用于實時拋光配方控制的方法及系統與流程

本公開內容的實施方式涉及化學機械拋光，且更特定而言，涉及實時控制化學機械拋光的參數。

背景

化學機械拋光(Chemical mechanical polishing；CMP)是在半導體工業中用于通過使用化學蝕刻與研磨機械力的組合使晶片表面平滑化的過程。將晶片置于旋轉平臺上，且在拋光頭接觸晶片時由擋圈將晶片固定就位。從晶片表面移除材料，從而產生平坦表面。移除速率可隨在晶片與拋光頭之間施加的壓力而改變。

在眾多情況下，晶片的不同區域可以以不同速率拋光(例如晶片邊緣可比晶片中心更快拋光)。盡管拋光配方可經發展并校準以補償晶片組中不同的拋光速率，但仍可由于表面不規則性而發生晶片與晶片之間的不一致拋光，即使已進行先前校準也如此。

附圖簡要說明

本公開內容通過實例的方式，且并非通過限制方式在隨附附圖中進行說明，在所述附圖中，相同的元件符號指示相同元件。應注意，對本公開內容中“一(an)”或“一個(one)”實施方式的不同參考并非一定針對同一實施，且這樣的參考意味著至少一個。

圖1是圖示根據一個實施方式的化學機械拋光的方塊圖；

圖2A是根據一個實施方式的反饋模塊的一個實施方式的方塊圖；

圖2B圖示根據一個實施方式的在化學機械拋光期間監測晶片的不同區域；

圖3是一繪圖，該圖圖示根據一個實施方式的自監測晶片的不同區域而獲得的數據；

圖4圖示用于實時更新拋光工藝的參數的方法的實施方式；

圖5圖示用于實時連續更新拋光工藝的參數的方法的實施方式；及

圖6是圖標示例性計算裝置的方塊圖。

具體描述

本公開內容的實施方式涉及實時控制晶片拋光配方的方法及系統。原位速率監測系統在由CMP系統執行的拋光工藝期間實時監測材料移除速率。由于晶片被拋光，由原位速率監測系統在晶片的不同區域測得的測量數據(被稱作“區段文件”)可包括在不同時間點出現并取決于厚度的可辨別特性。CMP系統比較來自不同區段文件的數據以判定在這些特性適時出現時間之間的一或更多個時間增量。基于時間增量，CMP系統由此辨識更新的拋光參數(例如基于查找表)，且實時更新其拋光配方以補償晶片中不同區域處的任何拋光速率差異。

圖1是圖標制造系統100的方塊圖，該系統100包括制造系統數據源(例如制造執行系統(manufacturing execution system；MES)110)、化學機械拋光(chemical mechanical polishing；CMP)系統120，及原位速率監控(in situ rate monitoring；ISRM)系統130，每一系統/服務器經配置以例如經由網絡140而與彼此通信。網絡140可為局域網(local area network；LAN)、無線網絡、移動通信網絡、廣域網(wide area network；WAN)，如因特網，或類似的通信系統。

MES 110、CMP系統120、ISRM系統130，及反饋模塊200可由任何類型的計算裝置分別代管，該計算裝置包括服務器計算機、網關計算機、臺式計算機、膝上型計算機、平板計算機、筆記本計算機、個人數字助理(personal digital assistant；PDA)、移動通信裝置、蜂窩電話、智能電話、手持式計算機，或類似計算裝置。或者，MES 110、CMP系統120、ISRM系統130，及反饋模塊200的任何組合可在單個計算裝置上代管，該計算裝置包括服務器計算機、網關計算機、臺式計算機、膝上型計算機、移動通信裝置、蜂窩電話、智能電話、手持式計算機，或類似的計算裝置。

ISRM系統130可收集并分析關于CMP系統120的數據。在一個實施方式中，ISRM系統130耦接至工廠系統數據源(例如MES 110、ERP)以接收調度數據(scheduling data)及設備(例如腔室)數據，等等。在一個實施方式中，ISRM系統130可在由CMP系統120執行的晶片拋光工藝期間捕獲數據測量數據。CMP系統120可包括反饋模塊200，該反饋模塊接收來自ISRM系統130的測量數據，且處理該數據以更新CMP系統120在晶片拋光工藝中使用的拋光參數122。例如，反饋模塊200可分析實時數據晶片拋光數據，從而判定晶片的不同區域是否正在由CMP系統以不同速率拋光，且更新CMP系統120的拋光參數/設置，該CMP系統120接著調整不同區域的拋光速率。

