無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線的制作方法

本發(fā)明涉及醫(yī)療器械領(lǐng)域，特別是涉及一種無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線。

背景技術(shù)：

非晶硅平板探測(cè)器是利用X光照射在閃爍體表面，產(chǎn)生可見(jiàn)光光子，再由感光二極管將可見(jiàn)光光子轉(zhuǎn)化成相應(yīng)數(shù)量的電子，通過(guò)薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)電路掃描讀出，模擬數(shù)字轉(zhuǎn)化器轉(zhuǎn)化輸出信號(hào)為數(shù)字信號(hào)，傳輸至工作站平臺(tái)。隨著無(wú)線通訊技術(shù)的廣泛使用，采用無(wú)線通訊替代傳統(tǒng)的有線通訊(千兆以太網(wǎng)，并行總線等)成為趨勢(shì)。無(wú)線通訊相對(duì)于有線通訊有二點(diǎn)優(yōu)勢(shì)：1.在戶外需要使用移動(dòng)設(shè)備的場(chǎng)合，線纜的使用限制了探測(cè)器的使用范圍和便捷性。2.在有線通訊中，對(duì)線纜的可靠性有較高要求(彎折次數(shù)，拉伸次數(shù)等)，線纜的設(shè)計(jì)難度較大。

根據(jù)非晶硅探測(cè)器的數(shù)據(jù)傳輸特點(diǎn)：大數(shù)據(jù)量，高數(shù)據(jù)率，探測(cè)器的無(wú)線協(xié)議只能使用802.11n協(xié)議，802.11n協(xié)議允許工作在2.4GHz-2.5GHz和5GHz-6GHz波段，所以無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的天線工作頻率需要支持2.4GHz-2.5GHz和5GHz-6GHz波段。非晶硅平板探測(cè)器由于結(jié)構(gòu)強(qiáng)度上的需要，外殼材料為金屬，金屬材料對(duì)于天線的輻射波有較強(qiáng)的吸收能力，所以無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的天線設(shè)計(jì)需要解決的一個(gè)問(wèn)題是，防止天線的輻射被金屬外殼影響。常用的方法是在金屬外殼表面挖孔，內(nèi)置天線通過(guò)挖孔輻射與接收無(wú)線信號(hào)，但是挖孔的面積一般不會(huì)很大，金屬外殼對(duì)于內(nèi)置天線的影響仍不能完全消除，而且挖孔會(huì)減弱外殼結(jié)構(gòu)件的強(qiáng)度，另外非晶硅平板探測(cè)器隨著市場(chǎng)化的需要，外形向著薄型化發(fā)展，這對(duì)挖孔的難度與天線效率帶來(lái)更大的挑戰(zhàn)。

因此，有必要提供一種無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線，以改變上述缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中由于探測(cè)器的外殼材料為金屬，會(huì)對(duì)天線的輻射波有較強(qiáng)的吸收能力，從而對(duì)天線的輻射造成影響的問(wèn)題；以及為了防止天線的輻射被金屬外殼影響，將金屬外殼表面挖孔所帶來(lái)的金屬外殼對(duì)天線輻射的影響不能完全消除，且會(huì)減弱金屬外殼構(gòu)件的強(qiáng)度的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線，所述無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線包括：內(nèi)置一次輻射單元及與所述內(nèi)置一次輻射單元 耦合在工作頻率形成諧振的二次輻射單元；

所述二次輻射單元由一金屬外殼組成，所述金屬外殼包括挖空結(jié)構(gòu)和縫隙；所述挖空結(jié)構(gòu)位于所述金屬外殼對(duì)應(yīng)于所述內(nèi)置一次輻射單元下方的位置處；所述縫隙與所述挖空結(jié)構(gòu)相連通，并將所述金屬外殼的邊沿割開(kāi)。

作為本發(fā)明的無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線的一種優(yōu)選方案，所述內(nèi)置一次輻射單元的材料為金屬或金屬化的塑料。

