貼片電阻器及其制造方法與流程

本發明涉及面安裝型的貼片電阻器及該貼片電阻器的制造方法。

背景技術：

貼片電阻器主要由長方體形的絕緣基板、隔著規定間隔相對配置在絕緣基板的表面的一對表面電極、隔著規定間隔相對配置在絕緣基板的背面的一對背面電極、橋接表面電極與背面電極的端面電極、對成對的表面電極彼此進行橋接的電阻，覆蓋電阻的保護層等構成。

一般而言，在制造上述貼片電阻器的情況下，在對大尺寸的集合基板一次性形成多個電極、電阻、保護層后，沿著格子狀的分割線(例如分割槽)對該集合基板進行分割，從而獲得多個貼片電阻器。在上述貼片電阻器的制造過程中，通過在集合基板的一個面印刷電阻糊料并進行燒制，從而形成多個電阻，但難以避免因印刷時的位置偏移、滲入、或者燒制爐內的溫度不均等影響而導致各電阻的大小、膜厚產生稍許偏差，因此進行在集合基板的狀態下對各電阻形成修整(trimming)槽來設定為所希望的電阻值的電阻值調整作業。

在該電阻值調整作業中，一邊使探針接觸通過電阻而橋接的一對表面電極以測定電阻值，一邊對該電阻照射激光以形成修整槽。并且，隨著修整槽增長，電阻的電阻值變高，因此在修整對象電阻的電阻值達到作為目標的電阻值(基準電阻值)的時刻，停止照射激光，并結束電阻值調整作業。

然而，形成修整槽前的電阻值(初始電阻值)并不一定低于基準電阻值，可能由于電阻的印刷條件、燒制條件等的偏差而導致初始電阻值高于基準電阻值，在該情況下，即使進行修整也無法使電阻值下降，因此不得不作為不合格品而丟棄。

因此，以往，如日本專利特開昭61-119004號公報所公開的那樣，提出了如下技術：在電阻的初始電阻值高于基準電阻值時，在該電阻上印刷其他的電阻糊料并再次進行燒制從而使初始電阻值下降之后，在這樣雙層結構的電阻上形成修整槽并進行電阻值調整(例如參照專利文獻1)。如上述現有技術那樣，若在已形成于絕緣基板上的電阻上另行重合印刷電阻糊料，并對該電阻糊料進行燒制，從而使電阻的初始電阻值下降，則能將之前作為不合格品丟棄的元器件作為合格品，因此能提高合格率，提供廉價的貼片電阻器。此外，日本專利特開平4-250601號公報中提出了如下技術：測定電阻的初始電阻值比基準電阻值高多少，利用與該測定結果相對應的加熱條件對貼片電阻器進行再燒制，從而使得初始電阻值接近基準電阻值。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開昭61-119004號公報

專利文獻2：日本專利特開平4-250601號公報

技術實現要素：

發明所要解決的技術問題

然而，在這種貼片電阻器中，優選為使連接到電阻的兩端的表面電極的電阻率盡可能低，除此以外，由于材料費、對環境的影響等各種原因，通常表面電極使用以銀作為主要成分的糊料材料。因此，若如上述的現有技術那樣為了使電阻值下降而反復執行燒制工序，則會發生表面電極的銀擴散到電阻中的量增加、連接到電阻的邊緣部分的表面電極的銀隨之消失的分離現象，最差的情況甚至會導致斷路。

例如，若使用銀100％或銀98％-鈀2％作為以所述銀為主要成分的糊料材料，在由上述那樣的富含銀的材料形成的表面電極上以局部重合的方式印刷電阻糊料并進行燒制以形成電阻，則燒制時表面電極的銀會擴散至電阻中，電阻受到溫度特性較差的銀材料的影響而導致TCR特性惡化，或者連接到電阻的邊緣部分的表面電極的銀消失，引起分離現象，最差的情況甚至會導致斷路。尤其如上述日本專利特開昭61-119004號公報所公開的現有技術那樣，在電阻采用雙層結構以降低電阻值的貼片電阻器的情況下，不僅在燒制第一層的電阻時銀會擴散，在燒制第二層的電阻時銀進一步擴散，因此上述TCR特性的惡化、分離這樣的問題變得顯著。

