半導體結構的形成方法與流程

本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種半導體結構的形成方法。

背景技術：

集成電路尤其超大規模集成電路的主要半導體器件是金屬-氧化物-半導體場效應管(MOS晶體管)。隨著集成電路制作技術的不斷發展，半導體器件技術節點不斷減小，半導體結構的幾何尺寸遵循摩爾定律不斷縮小。當半導體結構尺寸減小到一定程度時，各種因為半導體結構的物理極限所帶來的二級效應相繼出現，半導體結構的特征尺寸按比例縮小變得越來越困難。其中，在半導體制作領域，最具挑戰性的是如何解決半導體結構漏電流大的問題。半導體結構的漏電流大，主要是由傳統柵介質層厚度不斷減小所引起的。

當前提出的解決方法是，采用高k柵介質材料代替傳統的二氧化硅柵介質材料，并使用金屬作為柵電極，以避免高k材料與傳統柵電極材料發生費米能級釘扎效應以及硼滲透效應。高k金屬柵的引入，減小了半導體結構的漏電流。

盡管高k金屬柵極的引入能夠在一定程度上改善半導體結構的電學性能，但是現有技術形成的半導體結構的電學性能仍有待提高。

技術實現要素：

本發明解決的問題是提高一種半導體結構的形成方法，改善半導體結構的電學性能。

為解決上述問題，本發明提供一種半導體結構的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成界面層；對所述界面層進行第一退火處理，所述第一退火處理在含氮氛圍下進行，使界面層表面形成含氮層；在所述含氮層表面形成高k柵介質層；對所述高k柵介質層進行第二退火處理，使含氮層中的氮離子擴散至高k柵介質層內；在所述高k柵介質層表面形成柵電極層。

可選的，所述第二退火處理適于減少高k柵介質層中的氧空位含量。

可選的，所述界面層的材料為氧化硅或氮氧化硅；所述高k柵介質層的 材料為HfO₂、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、ZrO₂或Al₂O₃。

可選的，所述第一退火處理采用的氣體包括NH₃。

可選的，所述第一退火處理還在含氟或氫中的一種或兩種氛圍下進行。

可選的，所述第一退火處理采用的氣體還包括NF₃或H₂。

可選的，所述第一退火處理的工藝參數包括：退火溫度為400攝氏度至1100攝氏度，腔室壓強為1托至1標準大氣壓，處理時長為10分鐘至120分鐘。

可選的，在進行所述第一退火處理之前，所述界面層內含有未成鍵的硅離子和未成鍵的氧離子，所述第一退火處理還適于鈍化所述未成鍵的硅離子和未成鍵的氧離子。

可選的，所述第二退火處理的工藝參數包括：退火溫度為400攝氏度至1100攝氏度，腔室壓強為1托至1標準大氣壓，處理時長為10分鐘至120分鐘。

可選的，在形成所述界面層之前，還包括步驟：在所述基底表面形成偽柵；在所述偽柵兩側的基底內形成源漏區；在所述偽柵兩側的基底表面形成層間介質層，所述層間介質層覆蓋偽柵側壁；刻蝕去除所述偽柵，暴露出基底表面。

可選的，所述界面層位于基底整個表面，還包括步驟：圖形化所述柵電極層以及高k柵介質層，形成柵極結構；在所述柵極結構兩側的基底內形成源漏區；在所述柵極結構兩側的基底表面形成層間介質層，所述層間介質層覆蓋柵極結構側壁。

本發明還提供一種半導體結構的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成界面層；在所述界面層表面形成高k柵介質層；對所述高k柵介質層和界面層進行第一退火處理，所述第一退火處理在含氮氛圍下進行，使氮離子擴散至高k柵介質層內；在所述高k柵介質層表面形成柵電極層。

可選的，所述第一退火處理適于減少高k柵介質層內的氧空位含量。

可選的，所述界面層的材料為氧化硅或氮氧化硅；所述高k柵介質層的 材料為HfO₂、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、ZrO₂或Al₂O₃。

可選的，所述第一退火處理采用的氣體包括NH₃。

可選的，所述第一退火處理還在含氟或氫中的一種或兩種氛圍下進行。

可選的，所述第一退火處理采用的氣體包括NF₃或H₂。

可選的，所述第一退火處理的工藝參數包括：退火溫度為400攝氏度至1000攝氏度，腔室壓強為1托至1標準大氣壓，退火時長為10分鐘至120分鐘。

可選的，所述界面層內含有未成鍵的氧離子，在所述第一退火處理過程中，所述未成鍵的氧離子擴散至高k柵介質層內。

可選的，在形成所述界面層之前，還包括步驟：在所述基底部分表面形成偽柵；在所述偽柵兩側的基底內形成源漏區；在所述偽柵兩側的基底表面形成層間介質層；刻蝕去除所述偽柵，暴露出基底表面。

