反射天線及其設計方法與流程

本發明涉及天線領域，具體而言，涉及一種反射天線及其設計方法。

背景技術：

隨著衛星通信技術的快速發展，反射天線的應用越來越廣泛。反射天線由饋源和平板反射陣列組成。其中，平板反射陣列是由大量印刷于介質基片上的微帶貼片單元組成的平面陣列。反射天線的工作原理為：由饋源發射的電磁波沿著不同傳輸路徑到達平板反射陣列上的每個單元，傳輸路徑差異導致不同單元所接收的入射場具有不同的空間相位，通過合理設計每個單元，使其對不同的入射場做出不同的相位補償，讓反射場在天線口徑面上形成所需的同相位波前。

現有的反射天線的饋源采用喇叭直接照射，其照射方式可以分為垂直照射(正饋)和斜入射(偏饋)兩種。圖1是根據現有技術的饋源喇叭斜入射正方形平板反射陣列面板時電磁波功率分布的示意圖，如圖1所示，圖中的等值線代表的是歸一化功率密度分貝值，-10db的等值線代表平板反射陣列面板上此處的功率密度降為輻射功率密度最大值的十分之一，其中，-10db等值線在饋源喇叭斜入射正方形平板反射陣列面板的情況下是一個橢圓。為了獲得盡量大的板反射陣列面板的利用率，將此橢圓內切于正方形平板反射陣列面板，從圖1中可以看出，正方形平板反射陣列面板四角處的面積沒有得到利用，而且電磁波的功率密度在整個正方形平板反射陣列面板上不是均勻分布的，正方形平板反射陣列面板邊緣的功率也是不可控的，這樣將會導致天線的旁瓣電平有可能不符合國際衛星組織對于天線旁瓣包絡規范，即天線的旁瓣電平不可以超過-14db，同時，電磁波的功率密度在整個平板反射陣列面板上分布不均勻也將會導致不能對平板反射陣列面板的最佳相位調制性能進行優化。此外，現有的反射天線無論采用正饋還是偏饋方式，饋源對平板反射陣列面板發出的電磁波都會有一定程度的遮擋，降低了天線的總體效率。

針對現有技術中天線的平板反射陣列面板的利用率低的問題，目前尚未提出有效的解決方案。

技術實現要素：

本發明提供了一種反射天線及其設計方法，以至少解決現有技術中天線的平板反射陣列面板的利用率低的技術問題。

根據本發明的一個方面，提供了一種反射天線，包括：饋源，用于發射電磁波；副反射曲面，位于饋源輻射口一側，用于對電磁波進行賦形；以及主反射面板，位于饋源輻射口的另一側，用于對賦形后的電磁波進行調制，使得調制后的電磁波具有相同的相位。

進一步地，副反射曲面呈傘狀曲面。

進一步地，副反射曲面的中部為凹面且向饋源方向凹陷。

進一步地，副反射曲面劃分為多個彼此無縫連接的子曲面，多個子曲面的公共連接部是副反射曲面的中部。

進一步地，每個子曲面為凹面且向饋源方向凹陷。

進一步地，副反射曲面的橫切面為多邊形，多邊形的每個邊為曲線且向多邊形的中心彎曲。

進一步地，相鄰兩個子曲面的交界區域為凸面且向遠離饋源的方向凹陷。

進一步地，主反射面板包括：多個相位調整單元，其中，通過調整多個相位調整單元中的每個相位調整單元控制賦形后的電磁波具有相同的相位。

進一步地，主反射面板為超材料反射面板。

進一步地，超材料反射面板包括：介質基板；設置在介質基板表面的多個導電幾何結構；以及設置在介質基板的與導電幾何結構相對的另一表面的反射層。

進一步地，反射層為金屬層。

進一步地，超材料反射面板的形狀為矩形。

進一步地，副反射曲面上的點滿足如下關系：tan(θ+ψ)/2＝dρ/(ρdρ)；以及kp(θ,φ)da(θ,φ)＝gf(ψ,θ)daf(ψ,θ)，其中，k為預設常數，副反射曲面上的點為極坐標系下的點，ρ為副反射曲面上的點的極徑，φ為副反射曲面上的點的極角，極坐標系的坐標原點為饋源的相位中心，gf(ψ,θ)為饋源方向圖，p(θ,φ)為反射方向圖，da(θ,φ)為反射方向圖的微分面元，daf(ψ,θ)為饋源方向圖的微分面元，ψ為入射角，θ為反射角，入射角為電磁波的入射方向與饋源的中軸線的夾角，反射角為電磁波的反射方向與饋源的中軸線的夾角，入射角和反射角由主反射面板的尺寸和第一距離確定，第一 距離為饋源與主反射面板之間的距離。

