本發(fā)明涉及一種絕緣體。
背景技術(shù)：
陣列感應(yīng)器是在普通感應(yīng)儀器的基礎(chǔ)之上發(fā)展起來(lái)的，其具有一定的徑向探測(cè)能力。這種儀器采用一系列不同線圈距的線圈對(duì)同一地層進(jìn)行測(cè)量，再通過(guò)硬件或者軟件聚焦處理獲得不同徑向探測(cè)深度的地層電導(dǎo)率，從而有效地識(shí)別油氣層。線圈系的精度對(duì)測(cè)量精度起決定性作用。
現(xiàn)有的陣列感應(yīng)器的線圈通常采用導(dǎo)線繞制在絕緣基體上，常用的絕緣基體為耐高溫玻璃鋼，其熱膨脹系數(shù)比較大，當(dāng)溫度升高時(shí)線圈的測(cè)量信號(hào)會(huì)發(fā)生溫度漂移，若漂移超過(guò)許可范圍，需拆下線圈構(gòu)件重新繞制線圈，重新校準(zhǔn)儀器，給使用造成不便。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明提出一種絕緣體，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的膨脹系數(shù)大導(dǎo)致重新繞制線圈的問(wèn)題。
本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：
一種絕緣體，用于繞制線圈后應(yīng)用于一陣列感應(yīng)器內(nèi)，該絕緣體為氮化硅陶瓷絕緣體，所述絕緣體為圓柱狀，其中心設(shè)有一圓形的通孔，該絕緣體包括相對(duì)設(shè)置的兩環(huán)形面及連接于該兩環(huán)形面的外周緣之間的一側(cè)面，所述側(cè)面的中部設(shè)有多個(gè)等間隔平行設(shè)置的第一環(huán)形槽、與第一環(huán)形槽平行并分別位于這些第一環(huán)形槽兩側(cè)的兩個(gè)第二環(huán)形槽、及與第一環(huán)形槽及第二環(huán)形槽垂直且等間隔平行設(shè)置的多個(gè)縱槽。
優(yōu)選方案為，所述各第一環(huán)形槽之間的間隔小于第二環(huán)形槽與其靠近的第一環(huán)形槽之間的間隔。
優(yōu)選方案為，所述側(cè)面于靠近環(huán)形面的兩端的位置分別設(shè)有出線槽，所述出線槽內(nèi)等間隔設(shè)有四個(gè)出線孔。
優(yōu)選方案為，每一環(huán)形面上等間隔設(shè)有四個(gè)凹槽，并于每相鄰兩凹槽之間形成一凸臺(tái)，每一凸臺(tái)上平行等間隔設(shè)有多個(gè)條形槽。
優(yōu)選方案為，每一條形槽的兩端分別與其相鄰的凹槽相通，并相對(duì)于凸臺(tái)的中心對(duì)稱設(shè)置。
優(yōu)選方案為，所述凸臺(tái)的橫截面的形狀及大小與凹槽的橫截面的形狀及大小相同，每一凹槽及凸臺(tái)于靠近通孔的邊為直邊，并圍繞通孔的外周面形成一正八邊形。
本發(fā)明的有益效果為：
本發(fā)明中的絕緣體為氮化硅絕緣體，熱膨脹系數(shù)低，尤其是多晶硅，當(dāng)溫度升高時(shí)線圈的測(cè)量信號(hào)不容易發(fā)生溫度漂移；同時(shí)，由于絕緣體上設(shè)有間隔不同的第一環(huán)形槽、第二環(huán)形槽及縱槽，更加便于線圈組的繞制、制作及調(diào)配，同時(shí)，使線圈相對(duì)位置調(diào)節(jié)方便簡(jiǎn)潔，可通過(guò)微調(diào)來(lái)調(diào)節(jié)測(cè)量信號(hào)，保證測(cè)量的精度，從而使裝配定位精度高。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明絕緣體的立體圖。