本發明是鑒于上述現有技術的實際情況而完成的，其目的在于，提供一種適合用于降低初始電阻值的貼片電阻器及其制造方法。

解決技術問題的技術方案

為了達到上述目的，本發明的貼片電阻器包括：絕緣基板；設為在該絕緣基板的表面隔著規定間隔相對的一對表面電極；設置為橫跨上述一對表面電極的電阻；以及設置為覆蓋所述表面電極并與所述電阻的端部重合的輔助電極，所述表面電極由含有1～5重量％的鈀、剩余部分為銀的材料構成，所述輔助電極由含有15～30重量％的鈀和電阻率比其低的金屬材料、剩余部分為銀的材料構成。

上述那樣構成的貼片電阻器中，與電阻的兩端部相連接的表面電極被輔助電極所覆蓋，表面電極由含有少量鈀且剩余部分含有大量銀的富含銀的材料構成，因此能使反復燒制電阻時的電阻值變化量(下降量)增大，但另一方面，表面電極的銀擴散至電阻的量增加，從而連接到電阻的邊緣部分的表面電極易于發生分離現象。此處，輔助電極由與表面電極相比銀的含有量較少、剩余部分含有較多鈀等的材料構成，輔助電極與表面電極的鈀的密接性較高，因此在因擴散而消失的表面電極的邊緣部分，通過輔助電極的鈀來確保導通，能可靠防止因分離而引起的斷路事故。并且，即使輔助電極中含有較多電阻率較高的鈀，由于含有電阻率比鈀要低的金等金屬材料，因此在使電阻的電阻值接近作為目標的基準電阻值的電阻值調整時，即使探針與輔助電極的接觸位置發生偏差，該偏差也幾乎不會影響電阻值測定的精度，因此能進行穩定的電阻值測定。

上述結構中，若將輔助電極的相對間距離設定得比表面電極的相對間距離要窄，則流過電阻的電流的電極間距離由較窄的輔助電極的相對間距離所規定，因此能使電阻的初始電阻值相應地降低。

上述結構中，若通過再燒制來使電阻的電阻值降低，則即使在初始電阻值比基準電阻值要高而不得不將貼片電阻器作為不合格品丟棄的情況下，也能將該貼片電阻器作為合格品進行再生，因此能提高合格率。

為了達到上述目的，本發明所涉及的貼片電阻器的制造方法包括如下工序：在絕緣基板的表面印刷以銀為主要成分的糊料材料并進行燒制以形成一對表面電極的工序；以橫跨上述一對表面電極的方式印刷電阻糊料并進行燒制以形成電阻的工序；使探針與一對所述表面電極相接觸來測定所述電阻的初始電阻值的工序；僅在所述初始測定值比基準電阻值要高的情況下形成一對輔助電極，使其覆蓋所述表面電極并與所述電阻的端部重合的工序；以及在形成所述輔助電極后對所述電阻進行再燒制來使初始電阻值下降的工序，所述輔助電極通過對銀的含有量在85重量％以下、剩余部分至少包含鈀的糊料材料進行印刷并燒制而形成。

本發明所涉及的貼片電阻器的制造方法中，在使探針與一對表面電極相接觸來測定電阻的初始電阻值時，即使其電阻值比作為目標的基準電阻值要高，也不將該貼片電阻器作為不合格品丟棄，而是在表面電極上重合形成輔助電極，然后對電阻進行再燒制以使初始電阻值降低。此處，下層的表面電極由以銀為主要成分的材料構成，因此反復燒制電阻時的電阻值變化量(下降量)增大，但另一方面，表面電極的銀擴散至電阻的量增加，從而連接到電阻的邊緣部分的表面電極易于發生分離現象。另一方面，上層的輔助電極由銀的含有量較少、剩余部分含有較多鈀的材料構成，因此在因擴散而消失的表面電極的邊緣部分，通過輔助電極的鈀來確保導通，能可靠防止因分離而引起的斷路事故。

上述制造方法中，可以預先將一對輔助電極的相對間距離設為固定，但若根據初始設定值與基準電阻值的偏離量來變更輔助電極的相對間距離，則易于進行電阻值調整，能以初始電阻值為目標來變更電阻值。

