有機發光顯示設備及其制造方法與流程

技術領域

本發明涉及一種有機發光顯示設備，尤其涉及一種頂部發光型有機發光顯示設備及其制造方法。

背景技術：

有機發光顯示設備是自發光設備且具有低功耗、快速響應時間、高發光效率、高亮度以及寬視角。

根據從有機發光裝置發射的光的傳輸方向，有機發光顯示設備分為頂部發光型和底部發光型。在底部發光型中，在發光層與圖像顯示表面之間設置有電路元件，由于此原因，開口率降低。另一方面，在頂部發光型中，在發光層與圖像顯示表面之間沒有設置電路元件，因而開口率提高。

圖1是相關技術的頂部發光型有機發光顯示設備的示意性剖面圖。

如圖1中所示，在基板10上的有源區域AA中形成有薄膜晶體管(TFT)層T，且在TFT層T上依次形成有鈍化層20和平坦化層30，其中TFT層T包括有源層11、柵極絕緣層12、柵極電極13、層間電介質14、源極電極15和漏極電極16。

在平坦化層30上形成有陽極電極40和輔助電極50。輔助電極50降低下面要描述的陰極電極80的電阻。

在陽極電極40和輔助電極50上形成有堤部60，堤部60限定像素區域。在由堤部60限定的像素區域中形成有有機發光層70，且在有機發光層70上形成有陰極電極80。

在頂部發光型中，從有機發光層70發射的光穿過陰極電極80。因此， 陰極電極80由透明導電材料形成，陰極電極80的電阻增加。為了降低陰極電極80的電阻，陰極電極80連接至輔助電極50。

柵極絕緣層12和層間電介質14形成在基板10上的焊盤區域PA中，在層間電介質14上形成有信號焊盤90，且在信號焊盤90上形成有鈍化層20。在鈍化層20中設置有孔，信號焊盤90通過孔暴露到外部。因為信號焊盤90應當連接至外部驅動電路，所以通過在鈍化層20中形成孔將信號焊盤90暴露到外部。

相關技術的頂部發光型有機發光顯示設備具有下面的問題。

因為信號焊盤90應當連接至外部驅動電路，所以信號焊盤90的頂部暴露到外部。由于此原因，信號焊盤90的頂部被腐蝕，并且腐蝕擴展至其他區域。可在信號焊盤90的頂部上進一步形成抗腐蝕性非常出色的金屬層，從而防止信號焊盤90的頂部被腐蝕，但在這種情形中，工藝數增加。此外，可通過同一工藝在信號焊盤90上形成與陽極電極40相同的電極層，從而防止信號焊盤90的頂部被腐蝕而不增加工藝數。然而，即使在這種情形中，仍不能防止電極層的材料被腐蝕，或者仍不能防止腐蝕通過電極層的側表面擴展。

此外，為了將信號焊盤90連接至外部驅動電路，通過在鈍化層20中形成孔來暴露信號焊盤90的頂部，但當預先形成鈍化層20的孔時，用于圖案化形成陽極電極40的蝕刻劑流經孔并損壞信號焊盤90。為了防止損壞，可在完成圖案化形成陽極電極40的工藝之后，單獨進行用于暴露信號焊盤90的頂部的鈍化層20的孔形成工藝，但在這種情形中，增加了單獨的掩模工藝。

技術實現要素：

因此，本發明旨在提供一種基本上克服了由于相關技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題的頂部發光型有機發光顯示設備及其制造方法。

本發明的一個方面旨在提供一種頂部發光型有機發光顯示設備及其制造方法，其中額外的工藝數被最小化并且防止了信號焊盤被腐蝕。

在下面的描述中將部分列出本發明的附加優點和特征，這些優點和特征的一部分根據下面的解釋對于所屬領域普通技術人員將變得顯而易見或者可 通過本發明的實施領會到。通過說明書、權利要求書以及附圖中具體指出的結構可實現和獲得本發明的這些目的和其他優點。

為了實現這些和其他優點并且根據本發明的意圖，如在此具體化和概括描述的，提供了一種有機發光顯示設備，其中在基板的有源區域中設置有陽極電極、有機發光層、陰極電極、以及連接至所述陰極電極的輔助電極，并且在所述基板的焊盤區域中設置有信號焊盤以及連接至所述信號焊盤的第一焊盤電極，其中所述輔助電極包括第一輔助電極以及通過接觸孔連接至所述第一輔助電極的第二輔助電極，且所述第一焊盤電極由與所述第一輔助電極的材料相同的材料形成。

在本發明的另一個方面中，提供了一種有機發光顯示設備，配置成包括有源區域和焊盤區域的基板；設置在所述基板的有源區域中的陽極電極；設置在所述陽極電極上的有機發光層；設置在所述有機發光層上的陰極電極；連接至所述陰極電極的輔助電極；設置在所述基板的焊盤區域中的信號焊盤；和連接至所述信號焊盤的第一焊盤電極，所述第一焊盤電極覆蓋所述信號焊盤的頂部以防止所述信號焊盤的頂部被腐蝕，其中：所述輔助電極包括第一輔助電極以及通過接觸孔連接至所述第一輔助電極的第二輔助電極，且所述第一焊盤電極由與所述第一輔助電極的材料相同的材料形成。

在本發明的又一個方面中，提供了一種制造有機發光顯示設備的方法，包括：在基板上形成源極電極、漏極電極和信號焊盤；在所述源極電極、所述漏極電極和所述信號焊盤上形成鈍化層；通過去除所述鈍化層的預定區域形成將所述源極電極或所述漏極電極暴露在外部的接觸孔，并通過去除所述鈍化層的另一部分區域形成用于將所述信號焊盤暴露在外部的接觸孔；形成連接至所述源極電極或所述漏極電極的第一陽極電極、與所述第一陽極電極分離的第一輔助電極、以及連接至所述信號焊盤的第一焊盤電極，所述第一焊盤電極由與所述第一輔助電極的材料相同的材料形成；以及形成將所述第一陽極電極暴露在外部的第一接觸孔，并形成將所述第一輔助電極暴露在外部的第二接觸孔。

應當理解，本發明前面的大體性描述和下面的詳細描述都是例示性的和解釋性的，意在對要求保護的本發明提供進一步的解釋。

附圖說明

所包括的用以給本發明提供進一步理解并且并入本申請組成本申請一部分的附圖圖解了本發明的實施方式，并與說明書一起用于解釋本發明的原理。在附圖中：

圖1是相關技術的頂部發光型有機發光顯示設備的示意性剖面圖；

圖2是根據本發明一實施方式的有機發光顯示設備的剖面圖；

圖3是根據本發明另一實施方式的有機發光顯示設備的剖面圖；

圖4A到4K是圖解根據本發明一實施方式的制造有機發光顯示設備的方法的剖面圖；以及

圖5A到5H是圖解根據本發明另一實施方式的制造有機發光顯示設備的方法的剖面圖。

具體實施方式

現在將詳細描述本發明的典型實施方式，在附圖中圖示了這些實施方式的一些例子。盡可能地在整個附圖中使用相同的參考標記表示相同或相似的部分。

將通過參照附圖描述的下列實施方式闡明本發明的優點和特征以及其實現方法。然而，本發明可以以不同的形式實施，不應解釋為限于在此列出的實施方式。而是，提供這些實施方式是為了使公開內容全面和完整，并將本發明的范圍充分地傳遞給所屬領域技術人員。此外，本發明僅由權利要求書的范圍限定。