圖中：
100、絕緣體；10、通孔；20、環(huán)形面；30、側(cè)面；21、凹槽；22、凸臺(tái)；23、條形槽；31、第一環(huán)形槽；32、第二環(huán)形槽；33、出線槽；330、出線孔；35、縱槽。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
如圖1所示，該絕緣體100用于繞制線圈應(yīng)用于一陣列感應(yīng)器內(nèi)。該絕緣體100為陶瓷絕緣體，具體為氮化硅陶瓷絕緣體。該絕緣體100為圓柱狀，其中心設(shè)有一圓形的通孔10。該絕緣體100包括相對(duì)設(shè)置的兩環(huán)形面20、及連接于該兩環(huán)形面20的外周緣之間的一側(cè)面30。
每一環(huán)形面20上等間隔設(shè)有四個(gè)凹槽21，并于每相鄰兩凹槽21之間形成一凸臺(tái)22。所述凸臺(tái)22的橫截面的形狀及大小與凹槽21的橫截面的形狀及大小相同。每一凹槽21及凸臺(tái)22于靠近通孔10的邊為直邊，并圍繞通孔10的外周面形成一正八邊形。每一凹槽21及凸臺(tái)22的外側(cè)貫通絕緣體100的側(cè)面30。每一凹槽21的各處深度相同；每一凸臺(tái)22各處的高度相同。每一凸臺(tái)22上平行等間隔設(shè)有多個(gè)條形槽23，每一條形槽23的兩端分別與其相鄰的凹槽21相通，并相對(duì)于凸臺(tái)22的中心對(duì)稱設(shè)置。
所述側(cè)面30上設(shè)有多個(gè)第一環(huán)形槽31及與第一環(huán)形槽31平行的兩個(gè)第二環(huán)形槽32。所述第一環(huán)形槽31等間隔平行設(shè)于側(cè)面30的中部，并與絕緣體100的環(huán)形面20相平行。所述兩第二環(huán)形槽32分別位于這些第一環(huán)形槽31的兩側(cè)，并于靠近環(huán)形面20的位置設(shè)置。所述各第一環(huán)形槽31之間的間隔小于第二環(huán)形槽32與其靠近的第一環(huán)形槽31之間的間隔。所述側(cè)面30于靠近環(huán)形面20的兩端并對(duì)應(yīng)一凸臺(tái)22的位置分別設(shè)有一出線槽33，所述出線槽33內(nèi)等間隔設(shè)有四個(gè)出線孔330。每一出線槽33內(nèi)的各出線孔330在同一平面上，并與一第二環(huán)形槽32在同一平面上，以導(dǎo)引由出線槽33內(nèi)引出的導(dǎo)線。
所述側(cè)面30上還平行等間隔設(shè)有多個(gè)縱槽35。所述縱槽35與第一環(huán)形槽31及第二環(huán)形槽32相垂直，并貫穿兩環(huán)形面20及凸臺(tái)22上未設(shè)置出線孔330的位置。
該絕緣體100為氮化硅絕緣體，熱膨脹系數(shù)低，尤其是多晶硅，當(dāng)溫度升高時(shí)線圈的測(cè)量信號(hào)不容易發(fā)生溫度漂移。同時(shí)，由于絕緣體100上設(shè)有間隔不同的第一環(huán)形槽31、第二環(huán)形槽32、縱槽35及凸臺(tái)22上的條形槽23，更加 便于線圈組的繞制、制作及檢測(cè)，同時(shí)，使線圈相對(duì)位置調(diào)節(jié)方便簡(jiǎn)潔，可通過(guò)微調(diào)來(lái)調(diào)節(jié)測(cè)量信號(hào)，保證測(cè)量的精度，從而使裝配定位精度高，還可以有效的減少周?chē)h(huán)境中的信號(hào)干擾，發(fā)射接收信息源準(zhǔn)確。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。