上述制造方法中，若使輔助電極與電阻的端部重合，以使得輔助電極的相對間距離比表面電極的相對間距離要窄，則不僅能通過對電阻進行再燒制來降低電阻值，也能利用輔助電極的相對間距離來降低電阻值。即，流過電阻的電流的電極間距離由表面電極與輔助電極的相對間距離中的較窄一方所決定，因此若輔助電極的相對間距離比表面電極的相對間距離要窄，則能使電阻的初始電阻值與該狹窄量相對應地降低。此外，流過電阻的電流流過含有較多鈀的輔助電極，從而跳躍了銀大量擴散的表面電極附近的電阻部分，因此溫度特性也變得優異。

此外，上述制造方法中，若表面電極由含有1～5重量％的鈀、剩余部分為銀的材料構成，輔助電極由鈀和電阻率比其低的金屬材料共含有15～30重量％、剩余部分為銀的材料構成，則不僅通過表面電極與輔助電極所含有的鈀使兩者的密接性變高，輔助電極中包含電阻率比鈀要低的金等金屬材料，因此即使在形成修整槽的電阻值調整時探針與輔助電極的接觸位置發生偏差，該偏差也幾乎不會影響電阻值測定的精度，能進行穩定的電阻值測定。

發明效果

根據本發明，能提供一種適合用于降低初始電阻值的貼片電阻器及其制造方法。

附圖說明

圖1是本發明的實施方式1所涉及的貼片電阻器的剖視圖。

圖2是表示圖1所示貼片電阻器的制造工序的剖視圖。

圖3是表示圖1所示貼片電阻器的制造工序的流程圖(1)。

圖4是表示圖1所示該貼片電阻器的制造工序的流程圖(2)。

圖5是本發明的實施方式2所涉及的貼片電阻器的剖視圖。

圖6是表示圖2所示貼片電阻器的制造工序的剖視圖。

圖7是表示圖2所示貼片電阻器的制造工序的流程圖(1)。

圖8是表示圖2所示貼片電阻器的制造工序的流程圖(2)。

圖9是表示圖2所示貼片電阻器的制造工序的流程圖(3)。

圖10是由圖9所示的工序制造得到的貼片電阻器的剖視圖。

具體實施方式

下面，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。

[實施方式1]

圖1是本發明的實施方式1所涉及的貼片電阻器的剖視圖。如圖1所示，本發明的實施方式1所涉及的貼片電阻器1主要由長方體形狀的絕緣基板2、設置于絕緣基板2的上表面的長邊方向的兩端部的一對表面電極3、設置為橫跨上述表面電極3的電阻4、設置為覆蓋表面電極3并與電阻4的端部重合的一對輔助電極5、覆蓋電阻4的第1保護層6、覆蓋第1保護層6的第2保護層7、設置于絕緣基板2的下表面的長邊方向的兩端部的一對背面電極8、設置于絕緣基板2的側面并橋接對應的表面電極3、輔助電極5以及背面電極8的一對端面電極9、覆蓋輔助電極5、背面電極8以及端面電極9的鍍層10構成。

絕緣基板2由陶瓷等構成，通過沿著縱橫延伸的一次分割槽和二次分割槽對后述的大尺寸的集合基板(參照圖2)進行分割來獲取多個該絕緣基板2。

表面電極3通過對含有1～5wt％Pd(鈀)的Ag(銀)類糊料材料進行絲網印刷并進行干燥、燒制而形成，本實施方式中，使用含2wt％Pd、剩余部分(98wt％)為Ag的被稱為富含銀的Ag-Pd糊料。

電阻4通過對氧化釕等電阻糊料進行絲網印刷并進行干燥、燒制而形成，該電阻4的兩端部與表面電極3重合。另外，后文將進行詳細闡述，通過對電阻4和第1保護層6照射激光來形成修整槽，從而將貼片電阻器1的電阻值調整為作為目標的基準電阻值。

