本申請(qǐng)涉及發(fā)光陶瓷領(lǐng)域，特別是涉及一種用于大功率光源的發(fā)光陶瓷，以及采用該發(fā)光陶瓷的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
：釔鋁石榴石(Y3Al5O12,縮寫YAG)的研究始于20世紀(jì)80年代。傳統(tǒng)的YAG發(fā)光陶瓷主要針對(duì)LED的發(fā)光特性開發(fā)，由于LED芯片的功率較小，發(fā)出的藍(lán)光功率密度較低，因此針對(duì)LED開發(fā)的發(fā)光陶瓷的光效并沒有得到足夠的重視。比如固相法制備YAG中，常用的YAG發(fā)光陶瓷主要由原料粉末Al2O3、Y2O3、CeO2煅燒后，在壓力機(jī)下壓制成片，然后燒結(jié)得到發(fā)光陶瓷，為了滿足LED的使用需求，發(fā)光陶瓷必須具有一定的透光性能，由此導(dǎo)致YAG中的晶粒成長(zhǎng)程度較低，亮度偏低。又比如在溶膠-凝膠法制備YAG中，需使無機(jī)鹽或金屬醇鹽的金屬絡(luò)合物為原料在溶液中發(fā)生水解反應(yīng)，然后將生成的凝膠用馬弗爐燒結(jié)發(fā)生反應(yīng)，所以工藝比較復(fù)雜，而且金屬醇鹽的原料價(jià)格非常昂貴，因此大規(guī)模制備受到限制，并且，采用這種方法制備的YAG其發(fā)光效率同樣偏低。在激光光源的應(yīng)用中，由于激光功率遠(yuǎn)大于LED，發(fā)光陶瓷需要承受更高的藍(lán)光功率密度，需要良好的導(dǎo)熱和均勻的發(fā)光等，這就使傳統(tǒng)的，針對(duì)LED開發(fā)的發(fā)光陶瓷無法滿足使用要求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本申請(qǐng)的目的是提供一種新的用于大功率光源、特別是適用于激光光源的發(fā)光陶瓷，及其采用該發(fā)光陶瓷的發(fā)光裝置。本申請(qǐng)采用了以下技術(shù)方案：本申請(qǐng)公開了一種用于大功率光源的發(fā)光陶瓷，該發(fā)光陶瓷包括YAG基質(zhì)和均勻分散于YAG基質(zhì)中的發(fā)光中心，發(fā)光中心為晶粒粒徑10-20μm的YAG熒光粉顆粒。需要說明的是，本申請(qǐng)的發(fā)光陶瓷與現(xiàn)有的YAG陶瓷相比，最關(guān)鍵的區(qū)別在于，在YAG陶瓷的基質(zhì)中分散有晶粒粒徑10-20μm的YAG熒光粉顆粒發(fā)光中心；這一結(jié)構(gòu)能夠有效的提高本申請(qǐng)的發(fā)光陶瓷的發(fā)光效率，從而滿足大功率的激光光源的使用需求。還需要說明的是，根據(jù)現(xiàn)有的YAG陶瓷生產(chǎn)方法，無法制備出均勻分散的晶粒粒徑10-20μm的YAG顆粒發(fā)光中心，本申請(qǐng)的一個(gè) 重要革新在于在發(fā)光陶瓷的制備過程中，將晶粒粒徑10-20μm的YAG熒光粉顆粒添加到高溫固相法制備YAG陶瓷的原材料中，使得制備出的發(fā)光陶瓷仍然是YAG陶瓷基質(zhì)，并具有均勻分散的晶粒粒徑10-20μm的YAG顆粒發(fā)光中心。