本發明涉及一種能擴展的半導體加工用帶，及使用此半導體加工用帶所制造的半導體裝置；該半導體加工用帶在將半導體晶圓分割成小片狀元件的切割(dicing)工序中，能利用于固定半導體晶圓，并且在粘接切割后的小片與小片之間或小片與基板之間的小片接合(diebonding)工序或安裝(mounting)工序中也能利用，且同時能利用在通過擴展(expanding)而沿著小片分割粘接劑層的工序中。
背景技術：
：：過往，在集成電路(IC：IntegratedCircuit)等的半導體裝置的制造工序中，實施為了膜化電路圖案形成后的晶圓而研削晶圓背面的背面研磨(backgrinding)工序；在晶圓背面貼上具有粘合性及伸縮性的半導體加工用帶后，將晶圓分割成小片單元的切割工序；擴張(擴展)半導體加工用帶的擴展(expanding)工序、拾取經分割的小片的拾取工序；再將經拾取的小片粘接于引線框架或封裝基板等(或在堆疊封裝(stackedpackage)中將小片彼此層疊、粘接)的小片結合(安裝)工序。在上述背面研磨工序中，為了保護晶圓的電路圖案形成面(晶圓表面)免于污染，而會使用表面保護帶。晶圓的背面研削結束后，從晶圓表面將此表面保護帶予以剝離的時候，將以下所述的半導體加工用帶(切割·小片結合帶)貼合于晶圓背面后，將半導體加工用帶側固定在吸附桌(suctiontable)上，對表面保護帶施以對晶圓的粘接力降低的處理后，剝離表面保護帶。表面保護帶受到剝離的晶圓，其后在背面貼合有晶圓的狀態下，從吸附桌取起而提供至其后的切割工序。需要說明的是，上述的使粘接力降低的處理是指當表面保護帶由紫外線等的能量線固化性成分所構成時，則為能量線照射處理，而當表面保護帶由熱固化性成分所構成時，則為加熱處理。上述背面研磨工序后的切割工序至安裝工序中，使用在基材膜上依粘合劑層與粘接劑層的順序層疊而成的半導體加工用帶。一般而言，在使用此種半導體加工用帶時，首先，在晶圓的背面貼合半導體加工用帶的粘接劑層而固定晶圓，使用切割刀將晶圓及粘接劑層切割成小片單元。其后，實施使帶向晶圓的直徑方向進行擴張，而拉開小片彼此間隔的擴展工序。此擴展工序是為了在其后的拾取工序中提高通過CCD照相機等的對于小片的認識性，并且在拾取小片時防止鄰接的小片因彼此接觸而產生的小片破損所實施者。其后，小片在拾取工序中與粘接劑層一同地從粘合劑層剝離后被拾取，在安裝工序中，直接地粘接于引線框架或封裝基板等上。因此，通過使用半導體加工用帶，由于變得能將附粘接劑層的小片直接地粘接于引線框架或封裝基板等上，故能省略粘接劑的涂布工序或另外的將各小片粘接于小片結合膜上的工序。然而，在上述切割工序中，如上所述，由于使用切割刀將晶圓與粘接劑層一同地進行切割，故不僅產生晶圓的切削屑，也會產生粘接劑層的切削屑。并且，還有粘接劑層的切削屑堵塞在晶圓切割溝時，小片彼此粘附而導致產生拾取不良等，半導體裝置的制造成品率產生降低的問題。為了解決此種問題，已提出在切割工序中通過刀僅切割晶圓，且在擴展工序中通過擴張半導體加工用帶，而粘接劑層分割成各個小片的方法(例如，專利文獻1)。根據此種利用擴張時的張力而分割粘接劑層的分割方法，不會產生粘接劑的切削屑，在拾取工序中也不會有不良影響。另外，近年來，作為晶圓的切割方法，已提出有使用激光加工裝置，以非接觸的形式切割晶圓，即所謂的隱形切割法。例如，專利文獻2中，作為隱形切割法，公開一種半導體基板的切割方法，其具有：通過對介于粘接劑層(小片接合樹脂層)之間貼附有片的半導體基板的內部聚集焦點光且照射激光光，而在導體基板的內部形成因多光子吸收所成的改質區域，并將此改質區域制成切割預定部的工序；通過使片擴張，而沿著切割預定部切割半導體基板及粘接劑層的工序。另外，作為使用激光加工裝置的其他晶圓切割方法，例如，專利文獻3提出一種晶圓的分割方法，其包括：在晶圓背面裝上小片結合用的粘接劑層(粘接膜)的工序；在已貼合該粘接劑層的晶圓粘接劑層側上貼合能伸長的保護粘合片的工序；從已貼合保護粘合片的晶圓表面，沿著切線照射激光光線而分割成各個小片的工序；擴張保護粘合片而賦予粘接劑層拉伸力，將粘接劑層切斷成各小片的工序；使已切斷的粘接劑層上所貼合的小片從保護粘合片分割的工序。這些專利文獻2及專利文獻3記載的晶圓切割方法，由于通過照射激光光及擴張帶，以非接觸的形式切割晶圓，故對晶圓的物理性負荷小，不會產生在實施現在主流的刀切割時的晶圓切削屑(chipping)，即能切割晶圓。另外，由于通過擴張而分割粘接劑層，故也不會產生粘接劑層的切削屑。因此，該技術是飽受矚目作為能取代刀切割的優異技術。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2007-5530號公報專利文獻2：日本特開2003-338467號公報專利文獻3：日本特開2004-273895號公報技術實現要素：發明所要解決的課題如上述專利文獻1～3所記載，通過擴展進行擴張而分割粘接劑層的方法中，為了提升粘接劑層的分割性，則會有在如0℃或-15℃般的低溫下進行擴張工序，且其后的拾取工序、安裝工序成為在常溫下進行操作的情況。然而，若試圖提升低溫下粘接劑層的分割性時，常溫下的分割性也提上升促使導致變脆。因此，在受到運搬時等的沖擊下，則變得容易出現切痕或破裂，又即使無切痕或破裂，在將粘接劑層加工成規定大小的預切(precut)工序的時候若進行拉伸時，則有導致粘接劑層會簡單地破裂的問題。因此，本發明的課題在于提供一種半導體加工用帶，其受到運搬時等的沖擊仍不會產生切痕或破裂，另外，在將粘接劑層加工成規定大小的預切工序中，即使拉升仍不會破裂的加工性優異者。用于解決課題的手段為了解決以上的課題，本發明的半導體加工用帶，其特征在于，層疊有粘接劑層和粘合片，且所述粘接劑層的根據JISK7128-3所規定的直角形試驗法的撕裂強度(A)為0.8MPa以上。上述半導體加工用帶的所述粘接劑層在所述直角形試驗法下，所述粘接劑層在通過試驗片的直角部的前端的中央線上，從所述直角部的前端切入長度1mm的切割部分時的撕裂強度(B)以0.5MPa以上為佳。另外，上述半導體加工用帶的所述粘合片的拉伸率以200％以上為佳。另外，上述半導體加工用帶中，將所述粘合片拉伸至拉伸率200％后，通過加熱至120℃會變成120％以下為佳。另外，上述半導體加工用帶的所述粘接劑層在-15℃下JISK7128-3所規定的直角形試驗法下的撕裂強度(C)以0.8MPa以下為佳。另外，上述半導體加工用帶以在通過擴展所述粘合片，而將貼合于所述粘接劑層上的晶圓及所述粘接劑層，或僅將所述粘接劑層分割成對應于各個小片上的用途上所使用者為佳。另外，為了解決以上的課題，本發明的半導體裝置，其特征在于使用上述半導體加工用帶而制造。發明效果根據本發明，由于粘接劑層在JISK7128-3所示的直角形型試驗片的試驗方法下無切入的撕裂強度(A)在0.8MPa以上，故能提供受到運搬時等的沖擊仍不會產生切痕或破裂，另外，在將粘接劑層加工成規定大小的預切工序中，即使拉升仍不會破裂的加工性優異的半導體加工用帶。附圖說明圖1是示意性地表示本發明的實施方式的半導體加工用帶結構的剖面圖。圖2是表示在晶圓上貼合表面保護帶的狀態的剖面圖。圖3是用以說明在本發明的實施方式的半導體加工用帶上貼合晶圓與環形框架的工序的剖面圖。圖4是說明從晶圓表面剝離表面保護帶的工序的剖面圖。圖5是表示通過激光加工而在晶圓上形成改質區域的狀態的剖面圖。圖6的(a)是表示本發明的實施方式的半導體加工用帶搭載于擴展裝置上的狀態的剖面圖。圖6的(b)表示通過擴張半導體加工用帶而將晶圓分割成小片的過程的剖面圖。圖6的(c)表示擴張后的半導體加工用帶、粘接劑層、及小片的剖面圖。圖7是用以說明熱收縮工序的剖面圖。圖8的(a)是使用直角形試驗法的試驗片的平面圖，圖8的(b)是切入有切割部分的試驗片的平面圖。具體實施方式以下，詳細說明關于本發明的實施方式。圖1為表示本發明的實施方式的半導體加工用帶10的剖面圖。本發明的半導體加工用帶10在通過擴展而將晶圓分割成小片的時候，粘接劑層13是沿著小片而被分割者。此半導體加工用帶10具有由基材膜11與設置于基材膜11上的粘合劑層12所構成的粘合片15，與設置在粘合劑層12上的粘接劑層13，且在粘接劑層13上貼合晶圓的背面者。需要說明的是，各個層也可配合使用工序或裝置而預先切割(預切)成規定形狀。并且，本發明的半導體加工用帶10可為切割成每一張晶圓分的形態，也可為將多個切割成每一枚晶圓分者所形成的長條的片卷曲成輥狀的形態。以下，說明關于各層的構成。＜基材膜＞基材膜11若具有均勻且等向性擴張性時，在擴展工序中由于晶圓能在全方向上能不偏移地切割，故為佳，且其材質也未受到特別限定。一般而言，交聯樹脂在與非交聯樹脂比較，其對于拉伸的復原力為大，且對擴展工序后的被拉伸的狀態施加熱時的收縮應力為大。因此，在擴展工序后通過加熱收縮去除帶所產生的松弛，使帶繃緊而穩定地保持各個小片的間隔的熱收縮工序的面上為優異。交聯樹脂當中，較佳使用熱塑性交聯樹脂。另一方面，非交聯樹脂在交聯樹脂與比較，其對于拉伸的復原力為小。因此，在如-15℃～0℃的低溫區域下的擴展工序后，由于會再度弛緩并回到常溫，送至拾取工序、安裝工序時的帶不易收縮，故在能防止附著于小片的粘接劑層彼此接觸的面上優異。非交聯樹脂當中，較佳使用烯烴系的非交聯樹脂。作為此種熱塑性交聯樹脂，可例示例如，以金屬離子使乙烯-(甲基)丙烯酸2元共聚物或將乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯作為主要聚合物構成成分的3元共聚物進行交聯而成的離子聚合物樹脂。這些在均勻擴張性的面上適宜于擴展工序，且在通過交聯而在加熱時產生強大復原力的面上特別適宜。上述離子聚合物樹脂所包含的金屬離子并未受到特別限定，可舉出如鋅、鈉等，鋅離子的溶出性為低，故在低污染性的面上為佳。上述3元共聚物的(甲基)丙烯酸烷基酯中，由于碳數1～4的烷基的彈性率高而能對晶圓傳播較強力道，故為佳。