輔助電極5通過對Pd和電阻率比其低的金屬材料(例如金、銅)共含有15～30wt％、剩余部分為Ag的Ag類糊料材料進行絲網印刷并進行干燥、燒制而形成，本實施方式中，使用含有20wt％Pd、5wt％Au(金)、剩余部分(75wt％)為Ag的Ag-Pd-Au糊料。

第1保護層6和第2保護層7構成雙層結構的絕緣層，其中的第1保護層6是形成修整槽前覆蓋電阻4的涂底層，第2保護層7是覆蓋形成修整槽后的第1保護層6的外涂層。第1保護層6通過對玻璃糊料進行絲網印刷并進行干燥、燒制而形成，該第1保護層6覆蓋電阻4的上表面并與輔助電極5的端部重合。第2保護層7通過對環氧樹脂類糊料進行絲網印刷并進行加熱固化(燒鍍)，該第2保護層7覆蓋整個第1保護層6的上表面和端面。

背面電極8通過對Ag糊料、Pd的含有量較少的Ag-Pd糊料進行絲網印刷并進行干燥、燒制而形成。

端面電極9通過濺射鎳(Ni)/鉻(Cr)等而形成，該端面電極9、輔助電極5及背面電極8被鍍Ni、鍍錫等鍍層10所覆蓋。

接著，參照圖2～圖4對如上述那樣構成的貼片電阻器1的制造方法進行說明。另外，圖2是表示圖1所示的貼片電阻器的制造工序的剖視圖，圖3及圖4是表示圖1所示貼片電阻器的制造工序的流程圖，圖3及圖4中示出一個處理步驟。

首先，準備形成有呈格子狀延伸的一次分割槽和二次分割槽的集合基板2A。由這些一次分割槽和二次分割槽將集合基板2A的正反兩面劃分為多個貼片形成區域，這些貼片形成區域分別成為一個絕緣基板2。圖2代表性地示出一個貼片形成區域，實際呈格子狀地排列有多個上述貼片形成區域。

然后，通過在集合基板2A的背面絲網印刷Ag糊料并進行干燥，從而如圖2(a)所示，在各貼片形成區域的長邊方向兩端部形成隔著規定間隔相對的一對背面電極8(圖3：步驟S-1)。

作為下一個工序，通過在集合基板2A的表面絲網印刷Ag-Pd糊料并進行干燥，從而如圖2(b)所示，在各貼片形成區域的長邊方向兩端部形成隔著規定間隔相對的一對表面電極3(步驟S-2)。如上所述，使用含有大量Ag的富含銀的Ag-Pd糊料作為形成表面電極3的材料，例如使用含有98wt％Ag、2wt％Pd的Ag-Pd糊料。

作為下一個工序，在約850℃的高溫下同時對表面電極3和背面電極8進行燒制(步驟S-3)。另外，也可以個別地燒制表面電極3和背面電極8，也可以顛倒其形成順序，在形成背面電極8之前先形成表面電極3。

作為下一個工序，通過在集合基板2A的表面絲網印刷含有氧化釕等的電阻糊料并進行干燥，從而如圖2(c)所示那樣，在形成了兩端部與表面電極3重合的電阻4之后(步驟S-4)，在約850℃的高溫下對其進行燒制(步驟S-5)。

作為下一個工序，通過從表面電極3上絲網印刷含有15～30wt％Pd與Au的Ag類糊料、例如Ag(75％)-Pd(20％)-Au(5％)糊料并進行干燥，從而如圖2(d)所示那樣，在形成了覆蓋表面電極3并與電阻4的端部重合的一對輔助電極5之后(步驟S-6)，在約850℃的高溫下對其進行燒制(步驟S-7)。

作為下一個工序，使未圖示的探針分別與一對輔助電極5相接觸，經由上述探針對電阻4的電阻值進行測定(步驟S-8)。然后，判定測定到的電阻值是否小于作為目標的基準電阻值(步驟S-9)，在電阻4的初始電阻值比基準電阻值要高的情況下，即步驟S-9為否的情況下，返回至步驟S-7，再次在約850℃的高溫下進行燒制，以使電阻4的電阻值下降，然后測定該電阻4的電阻值，并與基準電阻值進行比較(步驟S-8至S-9)。

