半導體裝置的制造方法與流程

本發明涉及一種半導體裝置的制造方法，特別地，涉及含有高散熱材料的電力用等的半導體裝置的制造方法，該高散熱材料與封裝樹脂相比，針對功率芯片、散熱件以及半導體元件(Si/SiC等)處產生的熱的熱傳導率大。

背景技術：

就電力用等的半導體裝置而言，確保高絕緣性、并且將功率芯片處產生的熱高效地向外部進行散熱是非常重要的。為了提高散熱性能，期望使功率芯片下側的絕緣層變薄，但如果使絕緣層變薄，則擔心絕緣特性劣化。

另外，在由1種樹脂對整體進行全模塑的構造中，由于使絕緣層越薄，則樹脂繞入至絕緣層形成部的狀況越差，模塑性極端地劣化，因此，使絕緣層變薄是極度困難的。因此，不得不使絕緣層的膜厚以某種程度變厚，因此，散熱性下降。為了使絕緣層以某種程度變厚，提高散熱性，因而使用導熱性良好的樹脂作為絕緣層。但是，導熱性良好的樹脂的價格高，如果連不必要的部位也使用高價的高性能樹脂，則制造成本增高。

因此，在例如專利文獻1中提出了下述方法，即，通過使用呈某種程度的厚度且導熱性優異的絕緣材料作為絕緣層，從而易于同時實現絕緣性的確保和高散熱。就該方法而言，由于僅在必要的部位以及散熱件的正下方使用高性能的絕緣材料，因此在制造成本方面也是有利的。

如專利文獻1所述，為了提高樹脂朝散熱件的正下方向絕緣層部的注入性，開發了如下技術。如果樹脂向散熱件的正下方的注入遲緩，則在散熱件的正下方產生熔接縫(weld)，由于散熱件上側的樹脂注入壓力，樹脂厚度變小，發生絕緣不良。通過將引線框架向上方垂直地彎曲，或者在封裝件的表面設置切口部等堤部，從而作為對將要向上部流動的樹脂的注入量進行限制的減流部起作用，增大從引線框架的下部向散熱件正下方的絕緣層形成部分流入的樹脂量，使得在散熱件正下方不產生熔接縫。

專利文獻1：日本特開2003－115505號公報

技術實現要素：

但是，就用于對專利文獻1所記載的樹脂的流動性進行控制的對策而言，存在引線框架的加工成本上升這一問題。另外，存在下述問題，即，需要利用一定厚度的樹脂對線環進行封裝，封裝件厚度的減薄化是困難的。并且，由于在封裝件的表面設置切口部等堤部，因此存在封裝件強度下降、可能產生裂紋這一問題。

因此，本發明的目的在于提供一種半導體裝置的制造方法，該半導體裝置的制造方法能夠抑制封裝件強度的下降以及制造成本，并且實現封裝件的小型化。

本發明所涉及的半導體裝置的制造方法具有下述工序，即：(a)準備引線框架，該引線框架具有搭載了半導體元件的芯片焊盤；(b)在模具內配置粒狀的第1樹脂；(c)以使所述第1樹脂與所述芯片焊盤的下側相接觸的方式，將所述引線框架配置于所述模具內；(d)在所述模具內，在所述第1樹脂的上側填充第2樹脂；以及(e)通過使所述第1樹脂及所述第2樹脂硬化，從而成型。

發明的效果

根據本發明所涉及的半導體裝置的制造方法，通過在成型前預先配置粒狀的第1樹脂，在以使第1樹脂與芯片焊盤的下側相接觸的方式將由導線配線進行連接的半導體元件及引線框架配置于模具內后，在第1樹脂的上側填充第2樹脂，使第1樹脂及第2樹脂硬化，從而成型。

因此，由于能夠防止在與芯片焊盤的下表面接合的散熱件的正下方產生熔接縫，因此能夠避免半導體裝置的絕緣不良。另外，由于不需要在封裝件表面設置切口部等堤部，因此能夠抑制封裝件強度的下降。并且，由于不需要在封裝件表面設置切口部等堤部，另外，利用具有一定厚度的樹脂將導線封裝，因此不需要使封裝件厚度變厚。由此，能夠實現封裝件的小型化，并且能夠抑制半導體裝置的制造成本。