作為此種(甲基)丙烯酸烷基酯，可舉出如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯等。另外，作為上述熱塑性交聯樹脂，除上述離子聚合物樹脂的外，對比重0.910以上不足0.930的低密度聚乙烯，或比重不足0.910的超低密度聚乙烯，及其他選自乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的樹脂照射電子線等的能量線而使交聯者也為適宜。此種熱塑性交聯樹脂由于在樹脂中共存有交聯部位與非交聯部位，故具有固定的均勻擴張性。另外，由于加熱時在作用出強力復原力，故在去除擴展工序所產生的帶松弛上也為適宜，且由于分子鏈的構成中幾乎不包含氯，故即使燃燒處分使用后不需要的帶，也不會產生二噁英或其類似物的氯化芳香族烴，故對環境負荷也小。通過適宜調整對上述聚乙烯或乙烯-乙酸乙烯酯共聚物照射的能量線的量，即能取得具有充分均勻擴張性的樹脂。另外，作為非交聯樹脂，可例示例如聚丙烯與苯乙烯-丁二烯共聚物的混合樹脂組合物。作為聚丙烯，例如能使用丙烯的均聚物，或，嵌段型或無規型丙烯-乙烯共聚物。無規型的丙烯-乙烯共聚物因剛性小而為佳。丙烯-乙烯共聚物中的乙烯構成單元的含有率若在0.1重量％以上，則在帶的剛性與混合樹脂組合物中的樹脂彼此的相溶性為高的面上為優異。帶的剛性若為適當者，則晶圓的切割性提升，且在樹脂彼此的相溶性的情況，擠壓噴出量容易穩定化。更優選為1重量％以上。另外，丙烯-乙烯共聚物中的乙烯構成單元的含有率若在7重量％以下，則在聚丙烯穩定而容易聚合的面上為優異。更優選為5重量％以下。苯乙烯-丁二烯共聚物也可使用經氫化者。苯乙烯-丁二烯共聚物若受到氫化，與丙烯的相溶性良好且能防止因丁二烯中的雙鍵造成的氧化劣化所導致的脆化、變色。另外，苯乙烯-丁二烯共聚物中的苯乙烯構成單元的含有率如在5重量％以上，則在苯乙烯-丁二烯共聚物穩定而容易聚合的面上為佳。另外，在40重量％以下時，因柔軟而在擴張性的面上優異。更優選為25重量％以下，進一步優選為15重量％以下。作為苯乙烯-丁二烯共聚物，能使用嵌段型共聚物或無規型共聚物的任意者。無規型共聚物由于苯乙烯相均勻地分散且能抑制剛性變得過大，而使擴張性提升，故為佳。混合樹脂組合物中的聚丙烯的含有率若在30重量％以上，則在能抑制基材膜的厚度不均的面上優異。若厚度均勻，則擴張性容易等向化，另外，容易防止基材膜的應力緩和性變得過大，小片間距離經時性變小，粘接劑層彼此接觸而再熔融粘結。更優選為50重量％以上。另外，聚丙烯的含有率若在90重量％以下，則容易適當地調整基材膜的剛性。基材膜的剛性變得過大時，則有擴張基材膜所需的力也會變大，對裝置的負荷變大，而無法充分擴展使晶圓或粘接劑層分割的情況，故適度進行調整極為重要。混合樹脂組合物中的苯乙烯-丁二烯共聚物的含有率下限以10重量％以上為佳，容易調整成適合裝置的基材膜的剛性。上限在70重量％以下時，在能抑制厚度不均的面上優異，以50重量％以下為較佳。需要說明的是，圖1表示的例中，基材膜11雖為單層，但不受限于此，可為使2種以上的樹脂層疊而成的多層結構，也可為將1種類的樹脂層疊2層以上。2種以上的樹脂若統一成交聯性或非交聯性，則在發現各個特性受到更加增強的面上為佳，在組合交聯性及非交聯性進行層疊的情況，在各個缺點受到互補的面上為佳。基材膜11的厚度并無特別規定，只要在半導體加工用帶10的擴展工序具有容易拉升且不會斷裂的充分強度即可。例如，50～300μm程度為宜，80μm～200μm為較佳。作為多層的基材膜11的制造方法，能使用過往公知的擠壓法、層壓法等。在使用層壓法時，于層間也可介存有粘接劑。粘接劑能使用過往公知的粘接劑。＜粘合劑層＞粘合劑層12在基材膜11上涂布粘合劑組合物而能形成。本發明的構成半導體加工用帶10的粘合劑層12只要具有在切割時不會產生與粘接劑層13的剝離、小片飛出等的不良的程度的保持性，或在拾取時容易與粘接劑層13剝離的特性者即可。本發明的半導體加工用帶10中，構成粘合劑層12的粘合劑組合物的構成并無特別限定，為了提升切割后的拾取性，以能量線固化性者為佳，以固化后與粘接劑層13的剝離變得容易的材料為佳。作為其一的形態，粘合劑組合物中，作為基質樹脂，可例示如包含60摩爾％以上的具有碳數6～12的烷基鏈的(甲基)丙烯酸酯，且具有碘價5～30的能量線固化性碳-碳雙鍵的聚合物(A)者。需要說明的是，在此能量線是指如紫外線的光線、或電子線等的電離性放射線。在此種聚合物(A)中，能量線固化性碳-碳雙鍵的導入量若在碘價5以上，則在能量線照射后的粘合力的降低效果變高的面上優異。更優選為10以上。另外，碘價在30以下時，則在能量線照射后到拾取為止的小片保持力為高，在拾取工序當前的擴張時容易擴大小片之間隙的面上為優異。拾取工序前若能充分擴大小片的間隙，則因拾取時的各小片的圖像認識變得容易，或變得容易拾取而為佳。另外，碳-碳雙鍵的導入量在碘價5以上30以下時，則由于聚合物(A)自身具有穩定性，且變得容易制造，故為佳。并且，聚合物(A)的玻璃化轉變溫度若在-70℃以上，則在對于伴隨能量線照射的熱的耐熱性面上為優異，更優選為-66℃以上。另外，若在15℃以下，則在表面狀態為粗的晶圓中防止切割后小片飛散的效果的面上為優異，更優選為0℃以下，進一步優選為-28℃以下。上述的聚合物(A)可通過任何方法所制造，例如，使用使混合丙烯酸系共聚物與具有能量線固化性碳-碳雙鍵的合物而得者，或具有官能團的丙烯酸系共聚物或具有官能團的甲基丙烯酸系共聚物(A1)，與具有能與該官能團反應的官能團且具有能量線固化性碳-碳雙鍵的化合物(A2)進行反應而得者。其中，作為上述的具有官能團的甲基丙烯酸系共聚物(A1)，可例示如使丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯等的具有碳-碳雙鍵的單體(A1-1)，與具有碳-碳雙鍵且具有官能團的單體(A1-2)共聚而得者。作為單體(A1-1)，可列舉如具有碳數6～12的烷基鏈的丙烯酸己基酯、丙烯酸正辛基酯、丙烯酸異辛基酯、丙烯酸2-乙基己基酯、丙烯酸十二基酯、丙烯酸癸基酯、丙烯酸月桂基酯，或烷基鏈的碳數為5以下的單體即丙烯酸戊基酯、丙烯酸正丁基酯、丙烯酸異丁基酯、丙烯酸乙基酯、丙烯酸甲基酯，或與這些相同的甲基丙烯酸酯等。需要說明的是，單體(A1-1)中，烷基鏈的碳數為6以上的成分由于能縮小粘合劑層與粘接劑層的剝離力，故在拾取性的面上為優異。另外，12以下的成分則在室溫下的彈性率為低，粘合劑層與粘接劑層的界面粘接力的面上為優異。粘合劑層與粘接劑層的界面粘接力若高，則在擴張帶而切割晶圓的時候，由于能抑制粘合劑層與粘接劑層的界面偏移，而提高切割性，故為佳。并且，作為單體(A1-1)，由于若使用烷基鏈的碳數越大的單體，則玻璃化轉變溫度變得越低，故通過適宜選擇，即能制備具有所欲玻璃化轉變溫度的粘合劑組合物。另外，玻璃化轉變溫度之外，在提升相溶性等的各種性能為目的，也能配合乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等的具有碳-碳雙鍵的低分子化合物。于此情況，這些低分子化合物是制成在單體(A1-1)總質量的5質量％以下的范圍內所配合者。另一方面，作為單體(A1-2)所具有的官能團，可列舉出羧基、羥基、氨基、環狀酸酐基、環氧基、異氰酸酯基等，作為單體(A1-2)的具體例，可舉出如丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富馬酸、鄰苯二甲酸、2-羥基烷基丙烯酸酯類、2-羥基烷基甲基丙烯酸酯類、二醇單丙烯酸酯類、二醇單甲基丙烯酸酯類、N-羥甲基丙烯酰胺、N-羥甲基甲基丙烯酰胺、烯丙基醇、N-烷基氨基乙基丙烯酸酯類、N-烷基氨基乙基甲基丙烯酸酯類、丙烯酰胺類、甲基丙烯酰胺類、馬來酸酐、衣康酸酐、富馬酸酐、鄰苯二甲酸酐、環氧丙基丙烯酸酯、環氧丙基甲基丙烯酸酯、烯丙基環氧丙基醚等。并且，在化合物(A2)中，作為能使用的官能團，在化合物(A1)具有的官能團為羧基或環狀酸酐基時，可舉出如羥基、環氧基、異氰酸酯基等，在為羥基時，可舉出如環狀酸酐基、異氰酸酯基等，在為氨基時，可舉出如環氧基、異氰酸酯基等，在為環氧基時，可舉出如羧基、環狀酸酐基、氨基等；作為其具體例，可列舉出在單體(A1-2)的具體例中所例示者為相同者。另外，作為化合物(A2)，也能使用聚異氰酸酯化合物的異氰酸酯基的一部分受到具有羥基或羧基及能量線固化性碳-碳雙鍵的單體而被氨基甲酸酯化者。需要說明的是，在化合物(A1)與化合物(A2)的反應中，通過使未反應的官能團殘留，在關于酸價或羥基價等的特性上，即能制造所期望者。若使OH基殘留成聚合物(A)的羥基價為5～100，則通過減少能量線照射后的粘合力，而能更加降低拾取失誤的危險性。另外，若使COOH殘留成聚合物(A)的酸價為0.5～30，則能取得擴張本發明的半導體加工用帶后的粘合劑層的復原后的改善效果而為佳。聚合物(A)的羥基價若為5以上，則在能量線照射后的粘合力的降低效果的面上優異，若為100以下，則在能量線照射后的粘合劑的流動性的面上優異。另外，酸價若為0.5以上時，在帶復原性的面上優異，在30以下時，在粘合劑的流動性的面上優異。上述聚合物(A)的合成中，作為反應在溶液聚合下進行時的有機溶劑，可使用酮系、酯系、醇系、芳香族系者，但其中以甲苯、乙酸乙酯、異丙基醇、苯甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲乙酮等的一般為丙烯酸系聚合物的良溶劑且沸點60～120℃的溶劑為佳，作為聚合引發劑，通常使用α,α’-偶氮雙異丁腈等的偶氮雙系、過氧化苯甲酰等的有機過氧化物系等的自由基產生劑。此時，因應必要，也能并用催化劑、阻聚劑，且通過調節聚合溫度及聚合時間，即能取得所欲分子量的聚合物(A)。另外，關于調節分子量，以使用硫醇、四氯化碳系的溶劑為佳。