一種多進口空腔加熱支撐架的制作方法

本發明涉及一種多進口空腔加熱支撐架，屬于半導體薄膜沉積應用及制造技術領域。

背景技術：

半導體設備在進行沉積反應時往往需要使晶圓及腔室加熱或維持在沉積反應所需要的溫度，所以加熱盤必需具備加熱結構以滿足給晶圓預熱的目的。大多數半導體薄膜沉積設備，在沉積過程中還會有等離子體參與沉積反應，因等離子體能量的釋放以及化學氣體間反應的能量釋放，加熱盤及晶圓的溫度會隨著射頻及工藝時間的增加溫度會不斷的上升，如果在進行相同溫度下的工藝，需要等待加熱盤降到相同的溫度后才能進行，這樣會耗費大量的時間，設備的產能相對比較低。如果晶圓和加熱盤的溫度升溫過快，晶圓和加熱盤的溫度會超出薄膜所需承受的溫度，致使薄膜失敗。

為了解決工藝過程中加熱盤溫升過快降溫慢而導致半導體鍍膜設備熱交換效率及產能較低，晶圓溫度不夠均勻致使薄膜失敗的問題，我們需要有能夠自動調溫的裝置，來保證加熱盤的溫度。

技術實現要素：

本發明以解決上述問題為目的，提供了一種多進口空腔加熱支撐架，該支撐架采用支撐架上盤體與支撐架下盤體形成的空腔，并且利用媒介的循環進行冷卻和加熱，對支撐架進行溫度的控制。

為實現上述目的，本發明采用下述技術方案：

一種多進口空腔加熱支撐架，該加熱支撐架包括支撐架上盤體，支撐架下盤體，導流槽蓋板，陶瓷柱及陶瓷柱安裝螺母；所述支撐架上盤體的下盤面設有凸臺A，凸臺B，陶瓷柱孔及熱電偶孔，凸臺A與凸臺B形成環形溝槽，凸臺B上分布有三個導流口，為媒介流入腔體內提供通道；所述陶瓷柱孔與熱電偶孔的外圍分別設有凸臺C和凸臺D；所述支撐架下盤體的上盤面上與上述陶瓷柱孔相對應的位置設有螺紋孔，在上盤面靠近中心的位置設有媒介入口、媒介出口及與上述熱電偶孔位置相對應的熱電偶安裝螺紋孔，還設有以媒介入口為中心分別向支撐架下盤體外圍開有的三個導流槽，每個導流槽的兩側分別有凸臺E，用于承載導流槽蓋板，每個導流槽的外端還設有終端孔，終端孔的位置在上述環形溝槽對應的范圍內；所述導流槽蓋板的外端設有與導流槽終端孔相對應的導流槽蓋板端孔；

所述支撐架下盤體通過導流槽與導流槽蓋板焊接后再與支撐架上盤體通過真空釬焊進行焊接，然后將陶瓷柱安裝在陶瓷柱孔內，再采用陶瓷柱安裝螺母通過螺紋孔對陶瓷柱進行固定形成空腔。

所述凸臺A、凸臺B、凸臺C與凸臺D的高度相等。

本發明的有益效果及特點在于：

本發明的多進口空腔加熱支撐架，通過循環媒介的自動控溫，可以實現對加熱支撐架溫度的自動調節，能夠精確的控制加熱支撐架的溫度。

附圖說明

圖1為本發明的多進口空腔加熱支撐架的結構示意圖；

圖2為本發明支撐架上盤體的下盤面的結構示意圖；

圖3為本發明支撐架下盤體的上盤面的結構示意圖；

圖4為辦發明的導流槽蓋板的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合實施例進一步對本發明進行詳細說明，但發明保護內容不局限于所述實施例：

如圖1-4所示，一種多進口空腔加熱支撐架，該加熱支撐架包括支撐架上盤體1，陶瓷柱2，導流槽蓋板3，支撐架下盤體4及陶瓷柱安裝螺母5；所述支撐架上盤體1的下盤面設有凸臺A21，凸臺B22，陶瓷柱孔7及熱電偶孔9，凸臺A21與凸臺B22形成環形溝槽8，凸臺B22上分布有三個導流口10，為媒介流入腔體內提供通道；所述陶瓷柱孔7與熱電偶孔9的外圍分別設有凸臺C23和凸臺D24；所述支撐架下盤體4的上盤面上與上述陶瓷柱孔7相對應的位置設有螺紋孔6，在上盤面靠近中心的位置設有媒介入口12、媒介出口11及與上述熱電偶孔9位置相對應的熱電偶安裝螺紋孔15，還設有以媒介入口12為中心分別向支撐架下盤體4外圍開有的三個導流槽13，每個導流槽13的兩側分別有凸臺E31，用于承載導流槽蓋板3，每個導流槽13的外端還設有終端孔14，終端孔14的位置在上述環形溝槽8對應的范圍內；所述導流槽蓋板3的外端設有與終端孔14相對應的導流槽蓋板端孔16；

所述支撐架下盤體4上的導流槽13與導流槽蓋板3焊接后再與 支撐架上盤體1通過真空釬焊進行焊接，然后將陶瓷柱2安裝在陶瓷柱孔7內，再采用陶瓷柱安裝螺母5通過螺紋孔6對陶瓷柱2進行固定形成空腔。所述凸臺A21、凸臺B22、凸臺C23與凸臺D24的高度相等。

使用時，支撐架上盤體1與支撐架下盤體4形成空腔，然后將媒介通過媒介入口12通入，經過導流槽13，由導流槽終端孔14流入環形溝槽8中，再由導流口10流入空腔中，然后由媒介出口11流出，利用媒介對該加熱支撐架進行冷卻或加熱，利用媒介的循環，對加熱支撐架進行溫度的控制。