1.一種薄膜晶體管結構，其特征在于，包含：
一基板，
一第一金屬層，設于該基板上；
一第一緩沖層，覆蓋該基板及該第一金屬層；
一半導體層，設于該第一緩沖層上；
一第二金屬層，設于該半導體層上，并具有一間隔區；
一第二緩沖層，覆蓋該第二金屬層；以及
一第三金屬層，設于該第二緩沖層上。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，該第一金屬層的寬度大于該間隔區的寬度。
3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，該第二緩沖層上方具有至少一凹槽，該第三金屬層設于該凹槽內。
4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，該第三金屬層的寬度大于該間隔區的寬度。
5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，該第三金屬層的寬度等于該間隔區的寬度。
6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，該第三金屬層的寬度小于該間隔區的寬度。
7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，該半導體層中具有一通道區。
8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，該信道區的 寬度小于該第三金屬層的寬度。
9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，該信道區的寬度等于該第三金屬層的寬度。
10.根據權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，該信道區的寬度大于該第三金屬層的寬度。