需要說明的是，此反應并非受限于溶液聚合，也可為本體聚合、懸濁聚合等其他方法。通過如以上的實施，即能取得聚合物(A)，且本發明中，若將聚合物(A)的分子量制成30萬以上，則在提高凝聚力的面上優異。凝聚力若高，則在擴展時具有抑制在與粘接劑層的界面下偏移的效果，變得容易對粘接劑層傳播拉伸力，粘接劑層的分割性提升的面上為佳。聚合物(A)的分子量若做成200萬以下，則在合成時及涂布時的抑制凝膠化的面上優異。需要說明的是，本發明的分子量是指由聚苯乙烯換算的質均分子量。另外，本發明的半導體加工用帶10中，構成粘合劑層12的樹脂組合物除具有聚合物(A)外，也可更具有作用作為交聯劑的化合物(B)。例如，可舉出聚異氰酸酯類、三聚氰胺·甲醛樹脂、及環氧樹脂，此能能單獨使用或將2種以上組合使用。此化合物(B)與聚合物(A)或基材膜進行反應，通過其結果的交聯結構，在涂布粘合劑組合物后能提升將聚合物(A)及(B)作為主要成分的粘合劑的凝聚力。作為聚異氰酸酯類，并無特別限制，可舉出例如，4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、二異氰酸甲苯酯、二異氰酸苯二甲酯、4,4’-二苯基醚二異氰酸酯、4,4’-[2,2-雙(4-苯氧基苯基)丙烷]二異氰酸酯等的芳香族異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、2,2,4-三甲基-六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、4,4’-二環己基甲烷二異氰酸酯、2,4’-二環己基甲烷二異氰酸酯、賴氨酸二異氰酸酯、賴氨酸三異氰酸酯等，具體而言，可使用如CoronateL(日本聚氨酯股份有限公司制、商品名)等。作為三聚氰胺·甲醛樹脂，具體地可使用如NikalacMX-45(三和化學股份有限公司制、商品名)、Melan(日立化成工業股份有限公司制、商品名)等。作為環氧樹脂，可使用如TETRAD-X(三菱化學股份有限公司制、商品名)等。本發明中，尤其以使用聚異氰酸酯類為佳。相對于聚合物(A)100質量份，將化合物(B)的添加量制成0.1質量份以上的粘合劑層在凝聚力的面上優異。較佳為0.5質量份以上。另外，制成10質量份以下的粘合劑層在抑制涂布時的急劇凝膠化的面上優異，且粘合劑的配合或涂布等的操作性變得良好。進一步優選為5質量份以下。另外，本發明中，粘合劑層12也可包含光聚合引發劑(C)。粘合劑層12所包含的光聚合引發劑(C)并無特別限制，能使用以往周知者。例如，可舉出二苯甲酮、4,4’-二甲基氨基二苯甲酮、4,4’-二乙基氨基二苯甲酮、4,4’-二氯二苯甲酮等的二苯甲酮類、苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等的苯乙酮類、2-乙基蒽醌、叔丁基蒽醌等的蒽醌類、2-氯噻噸酮、安息香乙基醚、安息香異丙基醚、苯偶酰、2,4,5-三芳基咪唑二聚物(咯吩二聚物)、吖啶系化合物等，這些能單獨使用或將2種以上組合使用。作為光聚合引發劑(C)的添加量，相對于聚合物(A)100質量份，以配合0.1質量份以上為佳，以0.5質量份以上為較佳。另外，其上限以10質量份以下為佳，以5質量份以下為較佳。并且，本發明使用的能量線固化性的粘合劑中，因應必要還能配合粘合賦予劑、粘合制備劑、表面活性劑等，或其他改質劑等。另外，也可適宜添加無機化合物填料。粘合劑層12能利用過往的粘合劑層的形成方法進行形成。例如，將上述粘合劑組合物涂布于基材膜11的規定面上而形成的方法，或通過將上述粘合劑組合物涂布于分隔器(例如，涂布有脫模劑的塑料制膜或片等)上形成粘合劑層12后，通過將該粘合劑層12轉印至基材的規定面上的方法，而能在基材膜11上形成粘合劑層12。需要說明的是，粘合劑層12可具有單層的形態，也可具有經層疊的形態。作為粘合劑層12的厚度，并無特別限制，厚度若在2μm以上，則在粘性力的面上優異，以5μm以上為較佳。若在15μm以下，則拾取性優異，更優選為10μm以下。粘合片15的拉伸率以200％以上為佳。另外，以拉伸至拉伸率200％后，通過加熱至120℃而拉伸率會變成120％以下為佳。通過制成加熱至120℃時拉伸率變成120％以下，通過擴展而使粘接劑層12沿著小片分割后，在通過加熱使因擴展而伸長的半導體加工用帶的小片外周部收縮的工序中，即能使其確實收縮。其結果是能保持小片間隔，且能防止小片彼此的沖突所造成的破裂等。為了制成拉伸率為200％以上，拉伸至拉伸率200％后，通過加熱至120℃而拉伸率變成120％以下，則以使用具有此種特性的基材膜11為佳。＜粘接劑層＞本發明的半導體加工用帶10中，粘接劑層13是貼合于晶圓，在受到切割后，拾取小片的時候，從粘合劑層12剝離而附著于小片上者。且，使用將小片固定在基板或引線框架上時的粘接劑。粘接劑層13并非受到特別限定，只要一般使用于晶圓上的膜狀粘接劑即可，例如可舉出含有熱塑性樹脂及熱聚合性成分而成者。本發明的粘接劑層13所使用的上述熱塑性樹脂以具有熱塑性的樹脂，或在未固化狀態下具有熱塑性，加熱后形成交聯結構脂樹脂為佳，并特別限制，作為其一的形態，可舉出如重均分子量5000～200,000且玻璃化轉變溫度為0～150℃的熱塑性樹脂。另外，作為另一形態，可舉出如重均分子量100,000～1,000,000且玻璃化轉變溫度為-50～20℃的熱塑性樹脂。作為前者的熱塑性樹脂，可舉出例如聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、聚醚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚酯酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚砜樹脂、聚醚砜樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚酮樹脂等，其中也以使用聚酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂為佳，作為后者的熱塑性樹脂，以使用包含官能團的聚合物為佳。聚酰亞胺樹脂能使用公知方法使四羧酸二酐與二胺進行縮合反應而得。即，在有機溶劑中，使用等摩爾或幾乎等摩爾的四羧酸二酐與二胺(各成分的添加順序為任意)，在反應溫度80℃以下，較佳在0～60℃下進行加成反應。伴隨反應進行而反應液的粘度徐徐上升，而生成聚酰亞胺的前驅物即聚酰胺酸。通過在50～80℃的溫度下加熱此聚酰胺酸使其解聚合，也能調整其分子量。聚酰亞胺樹脂能使上述反應物(聚酰胺酸)進行脫水閉環而得。脫水閉環能在加熱處理的熱閉環法，與使用脫水劑的化學閉環法下進行。作為聚酰亞胺樹脂的原料所使用的四羧酸二酐并無特別限制，可使用例如，1,2-(乙烯)雙(偏苯三甲酸酯酸酐)、1,3-(三亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酸酐)、1,4-(四亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酸酐)、1,5-(五亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酸酐)、1,6-(六亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酸酐)、1,7-(七亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酸酐)、1,8-(八亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酸酐)、1,9-(九亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酸酐)、1,10-(十亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酸酐)、1,12-(十二亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酸酐)、1,16-(十六亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酸酐)、1,18-(十八亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酸酐)、苯均四酸二酐、3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸二酐、2,2’,3,3’-聯苯基四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、1,1-雙(3,4-二羧基苯基)乙烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)砜二酐、3,4,9,10-苝四羧酸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐、苯-1,2,3,4-四羧酸二酐、3,4,3’,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3，2’，3’-二苯甲酮四羧酸二酐、3，3，3’，4’-二苯甲酮四羧酸二酐、1，2,5,6-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,2,4,5-萘四羧酸二酐、2,6-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,7-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