為了描述本發明的實施方式而在附圖中公開的形狀、尺寸、比例、角度和數量僅僅是示例，因而本發明不限于圖示的細節。相似的參考標記通篇表示相似的元件。在下面的描述中，當確定對相關的已知功能或構造的詳細描述會不必要地使本發明的重點模糊不清時，將省略該詳細描述。在本說明書中使用“包括”、“具有”和“包含”進行描述的情況下，可添加其他部件，除非使用了“僅”。

在解釋一要素時，盡管沒有明確說明，但該要素應解釋為包含誤差范圍。

在描述位置關系時，例如，當兩個部件之間的位置關系描述為“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……之后”時，可在這兩個部件之間設置一個或多個其他部件，除非使用了“正好”或“直接”。

在描述時間關系時，例如，當時間順序描述為“在……之后”、“隨后”、“接下來”和“在……之前”時，可包括不連續的情況，除非使用了“正好”或“直接”。

將理解到，盡管在本文中可使用術語“第一”、“第二”等來描述各種元件，但這些元件不應被這些術語限制。這些術語僅僅是用來彼此區分元件。例如，在不背離本發明的范圍的情況下，第一元件可能被稱為第二元件，相似地，第二元件可能被稱為第一元件。

所屬領域技術人員能夠充分理解，本發明各實施方式的特征可彼此部分或整體地結合或組合，且可在技術上彼此進行各種互操作和驅動。本發明的實施方式可彼此獨立實施，或者以相互依賴的關系一起實施。

下文中，將參照附圖詳細描述本發明的典型實施方式。

圖2是根據本發明一實施方式的有機發光顯示設備的剖面圖。

如圖2中所示，根據本發明一實施方式的有機發光顯示設備可包括有源區域AA和焊盤區域PA，有源區域AA和焊盤區域PA包含在基板100中。

可在基板100的有源區域AA中形成薄膜晶體管(TFT)T、鈍化層165、第一平坦化層171、第二平坦化層172、第一陽極電極180、第二陽極電極200、第一輔助電極190、第二輔助電極210、堤部220、分隔壁230、有機發光層240以及陰極電極250。

TFT T可包括有源層110、柵極絕緣層120、柵極電極130、層間電介質140、源極電極150和漏極電極160。

有源層110可在基板100上形成為與柵極電極130重疊。有源層110可由基于硅的半導體材料形成，或者可由基于氧化物的半導體材料形成。盡管未示出，但可在基板100與有源層110之間進一步形成遮光層，在這種情形中，通過基板100的底部入射的外部光被遮光層阻擋，由此防止有源層110被外部光損壞。

可在有源層110上形成柵極絕緣層120。柵極絕緣層120可將有源層 110與柵極電極130絕緣。柵極絕緣層120可由無機絕緣材料，例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多層形成，但并不限于此。柵極絕緣層120可延伸至焊盤區域PA。

可在柵極絕緣層120上形成柵極電極130。柵極電極130可形成為與有源層110重疊且在柵極電極130與有源層110之間具有柵極絕緣層120。柵極電極130可由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)之一或者其合金形成的單層或多層形成，但并不限于此。

可在柵極電極130上形成層間電介質140。層間電介質140可由與柵極絕緣層120相同的無機絕緣材料，例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多層形成，但并不限于此。層間電介質140可延伸至焊盤區域PA。

可在層間電介質140上形成彼此面對的源極電極150和漏極電極160。可在柵極絕緣層120和層間電介質140中設置暴露有源層110的一個端部區域的第一接觸孔CH1以及暴露有源層110的另一個端部區域的第二接觸孔CH2。源極電極150可通過第二接觸孔CH2連接至有源層110的另一個端部區域，且漏極電極160可通過第一接觸孔CH1連接至有源層110的一個端部區域。

源極電極150可包括下部源極電極151和上部源極電極152。

下部源極電極151可形成在層間電介質140與上部源極電極152之間，可增強層間電介質140與上部源極電極152之間的粘合力。此外，下部源極電極151保護上部源極電極152的底部，由此防止上部源極電極152的底部被腐蝕。因此，下部源極電極151的氧化速率可低于上部源極電極152的氧化速率。就是說，下部源極電極151可由抗腐蝕性比形成上部源極電極152的材料強的材料形成。如上所述，下部源極電極151可用作粘合增強層或抗腐蝕層，下部源極電極151可由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但并不限于此。

上部源極電極152可形成在下部源極電極151的頂部上。上部源極電極152可由作為具有低電阻的金屬的Cu形成，但并不限于此。上部源極電極 152可由電阻相對低于下部源極電極151的金屬形成。為了降低源極電極150的總電阻，上部源極電極152的厚度可形成為比下部源極電極151的厚度厚。

與上述源極電極150類似，漏極電極160可包括下部漏極電極161和上部漏極電極162。

下部漏極電極161可形成在層間電介質140與上部漏極電極162之間。下部漏極電極161增強層間電介質140與上部漏極電極162之間的粘合力并且還防止上部漏極電極162的底部被腐蝕。因此，下部漏極電極161的氧化速率可低于上部漏極電極162的氧化速率。就是說，下部漏極電極161可由抗腐蝕性比形成上部漏極電極162的材料強的材料形成。如上所述，下部漏極電極161可由與下部源極電極151的上述材料相同的Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但并不限于此。

上部漏極電極162可形成在下部漏極電極161的頂部上，且上部漏極電極162可由與上部源極電極152的上述材料相同的Cu形成，但并不限于此。上部漏極電極162的厚度可形成為比下部漏極電極161的厚度厚，由此降低漏極電極160的總電阻。

上部漏極電極162可由與上部源極電極152相同的材料形成為具有與上部源極電極152相同的厚度，下部漏極電極161可由與下部源極電極151相同的材料形成為具有與下部源極電極151相同的厚度。在這種情形中，可通過同一工藝同時形成漏極電極160和源極電極150。

TFT T的基本結構不限于圖示的結構，其可如所屬領域技術人員已知的那樣進行各種修改。例如，附圖中圖解了柵極電極130形成在有源層110上方的頂柵結構，但可以以柵極電極130形成在有源層110下方的底柵結構形成TFT T。

可在TFT T上，更具體地說是在源極電極150和漏極電極160上形成鈍化層165。鈍化層165保護TFT T。鈍化層165可由無機絕緣材料(例如SiOx和SiNx)形成，但并不限于此。鈍化層165可延伸至焊盤區域PA。

可在鈍化層165上形成第一平坦化層171。第一平坦化層171可使包括TFT T的基板100的上表面變平坦。第一平坦化層171可由諸如亞克力樹 脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等之類的有機絕緣材料形成，但并不限于此。第一平坦化層171可不延伸至焊盤區域PA。