此外，在測定到的電阻4的電阻值比基準電阻值要低的情況下、即步驟S-9為是的情況下，作為下一個工序，通過在覆蓋電阻4的區域中絲網印刷玻璃糊料并進行干燥，從而如圖2(e)所示，在形成了覆蓋電阻4的第1保護層6之后(圖4：步驟S-10)，在約600℃的高溫下對其進行燒制(步驟S-11)。

作為下一個工序，一邊使探針與一對輔助電極5相接觸來測定電阻4的電阻值，一邊照射激光在第1保護層6和電阻4形成未圖示的修整槽，從而將電阻4的電阻值調整為基準電阻值(步驟S-12)。

作為下一個工序，以覆蓋第1保護層6的方式絲網印刷環氧類等樹脂糊料并在約200℃的溫度下進行加熱固化(燒鍍)，從而如圖2(f)所示那樣，形成覆蓋第1保護層6的全部和輔助電極5的端部的第2保護層7(步驟S-13)。另外，上述第1保護層6用于使電阻4的修整槽附近不受到激光的熱量的損傷，該第2保護層7用于保護電阻4不受外部環境影響。

到此為止的工序是針對集合基板2A的統一處理，但下一個工序中，通過沿一次分割槽將集合基板2A一次分割為條形(步驟S-14)，從而獲得以貼片形成區域的長邊方向作為寬度尺寸的條形基板2B。

然后，在下一個工序中，通過對條形基板2B的分割面濺射Ni/Cr等，從而如圖2(g)所示那樣，形成將表面電極3與輔助電極5及背面電極8橋接的一對端面電極9(步驟S-15)。然后，沿著二次分割槽對條形基板進行二次分割(步驟S-16)，從而獲得與貼片電阻器1同等大小的貼片單體(單片)。

最后，通過對各貼片單體的基底電極層(輔助電極5、背面電極8及端面電極9)實施鍍Ni、鍍錫，從而如圖2(h)所示那樣形成覆蓋該基底電極層的層疊結構的鍍層10(步驟S-17)，完成圖1所示那樣的貼片電阻器1。

如以上說明的那樣，本實施方式1所涉及的貼片電阻器1中，與電阻4的兩端部相連接的一對表面電極3被輔助電極5所覆蓋而成為雙層結構，下層的表面電極3由含1～5wt％Pd、剩余部分為Ag的材料構成，并且上層的輔助電極5由Pd和電阻率比其低的金屬材料(例如Au)共含15～30wt％、剩余部分為Ag的材料構成。因此，反復燒制電阻4時的電阻值變化量(下降量)變大，即使在電阻4的初始電阻值超過作為目標的基準電阻值的情況下，也能使電阻4的電阻值降低并作為合格品進行再生。

此外，即使由于反復的燒制而導致表面電極3的Ag大量擴散至電阻4側，在因擴散而消失的表面電極3的邊緣部分，通過輔助電極5的Pd來確保導通，因此能可靠防止因分離而引起的斷路事故。并且，即使輔助電極5中含有較多電阻率較高的Pd，由于含有電阻率比Pd要低的Au等，因此在對電阻4進行修整以提高電阻值的電阻值調整時，即使探針與輔助電極5的接觸位置發生偏差，該偏差也幾乎不會影響電阻值測定的精度，因此能進行穩定的電阻值測定。

即，根據本實施方式1，能通過反復燒制電阻來防止分離的發生并大幅減小電阻值，因此能提供一種適合用于降低初始電阻值的貼片電阻器。

[實施方式2]

圖5是本發明的實施方式2所涉及的貼片電阻器的剖視圖。另外，在以下的說明中對與實施方式1同等的各部標注相同的參照標號，并適當省略重復說明。

如圖5所示，本發明的實施方式2所涉及的貼片電阻器1與實施方式1同樣地主要由長方體形狀的絕緣基板2、設置于絕緣基板2的上表面的長邊方向的兩端部的一對表面電極3、設置為橫跨上述表面電極3的電阻4、設置為覆蓋表面電極3并與電阻4的端部重合的一對輔助電極5、覆蓋電阻4的第1保護層6、覆蓋第1保護層6的第2保護層7、設置于絕緣基板2的下表面的長邊方向的兩端部的一對背面電極8、設置于絕緣基板2的側面并橋接對應的表面電極3、輔助電極5以及背面電極8的一對端面電極9、覆蓋輔助電極5、背面電極8以及端面電極9的鍍層10構成。

