1.一種發光裝置，包括：
第一導電型半導體層；
臺面，所述臺面設置在所述第一導電型半導體層上并且包括活性層以及設置在所述活性層上的第二導電型半導體層；
電流阻擋層，所述電流阻擋層部分地設置在所述臺面上；
透明電極，所述透明電極設置在所述臺面上并且至少部分地覆蓋所述電流阻擋層；
第一電極，所述第一電極與所述第二導電型半導體層絕緣，并且包括第一電極墊和從所述第一電極墊延伸的第一電極延伸部分；
第二電極，所述第二電極設置在所述電流阻擋層上以電連接至所述透明電極，并且包括第二電極墊和從所述第二電極墊延伸的第二電極延伸部分；以及
絕緣層，所述絕緣層部分地設置在所述第一電極下方的區域中，
其中，所述臺面包括形成在所述臺面的側表面上的至少一個溝槽，使得通過所述溝槽部分地露出所述第一導電型半導體層；
所述絕緣層包括至少部分地露出所露出的第一導電型半導體層的開口；
所述第一電極延伸部分包括通過所述開口接觸所述第一導電型半導體層的至少一個延伸接觸部分；以及
所述第二電極延伸部分包括具有與所述第二電極延伸部分的平均寬度不同的寬度的遠端。
2.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，所述第二電極延伸部分的遠端的寬度大于所述第二電極延伸部分的平均寬度。
3.根據權利要求2所述的發光裝置，其中，所述第二電極延伸部分的遠端具有圓形形狀，所述圓形形狀的直徑大于所述第二電極延伸部分的寬度。
4.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，所述第二電極延伸部分包括從所述第二電極延伸部分的延伸方向彎曲的附加延伸部分，且所述附加延伸部分遠離所述第一電極延伸部分彎曲。
5.根據權利要求4所述的發光裝置，其中，所述附加延伸部分形成為具有預定曲率的弧形形狀。
6.根據權利要求4所述的發光裝置，其中，所述附加延伸部分朝向所述發光裝置的一個角部彎曲。
7.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，所述第一電極墊和所述第二電極墊設置在穿過所述發光結構的中心的縱向線上；所述第一電極墊鄰近于所述發光裝置的第一側表面設置；以及所述第二電極墊鄰近于所述發光裝置的與所述發光裝置的第一側表面相對的第三側表面設置。
8.根據權利要求7所述的發光裝置，其中，所述第一電極延伸部分沿著所述發光裝置的第二側表面朝向第一側表面延伸，所述第二側表面設置在所述發光裝置的第一側表面與第三側表面之間；以及所述第二電極延伸部分設置成比所述發光裝置的第二側表面更靠近所述發光裝置的與所述發光裝置的第二側表面相對的第四側表面并且朝向所述發光裝置的第三側表面延伸。
9.根據權利要求8所述的發光裝置，其中，從所述第二電極墊至所述發光裝置的第四側表面的最短距離與從所述第二電極延伸部分的遠端至所述發光裝置的第四側表面的最短距離相同。
10.根據權利要求7所述的發光裝置，其中，所述絕緣層的開口包括多個開口，所述多個開口沿著所述第二側表面以恒定間隔設置。
11.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，從所述第一電極延伸部分至所述第二電極延伸部分的最短距離大于從所述第二電極延伸部分的遠端至所述第一電極墊的距離。
12.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，所述絕緣層的開口之間的距離是露出所述溝槽的絕緣層的開口的寬度的三倍或三倍以上。
13.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，所述電流阻擋層包括設置在所述第二電極墊下方的墊-電流阻擋層以及設置在所述第二電極延伸部分下方的延伸部分-電流阻擋層。
14.根據權利要求13所述的發光裝置，其中，所述透明電極包括設置在所述墊-電流阻擋層上的第一開口；所述第二電極墊設置在所述墊-電流阻擋層上以填充所述第一開口并同時部分地覆蓋設置在所述墊-電流阻擋層上的透明電極；以及所述第二電極墊的上表面具有對應于所述墊-電流阻擋層的上表面和設置在所述電流阻擋層上的透明電極的上表面的表面輪廓。
15.根據權利要求14所述的發光裝置，其中，所述墊-電流阻擋層包括露出所述第二導電型半導體層的第二開口，
所述第二電極通過所述第二開口接觸所述第二導電型半導體層，
所述第二開口設置在所述第一開口的區域中；以及
所述第二電極的上表面包括設置成對應于所述第一開口的第一凹陷部以及設置成對應于所述第二開口的第二凹陷部。
16.根據權利要求15所述的發光裝置，其中，所述墊-電流阻擋層包括由所述第二開口圍繞的第一區域和圍繞所述第二開口的第二區域；以及所述第二電極的上表面設置在所述電流阻擋層的第一區域中并且包括從所述第二凹陷部的下表面突出的突出部。
17.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，所述絕緣層設置在所述臺面上；所述臺面包括形成在所述臺面的側表面上的至少一個溝槽，使得通過所述溝槽部分地露出所述第一導電型半導體層；以及所述絕緣層的開口至少部分地露出通過所述溝槽露出的第一導電型半導體層。
18.根據權利要求17所述的發光裝置，其中，所述第一電極墊和所述第一電極延伸部分設置在所述臺面上，且所述延伸部分-接觸部分與通過所述溝槽露出的第一導電型半導體層形成歐姆接觸。
19.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，所述絕緣層設置在所述第一導電型半導體層上；以及
所述延伸部分-接觸部分包括第一延伸部分-接觸部分和第二延伸部分-接觸部分，
所述第一延伸部分-接觸部分沿著所述臺面的一個側表面設置，
所述第二延伸部分-接觸部分設置在所述臺面的一個角部附近以鄰近于所述第一電極墊。
20.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，所述基板包括形成在所述基板的至少一個側表面上并且具有在所述基板的水平方向上延伸的帶狀物形狀的多個改型區域，且所述基板的最下層改型區域與下表面之間的距離小于所述基板的最上層改型區域與上表面之間的距離。