圖2A是根據一個實施方式的反饋模塊200的一個實施方式的方塊圖。在一個實施方式中，反饋模塊200可與圖1的反饋模塊200相同。反饋模塊可在CMP系統120上實施，且反饋模塊可包括分析子模塊202、CMP控制子模塊204，及用戶界面(user interface；UI)子模塊206。

反饋模塊200可耦接至數據存儲器250。數據存儲器250可為持久存儲單元，該存儲單元可為本地存儲單元或遠程存儲單元。持久存儲單元可為磁性存儲單元、光學存儲單元、固態存儲單元、電子存儲單元(主存儲器)或類似存儲單元。持久存儲單元也可為單片裝置或分布式裝置組。如本發明中所使用，“組”指任何正整數個項目。在一些實施方式中，數據存儲器250可在經由網絡140可用的任何裝置上得以維持。例如，數據存儲器250可維持在服務器計算機、網關計算機、臺式計算機、膝上型計算機、移動通信裝置、蜂窩電話、智能電話、手持式計算機，或類似的計算裝置上。

數據存儲器250可存儲區段文件數據252、查找表254，及拋光參數122。區段文件數據252可包括區段文件，所述區段文件包含在化學機械拋光工藝期間從晶片的不同區域獲得的測量數據。例如，第一區段文件可對應于在晶片邊緣觀測到的反射系數對比時間的數據，且第二區段文件可對應于在晶片中心區域觀測到的反射系數對比時間的數據。在一些實施方式中，區段文件數據252自ISRM系統130中被接收。例如，在區段文件數據252自ISRM系統130流出時，分析子模塊202實時接收并存儲區段文件數據252。查找表254可包括表列拋光參數，所述參數包括但不限于薄膜壓力、內管壓力，及擋圈壓力。表列拋光參數可用作校正由CMP系統拋光頭向晶片的不同區域施加的壓力的偏移。例如，CMP控制子模塊204可從查找表254中擷取經更新拋光參數且動態地更新拋光配方(例如通過控制由拋光單元210施加至晶片的一或更多個壓力)。

在一個實施方式中，用戶界面(user interface；UI)子模塊206可在用戶界面220中呈現出通過CMP系統120所獲得的區段文件數據252、查找表254參數或拋光參數222中的一或更多者。用戶界面220可為在任何適合的裝置上實施的圖形用戶界面(graphical user interface；GUI)。在一個實施方式中，如若GUI在CMP系統上實施，則GUI可顯示查找表參數254(例如使用用戶界面220顯示)。GUI也可在不同于CMP系統120的裝置上實施。在一個實施方式中，如若GUI在ISRM系統130上實施，則GUI可顯示區段文件數據252。

圖2B圖示根據一個實施方式的在化學機械拋光期間監測晶片的不同區域。ISRM系統130可經配置以在拋光工藝期間在晶片260上執行測量。在一個實施方式中，晶片260包括設置在其上的光學透明薄膜。CMP系統120拋光晶片260，此減少光學透明薄膜的厚度。ISRM系統130可以以區段文件的形式收集測量數據，所述區段文件分別對應于中心區域262、中間區域264，及邊緣266。收集的數據可由分析子模塊202進行實時分析。

圖3是一繪圖300，該圖圖示根據一個實施方式的自監測晶片的不同區域而獲得的數據。在一個實施方式中，可展示繪圖300以用于在GUI中顯示(例如在UI 220上展示)，該繪圖可隨著CMP系統接收到的數據而實時更新。繪圖300表示對應于在CMP工藝期間于晶片的多個區域進行的實時測量結果的區段文件數據。水平軸對應于平坦化時間(單元為秒)，平坦化時間對應于在CMP工藝期間的時間。垂直軸對應于反射強度(任意單位)。ISRM系統(例如ISRM系統130)可在晶片的不同區域處監測反射強度。在一些實施方式中，不同類型的處理數據可在繪圖300中展示。

反饋模塊200可使用繪圖300中繪示的數據以實時更新CMP工藝的參數。曲線302、304、306對應于在CMP工藝期間實時監測的區段文件數據。例如，曲線302可對應于在晶片中心(例如中心區域262)獲得的數據，曲線304可對應于在晶片中間區段(例如中間區域264)獲得的數據，且曲線306可對應于在晶片邊緣(例如邊緣區域266)獲得的數據。在一個實施方式中，曲線302、304、306繪制為平滑曲線。在一個實施方式中，曲線302、304、306繪制為單個數據點。