進一步地，主反射面板上賦形后的電磁波的功率密度呈環形分布，其中，環形的外邊界內切于主反射面板的邊界，饋源在主反射面板上的投影落在環形的內邊界內。

進一步地，賦形后的電磁波的功率密度在環形分布的區域內均勻分布。

進一步地，饋源通過連接部件與主反射面板相連接。

進一步地，連接部件為圓波導管或支撐桿，饋源沿圓波導管或支撐桿軸向可活動的設置。

根據本發明的另一方面，還提供了一種本發明實施例中任一種反射天線的設計方法，該方法包括：獲取主反射面板的尺寸和第一距離，其中，第一距離為饋源與主反射面板之間的距離；根據主反射面板的尺寸和第一距離計算副反射曲面，其中，副反射曲面用于對饋源發射的電磁波賦形，主反射面板用于對賦形后的電磁波進行調制，使得調制后的電磁波具有相同的相位；以及由饋源、副反射曲面和主反射面板得到反射天線。

進一步地，根據主反射面板的尺寸和第一距離計算副反射曲面包括：根據主反射面板的尺寸和第一距離確定入射角和反射角，其中，入射角為電磁波的入射方向與饋源的中軸線的夾角，反射角為電磁波的反射方向與饋源的中軸線的夾角；按照入射角和反射角分別建立第一方程和第二方程；以及由第一方程和第二方程聯立求解得到副反射曲線；以及通過旋轉副反射曲線得到副反射曲面。

進一步地，第一方程為tan(θ+ψ)/2＝dρ/(ρdρ)，其中，ψ為入射角，θ為反射角，ρ為極坐標系下的極徑，極坐標系的坐標原點為饋源的相位中心，第二方程為kp(θ,φ)da(θ,φ)＝gf(ψ,θ)daf(ψ,θ)，其中，gf(ψ,θ)為饋源方向圖，p(θ,φ)為反射方向圖，da(θ,φ)為反射方向圖的微分面元，daf(ψ,θ)為饋源方向圖的微分面元，φ為極坐標系下的極角，k為預設常數。

進一步地，賦形后的電磁波的功率密度在主反射面板上呈環形分布，其中，環形的外邊界內切于主反射面板的邊界，饋源在主反射面板上的投影落在環形的內邊界內。

進一步地，賦形后的電磁波的功率密度在環形分布的區域內均勻分布。

進一步地，主反射面板為超材料反射面板；超材料反射面板包括：介質基板；設置在介質基板表面的多個導電幾何結構；以及設置在介質基板的與導電幾何結構相對的另一表面的反射層。

在本發明中，反射天線的副反射曲面由主反射面板的尺寸以及饋源與主反射面板之間的距離確定，通過副反射曲面對饋源發出的電磁波進行賦形，使得反射到主反射面板上的賦形后的電磁波的功率密度呈均勻地環形分布，達到了提高主反射面板利用率的目的，從而實現了提高反射天線總體效率的技術效果，進而解決了現有技術中天線的平板反射陣列面板的利用率低的技術問題。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本申請的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1是根據現有技術的饋源喇叭斜入射正方形平板反射陣列面板時電磁波功率分布的示意圖；

圖2是根據本發明實施例的反射天線的示意圖；

圖3a是根據本發明實施例的饋源喇叭的斜仰視示意圖；

圖3b是根據本發明實施例的饋源喇叭的斜俯視示意圖；

圖3c是根據本發明實施例的饋源喇叭的剖面示意圖；

圖4是根據本發明實施例的入射角和反射角的示意圖；

圖5a是根據本發明第一實施例的副反射曲面的示意圖；

圖5b是根據本發明第一實施例的副反射曲面的俯視示意圖；

圖6a是根據本發明第二實施例的副反射曲面的示意圖；

圖6b是根據本發明第二實施例的副反射曲面的俯視示意圖；

圖7是根據本發明實施例的主反射面板上賦形后的電磁波的功率密度分布示意圖；

圖8是由本發明第一實施例的副反射曲面賦形后的電磁波的功率密度在主反射面板上的分布示意圖；

圖9是由本發明第二實施例的副反射曲面賦形后的電磁波的功率密度在主反射面板上的分布示意圖；以及

圖10是根據本發明實施例的反射天線的設計方法的流程圖。

具體實施方式

為了使本技術領域的人員更好地理解本發明方案，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分的實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本發明保護的范圍。