通過以下的詳細說明和附圖，使本發明的目的、特征、方案以及優點更明確。

附圖說明

圖1是表示在實施方式1所涉及的半導體裝置的制造方法中將引線框架配置于模具內的狀態的剖視圖。

圖2是表示在實施方式1所涉及的半導體裝置的制造方法中將第2樹脂注入至模具內的狀態的剖視圖。

圖3是表示在實施方式1的變形例所涉及的半導體裝置的制造方法中將第2樹脂注入至模具內的狀態的剖視圖。

圖4是表示在實施方式2所涉及的半導體裝置的制造方法中利用上模型腔對第2樹脂及第1樹脂進行壓縮的狀態的剖視圖。

圖5是表示在實施方式3所涉及的半導體裝置的制造方法中將引線框架配置于模具內的狀態的剖視圖。

圖6是表示在實施方式3所涉及的半導體裝置的制造方法中利用可動銷進行暫時壓縮的狀態的剖視圖。

圖7是表示在實施方式3所涉及的半導體裝置的制造方法中將第2樹脂注入至模具內后、將可動銷從模具拔出后的狀態的剖視圖。

圖8是表示在實施方式4所涉及的半導體裝置的制造方法中將第2樹脂注入至模具內的狀態的剖視圖。

圖9是前提技術所涉及的半導體裝置的剖視圖。

圖10是前提技術所涉及的其他半導體裝置的剖視圖。

具體實施方式

＜前提技術＞

在對本發明的實施方式1進行說明之前，使用圖9和圖10對前提技術所涉及的半導體裝置的結構進行說明。圖9是前提技術所涉及的半導體裝置的剖視圖，圖10是前提技術所涉及的其他半導體裝置的剖視圖。

如圖9所示，前提技術所涉及的半導體裝置具有半導體元件6a、6b、引線框架4、5、導線1、2、散熱件20、以及模塑樹脂8a。

半導體元件6a是功率芯片，更具體地說，是Si芯片或者SiC芯片。半導體元件6a的背面經由焊料3而接合于引線框架4的芯片焊盤4a的表面之上。導線1的一端與在半導體元件6a的表面之上形成的多個電極(省略圖示)鍵合，導線1的另一端與引線框架4的內部引線部鍵合。散熱件20通過經由焊料3與芯片焊盤4a的背面接合，從而與半導體元件6a電接合，進行半導體元件6a的散熱。

半導體元件6b是作為功率芯片的半導體元件6a的驅動用芯片，半導體元件6b的背面經由焊料3接合于引線框架5的芯片焊盤5a的表面之上。導線2的一端與在半導體元件6b的表面之上形成的多個電極(省略圖示)鍵合，導線2的另一端與引線框架5的內部引線部鍵合。通過將引線框架5的內部引線部向上方彎折，從而形成框架加工部22。模塑樹脂8a對半導體元件6a、6b、引線框架4、5的內部引線部、導線1、2、以及散熱件20進行封裝。

如圖10所示，前提技術所涉及的其他半導體裝置與圖9的情況同樣地，具有半導體元件6a、引線框架4、5、導線1、2、散熱件20、以及模塑樹脂8a。與圖9的情況的不同點在于，取代框架加工部22而在位于導線1、2間的模塑樹脂8a(封裝件)的部分設置了槽23。

框架加工部22和槽23在半導體裝置的制造過程中作為對將要向上部流動的樹脂的注入量進行限制的減流部起作用，使從引線框架4、5的下部向在散熱件20的正下方形成的絕緣層21流入的樹脂量增大，使得在散熱件20的正下方不產生熔接縫。

在本發明的實施方式1所涉及的半導體裝置的制造方法中，無需設置框架加工部22或者槽23，就使得在散熱件20的正下方不產生熔接縫。

＜實施方式1＞

下面，使用附圖，對本發明的實施方式1進行以下說明。圖1是表示在實施方式1所涉及的半導體裝置的制造方法中將引線框架4、5配置于模具9內的狀態的剖視圖，圖2(a)是表示在半導體裝置的制造方法中將樹脂8注入至模具9內的狀態的剖視圖，圖2(b)是表示樹脂7及樹脂8硬化后的狀態的圖。此外，在實施方式1中，對與在前提技術中說明過的結構要素相同的結構要素標注同一標號而省略說明。