,3,6,7-四氯萘-1,4，5,8-四羧酸二酐、菲-1,8，9，10-四羧酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四羧酸二酐、噻吩-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,3,3’,4’-聯苯基四羧酸二酐、3,4,3’,4’-聯苯基四羧酸二酐、2,3,2’,3’-聯苯基四羧酸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)二甲基硅烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲基苯基硅烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)二苯基硅烷二酐、1,4-雙(3,4-二羧基苯基二甲基硅基)苯二酐、1,3-雙(3,4-二羧基苯基)-1,1,3,3-四甲基二環己烷二酐、對亞苯基雙(偏苯三甲酸酯酸酐)、乙烯四羧酸二酐、1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、十氫萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氫萘-1,2,5,6-四羧酸二酐、環戊烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、吡咯啶-2,3,4,5-四羧酸二酐、1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、雙(外-雙環[2,2,1]庚烷-2,3-二羧酸二酐、雙環-[2,2,2]-辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯基)苯基]六氟丙烷二酐、4,4’-雙(3,4-二羧基苯氧基)二苯基硫醚二酐、1,4-雙(2-羥基六氟異丙基)苯雙(偏苯三甲酸酐)、1,3-雙(2-羥基六氟異丙基)苯雙(偏苯三甲酸酐)、5-(2,5-二氧代四氫呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸二酐、四氫呋喃-2,3,4,5-四羧酸二酐等，這些能使用一種或也能并用2種以上。另外，作為聚酰亞胺的原料所使用的二胺并無特別限制，可使用例如，鄰亞苯基二胺、間亞苯基二胺、對亞苯基二胺、3,3’-二氨基二苯基醚、3,4’-二氨基二苯基醚、4,4’-二氨基二苯基醚、3,3’-二氨基二苯基甲烷、3,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯基醚甲烷、雙(4-氨基-3,5-二甲基苯基)甲烷、雙(4-氨基-3,5-二異丙基苯基)甲烷、3,3’-二氨基二苯基二氟甲烷、3,4’-二氨基二苯基二氟甲烷、4,4’-二氨基二苯基二氟甲烷、3,3’-二氨基二苯基砜、3,4’-二氨基二苯基砜、4,4’-二氨基二苯基砜、3,3’-二氨基二苯基硫醚、3,4’-二氨基二苯基硫醚、4,4’-二氨基二苯基硫醚、3,3’-二氨基二苯基酮、3,4’-二氨基二苯基酮、4,4’-二氨基二苯基酮、2,2-雙(3-氨基苯基)丙烷、2,2’-(3,4’-二氨基二苯基)丙烷、2,2-雙(4-氨基苯基)丙烷、2,2-雙(3-氨基苯基)六氟丙烷、2,2-(3,4’-二氨基二苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-氨基苯基)六氟丙烷、1,3-雙(3-氨基苯氧基)苯、1,4-雙(3-氨基苯氧基)苯、1,4-雙(4-氨基苯氧基)苯、3,3’-(1,4-亞苯基雙(1-甲基亞乙基))二苯胺、3,4’-(1,4-亞苯基雙(1-甲基亞乙基))二苯胺、4,4’-(1,4-亞苯基雙(1-甲基亞乙基))二苯胺、2,2-雙(4-(3-氨基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-(4-氨基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-(3-氨基苯氧基)苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-(4-氨基苯氧基)苯基)六氟丙烷、雙(4-(3-氨基苯氧基)苯基)硫醚、雙(4-(4-氨基苯氧基)苯基)硫醚、雙(4-(3-氨基苯氧基)苯基)砜、雙(4-(4-氨基苯氧基)苯基)砜、3,5-二氨基安息香酸等的芳香族二胺、1,2-二氨基乙烷、1,3-二氨基丙烷、1,4-二氨基丁烷、1,5-二氨基戊烷、1,6-二氨基己烷、1,7-二氨基庚烷、1,8-二氨基辛烷、1,9-二氨基壬烷、1,10-二氨基癸烷、1,11-二氨基十一烷、1,12-二氨基十二烷、1,2-二氨基環己烷、下述通式(1)所表示的二氨基聚硅氧烷、1,3-雙(氨基甲基)環己烷、SunechnoChemical股份有限公司制JeffamineD-230、D-400、D-2000、D-4000、ED-600、ED-900、ED-2001、EDR-148等的聚氧亞烷基二胺等的脂肪族二胺等，這些能使用1種或也能并用2種以上。上述聚酰亞胺樹脂的玻璃化轉變溫度以0～200℃為佳，重均分子量以1萬～20萬為佳。【化1】(式中，R1及R2表示碳原子數1～30的二價烴基，各自可為相同也可為不同，R3及R4表示一價烴基，各自可為相同也可為不同，m為1以上的整數)上述其他較佳的熱塑性樹脂的一個的苯氧基樹脂以通過使各種的雙酚與環氧氯丙烷反應的方法，或，使液狀環氧樹脂與雙酚反應的方法而得知樹脂為佳，作為雙酚，可舉出如雙酚A、雙酚雙酚AF、雙酚AD、雙酚F、雙酚S。苯氧基樹脂由于與環氧樹脂的結構類似，故與環氧樹脂的相溶性良好，適宜對粘接膜賦予良好的粘接性。作為本發明中使用的苯氧基樹脂，可舉出例如具有下述通式(2)所表示的重復單元的樹脂。【化2】上述通式(2)中，X表示單鍵或2價的連結基。作為2價的連結基，可舉出如亞烷基、亞苯基、-O-、-S-、-SO-或-SO2-。在此，亞烷基以碳數1～10的亞烷基為佳，以-C(R1)(R2)-為較佳。R1、R2表示氫原子或烷基，該烷基以碳數1～8的直鏈或分枝的烷基為佳，可舉出例如，甲基、乙基、正丙基、異丙基、異辛基、2-乙基己基、1,3,3-三甲基丁基等。另外，該烷基也可經鹵素原子取代，可舉出例如三氟甲基。X以亞烷基、-O-、-S-、芴基或-SO2-為佳，以亞烷基、-SO2-為較佳。其中也以-C(CH3)2-、-CH(CH3)-、-CH2-、-SO2-為佳,以-C(CH3)2-、-CH(CH3)-、-CH2-為較佳，以-C(CH3)2-為特佳。上述通式(2)所表的苯氧基樹脂只要具有重復單元，可為具有多個上述通式(2)的X為不同的重復單元的樹脂，也可為僅由X為相同重復單元所構成者。本發明中，以僅由X為相同重復單元所構成的樹脂為佳。另外，使上述通式(2)所表示的苯氧基樹脂中含有羥基、羧基等的極性取代基時，與熱聚合性成分的相溶性提升，而能賦予均勻外觀或特性。苯氧基樹脂的質均分子量若為5000以上，則在膜形成性的面上優異。更優選為10,000以上，進一步優選為30,000以上。另外，質均分子量若為150,000以下，則在加熱壓著時的流動性或與其他樹脂的相溶性的面上為佳。較佳在100,000以下。另外，玻璃化轉變溫度若為-50℃以上，則在膜形成性的面上優異，更優選為0℃以上，進一步優選為50℃以上。玻璃化轉變溫度若為150℃，則小片結合時的粘接劑層13的粘接力優異，更優選為120℃以下，進一步優選為110℃以下。另一方面，作為上述包含官能團的聚合物中的官能團，可舉出例如，環氧丙基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、羥基、羧基、異三聚氰酸酯基、氨基、酰胺基等，其中也以環氧丙基為佳。作為上述包含官能團的高分子量成分，可舉出例如，含有環氧丙基、羥基、羧基等的官能團的(甲基)丙烯酸共聚物等。作為上述(甲基)丙烯酸共聚物，可使用例如(甲基)丙烯酸酯共聚物、丙烯酸橡膠等，以丙烯酸橡膠為佳。丙烯酸橡膠將丙烯酸酯作為主要成分，且主要由丁基丙烯酸酯與丙烯腈等的共聚物，或乙基丙烯酸酯與丙烯腈等的共聚物等所構成的橡膠。在含有環氧丙基作為官能團時，含有環氧丙基的重復單元的量以0.5～6.0重量％為佳，以0.5～5.0重量％為較佳，以0.8～5.0重量％為特佳。含有環氧丙基的重復單元是指含有環氧丙基的(甲基)丙烯酸共聚物的構成單體，具體而言為環氧丙基丙烯酸酯或環氧丙基甲基丙烯酸酯。含有環氧丙基的重復單元的量若在范圍，不僅能確保粘接力，還能防止凝膠化。作為環氧丙基丙烯酸酯、環氧丙基甲基丙烯酸酯以外的上述(甲基)丙烯酸共聚物的構成單體，可舉出例如，乙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基)丙烯酸酯等，這些能單獨使用或將2種以上組合使用。需要說明的是，本發明中，乙基(甲基)丙烯酸酯是指乙基丙烯酸酯及/或乙基甲基丙烯酸酯。在組合使用官能性單體時的混合比率在考量到(甲基)丙烯酸共聚物的玻璃化轉變溫度后決定即可。玻璃化轉變溫度通過制成-50℃以上，則在膜形成性優異，能抑制在常溫下的過剩粘性的面上為佳。常溫下的粘性力若過剩，則粘接劑層變得難以操作。更優選為-20℃以上，進一步優選為0℃以上。另外，玻璃化轉變溫度通過制成30℃以下，則在小片結合時的粘接劑層粘接力的面上優異，更優選為20℃以下。在使上述單體聚合而制造包含官能性單體的高分子量成分時，其聚合方法并無特別限制，能使用例如珠狀聚合、溶液聚合等的方法，其中也以珠狀聚合為佳。本發明中，包含官能性單體的高分子量成分的重均分子量若為100,000以上，則在膜形成性的面上優異，更優選為200,000以上，進一步優選為500,000以上。