與現有技術相比，本發明的技術方案具有以下優點：

本發明提供的半導體結構的形成方法的技術方案中，在形成界面層之后對界面層進行第一退火處理，所述第一退火處理在含氮氛圍下進行，從而使得界面層表面形成含氮層，所述第一退火處理還能夠鈍化界面層內未成鍵的硅離子和氧離子，改善界面層的性能；接著，在含氮層表面形成高k柵介質層，對所述高k柵介質層進行第二退火處理，使得含氮層中的氮離子擴散至高k柵介質層，擴散至高k柵介質層內的氮離子能夠鈍化高k柵介質層內的氧空位，從而減少高k柵介質層內氧空位含量，改善高k柵介質層的介電弛豫問題，進而改善半導體結構的電學性能，如正偏壓-溫度不穩定特性和負偏壓-溫度不穩定特性得到改善。

進一步，所述第一退火處理還在含氟或氫中的一種或兩種氛圍下進行，從而使得含氮層中還含有氟離子或氫離子，在后續第二退火處理過程中所述氟離子或氫離子擴散進入高k柵介質層內，能夠進一步起到鈍化高k柵介質層內氧空位的作用。

本發明還提供一種半導體結構的形成方法的技術方案，在形成界面層之 后，在所述界面層表面形成高k柵介質層；接著，對所述高k柵介質層和界面層進行第一退火處理，所述第一退火處理在含氮氛圍下進行，使氮離子擴散至高k柵介質層內。其中，在第一退火處理過程中，界面層內未成鍵的氧離子擴散至高k柵介質層內，起到減少高k柵介質層內氧空位的作用，并且，所述第一退火處理過程中，氮離子擴散至高k柵介質層內，所述氮離子起到鈍化高k柵介質層內氧空位的作用，從而進一步減小高k柵介質層內氧空位，改善高k柵介質層的介電弛豫問題，進而提高形成的半導體結構的電學性能。

附圖說明

圖1至圖8是本發明一實施例提供的半導體結構形成過程的剖面結構示意圖；

圖9至圖11為本發明另一實施例提供的半導體結構形成過程的剖面結構示意圖。

具體實施方式

如背景技術所述，現有技術形成的半導體結構的電學性能有待提高。

經研究發現，盡管采用高k柵介質材料作為柵介質層的材料，在一定程度上能夠改善半導體結構的電學性能，例如，半導體結構中的漏電流(leakage current)減小，然而，半導體結構中的弛豫電流(DR Current，Dielectric Relaxation Current)仍然較大，造成半導體結構的電學性能差，例如，半導體結構的正偏壓-溫度不穩定特性(PBTI，Positive Biase Temperature Instability)和負偏壓-溫度不穩定特性(NBTI，Negative Biase Temperature Instability)顯著。進一步研究發現，導致半導體結構中弛豫電流大的原因包括：高k柵介質材料中具有缺陷，進而導致在高k柵介質材料中產生電子陷阱(electron traps)，導致高k柵介質材料的介電弛豫效應顯著，造成高k柵介質材料具有較大損耗角。

進一步分析發現，高k柵介質材料中的缺陷主要包括氧空位(Oxygen Vacancy)，若能夠減少高k柵介質材料中氧空位含量，則能顯著改善半導體結構的電學性能。

為解決上述問題，本發明提供一種半導體結構的形成方法，包括：提供 基底；在所述基底表面形成界面層；對所述界面層進行第一退火處理，所述第一退火處理在含氮氛圍下進行，使界面層表面形成含氮層；在所述含氮層表面形成高k柵介質層；對所述高k柵介質層進行第二退火處理，使含氮層中的氮離子擴散至高k柵介質層內；在所述高k柵介質層表面形成柵電極層。本發明中由于含氮層中的氮離子擴散至高k柵介質層內，所述氮離子能夠鈍化高k柵介質層內的氧空位，從而改善高k柵介質層的介電弛豫特性，減小半導體結構的弛豫電流，改善形成的半導體結構的電學性能。