可在第一平坦化層171上形成第一陽極電極180和第一輔助電極190。就是說，第一陽極電極180和第一輔助電極190可形成在同一層上。可在鈍化層165和第一平坦化層171中設置暴露源極電極150的第三接觸孔CH3，源極電極150可通過第三接觸孔CH3連接至第一陽極電極180。在一個或多個實施方式中，第一陽極電極180與源極電極150連接。然而，源極電極150和漏極電極160可基于晶體管的模式進行切換。因此，在一個或多個實施方式中，第一陽極電極180可與漏極電極160而不是源極電極150連接。結果，第一陽極電極180可與源極電極150或漏極電極160連接。

第一陽極電極180可包括第一下部陽極電極181、第一上部陽極電極182以及第一蓋部陽極電極183。

第一下部陽極電極181可形成在第一平坦化層171與第一上部陽極電極182之間并可增強第一平坦化層171與第一上部陽極電極182之間的粘合力。此外，第一下部陽極電極181保護第一上部陽極電極182的底部，由此防止第一上部陽極電極182的底部被腐蝕。因此，第一下部陽極電極181的氧化速率可低于第一上部陽極電極182的氧化速率。就是說，第一下部陽極電極181可由抗腐蝕性比形成第一上部陽極電極182的材料強的材料形成。此外，第一下部陽極電極181保護上部源極電極152的頂部，由此防止上部源極電極152的頂部被腐蝕。因此，第一下部陽極電極181的氧化速率可低于上部源極電極152的氧化速率。就是說，第一下部陽極電極181可由抗腐蝕性比形成上部源極電極152的材料強的材料形成。如上所述，第一下部陽極電極181防止上部源極電極152的頂部被腐蝕，因而源極電極150可以以上述雙層結構形成。第一下部陽極電極181可用作粘合增強層或抗腐蝕層并可由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但并不限于此。

第一上部陽極電極182可形成在第一下部陽極電極181與第一蓋部陽極電極183之間。第一上部陽極電極182可由作為具有低電阻的金屬的Cu形成，但并不限于此。第一上部陽極電極182可由電阻相對低于第一下部陽極電極181的金屬形成。為了降低第一陽極電極180的總電阻，第一上部陽極 電極182的厚度可形成為比第一下部陽極電極181和第一蓋部陽極電極183的每一個的厚度厚。

第一蓋部陽極電極183可形成在第一上部陽極電極182上。第一蓋部陽極電極183可形成為覆蓋第一上部陽極電極182的頂部和側表面，由此防止第一上部陽極電極182被腐蝕。為此，第一蓋部陽極電極183的氧化速率可低于第一上部陽極電極182的氧化速率。就是說，第一蓋部陽極電極183可由抗腐蝕性比形成第一上部陽極電極182的材料強的材料形成。

第一蓋部陽極電極183可覆蓋到第一下部陽極電極181的側表面。在這種情形中，第一蓋部陽極電極183的氧化速率可低于第一下部陽極電極181的氧化速率。就是說，第一蓋部陽極電極183可由抗腐蝕性比形成第一下部陽極電極181的材料強的材料形成。第一蓋部陽極電極183可由諸如氧化銦錫(ITO)等之類的透明導電材料形成，但并不限于此。

與上述第一陽極電極180類似，第一輔助電極190可包括第一下部輔助電極191、第一上部輔助電極192以及第一蓋部輔助電極193。

第一下部輔助電極191可形成在第一平坦化層171與第一上部輔助電極192之間。第一下部輔助電極191增強第一平坦化層171與第一上部輔助電極192之間的粘合力并且還防止第一上部輔助電極192的底部被腐蝕。因此，第一下部輔助電極191的氧化速率可低于第一上部輔助電極192的氧化速率。就是說，第一下部輔助電極191可由抗腐蝕性比形成第一上部輔助電極192的材料強的材料形成。如上所述，第一下部輔助電極191可由與第一下部陽極電極181的上述材料相同的Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但并不限于此。

第一上部輔助電極192可形成在第一下部輔助電極191與第一蓋部輔助電極193之間并可由與第一上部陽極電極182的上述材料相同的Cu形成，但并不限于此。電阻相對低的第一上部輔助電極192的厚度可形成為比電阻相對高的第一下部輔助電極191和第一蓋部輔助電極193的每一個的厚度厚，由此降低第一輔助電極190的總電阻。

第一蓋部輔助電極193可形成在第一上部輔助電極192上。第一蓋部輔助電極193可形成為覆蓋第一上部輔助電極192的頂部和側表面，由此防止 第一上部輔助電極192被腐蝕。為此，第一蓋部輔助電極193的氧化速率可低于第一上部輔助電極192的氧化速率。就是說，第一蓋部輔助電極193可由抗腐蝕性比形成第一上部輔助電極192的材料強的材料形成。

第一蓋部輔助電極193可覆蓋到第一下部輔助電極191的側表面。在這種情形中，第一蓋部輔助電極193的氧化速率可低于第一下部輔助電極191的氧化速率。就是說，第一蓋部輔助電極193可由抗腐蝕性比形成第一下部輔助電極191的材料強的材料形成。第一蓋部輔助電極193可由諸如ITO等之類的透明導電材料形成，但并不限于此。

第一蓋部輔助電極193可由與第一蓋部陽極電極183相同的材料形成為具有與第一蓋部陽極電極183相同的厚度，第一上部輔助電極192可由與第一上部陽極電極182相同的材料形成為具有與第一上部陽極電極182相同的厚度，且第一下部輔助電極191可由與第一下部陽極電極181相同的材料形成為具有與第一下部陽極電極181相同的厚度。在這種情形中，可通過同一工藝同時形成第一輔助電極190和第一陽極電極180。

可在第一輔助電極190和第一陽極電極180上形成第二平坦化層172。第二平坦化層172與上述第一平坦化層171一起可使基板100的上表面變平坦。第二平坦化層172可由諸如亞克力樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等之類的有機絕緣材料形成，但并不限于此。第二平坦化層172可不延伸至焊盤區域PA。

第二平坦化層172中可包含第四接觸孔CH4和第五接觸孔CH5。可通過第四接觸孔CH4暴露第一陽極電極180，且可通過第五接觸孔CH5暴露第一輔助電極190。

可在第二平坦化層172上形成第二陽極電極200。第二陽極電極200可通過第四接觸孔CH4連接至第一陽極電極180。第二陽極電極200可在向上的方向上反射從有機發光層240發射的光，為此，第二陽極電極200可由具有優良反射率的材料形成。第二陽極電極200可包括第二下部陽極電極201、第二中部陽極電極202以及第二上部陽極電極203。

第二下部陽極電極201可形成在第一陽極電極180與第二中部陽極電極202之間。第二下部陽極電極201保護第二中部陽極電極202的底部，由此 防止第二中部陽極電極202的底部被腐蝕。為此，第二下部陽極電極201的氧化速率可低于第二中部陽極電極202的氧化速率。就是說，第二下部陽極電極201可由抗腐蝕性比形成第二中部陽極電極202的材料強的材料形成。第二下部陽極電極201可由諸如ITO等之類的透明導電材料形成，但并不限于此。

