制造用于有機發光元件的光提取基底的方法、用于有機發光元件的光提取基底及包括其的有機發光元件與流程

本公開涉及一種制造用于有機發光器件或有機發光二極管(oled)器件的光提取基底的方法、一種用于oled器件的光提取基底以及一種包括該光提取基底的oled器件。更具體地，本公開涉及一種制造用于oled器件的光提取基底的方法、一種用于oled器件的光提取基底以及一種包括該光提取基底的oled器件，其中，不但改善了oled器件的光提取效率而且改善了oled器件的發光均勻性。

背景技術：

通常，發光器件可以劃分為具有由有機材料形成的發光層的有機發光二極管(oled)器件和具有由無機材料形成的發光層的無機發光器件。在oled器件中，oled是基于經電子注入電極(陰極)注入的電子和經空穴注入電極(陽極)注入的空穴的復合在有機發光層中產生的激子的輻射衰減的自發光光源。oled具有一系列的優點，諸如低電壓驅動、自發射、寬視角、高分辨率、自然色彩再現性和快速響應時間。

近來，已經對oled應用于便攜式信息裝置、照相機、時鐘、手表、辦公設備、用于車輛等的信息顯示裝置、電視(tv)、顯示裝置和照明系統等積極地進行了研究。

為了改善這種上述oled器件的發光效率，有必要改善形成發光層的材料的發光效率或者光提取效率(即，由發光層產生的光被提取的效率)。

oled器件的光提取效率取決于oled層的折射率。在典型的oled器件中，當由發光層產生的光束以大于臨界角的角度出射時，該光束會在諸如用作陽極的透明電極層的較高折射率的層與諸如玻璃基底的較低折射率的層之間的界面處被全反射。這會因此降低光提取效率，從而降低了oled器件的整體發光效率，這是有問題的。

更詳細地進行描述，由oled產生的光中的僅約20％從oled器件發射而產生的光中的約80％由于波導效應和內部全反射而損失，波導效應源自于玻璃基底、陽極和有機發光層(由空穴注入層、空穴傳輸層、發射層、電子傳輸層和電子注入層組成)的折射率不同，內部全反射源自于玻璃基底和環境大氣之間的折射率的差異。這里，內部有機發光層的折射率在1.7到1.8的范圍，而通常用于陽極的氧化銦錫(ito)的折射率為約1.9。由于這兩個層具有范圍為200nm到400nm的顯著低的厚度，并且用于玻璃基底的玻璃的折射率為約1.5，從而在oled器件內部形成平面波導。計算出由于上述原因在內部波導模式中損失的光的比率為約45％。另外，由于玻璃基底的折射率為約1.5，環境大氣的折射率為1.0，所以當光從玻璃基底的內部射出時，入射角大于臨界角的光束會被全反射并俘獲在玻璃基底內部。被俘獲的光的比率為約35％。因此，僅可以從oled器件射出所產生的光的約20％。

為了克服這樣的問題，已經積極研究了光提取層，通過光提取層可以提取否則將在內部波導模式中損失的光的80％。光提取層通常被分類為內部光提取層和外部光提取層。在外部光提取層的情況下，能夠通過在基底的外表面上設置包括微透鏡的膜來改善光提取效率，從各種形狀中選擇微透鏡的形狀。光提取效率的改善不明顯依賴于微透鏡的形狀。另一方面，內部光提取層直接提取否則將在光波導模式中損失的光。因此，內部光提取層改善光提取效率的能力可以高于外部光提取層改善光提取效率的能力。

用于制造內部光提取層的常規工藝包括：將散射顆粒與使所述散射顆粒固定到基底上的無機粘合劑的溶膠進行混合；利用散射顆粒涂覆基底；并在基底上燒制散射顆粒。然而，由于在燒制操作期間粘合劑材料的溶膠的結晶造成體積收縮以及消除由基底和粘合劑材料之間的熱膨脹系數(cte)的差異造成的應力的工藝，在涂覆膜中可能形成細微裂紋。因為裂紋在減小了涂覆膜的鍵合力的同時增加了涂覆膜的表面粗糙度，所以必須利用平坦化層額外地對涂覆膜的頂表面進行涂覆，從而造成額外的工藝的成本，這是有問題的。