為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施例做詳細的說明。

圖1至圖8為本發明一實施例提供的半導體形成過程的剖面結構示意圖。

參考圖1，提供基底101；在所述基底101表面形成偽柵102。

所述基底101的材料為硅、鍺、鍺化硅、碳化硅、砷化鎵或鎵化銦，所述基底101還能夠為絕緣體上的硅襯底或者絕緣體上的鍺襯底。本實施例中，所述基底101的材料為硅。

所述基底101內還形成有隔離結構(未圖示)，所述隔離結構用于電隔離相鄰有源區(AA，Active Area)。

所述偽柵102替后續形成的柵極結構占據空間位置。所述偽柵102的材料為氧化硅、多晶硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或非晶碳。本實施例中，所述偽柵102的材料為多晶硅，為了避免后續刻蝕去除偽柵102的工藝對基底101造成過刻蝕，所述偽柵102與基底101之間還能夠形成氧化層。

在一個實施例中，形成所述偽柵102的工藝步驟包括：在所述基底101表面形成偽柵膜；圖形化所述偽柵膜，去除位于部分基底101表面的偽柵膜，形成所述偽柵102。本實施例中，所述偽柵102側壁表面還形成有側墻(未標示)，所述側墻的材料為氮化硅。

在形成所述偽柵102之后，還包括步驟：在所述偽柵102兩側的基底101內形成源漏區。在一個實施例中，形成的半導體結構為PMOS器件，所述源漏區的摻雜離子為P型離子，例如為B、Ga或In。在另一實施例中，形成的 半導體結構為NMOS器件，所述源漏區的摻雜離子為N型離子，例如為P、As或Sb。

在其他實施例中，形成的半導體結構為鰭式場效應管，所述基底包括：襯底、以及位于襯底表面的若干分立的鰭部、位于襯底表面的隔離層，其中，所述隔離層覆蓋鰭部的部分側壁表面，且所述隔離層頂部低于鰭部頂部。相應的，所述偽柵位于部分隔離層表面，且所述偽柵橫跨所述鰭部，覆蓋鰭部的部分頂部表面和側壁表面，所述源漏區位于偽柵兩側的鰭部內。

參考圖2，在所述偽柵102兩側的基底101表面形成層間介質層103，所述層間介質層103覆蓋偽柵102側壁。

所述層間介質層103頂部與偽柵102頂部齊平。形成所述層間介質層103的工藝步驟包括：在所述偽柵102兩側的基底101表面形成層間介質膜，所述層間介質膜覆蓋偽柵102的頂部表面和側壁表面，且所述層間介質膜頂部高于偽柵102頂部；去除高于偽柵102頂部的層間介質膜，形成所述層間介質層103。

所述層間介質層103的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或碳氮氧化硅。本實施例中，所述層間介質層103的材料與偽柵102的材料不同，層間介質層103的材料為氧化硅。

參考圖3，刻蝕去除所述偽柵102(參考圖2)，暴露出基底101表面。

本實施例中，采用干法刻蝕工藝，刻蝕去除所述偽柵102，所述干法刻蝕工藝對偽柵102的刻蝕速率大于對層間介質層103的刻蝕速率。

參考圖4，在所述基底101表面形成界面層104。

本實施例中，所述界面層104位于基底101部分表面，在所述暴露出的基底101表面形成界面層104。一方面，所述界面層104作為柵極結構的一部分，與后續形成的高k柵介質層構成的疊層結構作為柵介質層；另一方面，所述界面層104為后續形成高k柵介質層提供良好的界面基礎，從而提高形成的高k柵介質層的質量，且避免高k柵介質層與基底101直接接觸造成的不良影響。

所述界面層104的材料為氧化硅、氮化硅或碳氮氧化硅；采用化學氣相沉積、物理氣相沉積或原子層沉積工藝形成所述界面層104，還能夠采用氧化工藝形成所述界面層104。

本實施例中，所述界面層104的材料為氧化硅。為了提高界面層104與基底101之間的界面性能，采用熱氧化(thermal oxidation)工藝，在所述基底101表面形成界面層104，其中，熱氧化工藝為干氧氧化或濕氧氧化。在采用熱氧化工藝形成所述界面層104的工藝過程中，向反應腔室內通入氧源，為了降低熱氧化工藝對基底101的氧化速率，還能夠向反應腔室內通入硅源。

在一個具體實施例中，采用熱氧化工藝形成所述界面層104的工藝參數包括：提供氧化氣體，所述氧化氣體包括O₂、H₂O、NO或N₂O，氧化氣體流量為10sccm至100sccm，腔室溫度為500攝氏度至850攝氏度。