曲線302、304、306中的每一曲線的形狀是根據設置于晶片上的一或更多個薄膜的反射系數測量結果而產生，所述形狀展現取決于薄膜厚度的特性(例如局部極小值及局部極大值)。在CMP工藝期間，在薄膜經拋光時，薄膜厚度隨時間而減少。盡管曲線302、304、306的各個數據點與時間同步，但由于不同的平坦化速率，曲線302、304、306中的每一者的特性可在不同時間點出現(例如，由拋光頭向晶片邊緣施加的壓力可大于拋光頭向晶片中心施加的壓力，從而使邊緣處的薄膜厚度減少速率大于中心處的薄膜厚度減少速率)。

曲線302可對應于晶片邊緣，曲線304可對應于晶片中間區段，且曲線306可對應于晶片中心。曲線302具有第一局部最大值，該值出現在數據點310，該數據點310出現在時間點308(CMP工藝開始后約26秒)。同樣，數據點312(對應于曲線304的局部最大值)及數據點314(對應于曲線306的局部最大值)也出現在時間點308。在一個實施方式中，曲線302(晶片邊緣曲線)可經選擇作為基準曲線，分析子模塊202針對該基準曲線計算數據點312、314相對于數據點310的時間增量(例如數據點310與數據點312之間的時間增量將為這些數據點中每個數據點出現時間之間的差異)。如繪圖300中所繪示，數據點310、312、314中的每一者同時發生在時間點308。因此，數據點310與數據點312之間的時間增量將為零，且數據點310與數據點314之間的時間增量也將為零，此指示晶片的該三個區域中的每一區域正在以相同速率拋光。在一個實施方式中，分析子模塊202不采取操作，且分析子模塊202繼續接收區段文件數據，直至辨識出新特性。

隨著CMP工藝繼續進行，辨識到數據點318、320、324。數據點318、320、324中的每一者分別對應于曲線302、304、306的局部極小值。兩個數據點318、320出現在同一時間點316，而數據點324出現在時間點322。分析子模塊202可計算數據點318、320之間的時間增量為零。分析子模塊202可計算時間點316與時間點322之間的時間增量340(Δt₁＝t_邊緣-t_中心)。如繪圖300中所繪示，時間增量340是-1秒。此滯后指示出對應于曲線306的拋光速率小于對應于曲線302的拋光速率(即晶片邊緣的拋光快于晶片中心的拋光)。因此，分析子模塊202可使用時間增量340的值以從查找表254辨識更新的參數。例如，可根據時間增量值檢索查找表254，且分析子模塊202可從查找表254中辨識對應于-1秒的更新壓力參數(如擋圈壓力)。一旦辨識出更新的壓力參數，則CMP控制子模塊204可將更新的壓力參數傳輸至拋光單元210(例如拋光頭)，該拋光單元隨即動態地更新施加至晶片邊緣的壓力(例如更新的壓力參數為正值，以使得施加至晶片邊緣的拋光壓力增大以補償在區段文件數據中觀測到的滯后)。在一個實施方式中，相對于測得的非零時間增量340，分析子模塊202可不采取操作，但可存儲及標記時間增量340。如若觀測到額外的非零時間增量，則分析子模塊202可稍后采取操作。

隨著CMP工藝繼續進行，辨識到數據點328、332、336。數據點328、332、336中的每一者分別對應于曲線302、304、306的局部最大值。數據點328出現在時間點326，數據點332出現在時間點330，且數據點336出現在時間點334。分析子模塊202可計算時間點326與時間點330之間的時間增量342(Δt₂＝t_邊緣–t_中間)，該時間增量342將等于-1，如繪圖300中所繪示。此滯后指示對應于曲線304的拋光速率小于對應于曲線302的拋光速率(即，晶片中心的拋光快于晶片邊緣的拋光)。同樣，分析子模塊202可計算時間點326與時間點334之間的時間增量344(Δt₃＝t_邊緣-t_中心)，此時間增量344將等于-3，如繪圖300中所繪示。此滯后指示對應于曲線306的拋光速率低于對應于曲線302的拋光速率(即晶片中心的拋光快于晶片中間區段的拋光)。分析子模塊202可使用時間增量342、344的值以從查找表254中辨識更新參數，且CMP控制子模塊204可將更新參數傳輸至拋光單元210以動態地更新晶片中間區段與晶片邊緣的拋光。