需要說明的是，本申請(qǐng)的實(shí)現(xiàn)方式中，YAG陶瓷的原材料可以采用兩種形式的原材料；第一種，即原始的生成YAG陶瓷的原材料，如Y2O3、Al2O3和CeO2；第二種，是直接采用市場(chǎng)購買的YAG熒光粉粉末，將其研磨到晶粒粒徑4μm以下，優(yōu)選的2μm以下，作為原材料，經(jīng)過制生坯、真空燒結(jié)形成發(fā)光陶瓷。在采用YAG熒光粉粉末制備YAG陶瓷時(shí)，必須將其研磨到晶粒粒徑4μm以下，最好是2μm以下，這樣可以在真空燒結(jié)的溫度下，使小晶粒粒徑的YAG熒光粉粉末熔融生成YAG陶瓷，而大晶粒粒徑的YAG熒光粉顆粒仍然保持，從而保障大晶粒粒徑的發(fā)光中心。還需要說明的是，本申請(qǐng)中，發(fā)光中心正常情況下是10-20μm的YAG熒光粉顆粒，但是，在一些異常情況，或者因?yàn)橐恍┱`差也會(huì)導(dǎo)致少數(shù)的YAG熒光粉顆粒的粒徑在1-10μm，但是，原則上，本申請(qǐng)的發(fā)光中心的粒徑為10-20μm。優(yōu)選的，組成YAG基質(zhì)的YAG的晶粒粒徑為0.5-5μm。需要說明的是，YAG基質(zhì)中的YAG的晶粒粒徑就是生成的YAG的晶粒粒徑，如
背景技術(shù)：
所提到的，為了使發(fā)光陶瓷具有一定的透光性能，YAG中的晶粒成長(zhǎng)程度會(huì)相對(duì)降低，也就是說，發(fā)光陶瓷的透光性能和晶粒是呈反比的；但是，本申請(qǐng)的發(fā)光陶瓷中，由于添加了大晶粒的YAG熒光粉顆粒作為發(fā)光中心，因此，生成的YAG的晶粒粒徑可以很小，以滿足更高的透光性能。還需要說明的是，本申請(qǐng)的YAG基質(zhì)中YAG的晶粒粒徑為0.5-5μm，但是，在制備過程中，不可避免的會(huì)產(chǎn)生一些誤差，造成一小部分晶粒異常生長(zhǎng)，從而產(chǎn)生粒徑5μm-20μm左右的YAG基質(zhì)，這些都只是生產(chǎn)誤差，在保障發(fā)光陶瓷的透光性的情況下，本申請(qǐng)對(duì)誤差不做具體限定。優(yōu)選的，YAG基質(zhì)為Ce摻雜的YAG，摻雜量為0.5-5％，優(yōu)選地?fù)诫s量為1-3％。優(yōu)選的，YAG基質(zhì)為以Y2O3、Al2O3和CeO2為原料，通過固相燒結(jié)法制備。優(yōu)選的，YAG熒光粉顆粒占發(fā)光陶瓷總質(zhì)量的10％-90％，優(yōu)選的，YAG熒光粉顆粒占發(fā)光陶瓷總質(zhì)量的70-90％。需要說明的是，YAG熒光粉顆粒含量越高，其透過率就會(huì)越低，藍(lán)光功率越高，經(jīng)本申請(qǐng)研究顯示，YAG熒光粉顆粒含量10％-40％可應(yīng)用于LED，40-90％應(yīng)用于激光，更優(yōu)選的70-90％的含量能夠達(dá)到更好的效果。但是，需要補(bǔ)充說明的是，YAG熒光粉顆粒含量越高，對(duì)工藝要求也越高。本申請(qǐng)的一種實(shí)現(xiàn)方式中，YAG基質(zhì)為以晶粒粒徑4μm以下的YAG熒光粉粉末為原料，通過固相燒結(jié)法制備；優(yōu)選的，YAG基質(zhì)為以晶粒粒徑2μm以下的YAG熒光粉粉末為原料，通過固相燒結(jié)法制備。優(yōu)選的，發(fā)光陶瓷還包括附著于發(fā)光陶瓷其一表面的鍍銀層。優(yōu)選的，鍍銀層的表面還鍍有過渡層，過渡層的表面鍍有銅層或焊料層，過渡層為鈦層或鎳層。