需要說明的是，本發明的說明書和權利要求書及上述附圖中的術語“第一”、“第二”等是用于區別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應該理解這樣使用的數據在適當情況下可以互換，以便這里描述的本發明的實施例能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序實施。此外，術語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統、產品或設備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或對于這些過程、方法、產品或設備固有的其它步驟或單元。

根據本發明實施例，提供了一種反射天線。圖2是根據本發明實施例的反射天線的示意圖，如圖2所示，該實施例的反射天線包括：饋源10，副反射曲面20和主反射面板30。

饋源10，用于發射電磁波。該實施例中的饋源10為饋源喇叭，圖3a是根據本發明實施例的饋源喇叭的斜仰視示意圖，圖3b是根據本發明實施例的饋源喇叭的斜俯視示意圖，圖3c是根據本發明實施例的饋源喇叭的剖面示意圖，如圖3a，圖3b，圖3c所示，饋源喇叭可以包括依次連接的饋電段31、過渡變化段32和輻射口段33，其中，在饋電段中心設置有金屬隔板34。饋源喇叭的輻射口為圓形，饋源喇叭關于其自身中心軸線上下、左右均對稱，這樣極大地優化了饋源喇叭的發射均勻電磁波的性能。饋源喇叭可以為現有的異形變張角差模喇叭，饋源喇叭的輻射口可以為圓形，饋源喇叭的輻射口也可以為八邊形。

副反射曲面20，位于饋源10輻射口一側，用于對電磁波進行賦形，其中，副反射曲面20是由主反射面板30的尺寸以及饋源10與主反射面板30之間的距離確定的曲面。

可選地，副反射曲面20上的點滿足以下關系：tan(θ+ψ)/2＝dρ/(ρdρ)；以及kp(θ,φ)da(θ,φ)＝gf(ψ,θ)daf(ψ,θ)，其中，k為預設常數，副反射曲面上的點為極坐標系下的點，ρ為副反射曲面上的點的極徑，φ為副反射曲面上的點的極角，極坐標系的坐標原點為饋源的相位中心，gf(ψ,θ)為饋源方向圖，p(θ,φ)為反射方向圖，da(θ,φ)為反射方向圖的微分面元，daf(ψ,θ)為饋源方向圖的微分面元。圖4是根據本發明實 施例的入射角和反射角的示意圖，如圖4所示，ψ為入射角，θ為反射角，入射角為電磁波的入射方向與饋源的中軸線的夾角，反射角為電磁波的反射方向與饋源的中軸線的夾角，入射角和反射角由主反射面板的尺寸和第一距離確定，第一距離為饋源與主反射面板之間的距離。

副反射曲面20為不規則曲面，副反射曲面20上的每個點均滿足上述關系。根據實際的設計需求的不同，主反射面板的尺寸以及饋源與主反射面板之間的距離不同，相應地，副反射曲面20的形狀也會不同。比如，圖5a是根據本發明第一實施例的副反射曲面的示意圖，圖5b是根據本發明第一實施例的副反射曲面的俯視示意圖，圖6a是根據本發明第二實施例的副反射曲面的示意圖，圖6b是根據本發明第二實施例的副反射曲面的俯視示意圖，圖5a、圖5b以及圖6a、圖6b中所示的副反射曲面分別是根據兩種不同的主反射面板的尺寸以及饋源與主反射面板之間的距離確定得到的副反射曲面。如圖5a、圖5b、圖6a以及圖6b所示，副反射曲面20呈傘狀曲面，其可劃分為多個彼此無縫連接的子曲面，多個子曲面的公共連接部是副反射曲面20的中部。副反射曲面20的中部為凹面且向饋源10方向凹陷。副反射曲面20的多個子曲面中的每個子曲面為凹面且向饋源方向凹陷，且相鄰兩個子曲面的交界區域為凸面且向遠離饋源的方向凹陷。副反射曲面20的橫切面為多邊形，多邊形的每個邊為曲線且向多邊形的中心彎曲。圖5a、圖5b、圖6a以及圖6b所示的副反射曲面只是本發明副反射曲面的優選實施例，根據主反射面板的尺寸以及饋源與主反射面板之間的距離，本發明中的副反射曲面還可以有多種不同的形狀，此處不再一一舉例說明。