作為本發(fā)明的無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線的一種優(yōu)選方案，所述金屬外殼為金屬壓鑄的金屬外殼、數(shù)控機(jī)床成型的金屬外殼或金屬化的塑料外殼。

作為本發(fā)明的無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線的一種優(yōu)選方案，所述金屬外殼為所述無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的外殼。

作為本發(fā)明的無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線的一種優(yōu)選方案，所述內(nèi)置一次輻射單元為PCB天線或PIFA天線。

作為本發(fā)明的無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線的一種優(yōu)選方案，所述縫隙內(nèi)填充有低介電常數(shù)的材料。

作為本發(fā)明的無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線的一種優(yōu)選方案，所述無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線還包括內(nèi)置天線支架及電路板；

所述內(nèi)置一次輻射單元位于所述內(nèi)置天線支架上，且通過(guò)連接端子與所述電路板電連接；

所述金屬外殼與所述電路板的接地端電連接。

作為本發(fā)明的無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線的一種優(yōu)選方案，所述內(nèi)置一次輻射單元通過(guò)柔性電路板、激光直接成型技術(shù)或機(jī)械工藝固定在所述內(nèi)置天線支架上。

作為本發(fā)明的無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線的一種優(yōu)選方案，所述內(nèi)置一次輻射單元通過(guò)直接接觸或饋線與所述電路板電連接。

如上所述，本發(fā)明的無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線，具有以下有益效果：通過(guò)在所述無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的外殼上設(shè)置挖空結(jié)構(gòu)及縫隙，將所述無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的外殼改造成二次輻射單元，使其本身成為天線的一部分，既可以不將輻射區(qū)的金屬外殼全部挖空，不影響金屬外殼的強(qiáng)度及外觀造型，又避免了金屬外殼對(duì)天線輻射信號(hào)的衰減；二次輻射單元與內(nèi)置一次輻射單元構(gòu)成整體天線，具有更好的輻射效率。

附圖說(shuō)明

圖1顯示為本發(fā)明的無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2顯示為本發(fā)明的無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線的分解結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3顯示為本發(fā)明的無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線的局部放大示意圖。

元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明

1 內(nèi)置一次輻射單元

2 電路板

3 金屬外殼

4 二次輻射單元的短臂

5 二次輻射單元的長(zhǎng)臂

6 縫隙

7、8、9 金屬外殼的短路點(diǎn)

10 挖空結(jié)構(gòu)

11 內(nèi)置一次輻射單元的接地點(diǎn)

12 內(nèi)置一次輻射單元的饋電點(diǎn)

具體實(shí)施方式

以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過(guò)另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒(méi)有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請(qǐng)參閱圖1至圖3，需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本構(gòu)想，雖圖示中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

結(jié)合實(shí)施例具體說(shuō)明如下：請(qǐng)參閱圖1至圖3，本發(fā)明提供一種無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線，所述無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線包括：內(nèi)置一次輻射單元1及與所述內(nèi)置一次輻射單元1耦合在工作頻率形成諧振的二次輻射單元；所述二次輻射單元由一金屬外殼3組成，所述金屬外殼3包括挖空結(jié)構(gòu)10和縫隙6；所述挖空結(jié)構(gòu)10位于所述金屬外殼3對(duì)應(yīng)于所述內(nèi)置一次輻射單元1下方的位置處,；所述縫隙6與所述挖空結(jié)構(gòu)10相連通，并將所述金屬外殼3的邊沿割開(kāi)，即所述縫隙6與所述挖孔結(jié)構(gòu)10相連通，并貫通所述金屬外殼3的上下兩表面。

作為示例，所述內(nèi)置一次輻射單元1為常用的內(nèi)置天線，可以為PCB天線，也可以為 PIFA天線，所述內(nèi)置輻射單元1支持雙頻(2.4GHz和5GHz)。