第二中部陽極電極202可形成在第二下部陽極電極201與第二上部陽極電極203之間。第二中部陽極電極202可由電阻低于第二下部陽極電極201和第二上部陽極電極203但反射率優于第二下部陽極電極201和第二上部陽極電極203的材料形成，例如，第二中部陽極電極202可由銀(Ag)形成。然而，本實施方式并不限于此。電阻相對低的第二中部陽極電極202的厚度可形成為比電阻相對高的第二下部陽極電極201和第二上部陽極電極203的每一個的厚度厚，由此降低第二陽極電極200的總電阻。

第二上部陽極電極203可形成在第二中部陽極電極202的頂部上，由此防止第二中部陽極電極202的頂部被腐蝕。為此，第二上部陽極電極203的氧化速率可低于第二中部陽極電極202的氧化速率。就是說，第二上部陽極電極203可由抗腐蝕性比形成第二中部陽極電極202的材料強的材料形成。第二上部陽極電極203可由諸如ITO等之類的透明導電材料形成，但并不限于此。

與第二陽極電極200類似，第二輔助電極210可形成在第二平坦化層172上。第二輔助電極210可通過第五接觸孔CH5與第一輔助電極190連接。第二輔助電極210可與第一輔助電極190一起降低陰極電極250的電阻。

第二輔助電極210可包括第二下部輔助電極211、第二中部輔助電極212以及第二上部輔助電極213。

第二下部輔助電極211可形成在第一輔助電極190與第二中部輔助電極212之間。第二下部輔助電極211保護第二中部輔助電極212的底部，由此防止第二中部輔助電極212的底部被腐蝕。為此，第二下部輔助電極211的氧化速率可低于第二中部輔助電極212的氧化速率。就是說，第二下部輔助電極211可由抗腐蝕性比形成第二中部輔助電極212的材料強的材料形成。 第二下部輔助電極211可由諸如ITO等之類的透明導電材料形成，但并不限于此。

第二中部輔助電極212可形成在第二下部輔助電極211與第二上部輔助電極213之間。第二中部輔助電極212可由電阻低于第二下部輔助電極211和第二上部輔助電極213但反射率優于第二下部輔助電極211和第二上部輔助電極213的材料形成，例如，第二中部輔助電極212可由銀(Ag)形成。然而，本實施方式并不限于此。電阻相對低的第二中部輔助電極212的厚度可形成為比電阻相對高的第二下部輔助電極211和第二上部輔助電極213的每一個的厚度厚，由此降低第二輔助電極210的總電阻。

第二上部輔助電極213可形成在第二中部輔助電極212的頂部上，由此防止第二中部輔助電極212的頂部被腐蝕。為此，第二上部輔助電極213的氧化速率可低于第二中部輔助電極212的氧化速率。就是說，第二上部輔助電極213可由抗腐蝕性比形成第二中部輔助電極212的材料強的材料形成。第二上部輔助電極213可由諸如ITO等之類的透明導電材料形成，但并不限于此。

第二上部輔助電極213可由與第二上部陽極電極203相同的材料形成為具有與第二上部陽極電極203相同的厚度，第二中部輔助電極212可由與第二中部陽極電極202相同的材料形成為具有與第二中部陽極電極202相同的厚度，且第二下部輔助電極211可由與第二下部陽極電極201相同的材料形成為具有與第二下部陽極電極201相同的厚度。在這種情形中，可通過同一工藝同時形成第二輔助電極210和第二陽極電極200。

根據本發明的實施方式，可形成彼此連接的兩個輔助電極(例如，第一輔助電極190和第二輔助電極210)來降低陰極電極250的電阻，因而更容易調節輔助電極的期望電阻特性。

更詳細地說，因為第二輔助電極210形成在與第二陽極電極200所在的層相同的層上，所以當第二輔助電極210的寬度增加時，第二陽極電極200的寬度應當減小，在這種情形中，顯示設備的像素區域減小。由于此原因，增加第二輔助電極210的寬度存在限制。因此，根據本發明的實施方式，可在第二輔助電極210的下方進一步形成與第二輔助電極210連接的第一輔助 電極190，因而有效降低了陰極電極250的電阻，而像素區域甚至沒有任何減小。

第一輔助電極190可形成在與第一陽極電極180所在的層相同的層上，并且因為第一陽極電極180將源極電極150連接至第二陽極電極200，所以第一陽極電極180的寬度減小，由此增加第一輔助電極190的寬度。就是說，第一輔助電極190的寬度可形成為比第一陽極電極180的寬度大，而且為了使第一輔助電極190與第二陽極電極200重疊，第一輔助電極190的寬度可增加，由此更有效地降低了陰極電極250的電阻。

可在第二陽極電極200和第二輔助電極210上形成堤部220。

堤部220可形成在第二陽極電極200的一側和另一側上，以暴露第二陽極電極200的頂部。因為堤部220形成為暴露第二陽極電極200的頂部，所以確保了顯示圖像的區域。此外，因為堤部220形成在第二陽極電極200的一側和另一側上，所以防止了易于腐蝕的第二中部陽極電極202的側表面暴露到外部，由此防止第二中部陽極電極202的側表面被腐蝕。

堤部220可形成在第二輔助電極210的一側和另一側上，以暴露第二輔助電極210的頂部。因為堤部220形成為暴露第二輔助電極210的頂部，所以確保了第二輔助電極210與陰極電極250之間的電連接空間。此外，因為堤部220形成在第二輔助電極210的一側和另一側上，所以防止了易于腐蝕的第二中部輔助電極212的側表面暴露到外部，由此防止第二中部輔助電極212的側表面被腐蝕。

而且，堤部220可形成在第二陽極電極200與第二輔助電極210之間并可將第二陽極電極200與第二輔助電極210絕緣。堤部220可由諸如聚酰亞胺樹脂、亞克力樹脂、苯并環丁烯(BCB)等之類的有機絕緣材料形成，但并不限于此。

可在第二輔助電極210上形成分隔壁230。分隔壁230可與堤部220分離確定距離，且第二輔助電極210可經由分隔壁230與堤部220之間的分離空間電連接至陰極電極250。第二輔助電極210可在不形成分隔壁230的情況下電連接至陰極電極250。然而，如果形成分隔壁230，則更容易沉積形成有機發光層240。這將在下面更詳細地描述。

如果不形成分隔壁230，為了使第二輔助電極210的頂部不被有機發光層240覆蓋，在沉積有機發光層240時需要用于覆蓋第二輔助電極210的頂部的掩模圖案。然而，如果形成分隔壁230，則在沉積有機發光層240時分隔壁230的頂部可用作屋檐部(eaves)，因而，因為有機發光層240不沉積在屋檐部下方，所以不需要用于覆蓋第二輔助電極210的頂部的掩模圖案。就是說，針對從前方觀看有機發光顯示設備的情形來說，當用作屋檐部的分隔壁230的頂部形成為覆蓋分隔壁230與堤部220之間的分離空間時，有機發光層240不能滲透到分隔壁230與堤部220之間的分離空間中，因而，第二輔助電極210可暴露在分隔壁230與堤部220之間的分離空間中。特別是，可通過在沉積材料的平直度(straightness)方面較出色的沉積工藝，如蒸發工藝形成有機發光層240，因而有機發光層240不沉積在分隔壁230與堤部220之間的分離空間中。

