技術特征：
技術總結
本發明涉及一種氧化鋯柵介質晶體管的制備方法，通過在半導體襯底上表面沉積第一介質，形成第一介質層；對第一介質層刻蝕，形成源極、漏極的接觸孔，再沉積第二介質，形成第二介質層；對第二介質層光刻、刻蝕，去除源極、漏極接觸孔之外區域的第二介質，以使第一介質層部分上表面外露，形成第一窗口；以氮氣作為反應氣體，對形成歐姆接觸電極之后的整個半導體襯底進行退火處理；在第一窗口，對第一介質層以及預設厚度的氮化鋁鎵層進行刻蝕，形成柵極接觸孔；在柵極接觸孔內淀積氧化鋯，形成氧化鋯層，其厚度小于柵極接觸孔的深度；在柵極接觸孔內沉積第三介質，以使第三介質完全覆蓋柵極接觸孔，形成晶體管的柵極。
技術研發人員：劉美華;孫輝;林信南;陳建國
受保護的技術使用者：北京大學;北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
技術研發日：2016.03.25
技術公布日：2017.10.03