如圖1所示，在下模具9a內以成為均勻的厚度方式配置粒狀的樹脂7(第1樹脂)。樹脂7的各顆粒形成為預先確定的大小。此外，粒狀的樹脂7包含壓片前的粉末狀、以及破碎狀的樹脂。另外，除粒狀以外，也可以是能夠將芯片焊盤4a的下端和模具9的底面之間的間隙填埋的板狀(長方體形狀)或者液狀的樹脂。

在成型前，在粒狀的樹脂7間可能產生空隙，但通過設置模具9內的抽真空時間，從而能夠抑制在成型后產生空隙。如圖2(a)所示，模具9具有下模具9a、上模具9b、以及側澆口9c。側澆口9c是用于從半導體元件6a、6b的側方注入液狀的樹脂8(第2樹脂)的注入口。

從側澆口9c逐漸注入樹脂8(傳遞模塑)，對樹脂7一邊利用樹脂8進行壓縮，一邊成型。在這里，樹脂7及樹脂8存在粒狀和液狀的不同，但是為同種樹脂。在樹脂7及樹脂8是同種樹脂的情況下，樹脂7和樹脂8之間的分界面的粘接性容易穩定，期望樹脂7和樹脂8是散熱性高的樹脂。樹脂7和樹脂8在加熱后熔融。但是，由于特性相同，另外，在傳遞模塑壓縮時，樹脂7和樹脂8變為最低熔融粘度的時間相近，因此在成型后，樹脂7和樹脂8之間的分界面較強地粘接(化學結合)，不存在發生分界面剝離或者樹脂裂紋這些不良狀況的可能性。

下面，對半導體裝置的制造方法進行說明。如圖1所示，準備引線框架4，該引線框架4具有搭載了半導體元件6a的芯片焊盤4a(工序(a))。更具體地說，在引線框架4的芯片焊盤4a之上載置2個半導體元件6a，利用焊料3將芯片焊盤4a的上表面和2個半導體元件6a接合。在引線框架5的芯片焊盤5a之上載置半導體元件6b，利用焊料3將芯片焊盤5a的上表面和半導體元件6b接合。此外，在引線框架4搭載的半導體元件6a的個數不限定于2個。

對引線框架4和半導體元件6a進行導線連接，并且對引線框架5和半導體元件6b進行導線連接。更具體地說，分別利用導線1(導線配線)將半導體元件6a彼此、圖1中左側的半導體元件6a和引線框架4連接。另外，分別由導線2將圖1中右側的半導體元件6a和半導體元件6b、半導體元件6b和引線框架5連接。并且，利用焊料將散熱件(省略圖示)接合于引線框架4的芯片焊盤4a的下表面。即，在工序(a)中，制作出完成至導線鍵合工序為止的成型對象物、即安裝框架。

通過利用模塑樹脂對上述內部構造進行集中封裝，從而實現相對于外部氣體的保護、絕緣以及散熱的功能。特別地，位于芯片焊盤4a或者散熱件下側的模塑樹脂是實現絕緣及散熱的功能的重要部位。為了實現上述功能，在成型后，以在位于芯片焊盤4a或者散熱件下側的模塑樹脂不產生空隙的方式設為與設計目標一致的厚度是重要的。

然后，在模具9內，將樹脂7配置至預先確定的第1高度(設計值)為止(工序(b))。以使樹脂7與芯片焊盤4a的下側相接觸的方式，將工序(a)中準備的引線框架4、5配置于模具9內(工序(c))。在這里，所謂芯片焊盤4a的下側，在芯片焊盤4a的下表面處接合有散熱件的情況下是指散熱件的下端，在芯片焊盤4a的下表面處并未接合有散熱件的情況下是指芯片焊盤4a的下端。即，在工序(c)中，將完成至導線鍵合工序為止的安裝框架設置于模具9內的規定位置。

引線框架4以使外部引線部與內部引線部相比位于上方的方式彎曲，外部引線部由下模具9a和上模具9b(參照圖2(a))進行夾持。另外，引線框架5形成為直線狀。就引線框架5而言，由于外部引線部由上模具9b和下模具9a進行夾持，內部引線部與引線框架4的內部引線部相比位于上方，因此樹脂7不與引線框架5的芯片焊盤5a的下端相接觸。