在大面積oled器件的制造中，為了發光均勻性和啟用低電壓驅動的目的，除了主電極、陽極之外，輔助金屬電極是必要的。在現有技術中，通過光刻圖案化形成輔助電極。然而，當這種光刻工藝形成輔助電極時，加工的成本會顯著增加，這是有問題的。另外，可以使用印刷法形成輔助電極。然而，當通過印刷法形成輔助電極時，輔助電極的最小線寬和高度會在從幾十微米到幾百微米的范圍，使得會減小輔助電極的開口率。通過這種印刷法形成的輔助電極的電性能比通過沉積形成的輔助電極的電性能差。

[現有技術文件]

第1093259號韓國專利(2011年12月6日)

技術實現要素：

技術問題

因此，已經考慮到現有技術中出現的上述問題而做出了本公開，本公開提出一種制造用于有機發光器件或有機發光二極管(oled)器件的光提取基底的方法、一種用于oled器件的光提取基底以及一種包括該光提取基底的oled器件，其中，不但改善了oled器件的光提取效率而且改善了oled器件的發光均勻性。

技術方案

根據本公開的一方面，提供了一種制造用于oled器件的光提取基底的方法。所述方法可以包括：通過將大量的散射顆粒與無機粘合劑進行混合來制備混合物；利用混合物涂覆基礎基底；通過利用無機材料涂覆基礎基底上的混合物來形成緩沖層；對混合物和緩沖層進行燒制；通過在燒制過程中形成在混合物和緩沖層中的裂紋中的金屬來形成第一電極；在第一電極上形成第二電極以電連接到第一電極。

在制備混合物的步驟中使用的所述大量的散射顆粒可以是其折射率與無機粘合劑的折射率相差0.3或更大的顆粒。

在制備混合物的步驟中使用的所述大量的散射顆粒可以是從由sio2、tio2、zno和sno2組成的候選組選擇的一種金屬氧化物或者兩種或更多種金屬氧化物的組合。

在制備混合物的步驟中，分別包括核和圍繞核的殼的散射顆粒可以用作所述大量的散射顆粒或者用于形成所述大量的散射顆粒的部分，其中，殼的折射率不同于核的折射率。

在制備混合物的步驟中，分別包括中空的核的散射顆粒可以用作所述大量的散射顆粒或者用于形成所述大量的散射顆粒的部分。

形成緩沖層的無機材料可以是zno。

形成第一電極的步驟可以包括在裂紋內以及在緩沖層上沉積金屬并且對緩沖層進行蝕刻。

所沉積的金屬可以是從由cu、al和ag組成的候選組選擇的一種金屬。

對混合物進行燒制可以在基質層內形成具有不規則形狀的大量空隙。

根據本公開的另一方面，提供了一種用于oled器件的光提取基底。所述光提取基底可以包括：基礎基底；基質層，設置在基礎基底上；大量的散射顆粒，分散在基質層內；第一電極，填充形成在基質層中的裂紋并且由金屬形成；第二電極，設置在基質層和第一電極上。

所述大量的散射顆粒可以是其折射率與基質層的折射率相差0.3或更大的顆粒。

所述大量的散射顆粒的至少部分可以分別包括核和圍繞核的殼，殼的折射率不同于核的折射率。

核可以是空隙。

所述光提取基底還可以包括設置在基質層內具有不規則形狀的空隙。

裂紋可以設置在所述大量的散射顆粒之間或所述大量的散射顆粒中的幾個散射顆粒的簇之間。

裂紋的至少部分可以將基礎基底暴露于基質層的表面。

第二電極可以是用作oled器件的主電極的透明電極，第一電極可以用作oled器件的輔助電極，基質層和所述大量的散射顆粒可以用作oled器件的內部光提取層。

根據本公開的另一方面，一種oled可以包括在所產生的光出射所經的位置中的上述光提取基底。

有益效果

根據本公開，在用于形成基質層的混合物的收縮過程中，由于所述混合物和基礎基底之間的熱膨脹系數(cte)的差異，使得在沒有額外加工的情況下形成裂紋，通過控制所述裂紋的形狀來形成隨機網絡結構，隨后在所述裂紋中沉積金屬，通過上述步驟來制造應當用作oled器件的輔助電極的電極。當應用到oled器件時，可以改善oled器件的光提取效率和發光均勻性，并且可以使oled器件能夠以低電壓進行操作。因此，本公開可應用于大面積oled器件。

另外，根據本公開，通過填充在沒有額外加工的情況下形成的裂紋來形成電極。與通過光刻來形成oled器件的輔助電極的常規工藝相比，可以以簡單的方式形成電極，從而降低oled器件的制造成本。

