命。確定在1000cd/m2亮度下的電致發光光譜，計算ciex和y顏色坐標，器件測試數據如表3所示。表2表3注：器件測試性能以比較例1作為參照，比較例1器件各項性能指標設為1.0。比較例1的電流效率為32.6cd/a(@1000cd/m2)；驅動電壓為5.6v(@1000cd/m2)；cie色坐標為(0.34,0.63)；5000亮度下lt95壽命衰減為3.5hr。表3總結了所述oled器件在1000cd/m2亮度所需的電壓、達到的電流效率，以及在5000cd/m2亮度下lt95衰減壽命。器件實施例1對比器件比較例1，更換本發明的發光層材料，并按本發明的材料組合成疊層器件后，器件電壓降低，電流效率提升50％，壽命提升3倍；器件實施例2-16按本發明設計的材料搭配和器件疊層組合，使得器件數據進一步提升；如器件實施例14、15所示，本發明的吖啶螺蒽酮類材料作為混合主體材料時，進一步的獲得了非常好的性能數據；如器件實施例16所示，本發明吖啶螺蒽酮類材料作為發光層摻雜材料使用時，同樣獲得了非常好的性能數據。綜上，以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。當前第1頁12