優(yōu)選的，本申請(qǐng)的發(fā)光陶瓷還包括散熱銅板，散熱銅板焊接于銅層或焊料層表面。優(yōu)選的，本申請(qǐng)的發(fā)光陶瓷還包括增透膜，鍍銀層附著于發(fā)光陶瓷的其一表面，增透膜附著于發(fā)光陶瓷的另一表面。本申請(qǐng)的另一面公開了一種發(fā)光裝置，包括激發(fā)光源和本申請(qǐng)的發(fā)光陶瓷，激發(fā)光源為激光光源。需要說明的是，本申請(qǐng)的發(fā)光陶瓷是特別針對(duì)激光這種大功率的光源而改進(jìn)的，因此，可以有效的應(yīng)用于以激光為激發(fā)光源的發(fā)光裝置中。本申請(qǐng)的有益效果在于：本申請(qǐng)的發(fā)光陶瓷，在小晶粒粒徑的YAG基質(zhì)中均勻分散有晶粒粒徑10-20μm的YAG熒光粉顆粒，整個(gè)發(fā)光陶瓷沒有雜相；大晶粒粒徑的YAG熒光粉顆粒作為發(fā)光中心，發(fā)光中心多，且大晶粒粒徑的YAG熒光粉顆粒飽滿、形貌健全，大大提高了發(fā)光陶瓷的發(fā)光效率，使得發(fā)光陶瓷能夠滿足高藍(lán)光功率密度的大功率光源的使用需求。本申請(qǐng)的發(fā)光陶瓷，大晶粒粒徑的YAG熒光粉顆粒和小晶粒粒徑的YAG基質(zhì)交錯(cuò)構(gòu)造，晶界純凈，使得發(fā)光陶瓷的發(fā)光更均勻，勻光性能高于現(xiàn)有的體系。附圖說明圖1是本申請(qǐng)實(shí)施例中發(fā)光陶瓷的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖中，210為YAG基質(zhì)，220為晶粒粒徑10-20μm的YAG熒光粉顆粒。具體實(shí)施方式傳統(tǒng)的熒光發(fā)光固體封裝，如硅膠封裝熒光粉、玻璃封裝發(fā)光玻璃等，其基質(zhì)為可透光的硅膠連續(xù)體基質(zhì)或玻璃連續(xù)體基質(zhì)，熒光粉分布于其中。當(dāng)藍(lán)光入射到發(fā)光體時(shí)，藍(lán)光可穿透透明的基質(zhì)照射在熒光粉顆粒之上，進(jìn)行光致發(fā)光的能量轉(zhuǎn)化，產(chǎn)生的熱量主要通過熒光粉-基質(zhì)的連續(xù)結(jié)構(gòu)傳遞出去。但是 硅膠和玻璃具有耐熱性低和導(dǎo)熱率差的缺點(diǎn)，當(dāng)在大功率激光光源中使用時(shí)，硅膠體系會(huì)因溫度過高而老化發(fā)脆，甚至被燒毀；玻璃體系的耐熱雖然好一些，但是導(dǎo)熱率低，急劇上升的溫度仍會(huì)使熒光粉的效率出現(xiàn)明顯的下降。YAG陶瓷具有很好的導(dǎo)熱性，但是，現(xiàn)有的制備方法所制備的YAG陶瓷，其晶粒成長(zhǎng)的尺寸較小，相比大晶粒粒徑商業(yè)用YAG熒光粉顆粒，其發(fā)光效率要低很多。但是，如果直接使用大晶粒粒徑的商用YAG熒光粉顆粒來燒制YAG陶瓷，由于顆粒太大其燒成效果很差，大顆粒造成的空隙太多；且制備困難，需要極高的溫度將大顆粒熒光粉燒至熔融狀態(tài)；但這樣高溫處理也破壞了熒光粉顆粒的表面形態(tài)，發(fā)光效率出現(xiàn)明顯下降。因此，不能直接采用大晶粒粒徑的YAG熒光粉顆粒燒制YAG陶瓷。