絕緣基板2由陶瓷等構成，通過與實施方式1同樣的方式來獲取多個。

表面電極3通過對含有1～5wt％Pd(鈀)的Ag(銀)類糊料材料、例如Ag為98wt％、且含有2wt％Pd的Ag-Pd糊料進行絲網印刷并進行干燥燒制而形成，一對表面電極3在絕緣基板2上隔著相對間距離L1相對。

電阻4與實施方式1同樣地構成，通過對氧化釕等電阻糊料進行絲網印刷并進行干燥、燒制而形成。

輔助電極5與實施方式1同樣地通過對Pd和電阻率比其低的金屬材料(例如金、銅)共含有15～30wt％、剩余部分為Ag的Ag類糊料材料進行絲網印刷并進行干燥、燒制而形成，使用含有20wt％Pd、5wt％Au(金)、剩余部分(75wt％)為Ag的Ag-Pd-Au糊料。一對輔助電極5在電阻4上隔著相對間距離L2相對，該相對間距離L2能通過選擇絲網印刷的掩模圖案而任意設定，但本實施方式的情況下，將一對輔助電極5的相對間距離L2設定得比一對表面電極3的相對間距離L2要窄(L1＞L2)。

第1保護層6和第2保護層7構成雙層結構的絕緣層，各部的結構與實施方式1相同。

背面電極8與實施方式1同樣地通過對Ag糊料、Pd的含有量較少的Ag-Pd糊料進行絲網印刷并進行干燥、燒制而形成。

端面電極9也與實施方式1同樣地通過濺射鎳(Ni)/鉻(Cr)等而形成，該端面電極9、輔助電極5及背面電極8被鍍Ni、鍍錫等鍍層10所覆蓋。

接著，參照圖6～圖10對如上述那樣構成的貼片電阻器1的制造方法進行說明。另外，圖6是表示圖5所示的貼片電阻器的制造工序的剖視圖，圖7～圖9是表示圖5所示貼片電阻器的制造工序的流程圖，圖10是利用圖9所示工序制造得到的貼片電阻器的剖視圖。另外，由圖7、圖8及圖9表示一個處理步驟。

首先，準備形成有呈格子狀延伸的一次分割槽和二次分割槽的集合基板2A。由這些一次分割槽和二次分割槽將集合基板2A的正反兩面劃分為多個貼片形成區域，這些貼片形成區域分別成為一個絕緣基板2。圖6代表性地示出一個貼片形成區域，實際呈格子狀地排列有多個這樣的貼片形成區域。

然后，通過在集合基板2A的背面絲網印刷Ag糊料并進行干燥，從而如圖6(a)所示，在各貼片形成區域的長邊方向兩端部形成隔著規定間隔相對的一對背面電極8(圖7：步驟S-21)。

作為下一個工序，通過在集合基板2A的表面絲網印刷Ag-Pd糊料并進行干燥，從而如圖6(b)所示，在各貼片形成區域的長邊方向兩端部形成隔著規定間隔相對的一對背面電極3(步驟S-22)。如上所述，使用含有大量Ag的富含銀的Ag-Pd糊料作為形成表面電極3的材料，例如使用含有98wt％Ag、2wt％Pd的Ag-Pd糊料。

作為下一個工序，在約850℃的高溫下同時對表面電極3和背面電極8進行燒制(步驟S-23)。另外，也可以個別地燒制表面電極3和背面電極8，也可以顛倒其形成順序，在形成背面電極8之前先形成表面電極3。

作為下一個工序，通過在集合基板2A的表面絲網印刷含有氧化釕等的電阻糊料并進行干燥，從而如圖6(c)所示那樣，在形成了兩端部與表面電極3重合的電阻4之后(步驟S-24)，在約850℃的高溫下對其進行燒制(步驟S-25)。

