電子部件的制作方法

本發明涉及電子部件，特別是，涉及外部電極的至少一部分是通過電解鍍覆來形成的電子部件。

背景技術：

在圖12以及圖13中，分別以立體圖以及剖視圖示出了對本發明來說有興趣的電子部件1。電子部件1具備芯片狀的電子部件基體2。電子部件基體2的外形具有由四個側面3、4、5及6以及兩個端面7以及8規定的立方體形狀。

在電子部件基體2的內部，設置與電子部件1的功能相應的形態的內部導體。在這里，作為電子部件1，例示了線圈部件。因此，如圖13所示，在電子部件基體2的內部設置線圈導體9。此外，在圖13中，對線圈導體9，以符號顯示省略地進行了圖示。另外，在電子部件1是線圈部件的情況下，電子部件基體2例如由像Ni-Zn-Cu系鐵素體那樣的磁性體陶瓷構成，詳細而言，雖然未圖示，但具有由多個陶瓷層10提供的層疊構造。該層疊構造的層疊方向朝向圖13中的左右方向。

在電子部件基體2上形成與上述的線圈導體9電連接的外部電極11以及12。外部電極11以及12的各自的至少一部分，即、在圖示的例子中，外部電極11以及12的各自的表面層由通過電解鍍覆形成的鍍覆膜13以及14提供。為了這樣的鍍覆膜13以及14的形成，例如，像日本特開平11-67554號公報(專利文獻1)所記載的那樣，形成為成為鍍覆生長的起點的種子電極(seed electrode)構成鍍覆膜13以及14的基底。

作為種子電極，具有形成在電子部件基體2的端面7以及8上的端面基底電極15以及16、以及在側面3～6中分別形成為與端面7以及8平行地延伸的各個多個側面基底電極17以及18。

端面基底電極15以及16通過將導電性漿料涂覆在端面7以及8上，并對其進行燒結而形成。

側面基底電極17以及18例如通過在應成為提供電子部件基體2的層疊構造的多個陶瓷層10的多個陶瓷生片的特定的位置，打印應成為側面基底電極17以及18的導電性漿料膜，而形成于經由燒制工序而得到的電子部件基體2。

另外，多個側面基底電極17相互間以及側面基底電極17與端面基底電極15通過連接用導體19電連接。同樣地，多個側面基底電極18相互間以及側面基底電極18與端面基底電極16通過連接用導體20電連接。連接用導體19以及20在通過筒鍍法實施電解鍍覆時，起到提高產生由導電性介質的接觸引起的與種子電極的電導通狀態的概率的作用。這些連接用導體19以及20例如通過在應成為提供電子部件基體2的層疊構造的多個陶瓷層10的多個陶瓷生片的特定的位置設置貫通孔，并向該貫通孔填充導電性漿料而形成。

在像以上那樣的電子部件1中，若著眼于提供外部電極11以及12的表面層的鍍覆膜13以及14的各自的邊緣21以及22的各位置，則這些邊緣21以及22的各位置由鍍覆膜13以及14分別沿著側面3～6鍍覆生長了多少來決定。對于沿著該側面3～6的鍍覆生長的程度，即、鍍覆生長尺寸L而言，鍍覆生長的始端不重要，而鍍覆生長的終端很重要。

作為決定上述的鍍覆生長尺寸L的要素，有在電解鍍覆時施加的電荷量(電流值×鍍覆時間)。因此，以往，對想要制造的每個產品設定用于得到作為目的的鍍覆生長尺寸L的施加電荷量，并在制造該產品期間，施加該設定的電荷量來實施電解鍍覆。然而，雖然是相同產品，但存在在產品批量間若產品批量變化，則鍍覆生長尺寸L也變化這樣的偏差的情況。

優選鍍覆生長尺寸L盡可能沒有偏差。因為存在多個電子部件1間的鍍覆生長尺寸L的偏差會造成多個電子部件1間的特性的偏差的情況。例如，在電子部件1是線圈部件的情況下，若鍍覆生長尺寸L過大，則存在由線圈形成的磁通與鍍覆膜13以及14的干涉程度增大，且給電子部件1的特性帶來影響的情況。另外，存在鍍覆生長尺寸L的偏差會造成以下那樣的外觀不良的情況。