因此，本申請(qǐng)創(chuàng)造性的提出，在YAG陶瓷的原材料中添加大晶粒粒徑商業(yè)用YAG熒光粉顆粒，在真空燒結(jié)時(shí)，YAG陶瓷的燒結(jié)溫度，不足以使大顆粒熒光粉顆粒燒至熔融狀態(tài)，使得最終制備出的YAG發(fā)光陶瓷中，大晶粒粒徑得以保存，本申請(qǐng)的發(fā)光陶瓷的截面圖如圖1所示，YAG陶瓷原材料燒結(jié)生產(chǎn)的YAG基質(zhì)210將添加的晶粒粒徑10-20μm的YAG熒光粉顆粒220均勻的包裹其中，大晶粒粒徑的YAG熒光粉顆粒220作為發(fā)光中心，有效的解決了YAG基質(zhì)210晶粒成長(zhǎng)尺寸小的問題，由于所采用的大晶粒粒徑的商用YAG熒光粉顆粒晶粒飽滿、形貌健全，大大提高了發(fā)光陶瓷的發(fā)光效率。此外，本申請(qǐng)的發(fā)光陶瓷，基質(zhì)是YAG，發(fā)光中心也是YAG熒光粉顆粒，幾乎沒有雜相，晶界純凈，使本申請(qǐng)的發(fā)光陶瓷的發(fā)光更均勻，勻光性能高于硅膠、玻璃等傳統(tǒng)體系。下面通過具體實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步詳細(xì)說明。以下實(shí)施例僅對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行進(jìn)一步說明，不應(yīng)理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。實(shí)施例一本例采用Y2O3、Al2O3和CeO2作為原材料制備發(fā)光陶瓷，其中摻雜10-20μm的YAG熒光粉顆粒，具體如下：原料選用純度為99.99％，顆粒大小為0.05-1μm的Y2O3；純度為99.99％，顆粒大小為0.05-1μm的Al2O3；純度為99.99％，顆粒大小為0.1-1μm的CeO2。按照YAG發(fā)光陶瓷的化學(xué)計(jì)量比，計(jì)算出原料Y2O3、Al2O3和CeO2的用量比，按照Y2O3、Al2O3和CeO2質(zhì)量比5.6689:4.2874:0.0434稱取原材料，把這些原材料，使用球磨罐和乙醇介質(zhì)球磨24h，然后將商業(yè)YAG熒光粉顆粒加入球磨罐中繼續(xù)球磨0.5-5h，本例具體球磨2h，球磨后的漿料在真空干燥箱內(nèi)烘干，研 碎，過篩后得到陶瓷混合粉料。稱取陶瓷混合粉料，加入粘接助劑后通過模壓成型制得生坯。生坯經(jīng)過650℃排膠后，在真空燒結(jié)爐中燒制，隨爐冷卻后得到本例的發(fā)光陶瓷。在真空燒結(jié)爐中燒制的過程中，Y2O3、Al2O3、CeO2顆粒之間預(yù)先在1100-1450℃的中高溫下保溫1-5h，本例具體為3h，生成YAG相，然后在1500-1800℃的高溫階段下進(jìn)行約1-10h的液相燒結(jié)，本例具體為1600℃保溫5h，使得YAG相之間，YAG相與熒光粉大顆粒之間在液相燒結(jié)的作用下形成致密的、連續(xù)的、大顆粒分布在YAG連續(xù)相中的PIY陶瓷。將本例制備的發(fā)光陶瓷經(jīng)過粗磨、磨平、拋光、切割后，制備激光光源的發(fā)光裝置，并且，在本例的發(fā)光陶瓷的背面鍍一層銀，銀層主要起反射膜的作用，將射向背部的藍(lán)光、可見光等反射回去。