如上所述，為了使分隔壁230的頂部用作屋檐部，分隔壁230的頂部的寬度可形成為大于分隔壁230的底部的寬度。分隔壁230可包括下部第一分隔壁231和上部第二分隔壁232。第一分隔壁231可形成在第二輔助電極210的頂部上并可通過與堤部220相同的工藝由與堤部220相同的材料形成。第二分隔壁232可形成在第一分隔壁231的頂部上。第二分隔壁232的頂部的寬度可形成為大于第二分隔壁232的底部的寬度，特別是，第二分隔壁232的頂部可形成為覆蓋分隔壁230與堤部220之間的分離空間并可用作屋檐部。

可在第二陽極電極220上形成有機發光層240。有機發光層240可包括空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層。有機發光層240的基本結構可修改為具有所屬領域技術人員已知的各種結構。

有機發光層240可延伸至堤部220的頂部。然而，有機發光層240可在覆蓋第二輔助電極210的頂部的狀態下不延伸至第二輔助電極210的頂部。這是因為當有機發光層240覆蓋第二輔助電極210的頂部時，很難將第二輔助電極210電連接至陰極電極250。如上所述，可通過沉積工藝形成有機發光層240而不需要用于覆蓋第二輔助電極210的頂部的掩模，且在這種情形中，有機發光層240可形成在分隔壁230的頂部上。

可在有機發光層240上形成陰極電極250。陰極電極250可形成在發光的表面上，因而陰極電極250可由透明導電材料形成。因為陰極電極250由透明導電材料形成，所以陰極電極250的電阻較高，由于此原因，為了降低陰極電極250的電阻，陰極電極250可連接至第二輔助電極210。就是說，陰極電極250可經由分隔壁230與堤部220之間的分離空間連接至第二輔助電極210。可通過在沉積材料的平直度方面不佳的沉積工藝，如濺射工藝形成陰極電極250，因而在沉積陰極電極250的工藝中，陰極電極250可沉積在分隔壁230與堤部220之間的分離空間中。

盡管未示出，但可在陰極電極250上進一步形成封裝層，封裝層防止水分的滲透。封裝層可使用所屬領域技術人員已知的各種材料。此外，盡管未示出，但可在陰極電極250上為每個像素進一步形成濾色器，在這種情形中，可從有機發光層240發射白色光。

可在基板100的焊盤區域PA中形成柵極絕緣層120、層間電介質140、信號焊盤300、鈍化層165和第一焊盤電極400。

可在基板100上形成柵極絕緣層120并可在柵極絕緣層120上形成層間電介質140。柵極絕緣層120和層間電介質140可從有源區域AA延伸并可遍布焊盤區域PA形成。

可在層間電介質140上形成信號焊盤300。信號焊盤300可形成在與位于有源區域AA中的源極電極150和漏極電極160所在的層相同的層上。

信號焊盤300可包括下部信號焊盤301和上部信號焊盤302。

下部信號焊盤301可形成在層間電介質140與上部信號焊盤302之間，可增強層間電介質140與上部信號焊盤302之間的粘合力。此外，下部信號焊盤301防止上部信號焊盤302的底部被腐蝕。因此，下部信號焊盤301的氧化速率可低于上部信號焊盤302的氧化速率。就是說，下部信號焊盤301可由抗腐蝕性比形成上部信號焊盤302的材料強的材料形成。如上所述，下部信號焊盤301可由與下部源極電極151或下部漏極電極161的上述材料相同的Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但并不限于此。

上部信號焊盤302可形成在下部信號焊盤301的頂部上。上部信號焊盤302可由作為具有低電阻的金屬的Cu形成，但并不限于此。上部信號焊盤 302可由電阻相對低于下部信號焊盤301的金屬形成。為了降低信號焊盤300的總電阻，上部信號焊盤302的厚度可形成為比下部信號焊盤301的厚度厚。

上部信號焊盤302可由與上部源極電極152和/或上部漏極電極162相同的材料形成為具有與上部源極電極152和/或上部漏極電極162相同的厚度，且下部信號焊盤301可由與下部源極電極151和/或下部漏極電極161相同的材料形成為具有與下部源極電極151和/或下部漏極電極161相同的厚度。在這種情形中，可通過同一工藝同時形成信號焊盤300和源極電極150，或者通過同一工藝同時形成信號焊盤300和漏極電極160，或者通過同一工藝同時形成信號焊盤300、源極電極150和漏極電極160。

可在信號焊盤300上形成鈍化層165。鈍化層165可從有源區域AA延伸。可通過去除鈍化層的預定區域形成將源極電極或漏極電極暴露在外部的接觸孔，并可通過去除鈍化層的另一部分區域形成用于將信號焊盤暴露在外部的接觸孔。例如，在鈍化層165中可包括暴露一部分信號焊盤300的第六接觸孔CH6。

可在鈍化層165上形成第一焊盤電極400。第一焊盤電極400可通過第六接觸孔CH6連接至信號焊盤300。第一焊盤電極400可暴露到外部并連接至外部驅動器。

第一焊盤電極400保護信號焊盤300的頂部。信號焊盤300的頂部可由相對易于腐蝕的上部信號焊盤302構成，因而可形成第一焊盤電極400以覆蓋通過第六接觸孔CH6而暴露的上部信號焊盤302的頂部，由此防止上部信號焊盤302被腐蝕。如上所述，因為第一焊盤電極400防止上部信號焊盤302的頂部被腐蝕，所以可以以上述雙層結構形成信號焊盤300。第一焊盤電極400的氧化速率，特別是第一蓋部焊盤電極403的氧化速率可低于上部信號焊盤302的氧化速率。就是說，第一焊盤電極400，特別是第一蓋部焊盤電極403可由抗腐蝕性比形成上部信號焊盤302的材料強的材料形成。此外，因為第一焊盤電極400暴露到外部，所以對應于第一焊盤電極400的最上表面的第一蓋部焊盤電極403可由抗腐蝕性強的材料形成。

第一焊盤電極400可由與第一陽極電極180和/或第一輔助電極190相 同的材料形成為具有與第一陽極電極180和/或第一輔助電極190相同的厚度。在這種情形中，可通過同一掩模工藝圖案化形成第一焊盤電極400以及第一陽極電極180和/或第一輔助電極190。第一焊盤電極400可包括第一下部焊盤電極401、第一上部焊盤電極402以及第一蓋部焊盤電極403。

第一下部焊盤電極401可形成為覆蓋經由第六接觸孔CH6暴露的上部信號焊盤302的頂部，由此防止上部信號焊盤302被腐蝕。為此，第一下部焊盤電極401的氧化速率可低于上部信號焊盤302的氧化速率。就是說，第一下部焊盤電極401可由抗腐蝕性比形成上部信號焊盤302的材料強的材料形成。如上所述，第一下部焊盤電極401防止上部信號焊盤302的頂部被腐蝕，因而可以以上述雙層結構形成信號焊盤300。第一下部焊盤電極401可由與第一下部陽極電極181和/或第一下部輔助電極191的上述材料相同的Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但并不限于此。第一下部焊盤電極401可由與第一下部陽極電極181和/或第一下部輔助電極191相同的材料形成為具有與第一下部陽極電極181和/或第一下部輔助電極191相同的厚度，在這種情形中，可通過同一掩模工藝圖案化形成第一下部焊盤電極401和第一下部陽極電極181，或者通過同一掩模工藝圖案化形成第一下部焊盤電極401和第一下部輔助電極191，或者通過同一掩模工藝圖案化形成第一下部焊盤電極401、第一下部陽極電極181和第一下部輔助電極191。