上述的鍍覆生長尺寸L的偏差并不局限于可能在多個電子部件1間產生。在一個電子部件1中，鍍覆生長尺寸L產生了偏差的結果，存在阻礙鍍覆膜13以及14的邊緣21以及22的直線性、邊緣21以及22通常形成為波狀、導致外觀不良的情況。

專利文獻1：日本特開平11-67554號公報

技術實現要素：

因此，本發明的目的在于提供一種具有在外部電極的至少一部分由通過筒鍍法形成的鍍覆膜來提供的情況下，可以抑制該鍍覆膜的鍍覆生長尺寸的偏差的構造的電子部件。

本發明針對電子部件，該電子部件具備：電子部件基體；基底電極，形成為在電子部件基體的外表面的多個位置露出；以及外部電極，該外部電極包含鍍覆膜，上述鍍覆膜以基底電極為成為鍍覆生長的起點的種子電極而通過電解鍍覆形成在電子部件基體的外表面上，其中，為了解決上述的技術問題，而具備如下的結構。

上述基底電極被分類為基底主電極和基底副電極。基底副電極位于沿鍍覆膜的特定的邊緣，基底主電極與基底副電極相比位于更離開鍍覆膜的上述特定的邊緣。

另外，在形成鍍覆膜前的階段，基底主電極處于被電共用連接的狀態，并且處于基底主電極與基底副電極相互未電連接的狀態。

并且，使基底副電極的朝向電子部件基體的外表面的露出面積比共用連接的基底主電極的朝向電子部件基體的外表面的露出面積小。

在實施了筒鍍法時，朝向電子部件基體的外表面的露出面積更大的基底主電極與朝向電子部件基體的外表面的露出面積更小的基底副電極相比，導電性介質的供電的頻率高。因此，由基底主電極提供的鍍覆生長與由基底副電極提供的鍍覆生長相比，被進一步促進。換言之，可進一步抑制由決定在鍍覆膜的特定的邊緣的鍍覆生長尺寸的基底副電極提供的鍍覆生長。

在本發明的第一優選實施實施方式中，電子部件基體具有由四個側面以及與四個側面分別正交的兩個端面規定了外表面的立方體形狀，基底電極具備：分別形成為在電子部件基體的兩個端面露出的端面基底電極；和形成為在電子部件基體的至少一個側面露出的多個側面基底電極。鍍覆膜以端面基底電極以及多個側面基底電極為成為鍍覆生長的起點的種子電極，而形成在電子部件基體的兩個端面上以及形成為分別從兩個端面延伸到至少一個側面。上述的基底主電極由側面基底電極中位于更離開鍍覆膜的特定的邊緣的第一側面基底電極和端面基底電極提供，基底副電極由側面基底電極中位于沿鍍覆膜的特定的邊緣的第二側面基底電極提供。

上述第一以及第二側面基底電極通常形成為圍繞四個側面。

優選，第一以及第二側面基底電極形成為與端面平行地延伸。

在上述情況下，優選為了使鍍覆生長尺寸更長，具備相互平行地延伸的多個第一側面基底電極。

端面基底電極與第一側面基底電極的電連接既可以經由電子部件基體的內部來實現，也可以經由電子部件基體的外表面來實現。

另外，第一側面基底電極也可以在電子部件基體的外表面上，在側面上形成為從端面基底電極開始一體地延伸。

在本發明的第二優選實施實施方式中，電子部件基體具有由四個側面以及與四個側面分別正交的兩個端面規定了外表面的立方體形狀，基底電極具備形成為在電子部件基體的至少一個側面露出的多個側面基底電極。鍍覆膜以多個側面基底電極為成為鍍覆生長的起點的種子電極，而形成在電子部件基體的至少一個側面上。上述基底主電極由側面基底電極中位于更離開鍍覆膜的特定的邊緣的第一側面基底電極提供，基底副電極由側面基底電極中位于沿鍍覆膜的特定的邊緣的第二側面基底電極提供。

在第二優選實施實施方式中，第一以及第二側面基底電極通常形成為僅在一個側面露出、或形成為跨相鄰的兩個側面而露出。

如前者那樣，在第一以及第二側面基底電極僅在一個側面露出的方式形成的情況下，優選側面基底電極的朝向側面的露出部由沿上述特定的邊緣延伸的相互平行的多個線段狀露出部提供，第二側面基底電極的線段狀露出部的長邊方向尺寸比第一側面基底電極的線段狀露出部的長邊方向尺寸大。根據這樣的結構，能夠使分別形成于鍍覆膜的上述特定的邊緣的兩端的角部成為更銳利的形態。