如圖2所示，該實施例中的饋源10的相位中心位于副反射曲面20的焦點上，饋源10與副反射曲面20之間通過金屬桿等銜接部件相連接。該實施例的反射天線中的饋源10發出的電磁波照射到副反射曲面20，通過控制副反射曲面20上的每一個點的空間坐標，實現副反射曲面20對電磁波進行賦形，使得賦形后的電磁波按照需求方向反射到主反射面板30上。為了提高反射天線的效率，該實施例中的副反射曲面20將按照以下需求對電磁波進行賦形：在主反射面板上賦形后的電磁波的功率密度均勻分布，且賦形后的電磁波的功率密度盡量地分布在整個主反射面板上，以達到提高主反射面板利用率的效果。

主反射面板30，位于饋源10輻射口的另一側，用于調整賦形后的電磁波具有相同的相位。該實施例中的主反射面板30為超材料反射面板，且超材料反射面板的形狀為矩形，比如邊長為1.2米的正方形超材料反射面板。超材料反射面板可以包括：介質基板；設置在介質基板一表面的多個導電幾何結構；以及設置在介質基板的與導電幾何結構相對的另一表面的反射層，其中，反射層為金屬層。該實施例的主反射面板采用具備導電幾何結構和金屬反射層的超材料反射面板，有利于準確分析主反射面板 上電場強度的相位信息，以有效控制主反射面板反射的電磁波具有相同的相位，從而達到提高反射天線增益，提高反射天線總體效率的技術效果。同時，采用具備導電幾何結構和金屬反射層的超材料反射面板作為主反射面板，也能夠提高主反射面板反射電磁波的強度，進而提高反射天線發射信號的強度。可選地，該實施例中的饋源10通過連接部件與主反射面板30相連接，其中，連接部件可以為圓波導管，也可以為其他部件，比如支撐桿。饋源10沿主反射面板30中心的軸向設置，并與主反射面板30間隔設置，使得饋源10與主反射面板30之間具有一定的距離，該距離與主反射面板的尺寸共同決定了副反射曲面的形狀以及大小。饋源10沿圓波導管方向可活動的設置，目的是為了靈活調整饋源10與主反射面板30之間的距離，進而計算得到更加符合要求的副反射曲面，達到提高主反射面板利用率的目的。

可選地，該實施例的反射天線還包括：調節支架，其中，調節支架安裝在連接部件的一端，主反射面板30安裝在連接部件的另一端。調節支架沿圓波導管方向可活動的設置，且饋源10安裝在調節支架上，這樣即可以通過調整調節支架來調節饋源10與主反射面板30之間的距離。

可選地，該實施例的反射天線采用環焦正饋的方法，將饋源10與副反射曲面20集成在一個結構中，該結構成為賦形副反射面環焦饋源。賦形副反射面環焦饋源包括饋源10和副反射曲面20，賦形副反射面環焦饋源位于主反射面板30的中心上方，通過連接部件(比如圓波導管或者支撐桿)與主反射面板30相連接。賦形副反射面環焦饋源也沿主反射面板30中心的軸向設置，并與主反射面板30間隔設置，且沿圓波導管方向可活動的設置，這樣能夠方便地調節賦形副反射面環焦饋源與主反射面板之間的距離。該實施例將饋源10與副反射曲面20集成在一個結構，即賦形副反射面環焦饋源，一定程度上縮小了反射天線的大小，同時，有利于避免從主反射面板反射的電磁波被饋源或者副反射曲面遮擋，提高了反射天線的總體效率。

可選地，該實施例的反射天線的主反射面板30上賦形后的電磁波的功率密度呈均勻地環形分布。圖7是根據本發明實施例的主反射面板上賦形后的電磁波的功率密度分布示意圖，如圖7所示，主反射面板30上賦形后的電磁波的功率密度呈環形分布，且在環形區域內均勻分布。其中，環形的外邊界內切于主反射面板30的邊界，饋源10在主反射面板30上的投影落在環形的內邊界內。可選地，副反射曲面20在主反射面板30上的投影落也落在環形的內邊界內。饋源10和副反射曲面20在主反射面板30上的投影落在環形的內邊界內，目的是為了確保主反射面板30上發射的賦形后的電磁波不被任何物體(比如饋源10、副反射曲面20)遮擋，從而達到提高反射天線增益的效果。

