1.一種PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底表面具有偽柵極結構；
在所述偽柵極結構兩側的半導體襯底中形成源漏區；
形成中間層，所述中間層覆蓋所述偽柵極結構和所述半導體襯底；
在所述中間層表面形成多層堆疊的刻蝕阻擋層，并對每一層刻蝕阻擋層分別進行紫外線固化。
2.根據權利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述中間層為含氟的SiON。
3.根據權利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述中間層的厚度為1nm～5nm。
4.根據權利要求2所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，采用等離子體增強化學氣相沉積工藝形成所述中間層，形成所述中間層采用的氣體為N2O、N2、SiF4和SiH4，N2O的流量為9000sccm～12000sccm，N2的流量為5000sccm～10000sccm，SiF4的流量為800sccm～1200sccm，SiH4的流量為800sccm～～1000sccm，沉積腔室的壓強為2torr～4torr，射頻功率為1500瓦～2000瓦，溫度為300攝氏度～500攝氏度，沉積時間為5秒～100秒。
5.根據權利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述多層堆疊的刻蝕阻擋層的總厚度為10nm～20nm。
6.根據權利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述多層堆疊的刻蝕阻擋層中的每一層厚度相等。
7.根據權利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述多層堆疊的刻蝕阻擋層的層數為2層～4層。
8.根據權利要求7所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述多層堆疊的刻蝕阻擋層的層數為兩層，所述多層堆疊的刻蝕阻擋層包括位于所述中間層表面的第一刻蝕阻擋層和位于所述第一刻蝕阻擋層上的第二刻蝕阻擋層。
9.根據權利要求8所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述 多層堆疊的刻蝕阻擋層的方法為：在所述中間層表面形成第一刻蝕阻擋層；對第一刻蝕阻擋層進行紫外線固化；在所述第一刻蝕阻擋層上形成第二刻蝕阻擋層；對第二刻蝕阻擋層進行紫外線固化。
10.根據權利要求9所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕阻擋層和第二刻蝕阻擋層的材料為氮化硅。
11.根據權利要求10所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，在形成多層堆疊的刻蝕阻擋層的過程中，采用等離子體氣相化學沉積工藝形成所述第一刻蝕阻擋層和第二刻蝕阻擋層，沉積氣體為SiH4和N2，SiH4的流量為800sccm～～1000sccm，N2的流量為5000sccm～10000sccm，沉積腔室壓強為2torr～4torr，射頻功率為1500瓦～2000瓦，溫度為300攝氏度～500攝氏度，沉積時間為5秒～100秒。
12.根據權利要求10所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，在形成多層堆疊的刻蝕阻擋層的過程中，對所述第一刻蝕阻擋層和第二刻蝕阻擋層進行紫外線固化的工藝參數為：固化溫度為300攝氏度～400攝氏度，紫外光源波長為250nm～400nm，固化時間為1min～5min。
13.根據權利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述多層堆疊的刻蝕阻擋層的層數為三層，所述多層堆疊的刻蝕阻擋層包括位于所述中間層表面的第一刻蝕阻擋層、位于所述第一刻蝕阻擋層上的第二刻蝕阻擋層和位于所述第二刻蝕阻擋層上的第三刻蝕阻擋層。
14.根據權利要求13所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述多層堆疊的刻蝕阻擋層的方法為：在所述中間層表面形成第一刻蝕阻擋層；對第一刻蝕阻擋層進行紫外線固化；在所述第一刻蝕阻擋層上形成第二刻蝕阻擋層；對第二刻蝕阻擋層進行紫外線固化；在所述第二刻蝕阻擋層上形成第三刻蝕阻擋層；對第三刻蝕阻擋層進行紫外線固化。
15.根據權利要求14所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕阻擋層、第二刻蝕阻擋層和第三刻蝕阻擋層的材料為氮化硅。
16.根據權利要求15所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，在形成多層堆疊的刻蝕阻擋層的過程中，采用等離子體氣相化學沉積工藝形成所 述第一刻蝕阻擋層、第二刻蝕阻擋層和第三刻蝕阻擋層，沉積氣體為SiH4和N2，SiH4的流量為SiH4的流量為800sccm～～1000sccm，N2的流量為5000sccm～10000sccm，沉積腔室壓強為2torr～4torr，射頻功率為1500瓦～2000瓦，溫度為300攝氏度～500攝氏度，沉積時間為3秒～70秒。
17.根據權利要求15所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，在形成多層堆疊的刻蝕阻擋層的過程中，對所述第一刻蝕阻擋層、第二刻蝕阻擋層和第三刻蝕阻擋層進行紫外線固化的工藝參數為：固化溫度為300攝氏度～400攝氏度，紫外光源波長為250nm～400nm，固化時間為0.6min～3.5min。
18.根據權利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：形成所述源漏區后，形成金屬硅化物層，所述金屬硅化物層覆蓋所述偽柵極結構和所述源漏區。
19.根據權利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述偽柵極結構包括位于半導體襯底表面的高K柵介質層和位于所述高K柵介質層上的多晶硅層；在中間層表面形成多層堆疊的刻蝕阻擋層，并對刻蝕阻擋層的每一層分別進行紫外線固化之后，還包括：
在所述偽柵極結構兩側的半導體襯底上覆蓋層間介質層；
去除所述偽柵極結構中多晶硅層，形成溝槽；
向所述溝槽中填充金屬柵極形成金屬柵極結構。
20.根據權利要求1至19中任意一項形成的PMOS晶體管，其特征在于，包括：半導體襯底，所述半導體襯底表面具有金屬柵極結構；位于所述金屬柵極結構兩側的半導體襯底中的源漏區；覆蓋所述金屬柵極結構側壁和所述半導體襯底的中間層；位于所述中間層表面的多層堆疊的刻蝕阻擋層。