技術總結
本發明涉及半導體器件技術領域，一種IGBT結構，包括N型硅襯底，所述N型硅襯底背面管芯區域刻蝕有凹槽，所述凹槽周圍突出N型硅襯底背面部分形成劃片槽；所述凹槽和劃片槽表面設置有P+集電區，所述的P+集電區表面設置有金屬層；所述的凹槽內填充有金屬可焊材料。有益效果：本發明在硅片減薄之后采用背面管芯區域的硅刻蝕技術，將管芯處開設凹槽，既降低了對減薄后的薄片加工設備的要求，降低設備成本，又減小了碎片率；從器件性能上來說，降低了器件的導通壓降，減小通態損耗。同時管芯處凹槽填充金屬可焊材料，使封裝更加方便。
技術研發人員：周炳;石英學;張志娟;郝建勇
受保護的技術使用者：蘇州同冠微電子有限公司
文檔號碼：201510740729
技術研發日：2015.11.04
技術公布日：2017.05.10