另外，重均分子量若調整在2,000,000以下，則在小片結合時的粘接劑層的加熱流動性提升的面上優異。若小片結合時的粘接劑層的加熱流動性提升，則粘接劑層與被粘接物的密合變良好且能使粘接力提升，另外，掩埋被粘接物的凹凸而變得容易抑制空隙。更優選為1,000,000以下，進一步優選為800,000以下，若在500,000以下，則能取得更大的效果。另外，作為熱聚合性成分，只要因熱而聚合者即無特別限制，可舉出例如，具有環氧丙基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、羥基、羧基、異三聚氰酸酯基、氨基、酰胺基等的官能團的化合物與觸發材料(triggeringmaterial)，這些此能單獨使用或能將2種以上組合使用，但在考量到作為粘接劑層的耐熱性時，與固化劑、促進劑一同地含有因熱而固化產生粘接作用的熱固化性樹脂為佳。作為熱固化性樹脂，可舉出例如，環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚硅氧樹脂、苯酚樹脂、熱固化型聚酰亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂等，尤其在取得耐熱性、操作性、可靠性優異的粘接劑層的面上，以使用環氧樹脂為最佳。上述的環氧樹脂只要固化而具有粘接作用者，即無特別限制，能使用如雙酚A型環氧樹脂等的二官能環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂或甲酚酚醛型環氧樹脂等的酚醛型環氧樹脂等。另外，能適用多官能環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂、含雜環的環氧樹脂或脂環式環氧樹脂等一般所周知者。作為上述雙酚A型環氧樹脂，可舉出如三菱化學股份有限公司制Epikote系列(Epikote807、Epikote815、Epikote825、Epikote827、Epikote828、Epikote834、Epikote1001、Epikote1004、Epikote1007、Epikote1009)、陶氏化學公司制、DER-330、DER-301、DER-361、及新日鐵住金化學股份有限公司制、YD8125、YDF8170等。作為上述苯酚酚醛型環氧樹脂，可舉出如三菱化學股份有限公司制的Epikote152、Epikote154、日本化藥股份有限公司制的EPPN-201、陶氏化學公司制的DEN-438等，又作為上述鄰甲酚酚醛型環氧樹脂，可舉出如日本化藥股份有限公司制的EOCN-102S、EOCN-103S、EOCN-104S、EOCN-1012、EOCN-1025、EOCN-1027，及新日鐵住金化學股份有限公司制、YDCN701、YDCN702、YDCN703、YDCN704等。作為上述多官能環氧樹脂，可舉出如三菱化學股份有限公司制的Epon1031S、汽巴精化公司制的Araldite0163、NagaseChemteX股份有限公司制的DenacolEX-611、EX-614、EX-614B、EX-622、EX-512、EX-521、EX-421、EX-411、EX-321等。作為上述胺型環氧樹脂，可舉出如三菱化學股份有限公司制的Epikote604、東都化成股份有限公司制的YH-434、三菱氣體化學股份有限公司制的TETRAD-X及TETRAD-C、住友化學工業股份有限公司制的ELM-120等。作為上述含雜環的環氧樹脂，可舉出如汽巴精化公司制的AralditePT810、UCC公司制的ERL4234、ERL4299、ERL4221、ERL4206等。這些環氧樹脂能單獨使用或也能將2種以上組合使用。為了使上述熱固化性樹脂固化，也能適宜加入添加劑。作為此種添加劑，可舉出例如，固化劑、固化促進劑、催化劑等，在添加催化劑時，因應必要能使用助催化劑。上述熱固化性樹脂使用環氧樹脂時，以使用環氧樹脂固化劑或固化促進劑為佳，以并用這些為較佳。作為固化劑，可舉出例如、苯酚樹脂、二氰二胺、三氟化硼絡合物、有機酰肼化合物、胺類、聚酰胺樹脂、咪唑化合物、脲或硫脲化合物、聚硫醇化合物、在末端具有巰基的聚硫醚樹脂、酸酐、光·紫外線固化劑。這些能單獨使用或能并用2種以上使用。其中，作為三氟化硼絡合物，可舉出如與各種胺化合物(更優選為伯胺化合物)的三氟化硼-胺絡合物，作為有機酰肼化合物，可舉出如異鄰苯二甲酸二酰肼。作為苯酚樹脂，可舉出例如，苯酚酚醛樹脂、酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛樹脂、叔丁基苯酚酚醛樹脂、壬基苯酚酚醛樹脂等的酚醛型苯酚樹脂、甲階酚醛型苯酚樹脂、聚對氧苯乙烯等的聚氧苯乙烯等。其中，以于分子中具有至少2個酚羥基的苯酚系化合物為佳。作為上述于分子中具有至少2個酚羥基的苯酚系化合物，可舉出例如，苯酚酚醛樹脂、甲酚酚醛樹脂、叔丁基苯酚酚醛樹脂、二環戊二烯甲酚酚醛樹脂、二環戊二烯苯酚酚醛樹脂、二甲苯改性苯酚酚醛樹脂、萘酚酚醛樹脂、三苯酚酚醛樹脂、四苯酚酚醛樹脂、雙酚A酚醛樹脂、聚-對乙烯苯酚樹脂、酚芳烷基樹脂等。并且這些苯酚樹脂當中，以苯酚酚醛樹脂、酚芳烷基樹脂為特佳，且能使連接可靠性提升。作為胺類，可例示如鏈狀脂肪族胺(二亞乙三胺、三亞乙四胺、六亞甲基二胺、N,N-二甲基丙基胺、芐基二甲基胺、2-(二甲基氨基)酚、2,4,6-三(二甲基氨基甲基)酚、間二甲苯二胺等)、環狀脂肪族胺(N-氨基乙基哌嗪、雙(3-甲基-4-氨基環己基)甲烷、雙(4-氨基環己基)甲烷、薄荷烯二胺、異佛爾酮二胺、1,3-雙(氨基甲基)環己烷等)、雜環胺(哌嗪、N,N-二甲基哌嗪、三乙二胺、三聚氰胺、胍胺等)、芳香族胺(間亞苯基二胺、4,4’-二氨基二苯基甲烷、二氨基、4，4’-二氨基二苯基砜等)、聚酰胺樹脂(以聚酰胺胺為佳，二聚物酸與聚胺的縮合物)、咪唑化合物(2-苯基-4，5-二羥基甲基咪唑、2-甲基咪唑、2，4-二甲基咪唑、2-正十五基咪唑、1-氰基乙基-2-十一基咪唑鎓·偏苯三甲酸酯、環氧·咪唑加成物等)、脲或硫脲化合物(N，N-二烷基脲化合物、N，N-二烷基硫脲化合物等)、聚硫醇化合物、在末端具有巰基的聚硫醚樹脂、酸酐(四氫鄰苯二甲酸酐等)、光·紫外線固化劑(二苯基錪六氟磷酸酯、三苯基锍六氟磷酸酯等)。作為上述固化促進劑，只要是使熱固化性樹脂固化者即無特別限制，可舉出例如、咪唑類、二氰二胺衍生物、二羧酸二酰肼、三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸酯、2-乙基-4-甲基咪唑-四苯基硼酸酯、1,8-二吖雙環[5.4.0]十一烯-7-四苯基硼酸酯等。作為咪唑類，可舉出如咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-芐基-2-甲基咪唑、1-芐基-2-乙基咪唑、1-芐基-2-乙基-5-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基二甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑等。環氧樹脂用固化劑或固化促進劑在粘接劑層中的含量并無特別限定，最佳的含量根據固化劑或固化促進劑的種類而不同。所述環氧樹脂與苯酚樹脂的配合比例以例如配合成所述環氧樹脂成分中的環氧基每1當量而苯酚樹脂中的羥基成為0.5～2.0當量為佳。更優選為0.8～1.2當量。即，兩者的配合比例若在所述范圍外，則導致不會進行充分固化反應，且粘接劑層的特性變得容易劣化。其他熱固化性樹脂與固化劑在其一的實施方式中，相對于熱固化性樹脂100質量份而言，固化劑為0.5～20質量份，在其他的實施方式中，固化劑為1～10質量份。固化促進劑的含量以少于固化劑的含量為佳，相對于熱固化性樹脂100質量份，固化促進劑以0.001～1.5質量份為佳，以0.01～0.95質量份為更佳。通過調整在所述范圍內，即能輔助進行充分的固化反應。催化劑的含量相對于熱固化性樹脂100質量份而言，以0.001～1.5質量份為佳，以0.01～1.0質量份為更佳。另外，本發明的粘接劑層13在因應其的用途，也能適宜配合填料。由此，變得能謀求在未固化狀態下提升粘接劑層的切割性，提升操作性，調整熔融粘度，賦予觸變性，以及在固化狀態下的粘接劑層中賦予導熱性，提升粘接力。作為本發明使用的填料，以無機填料為佳。無機填料并無特別限制，能使用例如、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、硅酸鈣、硅酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶須、氮化硼、結晶性二氧化硅、非晶性二氧化硅、銻氧化物等。另外，這些能單獨使用或也能將2種以上混合使用。另外，上述無機填料當中，從提升導熱性的觀點，以使用氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結晶性二氧化硅、非晶性二氧化硅等為佳。另外，從調整熔融粘度或賦予觸變性的觀點，以使用氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、硅酸鈣、硅酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、結晶性二氧化硅、非晶性二氧化硅等為佳。另外，從提升切割性的觀點，以使用氧化鋁、二氧化硅為佳。填料的含有比例若在30質量％以上，則在引線接合性的面上優異。于引線接合時，打線粘接小片的粘接劑層的固化后的儲藏彈性率以調整成在170℃下20～1000MPa的范圍為佳，填料的含有比例若在30質量％以上，則粘接劑層的固化后的儲藏彈性率容易調整在此范圍內。