此外，根據本公開，將應當用作oled器件的透明電極的導電膜形成為覆蓋形成在裂紋中的輔助電極的表面和基質層的表面。然后，可以使由于出現裂紋而粗糙度增加的基質層的表面平坦化。因此，這能夠去除形成平坦化層的額外的工藝，從而降低oled器件的制造成本。

另外，根據本公開，當通過填充形成在基質層中的裂紋來形成輔助電極時，增大了從基質層的內部側向波導的光將到達由金屬形成的輔助電極并從該輔助電極反射的可能性。因此，這能夠干擾波導模式，從而導致光提取效率的改善。

附圖說明

圖1是示出根據示例性實施例的制造用于oled器件的光提取基底的方法的工藝流程圖。

圖2至圖8是順序地示出根據示例性實施例的制造用于oled器件的光提取基底的方法的示意性工藝圖。

圖9是示出包括根據示例性實施例制造的用于oled器件的光提取基底的oled器件的剖視圖。

具體實施方式

在下文中，將參照附圖詳細地描述根據示例性實施例的制造用于有機發光器件或有機發光二極管(oled)器件的光提取基底的方法、用于oled器件的光提取基底以及包括光提取基底的oled器件。

在以下描述中，在包括對已知功能和組件的詳細描述可能使本公開的主題不清楚的情況下，這里將對其進行省略。

根據示例性實施例的制造用于有機發光器件或oled器件的光提取基底的方法是這樣一種制造光提取基底(圖9中的100)的方法，其中，將光提取基底設置在由oled器件(圖9中的10)的oled發射的光出射所經的路徑上，以用作由oled發射的光可以通過的路線，提高oled器件10的光提取效率，并且保護oled免受外部環境的影響。

如圖1中示出的，根據示例性實施例的制造用于oled器件的光提取基底的方法包括混合物制備步驟s1、混合物涂覆步驟s2、緩沖層形成步驟s3、燒制步驟s4、第一電極形成步驟s5和第二電極形成步驟s6。

首先，混合物制備步驟s1是制備應當形成oled器件10的內部光提取層的混合物(圖2中的120)的步驟。在混合物制備步驟s1中，通過將無機粘合劑(圖2中的121)的溶膠與大量的散射顆粒(圖2中的122)進行混合來制得混合物120。這里，在混合物制備步驟s1中使用的無機粘合劑121和散射顆粒122可以具有不同的折射率，使得混合物在用于oled器件10的內部光提取層時改善oled器件10的光提取效率。例如，在混合物制備步驟s1中，所使用的散射顆粒122的折射率可以與應當形成散射顆粒122的基質層(圖5中的140)的無機粘合劑121的折射率相差0.3或更大。這里，在混合物制備步驟s1中，散射顆粒122可以是從由sio2、tio2、zno和sno2組成的候選組選擇的一種金屬氧化物或者兩種或更多種金屬氧化物的組合。另外，在混合物制備步驟s1中，用作將要與無機粘合劑121混合的所述大量的散射顆粒122的大量的散射顆粒可以分別由核(圖2中的123)和圍繞核的殼(圖2中的124)組成，殼的折射率不同于核的折射率。另外，在混合物制備步驟s1中，具有核-殼結構的散射顆粒可以用于形成將要與無機粘合劑121混合的所述大量的散射顆粒122的部分。在混合物制備步驟s1中使用的散射顆粒中，核123可以是中空部分。具體地，在混合物制備步驟s1中，可以使用從由單一材料形成的典型的單折射率的散射顆粒之中選擇的單一類型的散射顆粒、核123的折射率與殼124的折射率不同的核-殼結構的散射顆粒以及核123為中空部分的核-殼結構的散射顆粒作為將要與無機粘合劑121混合的所述大量的散射顆粒122。可選擇的，可以以預定比例混合所提到的多種顆粒中的兩種或更多種顆料以將其用作將要與無機粘合劑121混合的所述大量的散射顆粒122。如上所述，能夠具有各種組合的所述大量的散射顆粒122使從oled發射的光沿各種的或復雜的路徑散射，從而起到改善oled器件10的光提取效率的功能。具體地，當散射顆粒122具有多折射率的核-殼結構時，核123和殼124的不同折射率還可以改善oled器件10的用于提取從oled發射的光的效率。

