本發明涉及圖像傳感器，尤其涉及一種圖像傳感器的金屬互聯層結構及其形成方法。
背景技術：
圖像傳感器是將光信號轉化為電信號的半導體器件，現有的圖像傳感器根據感光元件及運作機理的不同分為CCD和CMOS兩種，CMOS圖像傳感器由于其高集成度等諸多特性已經廣泛應用于智能手機、平板電腦、車載、視頻監控領域。CMOS圖像傳感器包括器件層及位于器件層表面的若干金屬層；現有的金屬層的形成過程為形成金屬層，覆蓋金屬層的介質層，通過平臺化工藝將介質層表面平坦，再在介質層表面形成另一金屬層。此類做法的工藝實現較容易，但會導致相鄰金屬層之間距離較大，圖像傳感器的厚度較大，并且電學性能較差。
技術實現要素：
為了減少CMOS圖像傳感器相鄰金屬層之間的距離本發明提供一種圖像傳感器的金屬互聯層結構，包括：設置于器件層上的若干層金屬層；位于金屬層之間的介質層；其中，在至少一對相鄰金屬層中，上一層金屬層的底面的豎直高度低于下一層金屬層的頂面的豎直高度。
優選的，所述介質層的厚度大于等于100埃。
優選的，所述介質層的材質為：氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
本發明還提供一種圖像傳感器的金屬互聯層結構的形成方法，包括：
依次形成設置于器件層上的若干層金屬層及位于相鄰金屬層之間的介質層；其中，在至少一對相鄰金屬層中，上一層金屬層的底面的豎直高度低于下一層金屬層的頂面的豎直高度。
優選的，至少一對相鄰金屬層的形成方法包括：
形成下一層金屬層；
形成第一介質層覆蓋于下一金屬層上；
形成上一層金屬層，上一層金屬層的底面的豎直高度低于下一層金屬層的頂面的豎直高度。
優選的，所述介質層的厚度大于等于100埃。
優選的，氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
本發明上一層金屬層的底面的豎直高度低于下一層金屬層的頂面的豎直高度，以減少相鄰金屬層之間的距離，提高圖像傳感器的電學性能。
附圖說明
通過參照附圖閱讀以下所作的對非限制性實施例的詳細描述，本發明的其它特征、目的和優點將會變得更明顯。
圖1為本發明一實施例中的圖像傳感器金屬互聯層結構示意圖。
在圖中，貫穿不同的示圖，相同或類似的附圖標記表示相同或相似的裝置（模塊）或步驟。
具體實施方式
在以下優選的實施例的具體描述中，將參考構成本發明一部分的所附的附圖。所附的附圖通過示例的方式示出了能夠實現本發明的特定的實施例。示例的實施例并不旨在窮盡根據本發明的所有實施例。可以理解，在不偏離本發明的范圍的前提下，可以利用其他實施例，也可以進行結構性或者邏輯性的修改。因此，以下的具體描述并非限制性的，且本發明的范圍由所附的權利要求所限定。
本發明提供一種圖像傳感器的金屬互聯層結構，包括：設置于器件層上的若干層金屬層；位于金屬層之間的介質層；其中，在至少一對相鄰金屬層中，上一層金屬層的底面的豎直高度低于下一層金屬層的頂面的豎直高度。
下面結合具體實施例對本發明的內容進行詳細說明。請參考圖1，圖1為本發明一實施例中的圖像傳感器金屬互聯層結構示意圖。在器件層500的一面上形成第一金屬層100，于第一金屬層100的表面鋪設形成第一介質層300，第一介質層的厚度大于等于100埃（A），并且材質為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。第一介質層300部分區域的頂面低于第一金屬層100的底面，再在第一介質層300上形成第二金屬層200，第二金屬層200的底面的豎直高度低于第一金屬層100的頂面的豎直高度。這樣第一金屬層100與第二金屬層200的厚度相較現有技術就減少了，第一介質層300部分區域的頂面低于第一金屬層100的底面的實現方式通過鋪設第一介質層300，通過曝光、顯影、刻蝕去掉部分區域的介質層至低于第一金屬層100的頂面。在另一實施例中，還可以將第二金屬層200與金屬層400做成MIM的電容，由于第二金屬層200的高度降低，導致該電容較大，擊穿電壓較低。
本發明還提供一種圖像傳感器的金屬互聯層結構的形成方法，其特征包括：依次形成設置于器件層上的若干層金屬層及位于相鄰金屬層之間的介質層；其中，在至少一對相鄰金屬層中，上一層金屬層的底面的豎直高度低于下一層金屬層的頂面的豎直高度。
至少一對相鄰金屬層的形成方法包括：形成下一層金屬層；形成第一介質層覆蓋于下一金屬層上；形成上一層金屬層，上一層金屬層的底面的豎直高度低于下一層金屬層的頂面的豎直高度。
對于本領域技術人員而言，顯然本發明不限于上述示范性實施例的細節，而且在不背離本發明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現本發明。因此，無論如何來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的。此外，明顯的，“包括”一詞不排除其他元素和步驟，并且措辭“一個”不排除復數。裝置權利要求中陳述的多個元件也可以由一個元件來實現。第一，第二等詞語用來表示名稱，而并不表示任何特定的順序。