作為下一個工序，使未圖示的探針分別與一對表面電極3相接觸，經由上述探針對電阻4的初始電阻值進行測定(步驟S-26)。然后，判定測定到的初始電阻值是否超過了作為目標的基準電阻值(步驟S-27)，在測定到的初始電阻值超過了基準電阻值而變高的情況下(步驟S-27為是)，前進至圖8的步驟S-28。

該步驟S-28中，基于步驟S-26中測定得到的集合基板2A上的各電阻4的電阻值分布，從預先準備的多種印刷掩模中選定所希望的電極間圖案，決定下一個工序中所形成的輔助電極5的相對間距離L2。即，流過電阻4的電路的電極間距離由表面電極3與輔助電極5的相對間距離L1、L2中的較窄的一方決定，因此在測定到的電阻值的大部分大大超過基準電阻值的電阻值分布的情況下，選定L1＞L2的較短的電極間圖案，在測定到的電阻值的大部分并不怎么超過基準電阻值的電阻值分布的情況或測定到的電阻值存在超過基準電阻值的部分和未超過基準電阻值的部分的電阻值分布的情況下，選擇L1≤L2的較長的電極間圖案。

在下一個工序中，利用具有所選定的電極間圖案的印刷掩模，從表面電極3上絲網印刷含有15～30wt％Pd與Au的Ag類糊料、例如Ag(75％)-Pd(20％)-Au(5％)糊料并進行干燥，從而如圖6(d)所示那樣，在形成了覆蓋表面電極3并與電阻4的端部重合的一對輔助電極5之后(步驟S-29)，在約850℃的高溫下對其進行燒制(步驟S-30)。

作為下一個工序，通過在覆蓋電阻4的區域中絲網印刷玻璃糊料并進行干燥，從而如圖6(e)所示那樣，在形成了覆蓋電阻4的第1保護層6之后(步驟S-31)，在約600℃的高溫下對其進行燒制(步驟S-32)。

作為下一個工序，一邊使探針與一對輔助電極5相接觸來測定電阻4的電阻值，一邊照射激光在第1保護層6和電阻4形成未圖示的修整槽，從而對電阻4的電阻值進行電阻值調整，使其成為基準電阻值(步驟S-33)。

作為下一個工序，以覆蓋第1保護層6的方式絲網印刷環氧類等樹脂糊料并在約200℃的溫度下進行加熱固化(燒鍍)，從而如圖6(f)所示那樣，形成覆蓋第1保護層6的全部和輔助電極5的端部的第2保護層7(步驟S-34)。另外，上述第1保護層6用于使電阻4的修整槽附近不受到激光的熱量的損傷，該第2保護層7用于保護電阻4不受外部環境影響。

到此為止的工序是針對集合基板2A的統一處理，但下一個工序中，通過沿一次分割槽將集合基板2A一次分割為條形(步驟S-35)，從而獲得以貼片形成區域的長邊方向作為寬度尺寸的條形基板2B。

然后，在下一個工序中，通過對條形基板2B的分割面濺射Ni/Cr等，從而如圖6(g)所示那樣，形成對表面電極3、輔助電極5及背面電極8進行橋接的一對端面電極9(步驟S-36)。然后，沿著二次分割槽對條形基板進行二次分割(步驟S-37)，從而獲得與貼片電阻器1同等大小的貼片單體(單片)。

最后，通過對各貼片單體的基底電極層(輔助電極5、背面電極8及端面電極9)實施鍍Ni、鍍錫，從而如圖6(h)所示那樣形成覆蓋該基底電極層的層疊結構的鍍層10(步驟S-38)，完成圖5所示那樣的貼片電阻器1。

上述步驟S-28至步驟S-38的各工序是初始電阻值超過了作為目標的基準電阻值時所執行的工序，但在步驟S-26中測定到的電阻值的全部或大部分大大小于基準電阻值的情況下、即步驟S-27中的初始電阻值低于基準電阻值的情況(否)下，前進至圖9的步驟S-39，并如圖10所示那樣制造貼片電阻器20。

該步驟S-39中，通過在覆蓋電阻4的區域中絲網印刷玻璃糊料并進行干燥，從而在形成了覆蓋電阻4的第1保護層6之后，在約600℃的溫度下對其進行燒制(步驟S-40)。