本發明的電子部件通常還具備設置于電子部件基體的內部的內部導體。內部導體與外部電極電連接。

根據本發明，有關成為外部電極的至少一部分的鍍覆膜的成為鍍覆生長的起點的基底主電極以及基底副電極中的基底副電極比基底主電極露出面積小，并且基底副電極位于沿鍍覆膜的特定的邊緣，基底主電極位于更離開鍍覆膜的特定的邊緣，所以對于鍍覆生長的程度而言，基底副電極比基底主電極低，因此，可將鍍覆生長抑制到基底副電極的位置。因此，很容易使鍍覆生長以將基底副電極的附近作為終端的方式來生長，其結果，能夠抑制鍍覆生長尺寸的偏差。因此，在本發明的電子部件中，能夠抑制該特性的偏差。

另外，根據本發明，由于鍍覆生長的終端由基底副電極規定，并且將鍍覆生長抑制在基底副電極的位置，所以鍍覆膜的邊緣形狀大致仿效成基底副電極的形狀。因此，若使基底副電極成為延伸成直線狀的形狀，則鍍覆膜的邊緣也很容易仿效基底副電極而成為延伸成直線狀的形狀。其結果，在外部電極的外觀中，能夠得到良好的形態，因此，能夠提高該電子部件的安裝性。

另一方面，根據本發明，由于由露出面積相對較大的基底主電極提供的鍍覆生長與由基底副電極提供的鍍覆生長相比，被進一步促進，所以能夠在基底主電極上，高效地形成鍍覆膜。

附圖說明

圖1是示意性地表示本發明的第一實施方式的電子部件31的剖視圖。

圖2是表示圖1所示的電子部件31所具備的電子部件基體32的主視圖。

圖3是以圖解的方式示出對圖2所示的電子部件基體32，通過筒鍍法實施了電解鍍覆的狀態的主視圖。

圖4是示意性地表示本發明的第二實施方式的電子部件所具備的電子部件基體32a的剖視圖。

圖5是示意性地表示本發明的第三實施方式的電子部件所具備的電子部件基體32b的剖視圖。

圖6是示意性地表示本發明的第四實施方式的電子部件31c的剖視圖。

圖7是示意性地表示本發明的第五實施方式的電子部件31d的剖視圖。

圖8是圖7所示的電子部件31d的仰視圖。

圖9是表示本發明的第六實施方式的電子部件31e的主視圖。

圖10是圖9所示的電子部件31e的仰視圖。

圖11是沿圖10的線XI-XI示意性地表示圖9所示的電子部件31e的剖視圖。

圖12是表示對本發明來說具有興趣的電子部件1的外觀的立體圖。

圖13是示意性地表示圖12所示的電子部件1的剖視圖。

具體實施方式

參照圖1以及圖2，對本發明的第一實施方式的電子部件31進行說明。圖示出的電子部件31意味線圈部件。

電子部件31例如具備由像Ni-Zn-Cu系鐵素體那樣的磁性體陶瓷構成的芯片狀的電子部件基體32。電子部件基體32具有外形由四個側面33、34、35以及36(側面34示于圖2。側面36呈現在側面34的相反側。)以及兩個端面37以及38規定的立方體形狀。

雖然未對電子部件基體32詳細地進行圖示，但具有由多個陶瓷層40提供的層疊構造。該層疊構造的層疊方向朝向圖1中的左右方向。

在電子部件基體32的內部，例如，設置作為導電成分包含Ag、Cu或者Pd的線圈導體39。此外，與圖13的情況相同，在圖1中，以符號顯示省略地圖示有線圈導體39。線圈導體39整體延伸成螺旋狀，實際上，具有在陶瓷層40間延伸的線狀導體、和與各線導體的端部連接，并且在厚度方向貫通陶瓷層40的層間連接導體而構成。

在電子部件基體32上形成外部電極41以及42。外部電極41以及42的至少各一部分分別由通過電解鍍覆形成的鍍覆膜43以及44提供。此外，在圖示的電子部件31中，外部電極41以及42分別僅由鍍覆膜43以及44構成。鍍覆膜33以及34例如由Ni或者Cu構成。此外，也有鍍覆膜由多個鍍覆層構成的情況。在電子部件基體32，為了鍍覆膜43以及44的形成，而形成成為鍍覆生長的起點的種子電極。

