半導體模塊以及半導體模塊的疊層布置的制作方法

本發明涉及功率半導體電子器件的領域。具體來說，本發明涉及功率半導體模塊以及功率半導體模塊的疊層布置。

背景技術：

基于寬帶隙(wbg)材料、具體來說是單極材料(例如比如碳化硅(sic)和氮化鎵(gan))的半導體開關因這些材料的固有優點(例如，比如在高操作溫度下的低泄漏電流以及在低電流下的低損耗)而提供低切換損耗。因此，這類半導體開關還適合于高頻應用。

但是，例如，sic基開關當前限制到與雙極硅(si)基的開關相比更小大小的芯片。例如，半導體模塊中采用的雙極si開關的基區的典型尺寸為大約17×17mm²，而sic開關因關于關聯較高成本的缺陷和產率問題而最多不超過那些值的一半。

此外，與雙極si基的開關相比，小型的寬帶隙開關可具有某些缺點，例如振蕩行為、在高溫度和電流下的高通態損耗以及較小故障電流操控能力。

us2014/0185346a1涉及一種混合功率裝置，其包括包含第一和第二不相等的帶隙半導體材料的第一和第二切換裝置，其中切換裝置是不同類型的三端子或更多端子的切換裝置。

ep0443155b1涉及一種用于接通和關斷的開關設備，其具有用于切換mos-fet半導體(其并聯連接)和igbt功率半導體的驅動器。

us2004/0188706a1公開一種具有igbt并且具有寬帶隙二極管的半導體模塊，由此igbt和寬帶隙二極管布置在基板上。

ep0637080a1公開一種壓力接觸類型功率模塊，其具有布置在igbt結構上的緊壓裝置（pressdevice）。

技術實現要素：

本發明的一個目的是提供一種具有寬帶隙開關和雙極si基開關的半導體模塊，其可易于按照疊層布置串聯連接，以便增加功率和/或電壓。

這個目的通過獨立權利要求的主題來實現。根據從屬權利要求和下面描述，另外的示范實施例是顯而易見的。

本發明的一個方面涉及一種半導體模塊。該半導體模塊具體可以是高功率半導體模塊，其適合于處理高于大約10a的電流和/或高于大約100v的電壓。

按照本發明的實施例，該半導體模塊包括絕緣柵雙極晶體管、寬帶隙開關(其可以是寬帶隙晶體管)、基板和緊壓裝置。絕緣柵雙極晶體管包括第一平面端子和第二平面端子，以及寬帶隙開關包括第一平面端子和第二平面端子。絕緣柵雙極晶體管和寬帶隙開關并聯連接，由此對于并聯連接，絕緣柵雙極晶體管的第一平面端子和寬帶隙開關的第一平面端子安裝到基板的同一側。絕緣柵雙極晶體管的第一平面端子和/或寬帶隙開關的第一平面端子例如可焊接和/或熔接到基板的一側。基板的所述“側”在這里以及在下文可表示基板的外表面和/或表面區域。此外，絕緣柵雙極晶體管的第二平面端子和寬帶隙開關的第二平面端子與導電連接元件相連接，以及緊壓裝置布置在絕緣柵雙極晶體管的第二平面端子上。第二平面端子可處于與第一平面端子相對的相應晶體管的一側上。此外，該半導體模塊還包括至少一個柵極墊(gatepad)，其用于連接絕緣柵雙極晶體管的柵極和寬帶隙開關的柵極，以便互連絕緣柵雙極晶體管的柵極和寬帶隙開關的柵極，所述柵極墊絕緣安裝在基板中與絕緣柵雙極晶體管的第一平面端子和寬帶隙開關的第一平面端子相同的一側。晶體管中的一個的柵極可通過平面柵端子(其可提供在也提供第二端子的相應晶體管的所述側)來提供。

如上所述，由于其較小大小，專門用于半導體模塊、即所謂的全寬帶隙模塊中的寬帶隙開關可能不適合于這類模塊的疊層布置、即這類模塊的所謂緊壓封裝，從而將模塊的串聯連接的簡易性以及超過大約1000a的極高額定電流定為目標。小寬帶隙開關也可能不適合于緊壓封裝和/或疊層布置中的失效故障條件保護、例如短路失效模式(scfm)。