銀上再鍍過渡層Ti或Ni，其上再鍍一層銅或焊料層，然后通過焊接將本例的發(fā)光陶瓷發(fā)光體焊接在銅底座上。另外，為了進(jìn)一步減少激光在陶瓷表面的反射，本例的發(fā)光陶瓷，經(jīng)過拋光后增加一層BLUEPASS增透膜，增加激光的透過量。本例分別制備了商業(yè)YAG熒光粉顆粒占發(fā)光陶瓷總重量的0％、10％、30％、70％和90％的PIY陶瓷。商業(yè)YAG熒光粉顆粒占發(fā)光陶瓷總重量的百分比，按照商業(yè)YAG熒光粉顆粒與YAG原材料的重量比例計(jì)算。例如，商業(yè)YAG熒光粉顆粒占發(fā)光陶瓷總重量的0％，表示在YAG原材料中不添加商業(yè)YAG熒光粉顆粒；商業(yè)YAG熒光粉顆粒占發(fā)光陶瓷總重量的10％，表示在YAG原材料中添加商業(yè)YAG熒光粉顆粒后，商業(yè)YAG熒光粉顆粒占總重量的10％。采用不同的功率，分別對(duì)本例制備的不同含量商業(yè)YAG熒光粉顆粒的PIY陶瓷，進(jìn)行發(fā)光效率測(cè)定。本例的發(fā)光效率指的是1瓦(縮寫W)激光進(jìn)去，多少流明(縮寫lm)的激發(fā)光出來，一般指lm/W，流明/瓦，本例采用藍(lán)色激光測(cè)試。結(jié)果如表1所示，表1中功率C>B>A，A＝1W/mm2，B＝3W/mm2，C＝10W/mm2。表1PIY陶瓷發(fā)光效率(單位：lm/W)測(cè)試商業(yè)YAG熒光粉(重量％)A功率下的發(fā)光效率B功率下的發(fā)光效率C功率下的發(fā)光效率0％55463410％62544630％72685870％85817390％898681表1的結(jié)果顯示，(1)在相同激發(fā)光功率下，PIY陶瓷的發(fā)光效率隨著商業(yè)YAG熒光粉大顆粒的含量增加而增高；(2)隨著激發(fā)光功率的提高，特定質(zhì)量百分比的商業(yè)YAG熒光粉大顆粒的PIY陶瓷，其發(fā)光效率隨著激發(fā)光功率的提高而減小，特別是商業(yè)YAG熒光粉大顆粒含量較小的PIY陶瓷，發(fā)光功率減小更明顯?？梢?，隨著功率的逐漸增大，發(fā)光陶瓷所接受的單位功率密度逐漸增大，C功率為高功率激光，所以在發(fā)光中心不足時(shí)，其發(fā)光效率低，有很多藍(lán)光沒有得到轉(zhuǎn)變，隨著大顆粒熒光粉含量的增加，其發(fā)光效率獲得大幅度的提高。但是，YAG熒光粉顆粒太多會(huì)導(dǎo)致基質(zhì)顆粒分別附著大顆粒，最后導(dǎo)致大顆粒之間無法粘接，當(dāng)YAG熒光粉顆粒含量在90％以上時(shí)，無法粘接成層。本例制備的發(fā)光陶瓷，YAG熒光粉大顆粒的含量在70％-90％范圍內(nèi)時(shí)，由于具有大晶粒粒徑的發(fā)光中心，提高了發(fā)光效率，且沒有雜相，晶界純凈，勻光性能好，能夠滿足激光等大功率光源的使用需求。在以上試驗(yàn)的基礎(chǔ)上，本例繼續(xù)對(duì)混合原料與商業(yè)熒光粉的質(zhì)量比，以及排膠、煅燒和煅燒保溫時(shí)間進(jìn)行研究，結(jié)果顯示，混合原料與商業(yè)熒光粉質(zhì)量比10％-90％均可以制備出質(zhì)量合格的發(fā)光陶瓷，只是，質(zhì)量比10％-40％更適用于LED，而40-90％則更適用于激光，優(yōu)選的70％-90％效果最佳。