另外，填料的含有比例若在75質量％以下，則膜形成性、小片結合時的粘接劑層的加熱流動性優異。小片結合時的粘接劑層的加熱流動性若提升，則粘接劑層與被粘接物的密合變得良好且能使粘接力提升，另外，掩埋被粘接物的凹凸而變得容易抑制空隙。更優選為70質量％以下，進一步優選為60質量％以下。本發明的粘接劑層能包含平均粒徑不同的2種以上填料作為上述填料。于此情況，在與使用單一的填料的情況相比，在膜化前的原料混合物中，變得容易防止在填料的含有比例較高時的粘度上升或在填料的含有比例較低時的粘度降低，而變得容易取得良好膜形成性，且能將未固化的粘接劑層的流動性控制成最佳者，另外，同時在粘接劑層的固化后變得容易取得優異粘接力。另外，本發明的粘接劑層中，填料的平均粒徑以2.0μm以下為佳，以1.0μm為較佳。填料的平均粒徑若在2.0μm以下，則膜的膜化變得容易。在此，膜是指20μm以下的厚度。另外，若為0.01μm以上，則分散性良好。并且，從防止膜化前的原料混合物的粘度上升或降低，將未固化的粘接劑層的流動性控制成最佳，提升粘接劑層的固化后的粘接力的觀點，則以包含平均粒徑在0.1～1.0μm范圍內的第1填料，及一次粒子的平均粒徑在0.005～0.03μm范圍內的第2填料為佳。以平均粒徑在0.1～1.0μm的范圍內且99％以上的粒子分布在粒徑0.1～1.0μm的范圍內的第1填料，及，一次粒子的平均粒徑在0.005～0.03μm的范圍內且99％以上的粒子分布在粒徑0.005～0.1μm的范圍內的第2填料為佳。本發明中的平均粒徑是指50體積％的粒子具有小于此值的直徑的累積體積分布曲線的D50值。本發明中，平均粒徑或D50值通過激光繞射法，使用例如MalvernInstruments公司制的MalvernMastersizer2000而測量。此技術中，分散液中的粒子大小依據夫瑯和費(Fraunhofer)或米氏(Mie)理論的任一者的應用，使用激光光線的繞射所測量者。本發明中，則關于利用米氏理論或針對非球狀粒子修正后的米氏理論，平均粒徑或D50值是相對于入射的激光光線在0.02～135°下的散射計算測量者。本發明中，其一的形態中，相對于構成粘接劑層13的粘接劑組合物整體，也可包含10～40質量％的重均分子量5000～200,000的熱塑性樹脂、10～40質量％的熱聚合性成分、及30～75質量％的填料。此實施方式中，填料的含量可為30～60質量％，也可為40～60質量％。另外，熱塑性樹脂的質均分子量可為5000～150,000，也可為10,000～100,000。于另一形態中，相對于構成粘接劑層13的粘接劑組合物整體，也可包含10～20質量％的重均分子量200,000～2,000,000的熱塑性樹脂、20～50質量％的熱聚合性成分、及30～75質量％的填料。此實施方式中，填料的含量可為30～60質量％，也可為30～50質量％。另外，熱塑性樹脂的質均分子量可為200,000～1,000,000，也可為200,000～800,000。通過調整配合比率，能最佳化粘接劑層13的固化后的儲藏彈性率及流動性，且也有能充分取得在高溫下的耐熱性的傾向。并且，也能進行撕裂強度的控制。粘接劑層13在依據JISK7128-3所規定的直角形試驗法下撕裂強度(A)為0.8MPa以上。撕裂強度(A)若在0.8MPa以上，則受到運搬時等的沖擊不易產生切痕或破裂，在將粘接劑層13加工成規定大小的預切工序中，在拉伸后時能降低粘接劑層13上產生破裂。另外，粘接劑層13在直角形試驗法下，在通過試驗片直角部前端的中央線上，從直角部的前端切入長度1mm的切割部分時的撕裂強度(B)以0.5MPa以上為佳。撕裂強度(B)若在0.5MPa以上，則縱使受到運搬時等的沖擊而切入有切痕，仍能抑制成最低限度的切入，而若為此程度的切入，在預切工序中即使拉伸后仍能降低粘接劑層13產生破裂。更進一步，粘接劑層13在-15℃下JISK7128-3所規定的直角形試驗法下的撕裂強度(C)以0.8MPa以下為佳，以0.67MPa以下為更佳。撕裂強度(C)若在0.8MPa以下，則在低溫區域(-15～0℃)下通過擴展而擴張半導體加工用帶10，將粘接劑層13予以分割時，可使粘接劑層13良好分割。為了將撕裂強度(A)、(B)分別制成上述范圍內，例如通過使填料的含量在70質量％以下，或包含熱塑性樹脂5％以上，即能增強撕裂強度。并且，若包含硅烷偶聯劑，或使用形狀實質為真圓形的填料，則填料與樹脂的相溶性、密合性變得良好，故能增強撕裂強度。另外，為了將撕裂強度(C)制成上述范圍內，則以將熱塑性樹脂的玻璃化轉變溫度制成15℃以上，將熱塑性樹脂的分子量制成26萬以下為佳。本發明的半導體加工用帶10中，粘接劑層13為也可將預先已膜化者(以下，稱為粘接膜)直接或間接地層疊于基材膜11上而形成者。層疊時的溫度以設在10～100℃的范圍，且施加0.01～10N/m的線壓為佳。需要說明的是，此種粘接膜可為在剝離膜上形成粘接劑層13者，于此情況，于層疊后也可剝離剝離膜，或直接使用當作半導體加工用帶10的覆蓋膜，且在貼合于晶圓時剝離也可。所述粘接膜也層疊在粘合劑層12的全表面上，但大多數情況是將切割成因應所預先貼合的晶圓形狀的(經預切)粘接膜層疊于粘合劑層12。因此，在層疊因應晶圓的粘接膜時，如圖3所示，在貼合晶圓W的部分上有粘接劑層13，在貼合環形框架20的部分上無粘接劑層13而僅存在有粘合劑層12。一般而言，粘接劑層13由于難以從被粘接物剝離，通過使用經預切的粘接膜，環形框架20能與粘合劑層12貼合，且在使用后的帶剝離時，可取得在環形框架20上不易產生膠糊殘留的效果。＜用途＞本發明的半導體加工用帶10是使用于至少包括通過擴張而分割粘接劑層13的擴展工序的半導體裝置的制造方法者。因此，其他工序或工序的順序等并無特別限定。例如，能適宜使用于以下的半導體裝置的制造方法(A)～(E)中。半導體裝置的制造方法(A)一種半導體裝置的制造方法，其包含以下工序：(a)在已形成電路圖案的晶圓表面上貼合表面保護帶的工序、(b)研削所述晶圓背面的背面研磨工序、(c)將所述晶圓加熱至70～80℃的狀態下，于所述晶圓背面貼合所述半導體加工用帶的粘接劑層的工序、(d)從所述晶圓表面剝離所述表面保護帶的工序、(e)對所述晶圓的分割預定部分照射激光光，而在所述晶圓內部形成多光子吸收所成的改質區域的工序、(f)通過擴張所述半導體加工用帶，沿著分隔線分割所述晶圓與所述半導體加工用帶的所述粘接劑層，而取得附有所述粘接劑層的多個小片的擴展工序、(g)在擴張后的所述半導體加工用帶中，通過使與所述小片不重疊的部分加熱收縮，而去除在所述擴展工序中產生的松弛，進而保持所述小片間隔的工序、及(h)從所述半導體加工用帶的粘合劑層拾取附有所述粘接劑層的所述小片的工序。半導體裝置的制造方法(B)半導體裝置的制造方法，其包含以下工序：(a)在已形成電路圖案的晶圓表面上貼合表面保護帶的工序、(b)研削所述晶圓背面的背面研磨工序、(c)將所述晶圓加熱至70～80℃的狀態下，于所述晶圓背面貼合所述半導體加工用帶的粘接劑層的工序、(d)從所述晶圓表面剝離所述表面保護帶的工序、(e)沿著所述晶圓表面的分隔線照射激光光，將所述晶圓分割成小片的工序、(f)通過擴張所述半導體加工用帶，將所述粘接劑層分割成各個所述小片，而取得附有所述粘接劑層的多個小片的擴展工序、(g)在擴張后的所述半導體加工用帶中，通過使與所述小片不重疊的部分加熱收縮，而去除在所述擴展工序中產生的松弛，進而保持所述小片間隔的工序、及(h)從所述半導體加工用帶的粘合劑層拾取附有所述粘接劑層的所述小片的工序。半導體裝置的制造方法(C)一種半導體裝置的制造方法，其包含以下工序：(a)在已形成電路圖案的晶圓表面上貼合表面保護帶的工序、(b)研削所述晶圓背面的背面研磨工序、(c)將所述晶圓加熱至70～80℃的狀態下，于所述晶圓背面貼合所述半導體加工用帶的粘接劑層的工序、(d)從所述晶圓表面剝離所述表面保護帶的工序、(e)使用切割刀沿著分隔線切削所述晶圓，而分割成小片的工序、(f)通過擴張所述半導體加工用帶，將所述粘接劑層分割成各所述小片，而取得附有所述粘接劑層的多個小片的擴展工序、(g)在擴張后的所述半導體加工用帶中，通過使與所述小片不重疊的部分加熱收縮，而去除在所述擴展工序中產生的松弛，進而保持所述小片間隔的工序、及(h)從所述半導體加工用帶的粘合劑層拾取附有所述粘接劑層的所述小片的工序。半導體裝置的制造方法(D)一種半導體裝置的制造方法，其包含以下工序：(a)在已形成電路圖案的晶圓背面上貼合切割帶，使用切割刀沿著分割預定線切削至不足所述晶圓厚度的深度的工序、(b)于所述晶圓表面上貼合表面保護帶的工序、(c)剝離所述切割帶，研削所述晶圓背面而分割成小片的背面研磨工序、(d)將所述晶圓加熱至70～80℃的狀態下，在分割成所述小片的所述晶圓背面貼合所述半導體加工用帶的粘接劑層的工序、(e)從分割成所述小片的所述晶圓表面剝離表面保護帶的工序、(f)通過擴張所述半導體加工用帶，將所述粘接劑層分割成各所述小片，而取得附有所述粘接劑層的多個小片的擴展工序、(g)在擴張后的所述半導體加工用帶中，通過使不與所述小片重疊的部分加熱收縮，而去除在所述擴展工序中產生的松弛，進而保持所述小片間隔的工序、及(h)從所述半導體加工用帶的粘合劑層拾取附有粘接劑層的所述小片的工序。半導體裝置的制造方法(E)一種半導體裝置的制造方法，其包含以下工序：(a)在已形成電路圖案的晶圓表面上貼合表面保護帶的工序、(b)對所述晶圓的分割預定部分照射激光光，而在所述晶圓內部形成多光子吸收所成的改質區域的工序、(c)研削所述晶圓背面的背面研磨工序、(d)將所述晶圓加熱至70～80℃的狀態下，于所述晶圓背面貼合所述半導體加工用帶的粘接劑層的工序、(e)從所述晶圓表面剝離所述表面保護帶的工序、(f)通過擴張所述半導體加工用帶，沿著分隔線分割所述晶圓與所述半導體加工用帶的所述粘接劑層，而取得附有所述粘接劑層的多個小片的擴展工序、(g)在擴張后的所述半導體加工用帶中，通過使與所述小片不重疊的部分加熱收縮，而去除在所述擴展工序中產生的松弛，進而保持所述小片間隔的工序、及(h)從所述半導體加工用帶的粘合劑層拾取附有所述粘接劑層的所述小片的工序。