另一方面，通過并聯地電連接絕緣柵雙極晶體管和寬帶隙開關，可提供混合半導體模塊，從而允許獲益于絕緣柵雙極晶體管和寬帶隙開關的各種有利性質。除了較低成本之外，并聯布置的主要優點是在全電流范圍內的低傳導損耗、低切換損耗、低熱電阻、軟截止性能、高切換健壯性和改進的故障電流保護。與全寬帶隙模塊相比,這可導致在熱、傳導(損耗)、切換(損耗、軟性)和故障條件性能(浪涌、短路、短路失效模式“scfm”)、總體性能和成本方面的整體半導體模塊的最佳性質。另一方面，通過將緊壓裝置只布置在大型絕緣柵雙極晶體管的第二端子上，由此在與基板的所述側的表面法線矢量反平行的方向上對絕緣柵雙極晶體管施加力，如所提出的半導體模塊可有利地按照串聯連接模塊的疊層布置來布置。

換言之，為了解決在緊壓封裝模塊和/或疊層布置中與混合模塊中并聯連接的si基開關和寬帶隙開關的優點結合采用寬帶隙開關的上述缺點，本發明提出一種概念，其提供一種在這種封裝并且具體來說是疊層布置中采用混合模塊的緊壓封裝布置。

除了上述優點之外，發明半導體模塊還可因大面積絕緣柵雙極晶體管而提供改進的保護特性。除了別的以外，這包含:特別是用于電網應用例如比如高壓dc(hvdc)和柔性ac傳輸系統(facts)的高電流和串聯連接高電壓能力；經過緊壓裝置和絕緣柵雙極晶體管的短路失效模式，而不管絕緣柵雙極晶體管還是寬帶隙開關出故障；通過確保絕緣柵雙極晶體管具有在與寬帶隙開關相比時要高的短路(飽和電流)、因si基絕緣柵雙極晶體管引起的良好短路能力；通過確保絕緣柵雙極晶體管的雪崩擊穿比寬帶隙開關的雪崩擊穿要低的良好雪崩能力；以及絕緣柵雙極晶體管、例如二極管模式中的反向傳導絕緣柵雙極晶體管的良好浪涌電流能力。

柵極墊可包括例如導電條、帶、桿、線帶、條帶和/或板。柵極墊可例如通過在基板與柵極墊之間布置絕緣層、絕緣膜和/或絕緣隔離片來布置和/或附連到基板的絕緣區。柵極墊可布置在基板的所述側上和/或基板的各種其他部分上。但是，柵極墊在半導體模塊中也可與基板分開布置。柵極墊是公共柵極墊，其互連絕緣柵雙極晶體管的柵極和寬帶隙開關的柵極。這可允許采用施加到柵極墊的單個柵控制信號同時控制絕緣柵雙極晶體管和寬帶隙開關，這又可簡化模塊的總體控制，并且它可在其布局和/或構造方面簡化模塊本身，由此潛在地降低生產成本。

按照本發明的實施例，絕緣柵雙極晶體管的第一平面端子是集電極(即，集電極端子)，以及寬帶隙開關的第一平面端子是漏極(即，漏極端子)。此外，絕緣柵雙極晶體管的第二平面端子是發射極(即，發射極端子)，以及寬帶隙開關的第二平面端子是源極(即，源極端子)。因此，為了并聯連接絕緣柵雙極晶體管和寬帶隙開關，絕緣柵雙極晶體管的集電極和寬帶隙的漏極安裝到基板的所述側，以及絕緣柵雙極晶體管的發射極和寬帶隙開關的源極通過連接元件來連接。但是，它還可以可設想將發射極和源極安裝到基板的所述側，并且采用連接元件來連接集電極和漏極。

按照本發明的實施例，連接元件是線結合件(wirebond)和帶式結合件(ribbonbond)中的至少一個。這類類型的結合件可在將它們安裝于基板之后易于附連到絕緣柵雙極晶體管和/或寬帶隙開關的相應端子。這可簡化模塊的組裝和/或生產過程以及維護，并且它可降低模塊的生產成本。此外，這因布置和/或附連線結合件和/或帶式結合件中的固有靈活性而可提供和/或增加模塊的組件、例如模塊的電路系統的布局和/或設置的靈活性。

按照本發明的實施例，絕緣柵雙極晶體管的柵極和/或寬帶隙開關的柵極采用線結合件和帶式結合件中的至少一個來連接到柵極墊。這可進一步簡化模塊的組裝、生產過程和/或維護，并且可進一步增加模塊的組件的布局和/或設置中的靈活性。