如圖2(a)所示，在利用模具9進行合模后，通過利用傳遞模塑成型法從側澆口9c將樹脂8在模具9內注入至樹脂7的上側，從而進行填充(工序(d))。通過在芯片焊盤4a的下側預先配置樹脂7，從而熔接縫到達至氣孔10的周邊部，該氣孔10位于引線框架5的上側。然后，如圖2(b)所示，通過使樹脂7和樹脂8硬化，從而成型(工序(e))。在這里，粒狀的樹脂7和液狀的樹脂8硬化，分別成為模塑樹脂7a和模塑樹脂8a。

然后，在經過用于使樹脂7和樹脂8完全硬化的加熱工序后，經過連結桿(tie bar)等框架多余部分的切斷、引線端子的成型以及產品測試等，完成產品。

如上所述，在實施方式1所涉及的半導體裝置的制造方法中，通過在成型前預先配置粒狀的樹脂7，以使樹脂7與芯片焊盤4a的下側相接觸的方式將利用導線1連接的半導體元件6a及引線框架4配置于模具9內后，將樹脂8填充于樹脂7的上側，使樹脂7及樹脂8硬化，從而成型。具體地說，通過從模具9的側澆口9c注入樹脂8而進行填充，一邊由樹脂8對樹脂7進行壓縮，一邊成型。

因此，由于能夠防止在散熱件的正下方產生熔接縫，因此能夠避免半導體裝置的絕緣不良。另外，由于不需要在封裝件表面設置切口部等堤部，因此能夠抑制封裝件強度的下降。并且，由于不需要在封裝件表面設置切口部等堤部，另外，利用具有一定厚度的樹脂8將導線1、2封裝，因此不需要使封裝件厚度變厚。由此，能夠實現封裝件的小型化，并且能夠抑制半導體裝置的制造成本。

另外，即使在成型前在粒狀的樹脂7之間可能產生空隙的情況下，通過設置模具9內的抽真空時間，從而也能夠抑制在成型后產生空隙。

下面，對使用實施方式1所涉及的半導體裝置的制造方法制造的半導體裝置、和在芯片焊盤下側配置了絕緣片的情況下的半導體裝置進行比較。就在芯片焊盤下側配置了絕緣片的情況下的半導體裝置而言，由于絕緣片具有高散熱特性(2至3W/m·K)、以及高絕緣特性，因此填料的材料成本高。另外，由于絕緣片在成型時需要與芯片焊盤或者散熱件等金屬部件粘接，因此上述絕緣片的制造是困難的，制造成本增高。

與此相對，在像使用實施方式1所涉及的半導體裝置的制造方法制造的半導體裝置這樣的、在芯片焊盤下側存在模塑樹脂的集中模塑成型品的情況下，以下方面是有利的。在芯片焊盤下側的樹脂的樹脂厚度為200μm左右、且滿足樹脂的熱傳導率為2W/m·K左右這一散熱功能的封裝件中，通過選擇高散熱模塑樹脂(2W/m·K)，從而與配置了絕緣片的情況相比，能夠實現低成本化。另外，能夠減少直接材料的種類、對處理(裝置)進行簡化，能夠實現低成本化。

另外，在模具9內，由于能夠將粉末狀或者破碎狀的樹脂7配置至第1高度為止，因此能夠從滿足材料成本或者特性(絕緣特性或者散熱特性)的各種形態的樹脂中選擇最佳的樹脂。

另外，在模具9內，能夠將與樹脂8相比具有較高的絕緣特性的樹脂7配置至第1高度為止。能夠采用分子量大、介電常數低的環氧樹脂作為具有高絕緣特性的樹脂。在該情況下，通過在需要絕緣功能的芯片焊盤4a的下側局部地配置具有高絕緣特性的樹脂7，從而進一步得到高絕緣特性及低成本化的效果。

對此進行詳細說明。在搭載了半導體元件的功率模塊、特別是搭載了進行高溫動作的SiC芯片的功率模塊中，需要經由芯片下側的芯片焊盤及散熱件相對于冷卻鰭片進一步進行絕緣。芯片焊盤及散熱件下側的樹脂優選由高絕緣材料構成，但是價格高。由于在功率模塊的封裝樹脂整體使用上述樹脂的情況下材料成本增高，因此通過使得樹脂僅在芯片焊盤下側局部地使用具有高絕緣特性的材料，從而能夠實現滿足高絕緣特性和低成本的功率模塊。