下文中針對圖4及圖5而更詳細地描述用于實時控制CMP工藝的實施方式。應理解，曲線形狀、數據點，及時間僅以說明本公開內容的實施方式為目的，且其他實施方式中可能有其他曲線形狀、數據點，及時間。在其他實施方式中，可通過使用任何適合的方法以類似方式處理數據，以辨識并比較實時數據的特性。

圖4圖示方法400的實施方式，該方法用于實時更新拋光工藝的參數。方法400可由包括硬件(例如電路、專用邏輯、可編程邏輯、微代碼，等等)、軟件(例如在處理裝置上執行的指令)或上述各者的組合的處理邏輯來執行。在一個實施方式中，方法400由CMP系統(例如針對圖1所述的ISRM系統130中的反饋模塊200)執行，如下文所述。然而，應注意，本文所述的任何適合的計算裝置可執行方法400，且CMP系統僅為說明性實例。

在方塊410處，反饋模塊(例如反饋模塊200)辨識對應于第一數據集內的第一時間點的第一特性，該第一數據集對應于第一系列測量結果，該第一系列測量結果根據第一拋光參數在對晶片上的第一區域進行拋光期間實時產生。在一個實施方式中，在晶片正在經受由CMP系統(例如CMP系統120)執行的拋光工藝時，第一數據集是對應于該晶片中第一區域的區段文件。晶片的第一區域例如可為晶片邊緣、晶片中心，或晶片中間區段。第一數據集(區段文件)可由ISRM系統(例如ISRM系統130)實時監測及存儲在存儲器(例如數據存儲器250)中。在一個實施方式中，第一數據集可對應于反射強度對比時間的數據，其中穿過光學透明薄膜的光的反射強度由CMP系統或ISRM系統的反射計測得。反射強度隨由拋光工藝引起的薄膜厚度減少而改變，從而在第一數據集中產生局部極小值及局部極大值特性。在一些實施方式中，其他類型的測量/特性化技術可用以獲得不同類型的拋光數據，如折射率的測量。

在方塊420處，反饋模塊辨識對應于第二數據集內的第二時間點的第二特性，該第二數據集對應于在根據第二拋光參數對晶片上的第二區域進行拋光期間實時產生的第二系列測量結果。可以與方塊410大體類似的方式針對第二數據集執行方塊420。晶片的第二區域例如可為晶片邊緣、晶片中心，或晶片中間區段，且為不同于晶片第一區域的區域。

在方塊430處，反饋模塊計算時間增量，該時間增量等于第一時間點與第二時間點之間的差異。在一個實施方式中，第一特性與第二特性為類似的特性(例如皆為局部最大值)，所述特性在彼此相近的時間出現(例如在約10秒內)。在方塊440處，反饋模塊基于計算得出的時間增量來更新(例如使用CMP控制子模塊204)第一拋光參數或第二拋光參數中的至少一者。在一些實施方式中，如若反饋模塊判定時間增量等于零，則可忽略方塊440。

圖5圖示方法500的實施方式，該方法用于實時連續更新拋光工藝的參數。方法500可由包括硬件(例如電路、專用邏輯、可編程邏輯、微代碼，等等)、軟件(例如在處理裝置上執行的指令)或上述各者的組合的處理邏輯來執行。在一個實施方式中，方法500由CMP系統(例如針對圖1所述的ISRM系統130中的反饋模塊200)執行，如下文所述。然而，應注意，本文所述的任何適合的計算裝置可執行方法500，且CMP系統僅為說明性實例。

在方塊510處，反饋模塊(例如反饋模塊200)辨識對應于第一數據集內的第一時間點的第一特性，該第一數據集對應于第一系列測量結果，所述第一系列測量結果根據第一拋光參數在對晶片上的第一區域進行拋光期間實時產生。方塊510可與針對圖4所述的方塊410相同或類似。

在方塊520處，反饋模塊(例如反饋模塊200)辨識對應于第一數據集內的第一時間點的第一特性，該第一數據集對應于第一系列測量結果，所述第一系列測量結果根據第一拋光參數在對晶片上的第一區域進行拋光期間實時產生。方塊520可與針對圖4所述的方塊420相同或類似。

在方塊530處，反饋模塊計算時間增量，該時間增量等于第一時間點與第二時間點之間的差異(例如自第一時間點減去第二時間點)。方塊530可與針對圖4所述的方塊430相同或類似。