按照本發明的實施例，絕緣柵雙極晶體管是雙模絕緣柵晶體管bigt或者反向傳導絕緣柵雙極晶體管rc-igbt。這類類型的晶體管可提供總體性能、功率額定和/或使用期限方面的優點。

按照本發明的實施例，寬帶隙開關是電壓控制單極開關和/或mosfet(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。術語“電壓控制開關”可涉及開關和/或半導體裝置，其輸出特性通過取決于施加到柵極的電壓的電場來確定和/或控制。例如，mosfet、結型柵場效應晶體管(jfet)和/或高電子遷移率晶體管(hemt)可用作寬帶隙開關。

按照本發明的實施例，寬帶隙開關基于碳化硅或氮化鎵。例如，sicmosfet和/或ganhemt可用作寬帶隙開關。這類開關具體可提供在低電流下的低損耗。

按照本發明的實施例，緊壓裝置包括至少一個彈簧元件和/或至少一個板元件。一般來說，緊壓裝置可適合在不損壞晶體管的同時對絕緣柵雙極晶體管朝基板施加某個力。為此，緊壓裝置可包括彈簧元件，其在某個程度上可至少部分是彈性可變形和/或可壓縮的。彈簧元件可包括例如扭簧、復合彈簧、扁簧和/或另一個彈性元件(例如比如橡膠或硅元件)。此外，緊壓裝置可提供針對過度或過量變形的某種穩定性，其可通過板元件來提供。

按照本發明的實施例，半導體模塊包括多個絕緣柵雙極晶體管和/或多個寬帶隙開關，其可并列布置在基板的所述側。以這種方式，可增強模塊的功率、健壯性和/或緊湊性。多個絕緣柵雙極晶體管和寬帶隙開關可按照若干行和/或任意圖案布置在基板上。例如，寬帶隙開關可布置在基板的所述側的中間區域中，以及絕緣柵雙極晶體管可布置在基板的所述側的邊緣或邊界區域中。

按照本發明的實施例，許多的多個絕緣柵雙極晶體管連接到單個寬帶隙開關，和/或許多的多個寬帶隙開關連接到單個絕緣柵雙極晶體管。這可簡化模塊的布局和/或控制，并且可降低模塊的總成本。

按照本發明的實施例，許多的多個寬帶隙開關與線結合件和帶式結合件中的至少一個互連。這可進一步簡化模塊的寬帶隙開關的控制。

按照本發明的實施例，半導體模塊還包括導電板，其布置成與基板相對，從而將緊壓裝置固定在絕緣柵雙極晶體管上。因此，板可布置在與緊壓裝置的另外的表面相對的緊壓裝置的外表面，其可與絕緣柵雙極晶體管的第二端子接觸和/或布置于絕緣柵雙極晶體管的第二端子上，使得緊壓裝置布置在板與絕緣柵雙極晶體管的第二端子之間。這種布置可促進一個在另一個之上地堆疊若干發明半導體模塊，從而允許易于串聯互連相鄰模塊。導電板和基板可通過模塊的(非導電)殼體機械地連接。

按照本發明的實施例，半導體模塊還包括至少一個二極管。二極管例如可基于si、sic、ge和/或gn。此外，二極管可結合到半導體模塊的元件、例如比如基板，并且它可例如經由線結合件和/或帶式結合件電連接到半導體模塊的其他元件。二極管還可形成為寬帶隙開關和集成柵雙極晶體管中的至少一個的集成內部二極管。此外，二極管可以是pin二極管或雙極二極管，以及二極管可正向或反向傳導。一般來說，二極管可提供浪涌電流或過電流攜帶能力，和/或它可提供半導體模塊的另外的傳導能力。

本發明的另一方面涉及半導體模塊的疊層布置。該疊層布置包括如以上和以下所述的至少第一半導體模塊和至少第二半導體模塊。在其中，第二半導體模塊布置在第一半導體模塊上，使得第二半導體模塊的基板壓到第一半導體模塊的緊壓裝置上，緊壓裝置又壓在第一半導體模塊的絕緣柵雙極晶體管的第二平面端子上。以這種方式，基本上任意數量的半導體模塊可以以緊湊的方式堆疊，并且可串聯連接，以便增加疊層布置的功率。