在隨后的燒制步驟s4中，將混合物120形成為分散有大量的散射顆粒122的基質層(圖5中的140)。這里，由于基礎基底(圖2中的110)和無機粘合劑121之間的熱膨脹系數(cte)的差異，導致在沒有額外加工的情況下形成裂紋(圖5中的141)。在根據示例性實施例的混合物制備步驟s1中，可以調整混合物120的組成和濃度以將裂紋141控制為具有隨機的網絡結構。例如，在混合物制備步驟s1中，包括sio2的散射顆粒122可以以1.0m或更大的量來與包括tio2的無機粘合劑121混合。

然后，如圖2中示出的，混合物涂覆步驟s2是利用在混合物制備步驟s1中制得的混合物120涂覆基礎基底110的頂表面的步驟。在混合物涂覆步驟s2中，可以將混合物120施用到基礎基底110的頂表面直到厚度等于或高于散射顆粒122的厚度，使得基礎基底110和無機粘合劑121之間的cte的差異造成將要形成在基質層(圖5中的140)中的裂紋(圖5中的141)，其中，基質層通過在隨后的混合物燒制步驟s4中對無機粘合劑121進行燒制來制得。當大量的散射顆粒122團簇成兩層時，散射顆粒122的厚度包括所述簇的兩層的總厚度。

換言之，有必要在混合物涂覆步驟s2中控制混合物的涂覆厚度，使得在沒有額外加工的情況下由于燒制步驟s4中的燒制而能夠在基質層140中形成裂紋141。為了控制在沒有額外加工的情況下形成的裂紋的形狀，有必要在混合物制備步驟s1中控制混合物120的組成和濃度。

另外，在混合物涂覆步驟s2中，通過濕法涂覆將混合物120施用到基礎基底110，隨后進行干燥。

當在oled器件(圖9中的10)中使用根據示例性實施例制造的光提取基底(圖9中的100)時，涂覆有混合物120的基礎基底110設置在oled器件10的前部，即，由oled產生的光與環境大氣接觸的位置，以在用作保護oled免受外部環境影響的包封基底的同時允許光出射。基礎基底110可以是具有優異的透光率和優異的機械性能的任意透明基底。例如，基礎基底110可以由諸如可熱固化或可紫外(uv)固化的有機膜的聚合材料形成。可選擇的，基礎基底110可以由諸如鈉鈣玻璃(sio2-cao-na2o)或鋁硅酸鹽玻璃(sio2-al2o3-na2o)的化學增強玻璃形成。當根據示例性實施例的包括光提取基底100的oled器件10用于照明設備時，基礎基底110可以由鈉鈣玻璃形成。基礎基底110也可以是金屬氧化物基底或金屬氮化物基底。可選擇的，根據示例性實施例的基礎基底110可以是柔性基底，更具體地，可以是厚度為1.5mm或更小的薄玻璃片。可以使用熔融工藝或浮法工藝來制造所述薄玻璃片。

緊接著，如圖3中示出的，緩沖層形成步驟s3是通過利用無機材料涂覆混合物120來形成緩沖層130的步驟，混合物120在混合物涂覆步驟s2中施用到基礎基底110的頂表面。緩沖層130是將要在燒制步驟s4之后的第一電極形成步驟s5中被去除以形成第一電極(圖7中的150)的層。對此，需要由在燒制步驟s4中能耐高溫熱處理并且在第一電極形成步驟s5中能被容易地蝕刻的無機材料來形成緩沖層130。因此，在緩沖層形成步驟s3中，諸如zno的無機材料可以用于緩沖層130。盡管在緩沖層形成步驟s3中可以利用zno通過干法涂覆或濕法涂覆對基礎基底110進行涂覆，但考慮到成本和加工可以進行濕法涂覆，然后進行干燥。

然后，如圖4中示出的，燒制步驟s4是將混合物120和緩沖層130進行燒制隨后使其層疊在基礎基底110上的步驟。另外，燒制步驟s4是通過對混合物120進行燒制而在基礎基底110上形成分散有不同折射率的大量的散射顆粒122的基質層(圖5中的140)的步驟。

在根據示例性實施例的混合物燒制步驟s4中，可以在400℃至800℃的溫度下對混合物120進行燒制。當在該溫度范圍內對混合物120進行燒制時，在混合物120和緩沖層130的收縮過程中，由于基礎基底110的cte與混合物120的cte和緩沖層130的cte的不同，使得在基質層140中形成裂紋141，如圖5中示出的。當在oled器件(圖9中的10)中使用根據示例性實施例制造的光提取基底(圖9中的100)時，形成在基質層140中的裂紋141可以散射由oled發射的光，即，用于使由oled發射的光的路徑進一步復雜化或多樣化。另外，根據示例性實施例，裂紋141提供將要形成為用作oled器件10的輔助電極的第一電極(圖7中的150)的空間，稍后將對其進行更詳細的描述。