作為示例，所述內(nèi)置一次輻射單元1的材料可以為不銹鋼、鋁合金、銅片等金屬導(dǎo)電材料，也可以為金屬化的塑料。

作為示例，所述內(nèi)置一次輻射單元1與所述金屬外殼3的邊沿包括一定的距離；所述內(nèi)置一次輻射單元1的表面可以與所述金屬外殼3的表面處于同一個(gè)平面內(nèi)，也可以低于所述金屬外殼3的表面。

作為示例，位于所述內(nèi)置輻射單元1正下方的所述金屬外殼3的部分或者全部金屬需要挖空以形成所述挖孔結(jié)構(gòu)10，目的在于割斷天線下方的高頻環(huán)流路徑，構(gòu)成輻射單元，挖空區(qū)域形成一個(gè)絕緣區(qū)域，減少金屬外殼對(duì)輻射能量的吸收；所述挖孔結(jié)構(gòu)10的大小可以根據(jù)所述一次輻射單元1的形狀、位置及工作頻段進(jìn)行相應(yīng)的改變。

作為示例，所述縫隙6設(shè)置于所述金屬外殼3側(cè)邊靠近所述內(nèi)置一次輻射單元1的位置，所述縫隙6的目的在于控制射頻電流的回流路徑；所述縫隙6與所述挖孔結(jié)構(gòu)10直接連通，將所述金屬外殼3的環(huán)形形成一個(gè)開(kāi)口，形成所述二次輻射單元；所述縫隙6的大小及位置可根據(jù)需要調(diào)節(jié)，所述縫隙6的大小及位置決定了二次輻射單元高頻輻射臂與低頻輻射臂的長(zhǎng)短，即決定了所述二次輻射單元的短臂4及所述二次輻射單元的長(zhǎng)臂5的長(zhǎng)短。合理調(diào)整所述縫隙6的位置，可以使二次輻射與一次輻射疊加，并相互加強(qiáng)，達(dá)到更好的輻射效果；通過(guò)調(diào)整所述內(nèi)置一次輻射單元1的形狀及所述縫隙6形成的所述二次輻射單元的短臂4及所述二次輻射單元的長(zhǎng)臂5的長(zhǎng)短，可以調(diào)節(jié)天線的工作頻段、駐波比及輻射效率。

作為示例，所述縫隙6可以用一定低介電常數(shù)的材質(zhì)進(jìn)行填充，具體可根據(jù)結(jié)構(gòu)、造型、射頻的需求而定。

作為示例，所述金屬外殼3可以為金屬壓鑄的金屬外殼，也可以為數(shù)控機(jī)床成型的金屬外殼，還可以為金屬化的塑料外殼。

作為示例，所述金屬外殼3為所述無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的外殼。

作為示例，所述無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線還包括內(nèi)置天線支架(未示出)及電路板2；所述內(nèi)置一次輻射單元1位于所述內(nèi)置天線支架上，且通過(guò)連接端子與所述電路板2電連接；所述金屬外殼3與所述電路板2的接地端電連接。

作為示例，所述內(nèi)置天線支架可以為在所述內(nèi)置一次輻射單元1的上面或下面的絕緣材料，適于支撐所述內(nèi)置一次輻射單元1。

作為示例，所述內(nèi)置天線支架為絕緣支架，其可以為但不僅限于PC(聚碳酸酯)材料的支架。

作為示例，所述內(nèi)置一次輻射單元1可以通過(guò)柔性電路板(FPC)固定在所述內(nèi)置天線 支架上，也可以通過(guò)激光直接成型(LDS)技術(shù)固定在所述內(nèi)置天線支架上，還可以通過(guò)機(jī)械工藝固定在所述內(nèi)置天線支架上。