根據以下所述實施例，本發明的這些方面及其他方面將會顯而易見并且參照以下所述實施例，將對本發明的這些方面及其他方面進行說明。

附圖說明

下文中將參照附圖圖示的示范實施例更詳細地描述本發明的主題。

圖1a示出按照本發明的實施例的半導體模塊的絕緣柵雙極晶體管和寬帶隙開關的結構說明。

圖1b示出按照本發明的實施例的半導體模塊的電路圖。

圖1c示出按照本發明的另外的實施例的半導體模塊的電路圖。

圖2示出按照本發明的實施例的半導體模塊。

圖3示出按照本發明的實施例的半導體模塊的頂視圖。

圖4示出按照本發明的實施例的半導體模塊的疊層布置。

附圖中所使用的參考符號及其含意在參考符號的列表中以概括形式列示。大體上，附圖中，相同部件提供有相同參考符號。

具體實施方式

圖1a示出半導體模塊10(參見圖2和圖3)的采取反向傳導絕緣柵雙極晶體管(rc-igbt)形式的絕緣柵雙極晶體管12以及采取sicmosfet形式的寬帶隙開關14。圖1b示出模塊10的電路圖。

在第一端上，rc-igbt12包括作為集電極的第一平面端子16，以及在與第一端相對的第二端上，rc-igbt12包括作為發射極的第二平面端子18。圖1a僅示出一個金屬氧化物半導體單元19a(mos單元)。rc-igbt12由多個這類單元19a來組成。此外，與第二平面端子18相鄰，rc-igbt12包括用于控制rc-igbt12的柵極20。與柵極20鄰接，rc-igbt12包括n⁺摻雜區22和p摻雜區24，其至少部分嵌入n基層26中。n基層26鄰接n緩沖層28，其又鄰接p摻雜區30和n摻雜區32(其布置在n緩沖層28與第一平面端子16之間)，由此提供rc-igbt12的反向傳導二極管。

sicmosfet14在第一端上包括作為漏極的第一平面端子34，以及在與第一端相對的第二端上包括作為源極的第二平面端子36。圖1a僅示出一個金屬氧化物半導體單元19b(mos單元)。sicmosfet14由多個這類單元19b來組成。sicmosfet14還包括柵極38，其與第二平面端子36相鄰，用于控制sicmosfet14。與柵極38鄰接，sicmosfet14包括n⁺摻雜區40和p摻雜區42，其至少部分嵌入n基層44中。在n基層44與第一平面端子34之間布置n+摻雜層45。

如圖1b的電路系統圖所描繪，rc-igbt12并聯連接到sicmosfet14，其中互連相應的第一平面端子16、34和第二平面端子18、36。更準確來說，rc-igbt12的集電極連接到sicmosfet14的漏極，以及rc-igbt12的發射極連接到sicmosfet14的源極。

圖1c示出按照本發明的另外的實施例的半導體模塊10的電路圖。如果沒有另外規定，則圖1c的半導體模塊10可包括與圖1b的半導體模塊10相同的元件和特征。

除了并聯連接到寬帶隙開關14的絕緣柵雙極晶體管12之外，圖1c的半導體模塊10還包括二極管47。二極管47可反向傳導，并且它可提供浪涌電流或過電流攜帶能力，和/或它可提供另外的傳導能力給半導體模塊10。例如，二極管47可提供從絕緣柵雙極晶體管12的發射極端子18和寬帶隙開關14的源極端子36到絕緣柵雙極晶體管12的集電極端子16和寬帶隙開關14的漏極端子34的傳導通路。二極管47可例如安裝到半導體模塊10的基板48(參見圖2)，并且它可例如通過線結合件和/或帶式結合件電連接。但是，還可能存在半導體模塊10中布置的多個二極管。此外，二極管47也可以是絕緣柵雙極晶體管12和/或寬帶隙開關14的內部集成二極管，例如比如內部正-本征-負二極管或內部雙極二極管。

圖2示出按照本發明的實施例的半導體模塊10。半導體模塊10包括絕緣柵雙極晶體管(igbt)12(其例如可以是rc-igbt、bigt或公共igbt)以及電壓控制單極寬帶隙(wbg)開關14(其例如可以是sicmosfet)。當被要求時并且取決于應用還可包含單獨si和/或wbg二極管，但是優選地不通過使用rc-igbt或bigt和/或利用內部sicmosfet。

igbt12和wbg開關14安裝到基板48的一側46。所述側46在這個上下文中可表示基板48的外平面表面。更詳細來說，igbt12和wbg開關14采用其相應的第一平面端子16、34來安裝到基板48的所述側46。例如，第一平面端子16、34可熔接和/或焊接到所述側46，使得它們經由基板48電連接。為此，基板可由諸如金屬和/或適當合金的導電材料來制造。圖2所示igbt12的第一平面端子16是igbt12的集電極或集電極端子，以及wbg開關14的第一平面端子34是漏極或漏極端子。