裂紋141在從緩沖層130的表面朝向基礎基底110的方向上形成。部分或全部的裂紋141可以形成為將基礎基底110暴露于緩沖層130的表面。另外，裂紋141可以形成在大量的散射顆粒122之間或者形成在幾個散射顆粒122的簇之間。另外，因為在混合物制備步驟s1中調整了混合物120的組成和濃度，因此可以使裂紋141形成為具有細線寬度的隨機網絡結構。

另外，在混合物燒制步驟s4中，當正在對混合物120進行燒制時，會在基質層140內形成具有不規則形狀的大量空隙(未示出)。在根據示例性實施例制造的具有霧值60％的基質層140情況下，即，例如在基質層140中大量的具有核-殼結構的散射顆粒122分散在單一層中的情況下，在基質層140內形成的大量空隙(未示出)的面積可以在基質層140的面積的2.5％至10.8％的范圍內。與散射顆粒122和裂紋141一樣，所述大量的空隙(未示出)沿著各種路徑散射由oled發射的光，從而有助于改善oled器件10的光提取效率。在這種情況下，光提取效率可以隨著在基質層140內形成的大量的空隙(未示出)的面積的增加而增加。另外，在基質層140內形成的空隙(未示出)的增加可以使所使用的散射顆粒122的量減少與空隙的量相等的量，從而降低制造成本。

然后，如圖6和圖7中示出的，第一電極形成步驟s5是由裂紋141中的金屬151形成第一電極150的步驟，其中，裂紋141在燒制步驟s4中對混合物120進行燒制的過程中形成在基質層140和緩沖層130中。在第一電極形成步驟s5中，首先在裂紋141內以及在緩沖層130上沉積金屬151，以形成在制造oled器件10的情況下將要用作大面積oled器件10的輔助電極的第一電極150。金屬151可以是從諸如cu、al和ag組成的候選組選擇的一種金屬，其中，考慮到改善oled器件10的光提取效率，可以使用具有高反射率的ag或al。盡管可以沉積諸如氧化銦錫(ito)的導電金屬氧化物來代替金屬151，但是考慮到片電阻，可以使用金屬材料。

隨后，對緩沖層130進行蝕刻，盡管可以通過干法蝕刻和濕法蝕刻對緩沖層130進行蝕刻，但是在包括制造用于大面積oled器件10的大面積光提取基底100的工藝的幾個方面中，濕法蝕刻可能較容易。這里，可用于對緩沖層130進行濕法蝕刻的蝕刻溶液不能對金屬151進行蝕刻或者相對于緩沖層130對金屬151必須具有非常低的蝕刻率，使得可以執行選擇性蝕刻。例如，在將zno用于緩沖層130而將al用于金屬層151的情況下，使用hno3作為用于緩沖層130的蝕刻溶液能夠實現對緩沖層130的選擇性蝕刻。

當如上所述對緩沖層130進行蝕刻時，金屬151的沉積在緩沖層130上的部分通過剝離被去除，而金屬151的沉積在裂紋141內的其余部分可以以間隙填充的形式留存，從而形成第一電極150。根據示例性實施例，通過填充在沒有額外加工的情況下形成的裂紋141來形成第一電極150。因此，與用于oled器件的輔助電極的常規的光刻加工相比，這可以以簡單的方式形成裂紋141，從而與常規工藝相比降低了oled器件(圖9中的10)的加工成本。另外，在通過填充裂紋141來形成第一電極150的情況下，在oled器件10中使用根據示例性實施例制造的光提取基底100增大了從基質層140的內部側向波導的光將到達第一電極150(由金屬形成的輔助電極)并從第一電極150反射的概率。因此，這能夠干擾波導模式，從而導致光提取效率的改善。

形成有隨機網絡結構的裂紋141具有100nm至300nm的微小的寬度以及僅在200nm至500nm之間的高度。包括裂紋141的基質層140是光學透明的并且裂紋的尺寸僅在幾微米到幾十微米之間。當通過填充裂紋141來形成第一電極150時，第一電極150的寬度僅為幾微米至幾十微米。即使在基質層140根據大型oled器件10而具有大面積的情況下，也可以獲得片電阻的均勻性。

