技術總結
本發明涉及電子信息材料與元器件的技術領域，特別是涉及一種透明薄膜變容管及其制備方法，該透明薄膜變容管包括襯底、沉積于所述襯底的錫鈦酸鋇薄膜、以及與所述錫鈦酸鋇薄膜連接的電極。其中，錫鈦酸鋇薄膜中錫鈦酸鋇的化學式為BaSn0.15Ti0.85O3。本發明所制得的透明薄膜變容管具有介電調諧率大、介電損耗低、性質穩定且透明性高的優點。該透明薄膜變容管的制備方法，包括：步驟一，制備錫鈦酸鋇靶材；步驟二，脈沖激光沉積錫鈦酸鋇薄膜；步驟三，制備電極。該透明薄膜變容管的制備方法使得所制備的薄膜變容管的結晶性好，且薄膜變容管的組分均勻，薄膜變容管的組分與靶材組分更加接近。
技術研發人員：吳木營;何林;楊雷
受保護的技術使用者：東莞理工學院
文檔號碼：201610169691
技術研發日：2016.03.23
技術公布日：2017.02.15