主反射面板30的尺寸不同或者饋源10與主反射面板30之間的距離不同，將會決定副反射曲面20的形狀和尺寸的不同。電磁波經過不同的副反射曲面20賦形后得到的賦形后的電磁波的功率密度在主反射面板30上的分布不同。比如，圖8是由本發明第一實施例的副反射曲面賦形后的電磁波的功率密度在主反射面板上的分布示意圖，圖9是由本發明第二實施例的副反射曲面賦形后的電磁波的功率密度在主反射面板上的分布示意圖。從圖7、圖8以及圖9中可以看出，該實施例的反射天線能夠提高主反射面板的有效利用率，能夠控制賦形后的電磁波的功率密度在主反射面板上均勻分布，達到了提高反射天線增益，降低旁瓣電平以及優化相位調整性能的效果。

可選地，該實施例中的主反射面板30由多個相位調整單元組成，其中，通過調整多個相位調整單元中的每個相位調整單元控制賦形后的電磁波具有相同的相位。通過主反射面板調整反射天線發出的電磁波具有相同的相位，有利于增強天線信號強度，提高了天線的效率。

該實施例的反射天線包括饋源、副反射曲面以及主反射面板，其中，副反射曲面可以根據主反射面板的尺寸和饋源與主反射面板之間的距離確定，使得通過副反射曲面賦形后的電磁波的功率密度在主反射面板上呈均勻地環形分布，通過該實施例的反射天線解決了現有技術中天線的平板反射陣列面板的利用率低的問題，進而達到了提高天線增益，降低旁瓣電平以及優化相位調整性能的技術效果。

根據本發明實施例，提供了一種反射天線的設計方法，需要說明的是，在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計算機可執行指令的計算機系統中執行，并且，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執行所示出或描述的步驟。

圖10是根據本發明實施例的反射天線的設計方法的流程圖，該方法中的反射天線為本發明實施例中的任意一種可選或者優選的反射天線，如圖10所示，該反射天線的設計方法包括如下步驟：

步驟s102，獲取主反射面板的尺寸和第一距離，其中，第一距離為饋源與主反射面板之間的距離。

根據實際設計要求，主反射面板的尺寸和饋源與主反射面板之間的距離可以進行調整。主反射面板的尺寸包括主反射面板的形狀和大小。該實施例的反射天線的設計方法中的主反射面板優選為超材料反射面板，該超材料反射面板的形狀優選為矩形，比如，邊長1.2米的正方形超材料反射面板。反射天線中的饋源通過連接部件(比如圓波導管)與主反射面板相連接，饋源沿主反射面板中心的軸向設置，并與主反射面 板間隔設置，且饋源沿連接部件方向可活動的設置，該實施例將饋源可活動地設置在連接部件方向上，進而達到了靈活調節饋源與主反射面板之間的距離的目的。

步驟s104，根據主反射面板的尺寸和第一距離計算副反射曲面，其中，副反射曲面用于對饋源發射的電磁波賦形，主反射面板用于對賦形后的電磁波進行調制，使得調制后的電磁波具有相同的相位。

主反射面板的尺寸和饋源與主反射面板間的距離作為獲取副反射曲面的數據依據，不同的主反射面板的尺寸或者不同的饋源與主反射面板間的距離，將決定不同的副反射曲面。該實施例的反射天線的設計方法根據主反射面板的尺寸和饋源與主反射面板間的距離計算副反射曲面，是為了控制經過副反射曲面賦形后的電磁波的功率密度在主反射面板上均勻分布，且盡量地分布在整個主反射面板上，以實現提高主反射面板利用率的效果。

可選地，根據主反射面板的尺寸和饋源與主反射面板間的距離計算副反射曲面包括以下步驟：

步驟s1，根據主反射面板的尺寸和饋源與主反射面板間的距離確定入射角和反射角，如圖4所示，入射角為電磁波的入射方向與饋源的中軸線的夾角，反射角為電磁波的反射方向與饋源的中軸線的夾角。

步驟s2，按照入射角和反射角分別建立第一方程和第二方程。其中，第一方程為幾何光學反射原理對應的方程，即tan(θ+ψ)/2＝dρ/(ρdρ)，其中，ψ為入射角，θ為反射角，ρ為極坐標系下的極徑，極坐標系的坐標原點為饋源的相位中心。第二方程為能量守恒原理對應的方程，即kp(θ,φ)da(θ,φ)＝gf(ψ,θ)daf(ψ,θ)，其中，gf(ψ,θ)為饋源方向圖，p(θ,φ)為反射方向圖，da(θ,φ)為反射方向圖的微分面元，daf(ψ,θ)為饋源方向圖的微分面元，φ為極坐標系下的極角，k為預設常數，根據入射功率與反射功率相等求得。