作為種子電極，與圖13所示的電子部件基體2的情況相同，具有形成在電子部件基體32的端面37及38上的端面基底電極45及46、以及在側面33～36形成為與端面37及38分別平行地延伸的各個多個側面基底電極47及48。

端面基底電極45以及46例如通過將作為導電成分包含Ag或者Cu的導電性漿料涂覆在端面37以及38上，并對其進行燒結而形成。圖示出的端面基底電極45以及46形成于端面37以及38的各整個面，但也可以不是整個面，例如形成為網格狀或者條紋狀。上述的線圈導體39的各端部分別與端面基底電極45以及46電連接。

側面基底電極47以及48例如通過在應成為提供電子部件基體32的層疊構造的多個陶瓷層40的多個陶瓷生片的特定的位置，打印應成為側面基底電極47以及48的導電性漿料膜，而形成在經由燒制工序得到的電子部件基體32。圖示的側面基底電極47以及48形成為圍繞四個側面33～36。

作為側面基底電極47以及48，具有多個第一側面基底電極47a及48a、以及位于比這些第一側面基底電極47a及48a更靠端面37及38，換言之位于最內側的第二側面基底電極47b及48b。

由端面基底電極45及46以及側面基底電極47及48構成的基底電極45～48被分類為基底主電極61及62和基底副電極63及64。在這里，基底副電極63以及64分別位于沿鍍覆膜43以及44的邊緣43a以及44a，上述第二側面基底電極47b以及48b相當于該基底副電極63以及64。另一方面，基底主電極61以及62分別與基底副電極63以及64相比，位于更離開鍍覆膜43以及44的邊緣43a以及44a，上述第一側面基底電極47a以及48a以及端面基底電極45以及46相當于該基底主電極61以及62。

如圖1所示，第一側面基底電極47a以及48a分別存在多個，但第二側面基底電極47b以及48b分別各一個。因此，在電子部件基體32的側面33、34、35以及36露出的第一側面基底電極47a以及48a的面積比第二側面基底電極47b以及48b的面積大。

并且，若對基底主電極61及62以及基底副電極63及64的各自的露出面積進行比較，則由于基底主電極61以及62分別除了上述第一側面基底電極47a以及48a以外，還包含有端面基底電極45以及46，所以其露出面積比基底副電極63以及64的露出面積大出很多。

多個第一側面基底電極47a相互間以及多個第一側面基底電極47a與端面基底電極45至少通過一個連接用導體49電連接。同樣地，多個第一側面基底電極48a相互間以及多個第一側面基底電極48a與端面基底電極46至少通過一個連接用導體50電連接。其結果，基底主電極61以及62分別處于電共用連接的狀態。

上述連接用導體49以及50例如由通過在應成為提供電子部件基體32的層疊構造的多個陶瓷層40的多個陶瓷生片的特定的位置設置貫通孔，并向該貫通孔填充導電性漿料而形成的通孔導體來提供。這樣，端面基底電極45及46與第一側面基底電極47a及48a的各自的電連接以及第一側面基底電極47a及48a的分別相互的電連接經由電子部件基體32的內部來實現。

另一方面，由第二側面基底電極47b以及48b提供的基底副電極63以及64分別在形成鍍覆膜43以及44之前的階段，處于未與基底主電極61以及62電連接的狀態。

作為用于形成上述的側面基底電極47及48以及連接用導體49及50的導電性漿料，例如使用作為導電成分包含Ag或者Cu的材料。

在圖3中，以圖解的方式示有對電子部件基體32通過筒鍍法實施了電解鍍覆的狀態。在收納有電解液51的鍍覆槽52內，配置沿箭頭53方向旋轉的滾筒54。向滾筒54內，與多個導電性的介質55一起裝填成為電解鍍覆的對象的多個電子部件基體32。在電解液51內配置陽極56，將陰極57配置成可以與滾筒54內的介質55接觸。

根據筒鍍法，通過滾筒54旋轉，對其中的電子部件基體32以及介質55進行攪拌，通過該攪拌，促進介質55與作為種子電極的端面基底電極45及46以及側面基底電極47及48的接觸。而且，在介質55接觸期間，對端面基底電極45及46以及側面基底電極47及48通電，將它們作為種子電極來進行電解鍍覆。