之后，如圖8中示出的，第二電極形成步驟s6是在第一電極150上形成第二電極160以電連接到第一電極150的步驟，第二電極160應當用作oled器件10的主透明電極。在第二電極形成步驟s6中，可以通過沉積諸如ito的導電金屬氧化物或沉積諸如pedot:pss的導電聚合物來形成第二電極160。在第二電極形成步驟s6中，將第二電極160形成為覆蓋第一電極150和基質層140的表面。當以這種方式形成第二電極160時，可以使由于出現裂紋141而粗糙度增加的基質層140的表面平坦化。在現有技術中，為了與oled器件的透明電極鄰接的基質層的表面平坦化，在透明電極和基質層之間形成單獨的平坦化層。相反，根據示例性實施例，第二電極160不僅用作oled器件10的透明電極而且還用作現有技術中的平坦化層，使得可以省略額外的平坦化加工。根據示例性實施例，如上所述形成第二電極160可以簡化加工并降低成本。

當完成如上所述的第二電極形成步驟s6時，制造了根據示例性實施例的用于oled的光提取基底100。

如圖9中示出的，通過上述工藝制造的光提取基底100設置在oled器件10的一部分中以用作光學功能性基底，從而改善oled器件10的光提取效率。這里，具有裂紋141的基質層140以及分散在基質層140內的大量散射顆粒122和大量空隙(未示出)形成了oled器件10的內部光提取層。基于基質層140、散射顆粒122和空隙(未示出)的不同折射率，該內部光提取層可以提供復雜的散射結構，用于造成由有機發光層11發射的光劇烈散射以及光的散射路徑多樣化，從而顯著地改善oled器件10的光提取效率。另外，將通過填充具有隨機網絡結構的裂紋141而形成的第一電極150以及覆蓋并電連接到第一電極150的第二電極160用作oled器件10的輔助電極和主電極，從而提高大面積oled器件10的發光均勻性，并允許oled器件10以低電壓進行操作。

另外，oled器件10的oled具有陽極、有機發光層11和第三電極13的多層機構，其中，第三電極13夾在根據示例性實施例的光提取基底100與面向光提取基底100以包封oled的另一基底(未示出)之間。陽極(oled器件10的主電極)是透明電極，根據示例性實施例的光提取基底100的第二電極160用作主電極。另外，第三電極13是oled器件10的陰極。第三電極13可以是由具有小的功函數以便于電子注入的al、al:li或mg:ag形成的金屬薄膜。盡管沒有具體示出，但是有機發光層11可以包括順序地堆疊在第二電極160上的空穴注入層、空穴傳輸層、發射層、電子傳輸層和電子注入層。

根據這種結構，當在第二電極160和第三電極13之間產生正向電壓，電子從第三電極13經電子注入層和電子傳輸層遷移到發射層，同時空穴從第二電極160經空穴注入層和空穴傳輸層遷移到發射層。已經遷移到發射層的電子和空穴彼此復合，從而產生激子。當這些激子從激發態躍遷到基態時，發射光。發射的光的亮度正比于在第二電極160和第三電極13之間流經的電流的量。

當oled器件10是照明設備中使用的白色oled器件時，有機發光層可以具有例如包括發射藍色光的高分子發光層和發射橘紅色光的低分子發光層的多層結構。另外，可以使用發射白光的各種其它結構。

根據示例性實施例，有機發光層11可以具有串聯(tandem)結構。具體地，可以提供與互連層(未示出)交替的多個有機發光層11。

如以上闡述的，在根據示例性實施例制造用于oled器件的光提取基底的方法中，以一系列的工藝來制造光提取基底100：在沒有額外的加工的情況下，通過控制在形成基質層140的燒制操作中因混合物120的收縮而形成的裂紋141的形狀來形成隨機網絡結構；隨后在裂紋141中形成用作oled器件的輔助電極的第一電極150。根據示例性實施例，可以通過比現有技術簡單的工藝來制造光提取基底100，從而比現有技術降低工藝成本。

另外，當在oled器件10中使用如上述制造的光提取基底100時，可改善oled器件10的光提取效率和發光均勻性，并可使oled器件10能夠以低電壓進行操作。因此，本公開可應用于大面積oled器件10。

已經參照附圖給出了對本公開的具體示例性實施例的上述描述。它們沒有意圖窮舉或將本公開限制于所公開的具體形式，顯然，根據以上教導，本領域普通技術人員可以進行許多修改和改變。

因此，本公開的范圍不意圖受限于上述實施例，而是意圖受所附權利要求及其等同物的限制。