1.一種太陽能電池，其特征在于，包含：
基板，排列有單位太陽能電池區域，該單位太陽能電池區域由電池單元區域和配線區域構成；
第一半導體層，形成在所述基板上，并且在所述基板的所述配線區域上形成第一溝槽；
第二半導體層，形成在所述第一溝槽以及所述第一半導體層上，并且在所述基板的所述配線區域上形成第二溝槽，以露出所述第一半導體層的一部分；
第三半導體層，形成在所述第二半導體層上，并且在所述基板的所述配線區域上形成第三溝槽，以露出所述第二半導體層的一部分；以及
電極層，形成在所述第三半導體層上，通過所述第二溝槽而與所述第一半導體層連接。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，
在所述基板和所述第一半導體層之間還形成有抗反射層。
3.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，
所述抗反射層包括所述第一溝槽延伸的結構。
4.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，
所述抗反射層是氮化硅(SiNx)或氮化鈦(TiNx)。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，
所述第一半導體層、第二半導體層、第三半導體層是n、i、p或p、i、n。
6.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟(a)，提供排列有單位太陽能電池區域的基板，該單位太陽能電池區域由電池單元區域和配線區域構成；
步驟(b)，在所述基板上形成第一半導體層；
步驟(c)，第一蝕刻工序：在所述配線區域上蝕刻所述第一半導體層，以形成與相鄰的其他單位太陽能電池區域分離的第一溝槽；
步驟(d)，在包含所述第一半導體層的基板上依次形成第二半導體層以及第三半導體層；
步驟(e)，第二蝕刻工序：在所述第三半導體層上形成第一掩膜層，并 且在所述配線區域上，利用所述第一掩膜層同時蝕刻所述第三半導體層以及所述第二半導體層，以形成露出所述第一半導體層的一部分的第二溝槽；
步驟(f)，去除所述第一掩膜層，并且在包含所述第三半導體層的基板上形成電極層；
步驟(g)，第三蝕刻工序：在所述電極層上形成第二掩膜層，并且在所述配線區域上，利用所述第二掩膜層同時蝕刻所述電極層以及所述第三半導體層，以形成露出所述第二半導體層的一部分的第三溝槽；以及
步驟(h)，去除所述第二掩膜層。
7.根據權利要求6所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，還包括如下步驟：
在所述基板和所述第一半導體層之間形成抗反射層。
8.根據權利要求7所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，
通過所述第一蝕刻工序，所述抗反射層與所述第一半導體層同時蝕刻，以延伸形成所述第一溝槽。
9.根據權利要求7所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，
所述抗反射層由氮化硅(SiNx)或氮化鈦(TiNx)形成。
10.根據權利要求6所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，
所述第一溝槽通過激光劃片方法蝕刻。
11.根據權利要求6所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，
所述第二溝槽以及所述第三溝槽通過濕蝕刻方法蝕刻。
12.根據權利要求6所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，
所述第一、第二、第三蝕刻工序在所述基板的上部進行。
13.根據權利要求6的太陽能電池的制造方法，其特征在于
所述電極層由透明導電材料或金屬材料或者它們的層疊結構形成。
14.根據權利要求6所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，
所述第一半導體層、第二半導體層、第三半導體層形成為n、i、p或p、i、n。