參考圖5，對所述界面層進行第一退火處理105，所述第一退火處理105在含氮氛圍下進行，使界面層104表面形成含氮層106。

在進行第一退火處理105之前，所述界面層104中具有未成鍵的硅離子和未成鍵的氧離子，因此界面層104的性能較差，例如界面層104的電絕緣性能和致密性差。所述第一退火處理105有利于鈍化所述未成鍵的硅離子和未成鍵的氧離子，所述未成鍵的硅離子、未成鍵的氧離子進行化學鍵重組，從而改善界面層104的性能，提高界面層104的絕緣性和致密性。

其次，由于第一退火處理105在含氮氛圍下進行，所述含氮氛圍中的氮離子與界面層104表面的硅離子以及氧離子相結合，從而在界面層104表面形成含氮層106，在對后續形成的高k柵介質層進行第二退火處理時，所述含氮層106中的氮離子向高k柵介質層內擴散，從而起到鈍化高k柵介質層中氧空位的作用，減少高k柵介質層內的氧空位含量。

所述第一退火處理105采用的氣體包括NH₃。本實施例中，所述第一退火處理105的工藝參數包括：退火溫度為400攝氏度至1100攝氏度，腔室壓強為1托至1標準大氣壓，退火時長為10分鐘至120分鐘。采用本實施例提供的第一退火處理105工藝參數，能夠避免氮離子擴散進入基底101內，且避免由于退火溫度過高造成的源漏區摻雜離子二次擴散的問題；同時，本實 施例中退火溫度以及腔室壓強適中，使得界面層104的性能得到明顯改善，并且保證含氮層106中具有較多的氮離子含量，進而在后續起到減小高k柵介質層中氧空位的作用。

在其他實施例中，所述第一退火處理除在含氮氛圍下進行以外，所述第一退火處理還在含氟或氫中的一種或兩種氛圍下進行，相應的，所述含氮層中還含有氟離子或氫離子中的一種或兩種，所述第一退火處理采用的氣體還包括NF₃或H₂。具體的，在一個實施例中，所述第一退火處理在含氮和氟氛圍下進行，所述第一退火處理采用的氣體包括NH₃和NF₃；在另一實施例中，所述第一退火處理在含氮和氫氛圍下進行，所述第一退火處理采用的氣體包括NH₃和H₂；在又一實施例中，所述第一退火處理在含氮、氫和氟氛圍下進行，所述第一退火處理采用的氣體包括NH₃、NF₃和HF。

參考圖6，在所述含氮層106表面形成高k柵介質層107。

所述高k柵介質層107的材料為高k柵介質材料，其中，高k柵介質材料指的是，相對介電常數大于氧化硅相對介電常數的柵介質材料，所述高k柵介質層107的材料為HfO₂、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、ZrO₂或Al₂O₃。

采用化學氣相沉積、物理氣相沉積或原子層沉積工藝形成所述高k柵介質層107。本實施例中，所述高k柵介質層107的材料為HfO₂，采用化學氣相沉積工藝形成所述高k柵介質層107。

參考圖7，對所述高k柵介質層107進行第二退火處理108，使含氮層106中的氮離子擴散至高k柵介質層107內。

所述第二退火處理108能夠提高高k柵介質層107的致密度，提高高k柵介質層107材料的相對介電常數。

所述第二退火處理108還適于減少高k柵介質層107內的氧空位含量。由于高k柵介質材料大多為離子晶體，每一個金屬離子都與氧離子有較多的鍵存在，當氧離子缺失時則易形成氧空位，所述氧空位在高k柵介質材料的禁帶中央引入了帶隙態，成為導電機制中的缺陷能級；若直接以所述高k柵介質層107作為柵極結構中柵介質層一部分，則形成的半導體結構中介電弛 豫問題顯著。為此，本實施例對高k柵介質層107進行第二退火處理108，使得含氮層106中的氮離子擴散至高k柵介質層107內，氮離子進入氧空位取代了原來氧離子的作用，通過氮離子與高k柵介質層107中的金屬離子之間軌道雜化。以高k柵介質層107的材料為HfO₂為例，由于氮原子的電負性大于氧原子電負性，將原來Hf5d軌道上的帶隙態推至HfO₂的導帶以下，從而鈍化HfO₂中的氧空位，進而改善高k柵介質層107的介電弛豫問題，改善半導體結構的正偏壓-溫度不穩定特性和負偏壓-溫度不穩定特性。