在方塊540處，反饋模塊判定計算得出的時間增量是否等于零。如若計算得出的時間增量不等于零，則方法500繼續前進至方塊550。在方塊550處，反饋模塊基于計算得出的增量來更新第一拋光參數或第二拋光參數中的至少一者。在一個實施方式中，可在查找表(例如查找表254)內辨識新參數值。可將新參數值分配至第一或第二拋光參數中的至少一者，例如通過將存儲的拋光參數替換為新參數(例如在數據存儲器250中存儲新參數值以替代舊參數值)。在一個實施方式中，反饋模塊可通過將經更新參數傳輸至拋光單元(例如拋光單元210)來更新第一及/或第二拋光參數，該拋光單元接著調整拋光設置(例如施加至晶片中多個區域的壓力)。

在一個實施方式中，反饋模塊可判定時間增量為負(例如第二時間點的出現時間遲于第一時間點)。隨后，反饋模塊可增大第二拋光參數以補償第一時間值與第二時間值之間的差異(例如通過增大施加至對應于第二數據集的區域的拋光壓力)。在一個實施方式中，反饋模塊可判定時間增量為正(例如第一時間點的出現時間遲于第二時間點)。隨后，反饋模塊可減小第二拋光參數以補償第一時間值與第二時間值之間的差異(例如通過減小施加至對應于第二數據集的區域的拋光壓力)。在一些實施方式中，如若時間增量的絕對值超過非零的閾值，則方法500可繼續前進至方塊550。在一些實施方式中，除非已判定時間增量已超過零至少兩次，否則方法500可能不繼續前進至方塊550。

如若在方塊540處，計算得出的時間增量等于零，則方法500繼續前進至方塊560。在方塊560處，反饋模塊判定是否到達拋光工藝的終點。例如，CMP系統可能已經配置以執行拋光工藝達預定歷時的時長，且一旦已經過預定的歷時時長，則反饋模塊可判定工藝完成。如若反饋模塊判定尚未達到終點，則方法500繼續前進至方塊570，在方塊570中，反饋模塊繼續接收經監測到的實時拋光數據(例如從CMP系統中接收的拋光數據)，直至可辨識到區段文件中的新特性(例如，局部極小值及局部極大值)，且計算新特性的各個時間點之間的新時間增量。如若反饋模塊判定已達到終點，則方法500結束。

圖6是圖標示例性計算裝置600的方塊圖。在一個實施方式中，計算裝置600對應于代管圖1及圖2中的反饋模塊200的機器。計算裝置600包括用于使機器執行本發明中論述的方法中的任何一或更多個方法的指令集。在替代性實施方式中，機器可連接(例如網絡連接)至局域網(Local Area Network；LAN)、內部網、外部網或因特網中的其他機器。機器可在主從式網絡環境中以服務器機器的容量作業。機器可為個人計算機(personal computer；PC)、機頂盒(set-top box；STB)、服務器、網絡路由器、交換器或網橋，或任何能夠執行指令集(連續或以其他方式)的機器，該指令集規定該機器將采取的操作。此外，盡管僅圖示單個機器，但術語“機器”也應被視作包括機器的任何集合，所述機器單獨或共同地執行一個(或多個)指令集以執行本發明論述的方法中的任何一或更多者。

示例性計算裝置600包括全部經由總線630彼此通信的處理系統(處理裝置)602、主存儲器604(例如，只讀存儲器(read-only memory；ROM)、閃存、諸如同步動態隨機存取存儲器(synchronous dynamic random access memory；SDRAM)的動態隨機存取存儲器(dynamic random access memory；DRAM)，等)、靜態存儲器606(例如，閃存、靜態隨機存取存儲器(static random access memory；SRAM)，等)，及數據存儲裝置618。處理裝置602、主存儲器604，及數據存儲裝置618中的每一者能夠存儲與反饋模塊200相關的指令622。

處理裝置602表示諸如微處理器、中央處理單元，或類似物的一或更多個通用處理裝置。更特定而言，處理裝置602可為復雜指令集計算(complex instruction set computing；CISC)微處理器、精簡指令集計算(reduced instruction set computing；RISC)微處理器、超長指令字(very long instruction word；VLIW)微處理器，或實施其他指令集的處理器，或實施指令集組合的處理器。處理裝置602也可為諸如專用集成電路(application specific integrated circuit；ASIC)、現場可編程門陣列(field programmable gate array；FPGA)、數字信號處理器(digital signal processor；DSP)、網絡處理器，或類似物的一或更多個專用處理裝置。處理裝置602經配置以執行反饋模塊200以用于執行本發明中論述的操作及步驟。