提供上述的外部電極41以及42的鍍覆膜43以及44所具有的鍍覆生長尺寸，在圖1中，用“L1”來表示。在上述的基底主電極61及62以及基底副電極63及64中所采用的露出面積的關系以及電連接的方式起到抑制鍍覆生長尺寸L1的偏差，即、鍍覆膜43及44的邊緣43a及44a的位置的偏差的作用。

在實施了圖3所示的筒鍍法時，基底主電極61以及62比基底副電極63以及64的介質55的供電的頻率高。因此，由基底主電極61以及62提供的鍍覆生長與由基底副電極63以及64提供的鍍覆生長相比，被進一步促進。換言之，可進一步抑制由位于最內側的作為決定鍍覆生長尺寸L1的基底副電極63以及64的第二側面基底電極47b以及48b提供的鍍覆生長。

因此，很容易使鍍覆生長以將第二側面基底電極47b以及48b的附近作為鍍覆膜43以及44的邊緣43a以及44a的方式發生，其結果，能夠抑制鍍覆生長尺寸L1的偏差。因此，能夠在經由這樣的鍍覆工序而得到的電子部件31中，抑制其特性的偏差。

另外，由于鍍覆生長的終端由第二側面基底電極47b以及48b規定，所以鍍覆膜43以及44的邊緣43a以及44a的形狀仿效成第二側面基底電極47b以及48b的形狀。因此，由于第二側面基底電極47b以及48b是延伸成直線狀的形狀，所以鍍覆膜43以及44的邊緣43a以及44a也能夠仿效該形狀而成為延伸成直線狀的形狀。其結果，能夠在外部電極41以及42的外觀上，得到良好的形態，因此，能夠提高該電子部件31的安裝性。

另一方面，由于由基底主電極61以及62提供的鍍覆生長與由基底副電極63以及64提供的鍍覆生長相比，被進一步促進，所以能夠在基底主電極61以及62上，高效地生長鍍覆膜43以及44。

接下來，參照圖4，對本發明的第二實施方式進行說明。在圖4中，示意性地以剖視圖的方式示有電子部件所具備的電子部件基體32a。在圖4中，對于與圖1或者圖2所示的要素相當的要素標注相同的參照符號，并省略重復的說明。

在圖4所示的電子部件基體32a中，特征在于：第一側面基底電極47a以及48a分別經由電子部件基體32a的外表面與端面基底電極45以及46電連接。更具體而言，第一側面基底電極47a以及48a分別經由以在電子部件基體32a的外表面露出的狀態設置的各個至少一個連接用導體49a以及50a，與端面基底電極45以及46電連接，并且第一側面基底電極47a以及48a分別相互電連接。

根據該第二實施方式，也能得到與上述第一實施方式的情況相同的效果。此外，在第二實施方式中，通過連接用導體49a以及50a，或多或少也能實現基底主電極61以及62的露出面積的增大。

上述連接用導體49a以及50a例如以如下的方式形成。即、在通過分割，而能夠取出多個電子部件基體32a的電子部件基體的集合體上設置有通孔導體，將集合體分割成平分通孔導體。而且，在取出了多個電子部件基體32a時，在該取出了電子部件基體32a的外表面形成平分了通孔導體的形態的連接用導體49a以及50a。上述通孔導體可以通過在應成為提供電子部件基體的集合體中的層疊構造的多個陶瓷層40的多個陶瓷生片的特定的位置設置貫通孔，并向該貫通孔填充導電性漿料而形成。

若為了連接用導體49a以及50a的形成，而采用上述方法，則能夠期待加工費的減少。

接下來，參照圖5，對本發明的第三實施方式進行說明。在圖5中，示意性地以剖視圖的方式示有電子部件所具備的電子部件基體32b。在圖5中，對于與圖1或者圖2所示的要素相當的要素標注相同的參照符號，并省略重復的說明。

在圖5所示的電子部件基體32b中，特征在于：第一側面基底電極47a以及48a分別在電子部件基體32b的外表面上，從端面基底電極45以及46開始以一體地延伸的方式，形成在側面33～36上，由此，第一側面基底電極47a以及48a分別與端面基底電極45以及46電連接。這樣，由端面基底電極45及46以及第一側面基底電極47a及48a分別構成的基底主電極61及62分別由一體的導體膜構成。