＜使用方法＞參照圖2～圖5并同時說明關于將本發明的半導體加工用帶10適用于上述半導體裝置的制造方法(A)時的帶的使用方法。首先，如圖2所示，在已形成電路圖案的晶圓W的表面上貼合于粘合劑中包含紫外線固化性成分的電路圖案保護用的表面保護帶14，并實施研削晶圓W背面的背面研磨工序。背面研磨工序結束后，如圖3所示，在晶圓安裝機的加熱桌25上，使表面側朝下載置晶圓W后，于晶圓W背面貼合半導體加工用帶10。在此所使用的半導體加工用帶10是層疊有預先切割(預切)成因應所貼合的晶圓W形狀的粘接膜者，在與晶圓W貼合的面上，在粘接劑層13露出的區域周圍上使粘合劑層12露出。貼合此半導體加工用帶10的粘接劑層13所露出的部分與晶圓W的背面，并同時貼合粘接劑層13周圍的粘合劑層12所露出的部分與環形框架20。此時，加熱桌25設定成70～80℃，由此而實施加熱貼合。其次，從加熱桌25上搬出經貼合半導體加工用帶10的晶圓W，如圖4所示，半導體加工用帶10側朝下而載置于吸附桌26上。且，從吸附固定于吸附桌26上的晶圓W上方，使用能量線光源27，將例如1000mJ/cm2的紫外線照射在表面保護帶14的基材面側，而使表面保護帶14對晶圓W的粘接力降低，并從晶圓W表面剝離表面保護帶14。其次，如圖5所示，對晶圓W的分割預定部分照射激光光，于晶圓W的內部形成因多光子吸收所成的改質區域32。其次，如圖6的(a)所示，將已貼合晶圓W及環形框架20的半導體加工用帶10，以使基材膜11側朝下的方式載置于擴展裝置的臺階21上。其次，如圖6的(b)所示，在已固定環形框架20的狀態下，使擴展裝置的中空圓柱形狀的上推構件22上升，而擴張(擴展)半導體加工用帶10。作為擴張條件，擴展速度為例如5～500mm/sec，擴展量(上推量)為例如5～25mm。因此，通過半導體加工用帶10被拉伸至晶圓W的徑方向，晶圓W以所述改質區域32為起點而分割成小片34單位。此時，粘接劑層13在與晶圓W背面粘接的部分中，雖然因擴張所造成的伸長(變形)受到抑制而未引起破裂，但在小片34間的位置下，因帶的擴張而張力集中導致破裂。因此，如圖6的(c)所示，與晶圓W一同地，粘接劑層13也受到分割。由此，能取得附有粘接劑層13的多個小片34。其次，如圖7所示，實施將上推構件22返回原先的位置，去除先前的擴展工序中所產生的半導體加工用帶10的松弛，而穩定保持小片34的間隔用的工序。于此工序中，例如，使用熱風噴嘴29，將90～120℃的熱風吹向半導體加工用帶10中小片34存在的區域與環形框架20之間的圓環狀的加熱收縮區域28而使基材膜11加熱收縮，而使半導體加工用帶10成為緊繃的狀態。其后，對粘合劑層12施予能量線固化處理或熱固化處理等，而減弱粘合劑層12對粘接劑層13的粘合力后，拾取小片34。＜實施例＞其次，為了使本發明的效果更加明確，詳細地說明實施例及比較例，但本發明并非受到這些實施例所限定。[半導體加工用帶的制作](1)基材膜的制作＜基材膜1＞將通過自由基聚合法所合成的乙烯-甲基丙烯酸共聚物的鋅離子聚合物(甲基丙烯酸含量13％、軟化點72℃、熔點90℃)的樹脂珠粒在140℃下進行熔融，使用擠壓機成形成厚度100μm的長條膜狀而制成基材膜1。＜基材膜2＞將低密度聚乙烯(LDPE、密度0.92g/cm3、熔點110℃)的樹脂片粒在230℃進行熔融，使用擠壓機成形成厚度100μm的長條膜狀。對取得的膜照射100kGy的電子線而制成基材膜2。＜基材膜3＞將苯乙烯·丁二烯共聚物(JSR制Dynaron1320P、苯乙烯含量：10％、密度：0.89、MFR3.5)與聚丙烯(無規聚丙烯、乙烯含量1.4％、Mw400,000、熔點154℃、密度：0.91)的樹脂片粒以35：65的比率干式摻合后，在200℃下進行熔融，使用擠壓機成形成厚度100μm的長條膜狀而制成基材膜3。(2)丙烯酸系共聚物的制備(a-1)作為具有官能團的丙烯酸系共聚物(A1)，制備出包含2-乙基己基丙烯酸酯、2-羥基乙基丙烯酸酯及甲基丙烯酸，且2-乙基己基丙烯酸酯的比率為60摩爾％、質均分子量70萬的共聚物。其次，添加2-異氰酸根乙基甲基丙烯酸酯使碘價成為20，而制備成玻璃化轉變溫度-50℃、羥基價10mgKOH/g、酸價5mgKOH/g的丙烯酸系共聚物(a-1)。(a-2)作為具有官能團的丙烯酸系共聚物(A1)，制備出包含月桂基丙烯酸酯、2-羥基乙基丙烯酸酯及甲基丙烯酸，且月桂基丙烯酸酯的比率為60摩爾％、質均分子量80萬的共聚物。其次，添加2-異氰酸根乙基甲基丙烯酸酯使碘價成為20，而制備成玻璃化轉變溫度-5℃、羥基價50mgKOH/g、酸價5mgKOH/g的丙烯酸系共聚物(a-2)。作為具有官能團的丙烯酸系共聚物(A1)，制備出包含丁基丙烯酸酯、2-羥基乙基丙烯酸酯及甲基丙烯酸，且丁基丙烯酸酯的比率為60摩爾％、質均分子量80萬的共聚物。其次，添加2-異氰酸根乙基甲基丙烯酸酯使碘價成為20，而制備成玻璃化轉變溫度-40℃、羥基價30mgKOH/g、酸價5mgKOH/g的丙烯酸系共聚物(a-3)。(3)粘接劑組合物的制備(b-1)對包含環氧樹脂“1002”(三菱化學股份有限公司制、固形雙酚A型環氧樹脂、環氧當量600)6.2質量份、苯酚樹脂“MEH-7851SS”(明和化成股份有限公司制商品名、聯苯酚醛苯酚樹脂、羥基當量201)51.8質量份、環氧樹脂“806”(三菱化學股份有限公司制商品名、雙酚F型環氧樹脂、環氧當量160、比重1.20)41.9質量份、二氧化硅填料“SO-C2”(Admafine股份有限公司制商品名、平均粒徑0.5μm)81.5質量份，及二氧化硅填料的“AerosilR972”(NipponAerosil股份有限公司制商品名、一次粒子的平均粒徑0.016μm)2.9質量份的組合物添加MEK，進行攪拌混合而制成均勻組合物。對此添加，包含源自環氧丙基丙烯酸酯或環氧丙基甲基丙烯酸酯的單體單元3質量％的丙烯酸共聚物(重均分子量26萬)23.0質量份作為含有官能團的聚合物，作為偶聯劑的“KBM-802”(信越聚硅氧股份有限公司制商品名、巰基丙基三甲氧基硅烷)0.6質量份，以及作為固化促進劑的“Curezol2PHZ-PW”(四國化成股份有限公司制商品名、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、分解溫度230℃)0.1質量份，攪拌混合直到均勻為止。通過再使用100網目的過濾器將此予以過濾并進行真空脫泡，而取得粘接劑組合物b-1的清漆。(b-2)對包含環氧樹脂“1002”(三菱化學股份有限公司制、固形雙酚A型環氧樹脂、環氧當量600)40質量份、環氧樹脂“806”(三菱化學股份有限公司制商品名、雙酚F型環氧樹脂、環氧當量160、比重1.20)100質量份、固化劑“Dyhard100SF”(Degusa制商品名、二氰二胺)5質量份、二氧化硅填料“SO-C2”(Admafine股份有限公司制商品名、平均粒徑0.5μm)200質量份，及二氧化硅填料的“AerosilR972”(NipponAerosil股份有限公司制商品名、一次粒子的平均粒徑0.016μm)3質量份的組合物添加MEK，進行攪拌混合而制成均勻組合物。對此添加苯氧基樹脂“PKHH”(INCHEM制商品名、質均分子量52,000、玻璃化轉變溫度92℃)100質量份、作為偶聯劑的“KBM-802”(信越聚硅氧股份有限公司制商品名、巰基丙基三甲氧基硅烷)0.6質量份、以及作為固化促進劑的“Curezol2PHZ-PW”(四國化成股份有限公司制商品名、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、分解溫度230℃)0.5質量份，攪拌混合直到均勻為止。通過再使用100網目的過濾器將此予以過濾并進行真空脫泡，而取得粘接劑組合物b-2的清漆。(b-3)對包含環氧樹脂“1002”(三菱化學股份有限公司制、固形雙酚A型環氧樹脂、環氧當量600)40質量份、環氧樹脂“Epikote828”(三菱化學股份有限公司制商品名、雙酚A型環氧樹脂、環氧當量190)30質量份、固化劑“Dyhard100SF”(Degusa制商品名、二氰二胺)10質量份、二氧化硅填料“SO-C2”(Admafine股份有限公司制商品名、平均粒徑0.5μm)180質量份的組合物添加MEK，進行攪拌混合而制成均勻組合物。對此添加苯氧基樹脂“PKHH”(INCHEM制商品名、質均分子量52,000、玻璃化轉變溫度92℃)30質量份、作為偶聯劑的“KBM-802”(信越聚硅氧股份有限公司制商品名、巰基丙基三甲氧基硅烷)0.6質量份，以及作為固化促進劑的“Curezol2PHZ-PW”(四國化成股份有限公司制商品名、2-苯基-4，5-二羥基甲基咪唑、分解溫度230℃)0.5質量份，攪拌混合直到均勻為止。通過再使用100網目的過濾器將此予以過濾并進行真空脫泡，而取得粘接劑組合物b-3的清漆。(b-4)對包含環氧樹脂“YX4000”(三菱化學股份有限公司制、聯苯酚醛型環氧樹脂、環氧當量185)15.0質量份、苯酚樹脂“LF-6161”(DIC股份有限公司制商品名、酚醛苯酚樹脂、羥基當量118)40.0質量份、環氧樹脂“Epikote828”(三菱化學股份有限公司制商品名、雙酚A型環氧樹脂、環氧當量190)45.0重量份、二氧化硅填料的“AerosilR972”(NipponAerosil股份有限公司制商品名、一次粒子的平均粒徑0.016μm)5質量份的組合物添加MEK，進行攪拌混合而制成均勻組合物。