步驟s3，由第一方程和第二方程聯立求解得到副反射曲線。根據幾何光學反射原理對應的方程和能量守恒原理對應的方程聯立求解得到的是一組極坐標系下的坐標值，通過連接這組坐標值即可以得到一條曲線，即副反射曲線。

步驟s4，通過旋轉副反射曲線得到副反射曲面。在與主反射面板平行的方向上旋轉一周副反射曲線得到副反射曲面。

利用該實施例的反射天線的設計方法根據主反射面板的尺寸和饋源與主反射面板間的距離獲取副反射曲面。反射天線中的饋源發出的電磁波照射到副反射曲面，通過控制副反射曲面上的每一個點的空間坐標，實現副反射曲面對電磁波進行賦形，使得 賦形后的電磁波按照需求方向反射到主反射面板上。為了提高反射天線的效率，該實施例中的副反射曲面將按照以下需求對電磁波進行賦形：在主反射面板上賦形后的電磁波的功率密度均勻分布，且賦形后的電磁波的功率密度盡量大的分布在主反射面板上，以達到提高主反射面板利用率的效果。

可選地，通過該實施例的反射天線的設計方法中的副反射曲面賦形后的電磁波的功率密度在主反射面板上呈環形分布，且在環形區域內均勻分布。其中，環形的外邊界內切于主反射面板的邊界，饋源在主反射面板上的投影落在環形的內邊界內，且副反射曲面在主反射面板上的投影也落在環形的內邊界內，保證了主反射面板上發射的賦形后的電磁波不被任何物體(比如饋源、副反射曲面)遮擋，從而達到提高反射天線增益的效果。

可選地，該實施例中的主反射面板為超材料反射面板，超材料反射面板包括：介質基板；設置在介質基板一表面的多個導電幾何結構；以及設置在介質基板的與導電幾何結構相對的另一表面的反射層，其中，反射層為金屬層。主反射面板用于對賦形后的電磁波進行調制，使得調制后的電磁波具有相同的相位。主反射面板由多個相位調整單元組成，調整調制后的電磁波具有相同的相位包括：獲取主反射面板上調制后的電磁波的電場強度的相位信息；根據相位信息調整多個相位調整單元中的每個相位調整單元；以及控制每個相位調整單元反射的調制后的電磁波具有相同的相位。通過主反射面板調整反射天線發出的電磁波具有相同的相位，有利于增強天線信號強度，提高了天線的效率。

步驟s106，由饋源、副反射曲面和主反射面板得到反射天線。

該實施例的反射天線的設計方法根據主反射面板的尺寸和饋源與主反射面板之間的距離獲取副反射曲面，該副反射曲面可以按照需求對電磁波賦形，使得賦形后的電磁波的功率密度在主反射面板上呈均勻地環形分布。通過本發明實施例的反射天線的控制方法，解決了現有技術中天線的平板反射陣列面板的利用率低的問題，從而達到了提高天線增益與效率，降低旁瓣電平以及優化相位調制性能的技術效果。

上述本發明實施例序號僅僅為了描述，不代表實施例的優劣。

在本發明的上述實施例中，對各個實施例的描述都各有側重，某個實施例中沒有詳述的部分，可以參見其他實施例的相關描述。

在本申請所提供的幾個實施例中，應該理解到，所揭露的技術內容，可通過其它的方式實現。其中，以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如所述單元的劃分，可以為一種邏輯功能劃分，實際實現時可以有另外的劃分方式，例如多個單元或組件 可以結合或者可以集成到另一個系統，或一些特征可以忽略，或不執行。另一點，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，單元或模塊的間接耦合或通信連接，可以是電性或其它的形式。

所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個單元上。可以根據實際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實現本實施例方案的目的。

另外，在本發明各個實施例中的各功能單元可以集成在一個處理單元中，也可以是各個單元單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實現，也可以采用軟件功能單元的形式實現。

所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實現并作為獨立的產品銷售或使用時，可以存儲在一個計算機可讀取存儲介質中。基于這樣的理解，本發明的技術方案本質上或者說對現有技術做出貢獻的部分或者該技術方案的全部或部分可以以軟件產品的形式體現出來，該計算機軟件產品存儲在一個存儲介質中，包括若干指令用以使得一臺計算機設備(可為個人計算機、服務器或者網絡設備等)執行本發明各個實施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲介質包括：u盤、只讀存儲器(rom，read-onlymemory)、隨機存取存儲器(ram，randomaccessmemory)、移動硬盤、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質。

以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護范圍。