根據該第三實施方式，能得到與上述第一實施方式的情況相同的效果。

上述第一側面基底電極47a可以通過與端面基底電極45一起，對在電子部件基體32b上通過浸漬法施加的導電性漿料進行燒結而形成。同樣地，第一側面基底電極48a可以通過與端面基底電極46一起，對在電子部件基體32b上通過浸漬法施加的導電性漿料進行燒結而形成。

若為了第一側面基底電極47a以及48a的形成，而采用上述方法，則能夠期待工序數的減少。

成為基底副電極63以及64的第二側面基底電極47b以及48b的形成方法與第一實施方式的情況相同。

接下來，參照圖6，對本發明的第四實施方式進行說明。在圖6中，示意性地以剖視圖的方式示有電子部件31c。在圖6中，對于與圖1所示的要素相當的要素，標注相同的參照符號，并省略重復的說明。

在圖6所示的電子部件31c所具備的電子部件基體32c中，線圈導體39的各端部分別與多個第一側面基底電極47a的任意一個、以及多個第一側面基底電極48a的任意一個電連接。另外，連接用導體49a以及50a分別在多個第一側面基底電極47a相互間以及多個第一側面基底電極48a相互間連接，但未與端面基底電極45以及46連接。

在圖6所示的電子部件31c中，通過各個多個第一側面基底電極47a以及48a分別提供基底主電極61以及62，通過第二側面基底電極47b以及48b分別提供基底副電極63以及64。

第一側面基底電極47a以及48a分別存在多個，但第二側面基底電極47b以及48b分別是一個。因此，在電子部件基體32的側面33、34、35以及36露出的第一側面基底電極47a以及48a的面積比第二側面基底電極47b以及48b的面積大。換言之，基底主電極61以及62的露出面積比基底副電極63以及64的露出面積大。

在圖6所示的電子部件31c中，端面基底電極45以及46分別與基底主電極61以及62在鍍覆膜43以及44形成前的階段未電連接，但成為發揮與基底主電極61以及62同等功能的基底電極。

在以上說明的實施方式中，外部電極41以及42形成為延伸到電子部件基體32、32a、32b以及32c的各自的四個側面33～36，但也可以形成為延伸到三個側面、對置的或相鄰的兩個側面、或者僅一個側面。因此，對于鍍覆膜43以及44，也可以形成為延伸到三個側面、對置的或相鄰的兩個側面、或者僅一個側面，與此相應地，對于側面基底電極，也可以形成為在三個側面、對置的或相鄰的兩個側面、或者僅一個側面露出。另外，對于外部電極形成為從電子部件基體的端面的一部分僅延伸到一個側面的一部分的電子部件，也能夠應用本發明。

參照圖7以及圖8，對本發明的第五實施方式進行說明。在圖7中，示意性地以剖視圖的方式示有電子部件31d，在圖8中，以仰視圖的方式示有圖7所示的電子部件31d。在圖7以及圖8中，對于與圖1所示的要素相當的要素，標注相同的參照符號，并省略重復的說明。

圖7以及圖8所示的電子部件31d的特征在于，僅在與電子部件基體32d的底面相當的一個側面35上，形成外部電極67以及68。外部電極67以及68分別具備通過電解鍍覆形成的鍍覆膜69以及70。在電子部件基體32d，為了鍍覆膜69以及70的形成，形成成為鍍覆生長的起點的種子電極。

作為種子電極，具有與鍍覆膜69以及70分別對應地、以在電子部件基體32d的側面35露出的方式形成的各個多個側面基底電極71以及72。側面基底電極71以及72能夠通過與上述的側面基底電極47以及48相同的方法來形成。如圖8清晰地所示的那樣，側面基底電極71以及72由相互平行的多個線段狀露出部來提供。

作為側面基底電極71以及72，具有多個第一側面基底電極71a以及72a、和位于比這些第一側面基底電極71a以及72a更離開端面37以及38的、換言之，位于最內側的第二側面基底電極71b以及72b。

這些側面基底電極71以及72被分類為基底主電極73以及74和基底副電極75以及76。在這里，基底副電極75以及76分別位于鍍覆膜69以及70的特定的邊緣，即、沿相互對置的邊緣69a以及70a，上述第二側面基底電極71b以及72b相當于該基底副電極75以及76。另一方面，基底主電極73以及74分別與基底副電極75以及76相比，位于更離開鍍覆膜69以及70的上述特定的邊緣69a以及70a，上述第一側面基底電極71a以及72a相當于該基底主電極73以及74。

