技術特征：
技術總結
本公開描述了使用離子注入制造太陽能電池發射極區的方法，以及所得太陽能電池。在一個例子中，背接觸太陽能電池包括具有光接收表面和背表面的晶體硅基板。第一多晶硅發射極區設置在所述晶體硅基板上方。所述第一多晶硅發射極區摻雜有第一導電類型的摻雜物雜質物質，并且還包括不同于所述第一導電類型的所述摻雜物雜質物質的輔助雜質物質。第二多晶硅發射極區設置在所述晶體硅基板上方，并且與所述第一多晶硅發射極區相鄰但分開。所述第二多晶硅發射極區摻有第二相反導電類型的摻雜物雜質物質。第一導電觸點結構和第二導電觸點結構分別電連接到所述第一多晶硅發射極區和所述第二多晶硅發射極區。
技術研發人員：戴維·D·史密斯;蒂莫西·韋德曼;斯塔凡·韋斯特貝格
受保護的技術使用者：太陽能公司
技術研發日：2015.06.24
技術公布日：2017.09.12