1.一種氮化物半導體發光元件，其特征在于，具備：
基板；和
在所述基板之上依次設置的n型氮化物半導體層、包含單量子阱構造或多量子阱構造的發光層、以及p型氮化物半導體層，
所述n型氮化物半導體層具有在從所述基板側朝向所述發光層側的方向上依次設置的第一n型氮化物半導體層、第二n型氮化物半導體層、以及第三n型氮化物半導體層，
所述第二n型氮化物半導體層的n型摻雜劑濃度比所述第一n型氮化物半導體層的n型摻雜劑濃度低，
所述第三n型氮化物半導體層的n型摻雜劑濃度比所述第二n型氮化物半導體層的n型摻雜劑濃度高，
在所述第二n型氮化物半導體層、所述第三n型氮化物半導體層和所述發光層中，局部形成有V凹坑構造，
所述V凹坑構造的開始點的平均位置存在于所述第二n型氮化物半導體層內。
2.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，
所述發光層的下表面處的所述V凹坑構造的直徑為40nm以上且80nm以下。
3.根據權利要求1或2所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，
所述V凹坑構造的開始點的平均位置與所述第二n型氮化物半導體層的下表面相距30nm以上。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，
所述第三n型氮化物半導體層由GaN或AlGaN構成。