生坯排膠的溫度在450-650℃均可，在真空燒結(jié)爐中燒制的溫度為1500-1800℃，保溫時(shí)間為1h-10h。實(shí)施例二本例采用的原材料及各組分的用量都與實(shí)施例一相同，所不同的是，按照YAG發(fā)光陶瓷的化學(xué)計(jì)量比稱取Y2O3、Al2O3和CeO2后，將混合原料用球磨罐和乙醇介質(zhì)球磨24h，球磨后的漿料在真空干燥箱內(nèi)烘干，研碎、過篩后得到的混合原料，作為第一混合原料。將第一混合原料在管式爐中加熱至1100-1450℃煅燒，本例具體為1200℃，保護(hù)氣氛為氮?dú)浠旌蠚?。煅燒后得到小顆粒的YAG粉末，或未充分反應(yīng)的YAG前驅(qū)粉體。需要說明的是，此步驟實(shí)際上就是預(yù)先制備小晶粒粒徑的YAG粉末，以便于后續(xù)采用小晶粒粒徑的YAG粉末制備YAG陶瓷；而此步驟中是所有原材料都生成小晶粒粒徑的YAG粉末，還是部分生成小晶粒粒徑的YAG粉末即未充分反應(yīng)的YAG前驅(qū)粉體，這并不重要，因?yàn)楹罄m(xù)的燒結(jié)成YAG陶瓷步驟會(huì)形成YAG相；因此，此步驟煅燒后得到未充分反 應(yīng)的YAG前驅(qū)粉體也是可以的，之所以會(huì)得到未充分反應(yīng)的YAG前驅(qū)粉體，這與煅燒溫度和時(shí)間相關(guān)，在此不做具體限定。將第一混合原料煅燒后的粉末與商用大顆粒的YAG熒光粉顆粒混合，比例為質(zhì)量百分比10-90％，本例具體分別制備了YAG熒光粉顆粒含量0％、10％、30％、70％和90％作為試驗(yàn)和對(duì)照?；旌虾蟮姆勰┰谇蚰ス拗惺褂靡掖甲鳛榻橘|(zhì)進(jìn)行二次球磨，為了不破壞YAG熒光粉顆粒的形貌，球磨時(shí)間為0.5-5h，本例具體為4h。球磨后的漿料在真空干燥箱內(nèi)烘干，研碎，過篩后得到第二混合原料。稱取第二混合原料，加入粘接助劑后通過模壓成型制得生坯。生坯經(jīng)過450-650℃排膠后，本例具體的排膠溫度為450℃，在真空燒結(jié)爐中燒制，隨爐冷卻后得到本例的發(fā)光陶瓷。其中，在真空燒結(jié)爐中燒制的過程具體為，在1500-1800℃的高溫階段下進(jìn)行約1-10h的液相燒結(jié)，本例具體為1600℃保溫5h，使得YAG相之間，YAG相與熒光粉大顆粒之間在液相燒結(jié)的作用下形成致密的、連續(xù)的、大顆粒分布在YAG連續(xù)相中的PIY陶瓷。需要說明的是，本例的發(fā)光陶瓷制備過程中，由于Y2O3、Al2O3和CeO2預(yù)先有進(jìn)行煅燒，因此，不需要對(duì)第二混合原料進(jìn)行兩段煅燒，直接在高溫階段下進(jìn)行液相燒結(jié)形成YAG發(fā)光陶瓷。采用本例的發(fā)光陶瓷制備激光光源的發(fā)光裝置的工序與實(shí)施例一相同，在此不累述。采用與實(shí)施例一相同的方法對(duì)本例制備的發(fā)光陶瓷進(jìn)行發(fā)光效率檢測(cè)，結(jié)果與實(shí)施例一相似，在相同功率下，大顆粒的YAG熒光粉顆粒的含量越大，發(fā)光效率越高；而對(duì)于同一發(fā)光陶瓷而言，功率越大，發(fā)光效率下降越多；但是，對(duì)于大顆粒的YAG熒光粉顆粒的含量較大的發(fā)光陶瓷而言，隨著功率的增大，發(fā)光效率的下降幅度相對(duì)較小。