另外，在模具9內，能夠將與樹脂8相比具有較高的散熱特性的樹脂7配置至第1高度為止。能夠使用將填料粒徑大的樹脂、以及填料粒徑細小的樹脂組合得到的最密填充構造的樹脂作為具有高散熱特性的樹脂。在該情況下，通過在需要散熱功能的芯片焊盤4a的下側局部地配置高散熱樹脂，從而進一步得到低熱阻化及低成本化的效果。

對此進行詳細說明。在搭載了半導體元件的功率模塊、特別是搭載了進行高溫動作的SiC芯片的功率模塊中，需要經由芯片下側的芯片焊盤或者散熱件向冷卻鰭片進一步進行散熱。芯片焊盤下側的樹脂優選由高散熱材料構成，但是價格高。由于在功率模塊的封裝樹脂整體使用上述樹脂的情況下材料成本增高，因此通過使得樹脂僅在芯片焊盤的下側局部地使用高散熱材料，從而能夠實現滿足高散熱特性和低成本的功率模塊。

如圖3所示，還能夠采用上澆口方式。圖3是表示在實施方式1的變形例所涉及的半導體裝置的制造方法中將樹脂8注入至模具9內的狀態的剖視圖。模具9具有用于從半導體元件6a、6b的上方注入樹脂8的上澆口9d以取代側澆口9c。通過從模具9的上澆口9d注入樹脂8而進行填充，一邊由樹脂8將樹脂7均勻地壓縮，一邊成型。通過從半導體元件6a、6b的上方注入樹脂8，從而與利用側澆口方式進行注入時相比，由于樹脂8相對于導線1、2的移動距離減小，因此能夠抑制導線變形。

＜實施方式2＞

下面，對實施方式2所涉及的半導體裝置的制造方法進行說明。圖4是表示在實施方式2所涉及的半導體裝置的制造方法中利用上模型腔11對樹脂8及樹脂7進行壓縮的狀態的剖視圖。此外，在實施方式2中，對與在實施方式1中說明過的結構要素相同的結構要素標注相同標號而省略說明。

在實施方式2中，樹脂8形成為粒狀。模具9具有下模具9a、上模具9b、以及上模型腔11。上模型腔11設置于上模具9b，通過相對于下模具9a向下方進行移動，從而對樹脂8及樹脂7進行壓縮。

在模具9內配置了安裝框架后，通過將形成為粒狀的樹脂8散布于模具9內而進行填充。在利用模具9進行合模后，通過使上模型腔11相對于下模具9a向下方進行移動，從而一邊對樹脂8及樹脂7進行壓縮，一邊成型。

如上所述，在實施方式2所涉及的半導體裝置的制造方法中，模具9具有：下模具9a，引線框架4、5配置于該下模具9a；以及上模型腔11，其通過相對于下模具9a向下方進行移動，從而對樹脂8及樹脂7進行壓縮。通過將形成為粒狀的樹脂8散布于模具9內而進行填充，使上模型腔11相對于下模具9a向下方進行移動，從而一邊對樹脂8及樹脂7進行壓縮，一邊成型。因此，由于通過上模型腔11的移動、而非傳遞方式對樹脂8進行樹脂壓縮，從而與傳遞方式(側澆口及上澆口)相比，樹脂相對于導線1、2的移動距離明顯減小，因此能夠抑制導線變形。

＜實施方式3＞

下面，對實施方式3所涉及的半導體裝置的制造方法進行說明。圖5是表示在實施方式3所涉及的半導體裝置的制造方法中將引線框架4、5配置于模具9內后的狀態的剖視圖，圖6是表示在半導體裝置的制造方法中利用可動銷12進行暫時壓縮的狀態的剖視圖，圖7是表示在半導體裝置的制造方法中將樹脂8注入至模具9內后、將可動銷12從模具9拔出后的狀態的剖視圖。此外，在實施方式3中，對與在實施方式1、2中說明過的結構要素相同的結構要素標注相同標號而省略說明。