作為示例，所述內(nèi)置一次輻射單元1可以通過(guò)直接接觸與所述電路板2電連接，也可以通過(guò)饋線與所述電路板2電連接。

作為示例，所述無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器還包括短路點(diǎn)7、短路點(diǎn)8、短路點(diǎn)9、接地點(diǎn)11及饋電點(diǎn)12。其中，所述短路點(diǎn)7、所述短路點(diǎn)8及所述短路點(diǎn)9為所述電路板2與所述金屬外殼3的短路點(diǎn)，適于提供射頻回流路徑；所述接地點(diǎn)11適于連接所述內(nèi)置一次輻射單元1及所述電路板2，將所述內(nèi)置一次輻射單元1與所述電路板2連接形成環(huán)形天線或其他形式的天線，縮短天線長(zhǎng)度尺寸和擴(kuò)展低頻帶寬，所述接地點(diǎn)11視天線的形狀不一樣可以省去或調(diào)整到其他位置；所述饋電點(diǎn)適于激勵(lì)所述內(nèi)置一次輻射單元。

作為示例，所述無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的饋電方式可以采用在所述電路板2上安裝的頂針、彈腳、焊接、螺釘固定等直接接觸型的饋電方式，也可以采用在所述內(nèi)置一次輻射單元1上安裝天線連接器通過(guò)同軸線纜與主板相連接，附圖中省略了饋電方式的示意圖。

本發(fā)明的關(guān)鍵技術(shù)是在無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的內(nèi)置一次輻射單元周?chē)?，利用挖孔與割裂的方式，將金屬外殼改造成二次輻射單元，使得無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的金屬外殼本身成為天線一部分。

整體天線的實(shí)現(xiàn)方式：內(nèi)置一次輻射單元為PCB類或者PIFA類天線，支持雙頻(2.4GHz和5GHz)，輻射能量一部分直接輻射到外部空間，一部分通過(guò)一定途徑耦合到二次輻射單元，形成二次天線輻射，其中二次輻射單元為探測(cè)器金屬外殼。金屬外殼既成為輻射天線的一部分，同時(shí)作為結(jié)構(gòu)的支撐，如果需要，還可以作為外觀面。金屬外殼位于天線下方的部分需要挖空以形成挖孔結(jié)構(gòu)，目的在于割斷天線下方的高頻環(huán)流路徑，構(gòu)成輻射單元，挖空區(qū)域形成一個(gè)絕緣區(qū)域，減少金屬外殼對(duì)輻射能量的吸收，同時(shí)在側(cè)邊需要開(kāi)一個(gè)縫隙，控制射頻電流的回流路徑，此縫隙可以用一定低介電常數(shù)的材質(zhì)進(jìn)行填充，根據(jù)結(jié)構(gòu)而定?？p隙的大小與位置，決定了二次輻射單元高頻輻射臂與低頻輻射臂的長(zhǎng)短。合理調(diào)整縫隙的位置，使二次輻射與一次輻射疊加，并相互加強(qiáng)，達(dá)到更好的輻射效果。

綜上所述，本發(fā)明提供一種無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線，所述無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的整體天線包括：內(nèi)置一次輻射單元及與所述內(nèi)置一次輻射單元耦合在工作頻率形成諧振的二次輻射單元；所述二次輻射單元由一金屬外殼組成，所述金屬外殼包括挖空結(jié)構(gòu)和縫隙；所述挖空結(jié)構(gòu)位于所述金屬外殼對(duì)應(yīng)于所述內(nèi)置一次輻射單元下方的位置處；所述縫隙與所述挖空結(jié)構(gòu)相連通，并將所述金屬外殼的邊沿割開(kāi)。通過(guò)在所述無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的外殼上設(shè)置挖空結(jié)構(gòu)及縫隙，將所述無(wú)線非晶硅平板探測(cè)器的外殼改造成二次輻射單元， 使其本身成為天線的一部分，既可以不將輻射區(qū)的金屬外殼全部挖空，不影響金屬外殼的強(qiáng)度及外觀造型，又避免了金屬外殼對(duì)天線輻射信號(hào)的衰減；二次輻射單元與內(nèi)置一次輻射單元構(gòu)成整體天線，具有更好的輻射效率。

上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。