在與基板48相對的igbt12的一端上，igbt包括第二平面端子18，其作為發射極或發射極端子。igbt12的第二平面端子18采用導電連接元件電連接到wbg開關14的第二平面端子36，其作為wbg開關14的源極或源極端子。通過經由基板48將igbt12的集電極與wbg開關14的漏極相連接，并且通過將wbg開關14的源極與igbt12的發射極相連接，igbt12和wbg開關14并聯地電連接。圖12所示的連接元件50包括多個線結合件52a、52b52c，其連接wbg開關14的源極和igbt12的發射極。作為替代或補充，連接元件50可包括帶式結合件，其用于分別連接wbg開關14和igbt12的第二平面端子18、36。

但是，為了采用這些元件的并聯連接，還有可能將igbt12的發射極和wbg開關14的源極安裝到基板48的所述側46，并且將wbg開關14的漏極和ibgt12的集電極與連接元件50相連接。

igbt12和wbg開關的第一平面端子16、34和第二平面端子18、36相應地還可各包括導電材料的墊，以便提供最佳電連接，即，可能存在設置于igbt12和/或wbg開關14的相應的第一平面端子16、34和/或第二平面端子18、36的發射極墊、集電極墊、源極墊和/或漏極墊。

半導體模塊10還包括柵54，其并列地和/或在igbt12與wbg開關14之間絕緣安裝到基板48的所述側46。在柵極墊54與基板48之間布置絕緣層56，其適合絕緣柵極墊54和基板48。絕緣層56例如可包括絕緣材料膜和/或絕緣隔離片。絕緣層56例如可膠合、熔接和/或焊接到基板48，以及柵極墊54例如可膠合、熔接和/或焊接到絕緣層56。柵極墊54采用第一柵極連接元件58電連接到wbg開關14的柵極38。柵極墊54還采用第二柵極連接元件60連接到igbt12的柵極20。因此，柵極墊54互連wbg開關14的柵極38和ibgt12的柵極20。在這個上下文中，柵極墊54設計為公共柵極墊，從而允許經由相應的柵極20、38同時控制wbg開關14和igbt12。但是，還有可能將單獨柵極墊用于igbt12和wbg開關14的相應的柵極20、38。柵極連接元件58、60可以是線結合件和帶式結合件中的至少一個。

半導體模塊10還包括緊壓裝置62，其以第一端64布置在igbt12的第二平面端子18、即igbt12的發射極上。緊壓裝置62可包括用于機械穩定性的至少一個彈性可變形彈簧元件68和/或至少一個板元件70。緊壓裝置62可任意成形，即，它可具有例如圓柱形狀、立方體形狀或矩形形狀。此外，緊壓裝置62可具有任意截面，例如比如圓形、多邊形狀、三角形或矩形截面。如圖2所示，緊壓裝置62僅覆蓋igbt12的第二平面端子18的一部分，因為第二平面端子18還需要經由連接元件50來連接到wbg開關14的第二平面端子36。換言之，igbt12(更準確來說是igbt12的第二平面端子18)包括兩個區域，即，專用于緊壓裝置62的第一區域61以及用于將igbt12的第二平面端子18與wbg開關14的第二平面端子36電連接的第二區域63。第一和第二區域61、63可同樣定大小，或者第一區域61的大小可比第二區域63要大。

由于緊壓裝置62只布置在igbt12的第二平面端子18上的事實，由緊壓裝置62所施加和/或由緊壓裝置64所傳遞的任何力或壓力主要對大型igbt12起作用。在其中，由緊壓裝置62所施加和/或傳遞的力具有與基板48的所述側46的表面法線矢量反平行的方向，即，力被定向到基板48的所述側46。這樣，基本上任意數量的半導體模塊10可一個在另一個之上地堆疊，并且可串聯連接，以便增加功率。除此之外，緊壓裝置62還可提供短路能力。

半導體模塊10還包括導電板72，其布置在與第一端64相對的緊壓裝置62的第二端66上。因此，板72布置成與基板48相對并且平行。相應地，緊壓裝置62和igbt12布置在板72與基板48之間。板72可由諸如金屬和/或合金的導電材料來制造。一般來說，板72適合于在緊壓裝置62的縱向方向上將緊壓裝置62固定在igbt12上。除此之外，板72可允許和/或支承和/或簡化一個在另一個之上地堆疊各種半導體模塊10并且串聯連接相鄰模塊。