如圖7以及圖8所示，第一側面基底電極71a以及72a分別存在多個，但第二側面基底電極71b以及72b分別各一個。因此，由在電子部件基體32d的側面35露出的第一側面基底電極71a以及72a的面積提供的基底主電極73以及74的露出面積比由第二側面基底電極71b以及72b的面積提供的基底副電極75以及76的露出面積大。

如圖7所示，多個第一側面基底電極71a相互間通過至少一個連接用導體49b電連接。同樣地，多個第一側面基底電極72a相互間通過至少一個連接用導體50b電連接。其結果，基底主電極73以及74分別處于電共用連接的狀態。連接用導體49b以及50b能夠通過與圖1所示的連接用導體49以及50的情況相同的方法來形成。連接用導體49b以及50b也可以設置為與圖4所示的連接用導體49a以及50a相同。

另一方面，由第二側面基底電極71b以及72b提供的基底副電極75以及76分別在形成鍍覆膜69以及70前的階段，處于未與基底主電極73以及74電連接的狀態。

另外，在該電子部件31d中，作為設置于電子部件基體32d的內部的內部導體的線圈導體39的各端部分別通過與第一側面基底電極71a的任意一個以及第一側面基底電極72a的任意一個連接，而與外部電極67以及68電連接。

在對上述的電子部件基體32d通過筒鍍法實施電解鍍覆時，在導電性的介質55(參照圖3)與作為種子電極的側面基底電極71以及72接觸期間，對側面基底電極71以及72通電，并將它們作為種子電極來進行電解鍍覆。在這里，基底主電極73以及74比基底副電極75以及76的介質55的供電的頻率高。因此，由基底主電極73以及74提供的鍍覆生長與由基底副電極75以及76提供的鍍覆生長相比，被進一步促進。換言之，可進一步抑制由位于沿想要形成的鍍覆膜69以及70的特定的邊緣69a以及70a的作為基底副電極75以及76的第二側面基底電極71b以及72b提供的鍍覆生長。

因此，很容易使鍍覆生長以將第二側面基底電極71b以及72b的附近作為鍍覆膜69以及70的邊緣69a以及70a的方式發生，并能夠抑制邊緣69a以及70a的各位置的偏差。由于鍍覆膜69以及70，即外部電極67以及68的邊緣69a以及70a處于相互對置的位置關系，所以這些邊緣69a以及70a的位置給電子部件31d的特性、安裝性帶來相對較大的影響。根據圖7以及圖8所示的電子部件31d，由于能夠抑制邊緣69a以及70a的各位置的偏差，所以能夠抑制特性的偏差，并且能夠提高安裝性。

如圖8中用虛線所示的那樣，該電子部件31d也具有第二側面基底電極71b以及72b的線段狀露出部的長邊方向尺寸W2比第一側面基底電極71a以及72a的線段狀露出部的長邊方向尺寸W1大的特征。像這樣，通過選擇第一側面基底電極71a以及72a與第二側面基底電極71b以及72b的尺寸關系，能夠使形成于鍍覆膜69以及70、進而外部電極67以及68的內側的邊緣69a以及70a的各自的兩端的角部成為更銳利的形態。

本發明并不局限于外部電極的個數是兩個的電子部件，例如也能夠適用于像陣列型的電子部件那樣，具有三個以上外部電極的電子部件。

接下來，參照圖9至圖11，對本發明的第六實施方式進行說明。將第六實施方式的電子部件31e在圖9中通過主視圖來表示，在圖10中通過仰視圖來表示，在圖11中，通過沿圖10的線XI-XI的剖視圖來表示。在圖9至圖11中，對于與圖1所示的要素相當的要素標注相同的參照符號，并省略重復的說明。

圖9至圖11所示的電子部件31e的特征在于：在電子部件基體32e的外表面上，形成6個外部電極77～82。外部電極77～82分別具備通過電解鍍覆形成的鍍覆膜83～88。鍍覆膜83以及84形成為從構成電子部件基體32e的底面的側面35延伸到端面37。鍍覆膜85以及86形成為從側面35延伸到端面38。鍍覆膜87形成為從側面35延伸到側面34，鍍覆膜88形成為從側面35延伸到側面36。

