技術特征：
技術總結
本發明提供一種用于垂直結構LED芯片的多層鍵合方法，包括如下步驟：S1：在鍵合機的下加熱基板與上加熱基板之間疊放至少兩組待鍵合結構；所述待鍵合結構包括目標襯底及疊放于所述目標襯底上的晶片；所述目標襯底與所述晶片相對的一對表面中至少有一個表面形成有用于鍵合的鍵合材料層；S2：通過所述上加熱基板及所述下加熱基板對所述待鍵合結構施加壓力，并將所述待鍵合結構加熱到預設溫度，使每一組待鍵合結構中的所述目標襯底及晶片通過所述金屬層鍵合，得到至少兩組鍵合結構。本發明通過多層堆疊方式，不但可獲得穩定且良好的鍵合質量，并且可以通過調整升降溫過程中上下基板的溫度差來控制晶片的翹曲度，同時，極大地提高了生產效率。
技術研發人員：方安樂;徐慧文;李起鳴
受保護的技術使用者：映瑞光電科技（上海）有限公司
技術研發日：2016.03.02
技術公布日：2017.09.12