本實施例中，所述第二退火處理的工藝參數包括：退火溫度為400攝氏度至1100攝氏度，腔室壓強為1托至1標準大氣壓，處理時長為10分鐘至120分鐘。在第二退火處理過程中，所述含氮層106中的氮離子擴散至高k柵介質層107內，且避免所述氮離子擴散至基底101內，避免了溝道區造成不必要的摻雜。

在其他實施例中，所述含氮層中含有氟離子或氫離子時，在第二退火處理過程中，所述含氮層中的氟離子或氫離子擴散至高k柵介質層內，能夠進一步起到鈍化氧空位的作用。

在后續形成柵電極層之前，還能夠在高k柵介質層107表面形成蓋層，所述蓋層能夠阻擋后續形成的柵電極層內的金屬離子擴散高k柵介質層107內。

參考圖8，在所述高k柵介質層107表面形成柵電極層109。

本實施例中，所述柵電極層109頂部與層間介質層103頂部齊平；在形成所述柵電極層109的過程中，還去除高于層間介質層103頂部的高k柵介質層107。在一個具體實施例中，形成所述柵電極層109的工藝步驟包括：在所述高k柵介質層107表面形成柵電極膜，所述柵電極膜頂部高于層間介質層103頂部；研磨去除高于層間介質層103頂部的柵電極膜，形成所述柵電極層109；研磨去除所述高于層間介質層103頂部的高k柵介質層107。

所述柵電極層109為單層結構或疊層結構。本實施例中，所述柵電極層109包括：位于高k柵介質層107表面的功函數層以及位于功函數層表面的電極層，其中，所述電極層的材料包括Al、Cu、Ag、Au、Pt、Ni、Ti或W。

形成的半導體結構為NMOS器件時，所述功函數層的材料為N型功函數材料，包括TiAl、TaAlN、TiAlN、MoN、TaCN或AlN中的一種或幾種；形成的半導體結構為PMOS器件時，所述功函數層的材料為P型功函數材料，包括Ta、TiN、TaN、TaSiN或TiSiN中的一種或幾種。

在其他實施例中，所述柵電極層還能夠為單層結構，柵電極層的材料包括Al、Cu、Ag、Au、Pt、Ni、Ti或W。

由于本實施例減少了高k柵介質層107中的氧空位含量，改善了高k柵介質層107的介電弛豫問題，從而減小了半導體結構的弛豫電流，因此本實施例能夠改善半導體結構的正偏壓溫度不穩定特性和負偏壓溫度不穩定特性，提高半導體結構的電學性能。

需要說明的是，本實施例中，以后形成高k柵介質層后形成金屬柵極(high k last metal gate last)的工藝為例。在其他實施例中，還能夠采用先形成高k柵介質層后形成金屬柵極(high k first metal gate last)的工藝，具體的，所述界面層位于基底整個表面，在所述高k柵介質層表面形成柵電極層之前，對高k柵介質層進行第二退火處理，接著，在所述高k柵介質層表面形成偽柵膜；圖形化所述偽柵膜以及高k柵介質層，從而在圖形化后的高k柵介質層表面形成偽柵；在所述偽柵兩側的基底內形成源漏區；在所述偽柵兩側的基底表面形成層間介質層，所述層間介質層覆蓋偽柵側壁；去除所述偽柵；在所述高k柵介質層表面形成柵電極層。

在另一實施例中，還能夠采用先形成高k柵介質層先形成金屬柵極(high k first metal gate first)的工藝。具體的，所述界面層位于基底整個表面，在對高k柵介質層進行第二退火處理之后，在所述高k柵介質層表面形成柵電極層；圖形化所述柵電極層以及高k柵介質層，形成柵極結構；在所述柵極結構兩側的基底內形成源漏區；在所述柵極結構兩側的基底表面形成層間介質層，所述層間介質層覆蓋柵極結構側壁。

圖9至圖11為本發明另一實施例提供的半導體結構形成過程的剖面結構示意圖。

參考圖9，提供基底201；在所述基底201表面形成界面層204；在所述 界面層204表面形成高k柵介質層207。

本實施例中，以后形成高k柵介質層后形成金屬柵極為例，在形成所述界面層204之前，還包括步驟：在所述基底201部分表面形成偽柵；在所述偽柵兩側的基底201內形成源漏區；在所述基底201表面形成層間介質層203，所述層間介質層203覆蓋偽柵側壁表面；刻蝕去除所述偽柵，暴露出基底201表面；然后在所述暴露出的基底201表面形成界面層204。