在電子部件基體32e，為了鍍覆膜83～88的形成，形成成為鍍覆生長的起點的種子電極。

若對用于形成鍍覆膜83的種子電極進行說明，則種子電極具備端面基底電極89以及側面基底電極90。側面基底電極90被分類為位于更離開鍍覆膜83的特定的邊緣83a的多個第一側面基底電極90a和位于沿鍍覆膜83的特定的邊緣83a的第二側面基底電極90b。用于形成鍍覆膜83的基底主電極91由通過連接用導體92相互連接的端面基底電極89以及多個第一側面基底電極90a來提供，基底副電極93由第二側面基底電極90b來提供。

對于用于形成鍍覆膜84～86的每一個鍍覆膜的種子電極，由于也是與用于形成鍍覆膜83的種子電極實質相同的結構，所以省略重復的說明。

另一方面，用于形成鍍覆膜87的種子電極具備多個側面基底電極94。側面基底電極94被分類為位于更離開鍍覆膜87的特定的邊緣87a以及87b的多個第一側面基底電極94a和分別位于沿鍍覆膜87的特定的邊緣87a以及87b的第二側面基底電極94b。用于形成鍍覆膜87的基底主電極95由通過連接用導體96相互連接的多個第一側面基底電極94a來提供，基底副電極97由第二側面基底電極94b來提供。

對于用于形成鍍覆膜88的種子電極，也是與用于形成鍍覆膜87的種子電極實質相同的結構，所以省略重復的說明。

在電子部件基體32e的內部設置作為內部導體的線圈導體98，線圈導體98的各端部分別與作為用于形成鍍覆膜83的種子電極的端面基底電極89以及作為用于形成鍍覆膜85的電極的端面基底電極電連接。對于設置于電子部件基體32e的內部的其它內部導體以及這些內部導體與外部電極77～82的連接方式的圖示以及說明，對其省略。

在該第六實施方式中，基底主電極91以及95的各自的露出面積分別滿足比基底副電極93以及97的各自的露出面積大這樣的條件。

以上，作為成為本發明的對象的電子部件，以線圈部件為例進行了說明。在是線圈部件的情況下，電子部件基體32由鐵素體材料構成，但鐵素體材料比例如層疊陶瓷電容器的情況下的構成電子部件基體的電介質材料表面阻力值低。因此，對于鍍覆生長尺寸的偏差的幅度而言，能夠推測鐵素體材料比電介質材料寬。在這一點上，可以說與將本發明應用于層疊陶瓷電容器的情況相比，將本發明應用于線圈部件時意義更大。

然而，本發明并不局限于線圈部件，既能夠應用于層疊陶瓷電容器、熱敏電阻等其它陶瓷電子部件，也能夠進一步應用于陶瓷電子部件以外的電子部件。

另外，對于成為基底主電極的側面基底電極的被圖示出的個數而言，從附圖制作的難易的點考慮相對地減少了，但實際上設置更多的個數的側面基底電極。另一方面，對于成為基底副電極的側面基底電極的個數而言，圖示出了對鍍覆膜的一個邊緣設置一個的例子，但根據需要，也可以設置2個。另外，在基底主電極與基底副電極之間的露出面積的差也可以是因側面基底電極的厚度的差而造成的。

另外，在圖示的實施方式的說明中，對于立方體形狀的電子部件基體的外表面，使用了“側面”以及“端面”這樣的名稱，但這些“側面”以及“端面”是相對地來決定的，能夠任意地決定將任一面稱為“側面”或者“端面”。

另外，在圖示的實施方式中，電子部件基體是立方體形狀，但對于電子部件基體是立方體形狀以外的、例如圓柱狀、圓板狀的電子部件也能夠應用本發明。

附圖標記的說明

31、31c、31d、31e…電子部件；32、32a、32b、32c、32d、32e…電子部件基體；33～36…側面；37、38…端面；39、98…線圈導體(內部導體)；41、42、77～82…外部電極；43、44、83～88…鍍覆膜；43a、44a、83a、87a、87b…鍍覆膜的邊緣；45、46、89…端面基底電極；47、48、71、72、90、94…側面基底電極；47a、48a、71a、72a、90a、94a…第一側面基底電極；47b、48b、71b、72b、90b、94b…第二側面基底電極；49、50、49a、50a、92、96…連接用導體；61、62、73、74、91、95…基底主電極；63、64、75、76、93、97…基底副電極；L1…鍍覆生長尺寸。