第一上部焊盤電極402可形成在第一下部焊盤電極401與第一蓋部焊盤電極403之間。第一上部焊盤電極402可由作為具有低電阻的金屬的Cu形成，但并不限于此。第一上部焊盤電極402可由電阻相對低于第一下部焊盤電極401和第一蓋部焊盤電極403的金屬形成。為了降低第一焊盤電極400的總電阻，第一上部焊盤電極402的厚度可形成為比第一下部焊盤電極401和第一蓋部焊盤電極403的每一個的厚度厚。第一上部焊盤電極402可由與第一上部陽極電極182和/或第一上部輔助電極192相同的材料形成為具有與第一上部陽極電極182和/或第一上部輔助電極192相同的厚度，在這種情形中，可通過同一掩模工藝圖案化形成第一上部焊盤電極402和第一上部陽極電極182，或者通過同一掩模工藝圖案化形成第一上部焊盤電極402和第一上部輔助電極192，或者通過同一掩模工藝圖案化形成第一上部焊盤電 極402、第一上部陽極電極182和第一上部輔助電極192。

第一蓋部焊盤電極403可形成在第一上部焊盤電極402上。第一蓋部焊盤電極403可形成為覆蓋第一上部焊盤電極402的頂部和側表面，由此防止第一上部焊盤電極402被腐蝕。就是說，第一蓋部焊盤電極403防止第一上部焊盤電極402暴露到外部。為此，第一蓋部焊盤電極403的氧化速率可低于第一上部焊盤電極402的氧化速率。就是說，第一蓋部焊盤電極403可由抗腐蝕性比形成第一上部焊盤電極402的材料強的材料形成。

第一蓋部焊盤電極403可覆蓋到第一下部焊盤電極401的側表面。在這種情形中，第一蓋部焊盤電極403的氧化速率可低于第一下部焊盤電極401的氧化速率。就是說，第一蓋部焊盤電極403可由抗腐蝕性比形成第一下部焊盤電極401的材料強的材料形成。第一蓋部焊盤電極403可由諸如ITO等之類的透明導電材料形成，但并不限于此。第一蓋部焊盤電極403可由與第一蓋部陽極電極183和/或第一蓋部輔助電極193相同的材料形成為具有與第一蓋部陽極電極183和/或第一蓋部輔助電極193相同的厚度，在這種情形中，可通過同一掩模工藝圖案化形成第一蓋部焊盤電極403和第一蓋部陽極電極183，或者通過同一掩模工藝圖案化形成第一蓋部焊盤電極403和第一蓋部輔助電極193，或者通過同一掩模工藝圖案化形成第一蓋部焊盤電極403、第一蓋部陽極電極183和第一蓋部輔助電極193。

圖3是根據本發明另一實施方式的有機發光顯示設備的剖面圖。除了第二陽極電極200和第二輔助電極210的結構發生變化且進一步設置了第二焊盤電極500之外，圖3的有機發光顯示設備與圖2的上述有機發光顯示設備相同。因而，相似的參考標記表示相似的元件。下文中，將僅詳細描述與圖2的上述元件不同的元件。

如圖3中所示，根據本發明的另一實施方式，第二陽極電極200可包括第二中部陽極電極202和第二上部陽極電極203，省去了第二下部陽極電極201。此外，第二輔助電極210可包括第二中部輔助電極212和第二上部輔助電極213，省去了第二下部輔助電極211。

在這種結構中，第二中部陽極電極202和第二中部輔助電極212可由反射率優良且抗腐蝕性優良的材料，如Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但并 不限于此。

根據本發明的另一實施方式，可在第一焊盤電極400上進一步形成第二焊盤電極500。因為進一步設置第二焊盤電極500，所以焊盤部的高度增加，且接觸面積增加，由此第二焊盤電極500更容易連接至外部驅動器。第二焊盤電極500可由與具有雙層結構的第二陽極電極200和/或第二輔助電極210相同的材料形成為具有與第二陽極電極200和/或第二輔助電極210相同的厚度，在這種情形中，可通過同一掩模工藝圖案化形成第二焊盤電極500和第二陽極電極200，或者通過同一掩模工藝圖案化形成第二焊盤電極500和第二輔助電極210，或者過同一掩模工藝圖案化形成第二焊盤電極500、第二陽極電極200和第二輔助電極210。

第二焊盤電極500可包括第二中部焊盤電極502和第二上部焊盤電極503。第二中部焊盤電極502可由與第二中部陽極電極202和/或第二中部輔助電極212相同的材料形成，且第二上部焊盤電極503可由與第二上部陽極電極203和/或第二上部輔助電極213相同的材料形成。

根據另一實施方式，第二中部焊盤電極502的側表面暴露到外部，但因為第二中部焊盤電極502由抗腐蝕性優良的材料形成，所以防止了第二中部焊盤電極502被腐蝕。此外，第二上部焊盤電極503暴露到外部，但因為第二上部焊盤電極503由由抗腐蝕性優良的材料形成，所以防止了第二上部焊盤電極503被腐蝕。

圖4A到4K是圖解根據本發明一實施方式的制造有機發光顯示設備的方法的剖面圖，其涉及制造圖2的上述有機發光顯示設備的方法。因而，相似的參考標記表示相似的元件，且對于每個元件的材料和結構，不再重復相同或相似的描述。

首先，如圖4A中所示，可在基板100上依次形成有源層110、柵極絕緣層120、柵極電極130、層間電介質140、源極電極150、漏極電極160和信號焊盤300。

更詳細地說，可在基板100上形成有源層110，可在有源層110上形成柵極絕緣層120，可在柵極絕緣層120上形成柵極電極130，可在柵極電極130上形成層間電介質140，并可在柵極絕緣層120和層間電介質140中形 成第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2。隨后，可形成漏極電極160、源極電極150和信號焊盤300，其中，漏極電極160通過第一接觸孔CH1連接至有源層110的一個端部區域，源極電極150通過第二接觸孔CH2連接至有源層110的另一個端部區域。

在此，有源層110、柵極電極130、源極電極150和漏極電極160可形成在有源區域AA中，柵極絕緣層120和層間電介質140可形成為從有源區域AA延伸至焊盤區域PA，且信號焊盤300可形成在焊盤區域PA中。通過這種工藝，可在有源區域AA中形成TFT T，并可在焊盤區域PA中形成信號焊盤300。

源極電極150可配置有下部源極電極151和上部源極電極152，漏極電極160可配置有下部漏極電極161和上部漏極電極162，且信號焊盤300可配置有下部信號焊盤301和上部信號焊盤302。可通過同一圖案化工藝由相同材料同時形成源極電極150、漏極電極160和信號焊盤300。

隨后，如圖4B中所示，可在源極電極150、漏極電極160和信號焊盤300上形成鈍化層165，并可在鈍化層165上形成第一平坦化層171。鈍化層165可形成為從有源區域AA延伸至焊盤區域PA，且第一平坦化層171可形成在有源區域AA中。