作為下一個工序，一邊使探針與一對表面電極3相接觸來測定電阻4的電阻值，一邊照射激光在第1保護層6和電阻4形成修整槽，從而對電阻4的電阻值進行電阻值調整，使其成為基準電阻值(步驟S-41)。

作為下一個工序，以覆蓋第1保護層6的方式絲網印刷環氧類等樹脂糊料并在約200℃的溫度下進行加熱固化(燒鍍)，從而形成覆蓋第1保護層6的全部的第2保護層7(步驟S-42)。

到此為止的工序是針對集合基板2A的統一處理，但下一個工序中，通過沿一次分割槽將集合基板2A一次分割為條形，從而獲得以貼片形成區域的長邊方向作為寬度尺寸的條形基板(步驟S-43)。

然后，在下一個工序中，通過對條形基板的分割面濺射Ni/Cr等，從而形成對表面電極3和背面電極8進行橋接的一對端面電極9(步驟S-44)。然后，沿著二次分割槽對條形基板進行二次分割(步驟S-45)，從而獲得與貼片電阻器1同等大小的貼片單體(單片)。

最后，通過對各貼片單體的基底電極層(背面電極8及端面電極9)實施鍍Ni、鍍錫，從而形成覆蓋該基底電極層的層疊結構的鍍層10(步驟S-46)，完成圖10所示那樣的貼片電阻器20。

如以上說明的那樣，本實施方式所涉及的貼片電阻器1的制造方法中，即使在使探針與一對表面電極3相接觸來測定電阻4的初始電阻值時，該電阻值比作為目標的基準電阻值要高的情況下，也能通過在之后的形成與表面電極3重合的輔助電極5或形成第1及第2保護層6、7的工序中反復進行燒制來降低電阻4的電阻值。即，即使在測定到的電阻值比基準電阻值要高的情況下，也能通過對電阻進行再燒制來防止因銀的擴散而導致的惡劣影響，并使電阻值下降。因此，能將以前作為不合格品丟棄的貼片電阻器作為合格品進行再生。

在該情況下，即使由于反復的燒制而導致表面電極3的Ag大量擴散至電阻4側，在因擴散而消失的表面電極3的邊緣部分，通過輔助電極5的Pd來確保導通，因此能可靠防止因分離而引起的斷路事故。并且，由于輔助電極5含有電阻率比Pd要低的Au等，因此在對電阻4進行修整以提高電阻值的電阻值調整時(參照步驟S33)，即使探針與輔助電極5的接觸位置發生偏差，但該偏差幾乎不會影響電阻值測定的精度，因此能進行穩定的電阻值測定。

此外，本實施方式所涉及的貼片電阻器1的制造方法中，能根據初始測定值與基準電阻值的偏離量來變更輔助電極5的相對間距離L2，基于步驟S26中測定到的集合基板2A上的各電阻4的電阻值分布從預先準備的多種印刷掩模中選定所希望的電極間圖案，從而決定下一個工序中所形成的輔助電極5的相對間距離L2。因此，即使在初始測定值大大超過基準電阻值的情況下，若選定輔助電極5的相對間距離L2比表面電極3的相對間距離L1要窄的電極間圖案，則能通過形成上述輔助電極5來降低電阻4的電阻值。并且，流過電阻4的電流流過含有較多Pd的輔助電極5，從而跳躍了Ag大量擴散的表面電極3附近的電阻4部分，因此溫度特性也變得優異。

另外，上述實施方式中，包括基于測定到的電阻值分布將輔助電極5的相對間距離L2選擇為最優尺寸的工序(步驟S28)，但輔助電極5的相對間距離L2也可以始終固定而無法變更。該情況下，即使將輔助電極5的相對間距離L2設定得比表面電極3的相對間距離L1要寬(L2＞L1)，也能通過反復的燒制來降低電阻4的電阻值，但優選為如圖5所示那樣，將輔助電極5的相對間距離L2設定得比表面電極3的相對間距離L1要窄(L1＞L2)。

標號說明

1、20 貼片電阻器

2 絕緣基板

2A 集合基板

2B 條形基板

3 表面電極

4 電阻

5 輔助電極

6 第1保護層

7 第2保護層

8 背面電極

9 端面電極

10 鍍層