本實施例中，所述高k柵介質層207還位于層間介質層203的頂部表面和側壁表面。

有關基底201、界面層204、高k柵介質層207的材料和形成工藝可參考前述實施例的說明，在此不再贅述。

參考圖10，對所述高k柵介質層207和界面層204進行第一退火處理205，所述第一退火處理205在含氮氛圍下進行，使氮離子擴散至高k柵介質層207內。

所述第一退火處理205的作用包括：首先，所述第一退火處理205適于減少高k柵介質層207內的氧空位含量，所述第一退火處理205在含氮氛圍下進行，使氮離子擴散至高k柵介質層內，減少高k柵介質層207內的氧空位含量，從而改善高k柵介質層207的介電弛豫問題。其次，所述第一退火處理205還能夠提高高k柵介質層207的致密度，提高高k柵介質層207的相對介電常數。再次，所述第一退火處理205不僅能夠改善界面層204的致密度，還能夠使界面層204內未成鍵的氧離子擴散至高k柵介質層207內，所述未成鍵的氧離子占據氧空位位置，從而起到進一步鈍化高k柵介質層207內氧空位的作用，進一步減少高k柵介質層207內氧空位含量。

所述第一退火處理205采用的氣體包括NH₃，所述第一退火處理205采用的氣體還能夠包括N₂。本實施例中，所述第一退火處理205的工藝參數包括：退火溫度為400攝氏度至1000攝氏度，腔室壓強為1托至1標準大氣壓，退火時長為10分鐘至120分鐘。所述第一退火處理的退火溫度適中，避免氮離子擴散進入基底201內，并且由于退火溫度和腔室壓強適中，能夠有效的控制擴散進入高k柵介質層207內的氮離子含量，避免氮離子含量過大而導 致高k柵介質層207的相對介電常數降低。

在其他實施例中，所述第一退火處理除在含氮氛圍下進行外，所述第一退火處理還在含氟或氫中的一種或兩種氛圍下進行，所述第一退火處理采用的氣體還包括NF₃或HF中的一種或兩種。在一個實施例中，所述第一退火處理在含氮和氟氛圍下進行，第一退火處理采用的氣體包括NH₃和NF₃，第一退火處理采用的氣體還能夠包括N₂。在另一實施例中，所述第一退火處理在含氮、氫和氟氛圍下進行，所述第一退火處理采用的氣體包括NH₃、NF₃、N₂和H₂。

參考圖11，在所述高k柵介質層207表面形成柵電極層209，且所述柵電極層209頂部與層間介質層203頂部齊平。

本實施例中，還去除高于層間介質層203頂部的高k柵介質層207。

有關柵電極層209的材料以及形成步驟可參考前述實施例的說明，在此不再贅述。

由于本實施例減少了高k柵介質層207中的氧空位含量，改善了高k柵介質層207的介電弛豫問題，從而減小了半導體結構的弛豫電流，因此本實施例能夠改善半導體結構的正偏壓溫度不穩定特性和負偏壓溫度不穩定特性，提高半導體結構的電學性能。

需要說明的是，本實施例中，以后形成高k柵介質層后形成金屬柵極(high k last metal gate last)的工藝為例。在其他實施例中，還能夠采用先形成高k柵介質層后形成金屬柵極(high k first metal gate last)的工藝，具體的，所述界面層位于基底整個表面，在所述高k柵介質層表面形成柵電極層之前，對所述高k柵介質層進行第一退火處理，接著，在所述高k柵介質層表面形成偽柵膜；圖形化所述偽柵膜以及高k柵介質層，從而在圖形化后的高k柵介質層表面形成偽柵；在所述偽柵兩側的基底內形成源漏區；在所述偽柵兩側的基底表面形成層間介質層；去除所述偽柵；在所述高k柵介質層表面形成柵電極層。

在另一實施例中，還能夠采用先形成高k柵介質層先形成金屬柵極(high k first metal gate first)的工藝。具體的，所述界面層位于基底整個表面，在對 高k柵介質層進行第一退火處理之后，在所述高k柵介質層表面形成柵電極層；圖形化所述柵電極層以及高k柵介質層，形成柵極結構；在所述柵極結構兩側的基底內形成源漏區；在所述柵極結構兩側的基底表面形成層間介質層。

雖然本發明披露如上，但本發明并非限定于此。任何本領域技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，均可作各種更動與修改，因此本發明的保護范圍應當以權利要求所限定的范圍為準。