鈍化層165和第一平坦化層171可形成為包括位于有源區域AA中的第三接觸孔CH3，且源極電極150可通過第三接觸孔CH3暴露到外部。此外，鈍化層165可形成為包括位于焊盤區域PA中的第六接觸孔CH6，且信號焊盤300可通過第六接觸孔CH6暴露到外部。

根據本發明的實施方式，可同時形成用于將源極電極150暴露在外部的第三接觸孔CH3和用于將信號焊盤300暴露在外部的第六接觸孔CH6，因而可通過一個掩模工藝形成第三接觸孔CH3和第六接觸孔CH6，由此防止掩模工藝數增加。更詳細地說，因為由第六接觸孔CH6暴露的上部信號焊盤302易于腐蝕，所以需要蝕刻劑不與上部信號焊盤302接觸。根據本發明的實施方式，在下面要描述的圖4C的工藝中，暴露的上部信號焊盤302可被下部焊盤電極401覆蓋，因而蝕刻劑不能與上部信號焊盤302接觸。與此相同的原因，可同時形成第六接觸孔CH6和第三接觸孔CH3。

隨后，如圖4C中所示，可在有源區域AA中的第一平坦化層171上彼此分離地形成第一陽極電極180和第一輔助電極190，并可在焊盤區域PA中的鈍化層165上形成第一焊盤電極400。

第一陽極電極180可形成為通過第三接觸孔CH3連接至源極電極150，且第一焊盤電極400可形成為通過第六接觸孔CH6連接至信號焊盤300。在其他實施方式中，第一陽極電極180可形成為通過用以暴露漏極電極160的第三接觸孔CH3連接至漏極電極160。

第一陽極電極180可配置有第一下部陽極電極181、第一上部陽極電極182和第一蓋部陽極電極183。第一輔助電極190可配置有第一下部輔助電極191、第一上部輔助電極192和第一蓋部輔助電極193。第一焊盤電極400可配置有第一下部焊盤電極401、第一上部焊盤電極402和第一蓋部焊盤電極403。

可通過同一圖案化工藝由相同材料同時形成第一陽極電極180、第一輔助電極190和第一焊盤電極400。

隨后，如圖4D中所示，可在有源區域AA中的第一陽極電極180和第一輔助電極190上形成第二平坦化層172。

第二平坦化層172可形成為包括第四接觸孔CH4和第五接觸孔CH5。第一陽極電極180可通過第四接觸孔CH4暴露到外部，且第一輔助電極190可通過第五接觸孔CH5暴露到外部。

隨后，如圖4E中所示，可在焊盤區域PA中的第一焊盤電極400上形成第一光刻膠圖案610。第一焊盤電極400可被第一光刻膠圖案610覆蓋，因而第一焊盤電極400可不暴露到外部。第一光刻膠圖案610可不形成在有源區域AA中。

隨后，如圖4F中所示，可在焊盤區域PA和有源區域AA中形成用于第二陽極電極(見圖4G的200)和第二輔助電極(見圖4G的210)的電極層。更詳細地說，可在焊盤區域PA中的第一光刻膠圖案610以及有源區域AA中的第二平坦化層172上依次形成下部電極層1、中間電極層2和上部電極層3。此外，可在電極層上，更詳細的說是在有源區域AA中的上部電極層3上形成第二光刻膠圖案620。

隨后，如圖4G中所示，可通過使用第二光刻膠圖案620作為掩模蝕刻下部電極層1、中間電極層2和上部電極層3，形成第二陽極電極200和第二輔助電極210。

就是說，第二光刻膠圖案620可形成為與第二陽極電極200和第二輔助電極210的每一個的圖案對應的圖案。因此，可通過蝕刻工藝去除沒有被第二光刻膠圖案620覆蓋的部分下部電極層1、部分中間電極層2和部分上部電極層3，并可留下被第二光刻膠圖案620覆蓋的部分，由此形成第二陽極電極200和第二輔助電極210的每一個的圖案。結果，可通過同一圖案化工藝由相同材料同時形成第二陽極電極200和第二輔助電極210。

第二陽極電極200可包括第二下部陽極電極201、第二中部陽極電極202和第二上部陽極電極203。第二輔助電極210可包括第二下部輔助電極211、第二中部輔助電極212和第二上部輔助電極213。

當通過蝕刻工藝去除沒有被第二光刻膠圖案620覆蓋的部分下部電極層1、部分中間電極層2和部分上部電極層3時，因為第一光刻膠圖案610覆蓋第一焊盤電極400，所以蝕刻劑不會損壞第一焊盤電極400。

隨后，如圖4H中所示，可通過剝離工藝去除第一光刻膠圖案610和第二光刻膠圖案620。因此，第一焊盤電極400、第二陽極電極200和第二輔助電極210可暴露到外部。

圖4E到4H涉及在不損壞第一焊盤電極400的情況下形成第二陽極電極200和第二輔助電極210的方法。根據本發明的實施方式，可在第一焊盤電極400上形成第一光刻膠圖案610，以覆蓋第一焊盤電極400，因而在形成第二陽極電極200和第二輔助電極210的每一個的圖案時蝕刻劑不損壞第一焊盤電極400。此外，因為與第二光刻膠圖案620同時去除第一光刻膠圖案610，所以簡化了制造工藝。

代替使用第一光刻膠圖案610，在圖4D的上述工藝中，可通過將第二平坦化層172延伸至焊盤區域PA，將第二平坦化層172形成為覆蓋第一焊盤電極400，然后可形成第二陽極電極200和第二輔助電極210。然而，在這種情形中，在形成第二陽極電極200和第二輔助電極210之后應當進一步執行通過氧氣(O₂)灰化工藝去除延伸至焊盤區域PA的第二平坦化層172 的區域的工藝，用來將第一焊盤電極400暴露在外部。特別是，應當進一步形成光刻膠圖案來作為用于去除第二平坦化層172的延伸至焊盤區域PA的區域的工藝的掩模，而且由于氧氣(O₂)灰化工藝，腔室內部被污染，且工藝時間增加。因此，如上面參照圖4E到4H所述的，可優選使用第一光刻膠圖案610。

隨后，如圖4I中所示，可在第二陽極電極200的一側和另一側上形成堤部220，以暴露第二陽極電極200的頂部。此外，可在第二輔助電極210的一側和另一側上形成堤部220，以暴露第二輔助電極210的頂部。

此外，可在第二輔助電極210的暴露的頂部上依次形成第一分隔壁231和第二分隔壁232。第一分隔壁231可通過與堤部220相同的圖案化形成工藝由與堤部220相同的材料與堤部220同時形成。分隔壁230可形成為與堤部220分離開確定距離，因而可在分隔壁230與堤部220之間設置一分離空間。

為了使分隔壁230的頂部用作屋檐部，第二分隔壁232的頂部的寬度可形成為比第二分隔壁232的底部的寬度大。特別是，針對從前方觀看有機發光顯示設備的情形來說，第二分隔壁232的頂部可覆蓋分隔壁230與堤部220之間的分離空間，因而在下面要描述的沉積有機發光層240的工藝中，有機發光層240不會沉積在分隔壁230與堤部220之間的分離空間中。