因此，本例制備的大顆粒的YAG熒光粉顆粒的含量為70％-90％時(shí)，隨著功率的逐漸增大，發(fā)光陶瓷所接受的單位功率密度逐漸增大，雖然發(fā)光效率仍然會(huì)有所降低，但是由于具有較多的大晶粒粒徑的發(fā)光中心，發(fā)光效率隨著功率的增加而降低的幅度較??；且沒有雜相，晶界純凈，勻光性能好，能夠滿足激光等大功率光源的使用需求。實(shí)施例三本例直接采用小晶粒粒徑的商用YAG熒光粉粉末和大晶粒粒徑的商用YAG熒光粉顆粒制備發(fā)光陶瓷。具體如下：選用小顆粒商用熒光粉a，粒徑小于10μm，大顆粒商用熒光粉b，粒徑大 于10μm，一般為15-20μm。將商用熒光粉a與乙醇混合，在瑪瑙球磨罐中球磨10-48h，本例具體為48h，將熒光粉顆粒磨細(xì)至4μm以下，優(yōu)選的，磨細(xì)至2μm以下。磨細(xì)后的熒光粉a干燥后，與大顆粒的熒光粉b混合，a:b的質(zhì)量百分比約為10％-90％，本例具體為80％?；旌虾蟮臒晒夥刍旌戏垩b入軟質(zhì)球墨罐，如pp，尼龍等，使用軟質(zhì)磨球進(jìn)行球磨混料，如玻璃、尼龍球，介質(zhì)為乙醇，并加入占總粉體質(zhì)量0.1-3％的LiF粉末，本例具體為3％，作為燒結(jié)助劑，助劑的種類還可以選擇TEOS，BaF2，MgO，Y2O3等，球磨時(shí)間0.5-5h，本例具體為5h，經(jīng)干燥后得到原料粉體。稱取原料粉體，加入粘接助劑后通過模壓成型制得生坯。生坯經(jīng)過450-650℃排膠后，本例的具體排膠溫度為550℃，在真空燒結(jié)爐中燒制，溫度為1500-1800℃，保溫時(shí)間為1h-10h，本例具體為1500℃保溫10h，隨爐冷卻后得到本例的發(fā)光陶瓷。采用本例的發(fā)光陶瓷制備激光光源的發(fā)光裝置的工序與實(shí)施例一相同，在此不累述。采用與實(shí)施例一相同的方法對(duì)本例制備的發(fā)光陶瓷進(jìn)行發(fā)光效率檢測(cè)，結(jié)果顯示，本例的發(fā)光陶瓷的發(fā)光效率與實(shí)施例一和實(shí)施例二中大顆粒的YAG熒光粉顆粒含量70％的發(fā)光陶瓷的檢測(cè)結(jié)果相當(dāng)，發(fā)光效率都在65％左右，而隨著功率升高，發(fā)光陶瓷的發(fā)光效率會(huì)有一些下降，但降幅相對(duì)較小，即便是C功率下，發(fā)光效率也有約62％，能夠滿足激光等大功率光源的使用需求。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的實(shí)施方式對(duì)本申請(qǐng)所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本申請(qǐng)的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本申請(qǐng)所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本申請(qǐng)構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本申請(qǐng)的保護(hù)范圍。當(dāng)前第1頁1 2 3