圖3示出按照本發明的實施例的半導體模塊10的頂視圖。如果沒有另外規定，則圖3的半導體模塊10可包括與圖2的半導體模塊10相同的特征和元件。

半導體模塊10包括多個六個igbt12和六個wbg開關14。igbt12按照二行各三個igbt布置在基板48的邊緣或邊界區域中，以及wbg開關14按照二行三個wbg開關14布置在基板48的中間區域中。每個igbt12的第二平面端子18采用連接元件50(其可以是線結合件52a、52b、52c和帶式結合件53中的至少一個)電連接到wbg開關14的第二平面端子38。

但是，還有可能將任意數量或全部多個igbt12連接到單個wbg開關14，和/或將任意數量或全部多個wbg開關14連接到單個igbt12。此外，許多或全部wbg開關14可采用線結合件和帶式結合件中的至少一個來互連。

半導體模塊10還包括兩個柵極墊54，其布置在igbt12與wbg開關14之間。相應地，一個柵極墊54互連兩個igbt12和兩個wbg開關14的相應的柵極20、38，以及一個柵極墊54互連四個igbt12和四個wbg開關14的柵極20、38。還有可能僅將一個柵極墊54布置在基板48上,從而互連半導體模塊的全部igbt12和wbg開關14，或者還有可能布置多于兩個柵極墊54。

圖4示出按照本發明的實施例的半導體模塊10a、10b的疊層布置100。疊層布置100包括殼體101，其中半導體模塊10a、10b一個在另一個之上地布置和/或堆疊，并且其中模塊10a、10b可選地通過固定部件機械固定。

在圖4的疊層布置100中，示出第一半導體模塊10a和第二半導體模塊10b，但是疊層布置100基本上可包括任意數量的半導體模塊10、10a、10b，如由圖4中的點所指示。

如能夠看到，第一半導體模塊10a布置在疊層布置100的殼體101中，使得與所述側46相對的基板48的另外的側面向殼體101的內表面。第二半導體模塊10b布置在第一半導體模塊10a上，使得第二半導體模塊10b的基板48壓到第一半導體模塊10a的緊壓裝置62上，緊壓裝置62又壓在第一半導體模塊10a的第二平面端子18上。為此，第二半導體模塊10b的基板48可直接布置在第一半導體模塊10a的緊壓裝置62的第二端66。備選地，它可布置在第一半導體模塊10a的板72上。以這種方式，第一和第二半導體模塊10a、10b采取緊壓封裝的形式串聯地電連接，其中第二半導體模塊10b的igbt12的第一平面端子16經由第二半導體模塊10b的基板48和/或板72與第一半導體模塊10a的igbt12的第二平面端子18以及緊壓裝置62相連接。

雖然在附圖和以上描述中詳細提示和描述了本發明，但是這種說明和描述被認為是說明性的或示范性的而不是限制性的；本發明并不局限于所公開的實施例。根據研究附圖、本公開和所附權利要求書，對所公開的實施例的其他變更能夠由本領域并且實施要求保護的本發明的技術人員理解和實施。在權利要求書中，詞語“包括”并不排除其他元件或特征，以及不定冠詞“一”或“一個”并不排除多個。僅僅是在互不相同的從屬權利要求中陳述某些措施的事實并不指示這些措施的組合不能有利地使用。權利要求書中的任何參考符號不是被理解為限制范圍。

參考符號列表

10半導體模塊

12絕緣柵雙極晶體管

14寬帶隙開關

16igbt的第一端子

18igbt的第二端子

19aigbt的mos單元

19bwbg開關的mos單元

20igbt的柵極

22n+摻雜區

24p摻雜區

26n基層

28n緩沖層

30p摻雜區

32n摻雜區

34wbg開關的第一端子

36wbg開關的第二端子

38wbg開關的柵極

40n+摻雜區

42p摻雜區

44n基層

45n+摻雜層

46基板側

47二極管

48基板

50連接元件

52a、b、c線結合件

53帶式結合件

54柵極墊

56絕緣層

58,60柵極連接元件

61第一區域

62緊壓裝置

63第二區域

64緊壓裝置的第一端

66緊壓裝置的第二端

68彈簧單元

70板元件

72板

100疊層布置

101殼體