本發明涉及一種冷熱腔可控溫加熱支撐架,屬于半導體薄膜沉積應用及制造技術領域。
背景技術:
半導體設備在進行沉積反應時往往需要使晶圓及腔室加熱或維持在沉積反應所需要的溫度,所以加熱盤必需具備加熱結構以滿足給晶圓預熱的目的。大多數半導體薄膜沉積設備,在沉積過程中還會有等離子體參與沉積反應,因等離子體能量的釋放以及化學氣體間反應的能量釋放,加熱盤及晶圓的溫度會隨著射頻及工藝時間的增加溫度會不斷的上升,如果在進行相同溫度下的工藝,需要等待加熱盤降到相同的溫度后才能進行,這樣會耗費大量的時間,設備的產能相對比較低。如果晶圓和加熱盤的溫度升溫過快,晶圓和加熱盤的溫度會超出薄膜所需承受的溫度,致使薄膜失敗。
為了解決工藝過程中加熱盤溫升過快降溫慢的問題,我們需要有能夠自動調節加熱盤溫度的系統,來保證加熱盤的溫度。
技術實現要素:
本發明以解決上述問題為目的,提供了一種冷熱腔可控溫加熱支撐架,該加熱支撐架采用媒介加熱支撐架進行溫度控制,每個部件上有不同的結構,形成支撐架的熱空腔室和冷腔室,進而控制加熱支撐架的溫度。本發明通過不同溫度的循環媒介的自動調節控溫,可以實 現加熱支撐架溫度的自動調節,能夠精確地控制加熱支撐架的溫度。
為實現上述目的,本發明采用下述技術方案:
一種冷熱腔可控溫加熱支撐架,該加熱支撐架包括加熱支撐架上盤體,陶瓷柱,分隔板,加熱支撐架下盤體,固定螺母;所述加熱支撐架上盤體上設有陶瓷柱孔,加熱支撐架上盤體的下盤面邊緣設有凸臺A,陶瓷柱孔邊緣設有凸臺B,加熱支撐架上盤體的下盤面中央位置設有凸臺C,所述凸臺C處設有熱媒通道進口端,熱媒通道出口端與熱電偶孔;分隔板上設有分隔板陶瓷柱孔,分隔板媒介進口,分隔板媒介出口與分隔板熱電偶孔;加熱支撐架下盤體上設有通孔,加熱支撐架下盤體上盤面的邊緣設有凸臺D,通孔的邊緣設有凸臺E,加熱支撐架下盤體上盤面的中央位置設有凸臺F,凸臺F處設有下盤體媒介進口,下盤體媒介出口,熱電偶螺紋孔,冷媒進口與冷媒出口;
所述分隔板和加熱支撐架下盤體通過焊接后中間形成一個空腔,用以進行冷循環媒介循環,為冷腔;然后再將加熱支撐架上盤體與其焊接,形成另一個空腔,用以進行熱循環媒介循環,為熱腔;然后將陶瓷柱穿過陶瓷柱孔、分隔板陶瓷柱孔與通孔內,通過固定螺母對陶瓷柱進行固定。
進一步地,所述凸臺A、凸臺B、凸臺C、凸臺D、凸臺E與凸臺F的高度相等。
進一步地,所述熱電偶孔、分隔板熱電偶孔與熱電偶螺紋孔的位置與大小均相互對應。
進一步地,所述陶瓷柱孔、分隔板陶瓷柱孔與通孔的位置與大小 均相互對應。
本發明的有益效果及特點在于:
本發明的可控溫加熱支撐架通過不同溫度的循環媒介的自動調節控溫,可以實現加熱支撐架溫度的自動調節,能夠精確地控制加熱支撐架的溫度。
附圖說明
圖1為本發明的結構示意圖;
圖2為加熱支撐架上盤體的下盤面的結構示意圖;
圖3為分隔板的結構示意圖;
圖4為加熱支撐架下盤體的上盤面的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合實施例進一步對本發明進行詳細說明,但發明保護內容不局限于所述實施例:
參照圖1-4,一種冷熱腔可控溫加熱支撐架,該加熱支撐架包括加熱支撐架上盤體1,陶瓷柱2,分隔板3,加熱支撐架下盤體4,固定螺母5;所述加熱支撐架上盤體1上設有陶瓷柱孔8,加熱支撐架上盤體1的下盤面邊緣設有凸臺A21,陶瓷柱孔8邊緣設有凸臺B22,加熱支撐架上盤體1的下盤面中央位置設有凸臺C23,所述凸臺C23處設有熱媒通道進口端9,熱媒通道出口端10與熱電偶孔11;分隔板3上設有分隔板陶瓷柱孔7,分隔板媒介進口12,分隔板媒介出口13與分隔板熱電偶孔14;加熱支撐架下盤體4上設有通孔6,加熱支撐架下盤體4上盤面的邊緣設有凸臺D24,通孔6的邊緣設有凸臺 E25,加熱支撐架下盤體4上盤面的中央位置設有凸臺F26,凸臺F26處設有下盤體媒介進口15,下盤體媒介出口16,熱電偶螺紋孔17,冷媒進口18與冷媒出口19;
所述分隔板3和加熱支撐架下盤體4通過焊接后中間形成一個空腔,用以進行冷循環媒介循環,為冷腔;然后再將加熱支撐架上盤體1與分隔板3焊接,形成另一個空腔,用以進行熱循環媒介循環,為熱腔;然后將陶瓷柱2穿過陶瓷柱孔8、分隔板陶瓷柱孔7與通孔6內,通過固定螺母5對陶瓷柱進行固定。
所述凸臺A21、凸臺B22、凸臺C23、凸臺D24、凸臺E25與凸臺F26的高度均相等。
所述熱電偶孔11、分隔板熱電偶孔14與熱電偶螺紋孔17的位置與大小均相互對應。
所述陶瓷柱孔8、分隔板陶瓷柱孔7與通孔6的位置與大小均相互對應。
熱循環媒介通過熱媒介進口進入加熱支撐架上層熱腔,熱媒介在空腔內循環,由熱媒介出口流出,用以加熱支撐架的加熱;冷媒介由冷媒介入口進入,進入加熱支撐架下層冷腔,冷媒介在下層空腔內循環,由冷媒介出口流出;通過控制冷熱媒介的各自的溫度及流量,實現對加熱支撐架溫度的控制。
以上所述僅為本發明的較佳實施例而已,并不用以限制本發明,凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等,均應包含在本發明的保護范圍之內。