隨后，如圖4J中所示，可在第二陽極電極200上形成有機發光層240。可通過在沉積材料的平直度方面較出色的沉積工藝，如蒸發工藝形成有機發光層240，因而有機發光層240可沉積在堤部220和分隔壁230的頂部上，而有機發光層240不沉積在分隔壁230與堤部220之間的分離空間中。就是說，在沉積有機發光層240時分隔壁230的頂部可用作屋檐部，因而即使當不使用覆蓋第二輔助電極210的頂部的掩模圖案來沉積有機發光層240時，有機發光層240也不會沉積在分隔壁230與堤部220之間的分離空間中。

隨后，如圖4K中所示，可在有機發光層240上形成陰極電極250。

陰極電極250可經由分隔壁230與堤部220之間的分離空間連接至第二輔助電極210。可通過在沉積材料的平直度方面不佳的沉積工藝，如濺射工 藝形成陰極電極250，因而在沉積陰極電極250的工藝中，陰極電極250可沉積在分隔壁230與堤部220之間的分離空間中。

圖5A到5H是圖解根據本發明另一實施方式的制造有機發光顯示設備的方法的剖面圖，其涉及制造圖13的上述有機發光顯示設備的方法。下文中，省略了與上述實施方式重復的描述。

首先，如圖5A中所示，可在基板100上依次形成有源層110、柵極絕緣層120、柵極電極130、層間電介質140、源極電極150、漏極電極160和信號焊盤300。因此，可在有源區域AA中形成TFT T，并可在焊盤區域PA中形成信號焊盤300。此工藝與圖4A的上述工藝相同。

隨后，如圖5B中所示，可在源極電極150、漏極電極160和信號焊盤300上形成鈍化層165，并可在鈍化層165上形成第一平坦化層171。

鈍化層165和第一平坦化層171可形成為包括位于有源區域AA中的第三接觸孔CH3，且源極電極150可通過第三接觸孔CH3暴露到外部。此外，鈍化層165可形成為包括位于焊盤區域PA中的第六接觸孔CH6，且信號焊盤300可通過第六接觸孔CH6暴露到外部。此工藝與圖4B的上述工藝相同。

隨后，如圖5C中所示，可在有源區域AA中的第一平坦化層171上形成第一陽極電極180和第一輔助電極190，并可在焊盤區域PA中的鈍化層165上形成第一焊盤電極400。

第一陽極電極180可形成為通過第三接觸孔CH3連接至源極電極150，且第一焊盤電極400可形成為通過第六接觸孔CH6連接至信號焊盤300。此工藝與圖4C的上述工藝相同。

隨后，如圖5D中所示，可在有源區域AA中的第一陽極電極180和第一輔助電極190上形成第二平坦化層172。

第二平坦化層172可形成為包括第四接觸孔CH4和第五接觸孔CH5，第一陽極電極180可通過第四接觸孔CH4暴露到外部，且第一輔助電極190可通過第五接觸孔CH5暴露到外部。此工藝與圖4D的上述工藝相同。

隨后，如圖5E中所示，可在有源區域AA中的第二平坦化層172上形成第二陽極電極200和第二輔助電極210，并可在焊盤區域PA中的第一焊 盤電極400上形成第二焊盤電極500。

第二陽極電極200可通過第四接觸孔CH4連接至第一陽極電極，第二輔助電極210可通過第五接觸孔CH5連接至第二陽極電極190，且第二焊盤電極500可直接形成在第一焊盤電極400的頂部上。

第二陽極電極200可包括第二中部陽極電極202和第二上部陽極電極203，第二輔助電極210可包括第二中部輔助電極212和第二上部輔助電極213，第二焊盤電極500可包括第二中部焊盤電極502和第二上部焊盤電極503。

第二陽極電極200、第二輔助電極210和第二焊盤電極500可通過同一圖案化工藝由相同的材料同時形成，因而不增加掩模工藝。

形成在第一焊盤電極400的最上表面上的第一蓋部焊盤電極403可由與形成在第二焊盤電極500的最上表面上的第二上部焊盤電極503相同的材料(例如抗腐蝕性優良的ITO)形成，在這種情形中，當圖案化形成第二焊盤電極500時，需要防止第一蓋部焊盤電極403的圖案被損壞。為此，可通過下述工藝形成第二焊盤電極500：依次沉積用于第二中部焊盤電極502的電極材料和用于第二上部焊盤電極503的電極材料，通過蝕刻用于第二中部焊盤電極502的電極材料圖案化形成第二上部焊盤電極503，且隨后通過蝕刻用于第二上部焊盤電極503的電極材料圖案化形成第二中部焊盤電極502。就是說，當蝕刻用于第二上部焊盤電極503的電極材料時第一蓋部焊盤電極403被用于第二中部焊盤電極502的電極材料覆蓋，因而用于蝕刻第二上部焊盤電極503的電極材料的蝕刻劑不與第一蓋部焊盤電極403接觸，由此防止第一蓋部焊盤電極403的圖案被損壞。

隨后，如圖5F中所示，可在第二陽極電極200的一側和另一側上形成堤部220，以暴露第二陽極電極200的頂部。此外，可在第二輔助電極210的一側和另一側上形成堤部220，以暴露第二輔助電極210的頂部。此外，可在第二輔助電極210的暴露的頂部上依次形成第一分隔壁231和第二分隔壁232。分隔壁230可形成為與堤部220分離開確定距離，因而可在分隔壁230與堤部220之間設置一分離空間。此工藝與圖4I的上述工藝相同。

隨后，如圖5G中所示，可在第二陽極電極200上形成有機發光層 240。有機發光層240可沉積在堤部220的頂部和分隔壁230的頂部上，但不沉積在分隔壁230與堤部220之間的分離空間中。此工藝與圖4J的上述工藝相同。

隨后，如圖5H中所示，可在有機發光層240上形成陰極電極250。陰極電極250可經由分隔壁230與堤部220之間的分離空間連接至第二輔助電極210。此工藝與圖4K的上述工藝相同。

根據本發明的實施方式，第一焊盤電極可形成為覆蓋信號焊盤的頂部，由此防止信號焊盤被腐蝕。因此，信號焊盤可以以包括下部信號焊盤和易于腐蝕的上部信號焊盤的雙層結構形成。特別是，因為第一焊盤電極和第一輔助電極由相同的材料同時形成，所以掩模工藝數不會增加。

而且，根據本發明的實施方式，可同時形成用于將源極電極暴露在外部的接觸孔以及用于將信號焊盤暴露在外部的接觸孔，因而掩模工藝數不會增加。

而且，根據本發明的實施方式，可形成兩個輔助電極(例如第一輔助電極和第二輔助電極)來降低陰極電極的電阻，因而更容易調節輔助電極的期望電阻特性。特別是，可在第二輔助電極的下方進一步形成通過接觸孔連接至第二輔助電極的第一輔助電極，所以有效降低了陰極電極的電阻，而像素區域甚至沒有任何減小。

在不背離本發明的精神或范圍的情況下，可在本發明中進行各種修改和變化，這對于所屬領域技術人員來說是顯而易見的。因而，本發明意在覆蓋落入所附權利要求書范圍及其等同范圍內的對本發明的所有修改和變化。