計算裝置600可進一步包括網絡接口裝置608。計算裝置600也可包括視頻顯示單元610(例如，液晶顯示器(liquid crystal display；LCD)或陰極射線管(cathode ray tube；CRT))、文字數字輸入裝置612(例如鍵盤)、光標控制裝置614(例如鼠標)，及信號產生裝置616(例如揚聲器)。

數據存儲裝置618可包括計算機可讀存儲介質628，該存儲介質上存儲有一或更多個指令集(例如用于反饋模塊200的指令622)，所述指令集實施本發明所述的方法或功能中的任何一或更多者。在通過計算裝置600對反饋模塊200的執行期間，反饋模塊200也可完全或至少部分地駐存于主存儲器604內及/或處理裝置602內，主存儲器604及處理裝置602也構成計算機可讀介質。反饋模塊200可進一步經由網絡接口裝置608而在諸如網絡140的網絡620上傳輸或接收。

盡管計算機可讀存儲介質628在一示例性實施方式中經圖標為單個介質，但術語“計算機可讀存儲介質”應被視作包括存儲一或更多個指令集的單個介質或多個介質(例如集中或分布式數據庫，及/或關聯的高速緩存及服務器)。術語“計算機可讀存儲介質”也應被視作包括以下任何介質：該介質能夠存儲、編碼，或攜帶由機器執行的指令集，且使機器執行本公開內容的方法中的一或更多個方法。術語“計算機可讀存儲介質”應因此被視作包括但不限于暫時性計算機可讀存儲介質及非暫時性計算機可讀存儲介質，所述暫時性計算機可讀存儲介質包括但不限于傳播電信號或電磁信號，所述非暫時性計算機可讀存儲介質包括但不限于易失性及非易失性計算機存儲器或存儲裝置，如硬盤、固態存儲器、光學介質、磁性介質、軟盤、USB驅動器、DVD、CD、介質卡、寄存器存儲器、處理器高速緩存、隨機存取存儲器(random access memory；RAM)，等等。

在上述描述中，闡述出眾多細節。然而，受益于本公開內容的本領域技術人員將顯而易見的是，本公開內容的實施方式可在無需這些特定細節的情況下得以實施。在一些情況下，眾所熟知的結構及裝置是以方塊圖形式進行顯示，而非詳細形式，以免使描述含義模糊。

本具體描述的一些部分是以對于計算機存儲器內的數據位進行的操作的算法及符號表示的方式呈現。這些算法描述及表示是數據處理領域技術人員用以將自身所作工作的實質內容傳達至本領域的其他技術人員的最有效手段。在本發明中及一般情況下，設想算法為將產生所需的結果的自相一致的步驟序列。所述步驟是需要對實體數量進行實體操縱的步驟。通常但并非一定，這些數量采取能夠被存儲、傳輸、組合、比較，及進行其他操作的電信號或磁信號的形式。已證實，有時大體出于常用的原因，將這些信號稱作位、值、元件、符號、字符、項目、數目等是便利的。

然而，應謹記，全部這些及類似術語將與適當的實體數量相關聯，且僅為應用至這些數量的便利標志。除非另作具體陳述，如在上文論述中顯而易見，否則將了解，在全文描述中，利用諸如“判定”、“增添”、“提供”等的術語的論述指計算裝置或類似的電子計算裝置的操作及處理，該計算裝置操縱在計算裝置寄存器及存儲器內表示為實體(例如電子)量的數據，且將該數據轉換至同樣在計算裝置存儲器或寄存器或其他此類信息存儲裝置內表示為實體數量的其他數據。

本公開內容的實施方式也涉及用于執行本發明中的操作的設備。此設備可經特定構建而用于其所需的用途，或此設備可包括通用計算機，該通用計算機由存儲在計算機中的計算機程序選擇性地啟動或重新配置。該計算機程序可存儲在計算機可讀存儲介質中，該計算機可讀存儲介質諸如但不限定于任何類型的碟(包括光盤、CD-ROM，及磁性光盤)、只讀存儲器(read-only memory；ROM)、隨機存取存儲器(random access memory；RAM)、可擦除可編程只讀存儲器(erasable programmable read only memory；EPROM)、電子可擦除可編程只讀存儲器(electrically erasable programmable read only memory；EEPROM)、磁性或光卡，或適合于存儲電子指令的任何類型的介質。

將理解，以上描述是旨在說明性，而非限制性。在閱讀及理解上述描述之后，諸多其他實施方式將對本領域技術人員顯而易見。因此，本公開內容的范圍應通過參考隨附的權利要求書，及該權利要求書給予權利的同等內容的完整范圍而判定。