對此添加，包含源自環氧丙基丙烯酸酯或環氧丙基甲基丙烯酸酯的單體單元的丙烯酸共聚物(重均分子量85萬、Tg12℃)66.7質量份作為含有官能團的聚合物、作為偶聯劑的“KBM-802”(信越聚硅氧股份有限公司制商品名、巰基丙基三甲氧基硅烷)0.6質量份，以及作為固化促進劑的“Curezol2PHZ-PW”(四國化成股份有限公司制商品名、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、分解溫度230℃)0.1質量份，攪拌混合直到均勻為止。通過再使用100網目的過濾器將此予以過濾并進行真空脫泡，而取得粘接劑組合物b-4的清漆。(b-5)對包含環氧樹脂“1002”(三菱化學股份有限公司制、固形雙酚A型環氧樹脂、環氧當量600)50質量份、環氧樹脂“Epikote828”(三菱化學股份有限公司制商品名、雙酚A型環氧樹脂、環氧當量190)20質量份、固化劑“Dyhard100SF”(Degusa制商品名、二氰二胺)10質量份、二氧化硅填料“SO-C2”(Admafine股份有限公司制商品名、平均粒徑0.5μm)250質量份的組合物添加MEK，進行攪拌混合而制成均勻組合物。對此添加苯氧基樹脂“PKHH”(INCHEM制商品名、質均分子量52,000、玻璃化轉變溫度92℃)20質量份、作為偶聯劑的“KBM-802”(信越聚硅氧股份有限公司制商品名、巰基丙基三甲氧基硅烷)0.6質量份，以及作為固化促進劑的“Curezol2PHZ-PW”(四國化成股份有限公司制商品名、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、分解溫度230℃)0.5質量份，攪拌混合直到均勻為止。通過再使用100網目的過濾器將此予以過濾并進行真空脫泡，而取得粘接劑組合物b-5的清漆。(b-6)對包含環氧樹脂“1002”(三菱化學股份有限公司制、固形雙酚A型環氧樹脂、環氧當量600)20質量份、環氧樹脂“Epikote828”(三菱化學股份有限公司制商品名、雙酚A型環氧樹脂、環氧當量190)20質量份、固化劑“Dyhard100SF”(Degusa制商品名、二氰二胺)10質量份、二氧化硅填料“SO-C2”(Admafine股份有限公司制商品名、平均粒徑0.5μm)250質量份的組合物添加MEK，進行攪拌混合而制成均勻組合物。對此添加，包含源自環氧丙基丙烯酸酯或環氧丙基甲基丙烯酸酯的單體單元的丙烯酸共聚物(重均分子量15萬)30質量份作為含有官能團的聚合物、作為偶聯劑的“KBM-802”(信越聚硅氧股份有限公司制商品名、巰基丙基三甲氧基硅烷)0.6質量份，以及作為固化促進劑的“Curezol2PHZ-PW”(四國化成股份有限公司制商品名、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、分解溫度230℃)0.5質量份，攪拌混合直到均勻為止。通過再使用100網目的過濾器將此予以過濾并進行真空脫泡，而取得粘接劑組合物b-6的清漆。＜實施例1＞使對丙烯酸系共聚物(a-1)100質量份添加聚異氰酸酯的CoronateL(日本聚氨酯制)5質量份，光聚合引發劑的EsacureKIP150(Lamberti公司制)3質量份而成的混合物溶解于乙酸乙酯，進行攪拌而制備成粘合劑組合物。其次，在經脫模處理的包含聚對鄰苯二甲酸乙烯酯膜的剝離襯墊上，將此粘合劑組合物涂布成干燥后的厚度為10μm，在110℃下干燥3分鐘后，將基材膜1貼合，而制成在基材膜上形成有粘合劑層的粘合片。其次，在經脫模處理的包含聚對鄰苯二甲酸乙烯酯膜的剝離襯墊上，涂布粘接劑組合物(b-1)，以使干燥后的厚度為20μm，在110℃下干燥5分鐘，而制成在剝離襯墊上形成有粘接劑層的粘接膜。將粘合片裁切成能覆蓋開口部的方式對環形框架貼合般的圖3等所示的形狀。另外，將粘接膜裁切成能覆蓋晶圓背面那樣的如圖3等所示的形狀。且，如圖3等所示般地，將所述粘合片的粘合劑層側與所述粘接膜的粘接劑層側貼合在粘接膜的周圍上使粘合劑層12露出部分形成，而制成半導體加工用帶。＜實施例2～6、比較例1＞除了將丙烯酸系共聚物、粘合劑組合物、粘接劑組合物的組合制成表1、2記載的組合以外，其他通過與實施例1相同的手法，制成半導體加工用帶。如下述般地進行測量、評價關于實施例·比較例的半導體加工用帶的撕裂強度(A)～(C)、預切加工性、接著劑層的分離性。其結果如表1、2所示。(1)撕裂強度(A)～(C)的測量從實施例·比較例的半導體加工用帶所使用的粘接膜的已剝離了剝離襯墊的粘接劑層，使其層疊成厚度100μm，根據JISK7128-3，采用如圖8的(a)所示的試驗片100，使用具有能調節溫度的恒溫槽的拉伸試驗機(TCL-NL形、股份有限公司島津制作所制)，進行拉伸試驗，并分別測量23℃下的撕裂強度(A)和-15℃下的撕裂強度(C)。另外，同樣對如圖8的(b)所示的在通過直角部A前端的中央線上，從直角部A的前端切入長度1mm的切割部分115的試驗片110測量在23℃下的撕裂強度(B)。(2)預切加工性的評價預切加工性的評價是對于實施例1～7的各半導體加工用帶所使用的粘接膜，及比較例1的各半導體加工用帶所使用的粘接膜，將其卷曲于50m輥狀而制成圓筒形狀者，當制成輸送時等的沖擊，從50cm的高度使圓筒形狀的一方的圓形面著地并掉落3次。以目視確認通過掉落在粘接劑層上是否產生切痕后，當作12英寸晶圓所使用者，以58.5mm間隔切入直徑320mm的圓的切痕，加工速度設成10m/min下100m，從剝離襯墊剝離切痕的外側的粘接劑層并卷曲，進行預切加工。將于卷曲時未引起任何破裂的情況評價為良品“○”，將僅在粘接劑層上有造成有切痕的情況下才引起破裂的情況評為可容許品“△”，將產生破裂的情況評為不良品“×”。(3)拉伸率的測量使用拉伸試驗裝置(JISB7721)，通過如以下的拉伸試驗測量半導體加工用帶的拉伸率及加熱至120℃后的拉伸率。將實施例、比較例的半導體加工用帶打穿成1號啞鈴形狀(JISK6301)而制成試驗片，測量標線間距離40mm、拉伸速度1000mm/min下的標線間距離，并求取拉伸率。另外，將通過所述方法而拉伸至200％的實施例、比較例的半導體加工用帶放置在已加熱至120℃的加熱板上15秒后，測量其標線間距離，并求取加熱至120℃后的拉伸率。(4)分離性的評價通過以下所示的方法，對于所述實施例及所述比較例的各半導體加工用帶實施下述半導體加工工序的適合性試驗。(a)在已形成電路圖案的晶圓表面貼合表面保護帶。(b)進行研削所述晶圓背面的背面研磨工序。(c)在將晶圓加熱至70℃的狀態下，在所述晶圓的背面貼合所述半導體加工用帶的粘接劑層，同時將半導體加工用環形框架貼合在所述半導體加工用帶的粘合劑層不與粘接劑層重疊而露出的部分。(d)從所述晶圓表面剝離表面保護帶。(e)對所述晶圓的分割預定部分照射激光光，而在該晶圓內部形成因多光子吸收所成的改質區域。(f)通過將所述半導體加工用帶擴展10％，沿著分隔線分割所述晶圓與所述粘接劑層，而取得附有所述粘接劑層的多個小片。(g)將所述半導體加工用帶的不與所述小片重疊的部分(存在有小片的區域與環形框架之間的圓環狀區域)加熱至120℃使其收縮，而去除(f)的擴展工序中所產生的松弛，保持該小片的間隔。(h)從導體加工用帶的粘合劑層拾取附有粘接劑層的所述小片。需要說明的是，(f)工序通過股份有限公司Disco公司制DDS-2300的擴展環(expandingring)，將貼合于半導體加工用帶上的股份有限公司Disco公司制DDS-2300切割用環形框架壓下，并將半導體加工用帶的晶圓貼合部位外周的不與晶圓重疊的部分壓向圓形的上推構件來實施擴展。另外，(f)及(g)工序的條件設成擴展速度300mm/sec、擴展量(上推量)20mm。在此，擴展量是指壓下前與壓下后的環形框架與上推構件的相對位置的變化量。對于實施例1～6及比較例1的半導體加工用帶，在(g)工序后以目視觀察任意100個小片是否成功分割，并算出上述(f)工序中的粘接劑層的分割率。[表1]實施例1實施例2實施例3實施例4實施例5實施例6基材膜111223丙烯酸系共聚物a-1a-1a-1a-2a-2a-3粘接劑組合物b-1b-2b-3b-4b-5b-3無常溫切入撕裂(A)2.72.281.115.171.161.11有常溫切入撕裂(B)2.140.960.62.60.420.6預切加工性○○○○△○無-15℃切入撕裂(C)0.160.290.671.250.500.67有-15℃切入撕裂(D)0.160.110.160.430.250.16拉伸率240％240％240％290％290％700％加熱后拉伸率101％101％101％108％108％123％分割率100％100％100％30％100％50％[表2]比較例1基材膜1丙烯酸系共聚物a-1粘接劑組合物b-6無常溫切入撕裂(A)0.71有常溫切入撕裂(B)0.35預切加工性×無-15℃切入撕裂(C)0.12有-15℃切入撕裂(D)0.12拉伸率240％加熱后拉伸率101％分割率100％如表1所示，實施例1～6的半導體加工用帶由于粘接劑層在JISK7128-3所規定的直角形試驗法下撕裂強度(A)為1.11以上，即權利要求中限定的0.8MPa以上，故其預切加工性良好。尤其，實施例1～4、6的半導體加工用帶由于在粘接劑層的直角形試驗法中在通過試驗片直角部的前端的中央線上，從直角部的前端切入長度1mm的切割部分時的撕裂強度(B)為0.5MPa以上，故取得預切加工性非常優異的結果。相對于此，比較例1的半導體加工用帶如表2所示，由于粘接劑層的撕裂強度(A)不足0.8MPa，故造成預切加工性拙劣的結果。符號說明10：半導體加工用帶11：基材膜12：粘合劑層13：粘接劑層14：表面保護帶15：粘合片20：環形框架21：臺階22：上推構件25：加熱桌26：吸附桌27：能量線光源28：加熱收縮區域29：熱風噴嘴32：改質區域34：小片W：晶圓當前第1頁1 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