在實施方式3中，使用用于將芯片焊盤4a向下側按壓的可動銷12對樹脂7進行暫時壓縮。如圖5所示，在模具9內，例如將樹脂7配置至第1高度的1.5倍的高度即第2高度為止。以使樹脂7與芯片焊盤4a的下端相接觸的方式將引線框架4配置于模具9內。在這里，第2高度是指，在將引線框架4配置于模具9內的狀態下通過樹脂7而使芯片焊盤4a向上側撓曲的程度的高度，不限定于第1高度的1.5倍。

在利用模具9進行合模后，如圖6所示，通過利用可動銷12將芯片焊盤4a向下側按壓，從而以使樹脂7的上表面成為第1高度的方式進行暫時壓縮(工序(f))。通過對樹脂7進行暫時壓縮，從而能夠消除樹脂7中的空隙。然后，如圖7所示，在模具9內，在通過將樹脂8注入至樹脂7的上側而進行填充后，將可動銷12從模具9拔出(工序(g))。然后，通過使樹脂7及樹脂8硬化，從而成型，但由于已將可動銷12從模具9拔出，因此可動銷12的形狀不會殘留于成型后的半導體裝置。

如上所述，在實施方式3所涉及的半導體裝置的制造方法中，在以使樹脂7與芯片焊盤4a的下側相接觸的方式將引線框架4配置于模具9內后，通過利用用于將芯片焊盤4a向下側按壓的可動銷12將芯片焊盤4a向下側按壓，從而對樹脂7進行暫時壓縮。在模具9內，在樹脂7的上側填充樹脂8后，將可動銷12從模具9內拔出。

在對位于芯片焊盤4a的正下方的樹脂7進行成型時，如果僅憑借由傳遞模塑等產生的對樹脂8的壓力，則在成型后可能產生空隙(散熱或者絕緣不良)，成品率不穩定。因此，通過采用實施方式3的方法，從而在成型后，能夠極力消除芯片焊盤4a正下方的樹脂7中的空隙，使樹脂7的厚度與設計值一致，因此能夠提高成品率。

＜實施方式4＞

下面，對實施方式4所涉及的半導體裝置的制造方法進行說明。圖8(a)是表示在實施方式4所涉及的半導體裝置的制造方法中將樹脂8注入至模具9內的狀態的剖視圖，圖8(b)是表示樹脂7及樹脂8硬化后的狀態的圖。此外，在實施方式4中，對與在實施方式1至3中說明過的結構要素相同的結構要素標注相同標號而省略說明。

實施方式4是MAP模塑型的半導體裝置的制造方法的例子。在這里，所謂MAP模塑，是指針對搭載了多個半導體元件6a的絕緣基板14而整體進行成型，在成型后，單片化為各個半導體裝置。如圖8(a)、(b)所示，準備搭載了多個半導體元件6a的單片化之前的絕緣基板14。在這里，對絕緣基板14進行說明。金屬圖案13固定于絕緣基板14的上表面和下表面，多個半導體元件6a通過焊料3與上側的金屬圖案13的上表面接合。

然后，在模具9內，將樹脂7配置至第1高度為止。以使樹脂7與絕緣基板14的下側相接觸的方式將絕緣基板14配置于模具9內。更具體地說，絕緣基板14的寬度方向的端部由上模具9b和下模具9a進行夾持，樹脂7與在絕緣基板14的下表面固定的金屬圖案13的下端相接觸。

然后，在模具9內，通過經由絕緣基板14的上表面在樹脂7的上側注入樹脂8而進行填充，一邊由樹脂8對樹脂7進行壓縮，一邊成型。

如上所述，在實施方式4所涉及的半導體裝置的制造方法中，準備搭載了多個半導體元件6a的單片化之前的絕緣基板14，在模具9內，在配置了樹脂7后，以使樹脂7與絕緣基板14的下側相接觸的方式，將絕緣基板14配置于模具9內。

在成型后由旋轉刀片等進行單片化的MAP模塑型的半導體裝置的情況下，通常，僅對絕緣基板上側的內部材料進行封裝。其理由在于，由于模塑樹脂向絕緣基板正下方的注入不穩定，因此僅壓縮成型的話，粒狀的樹脂彼此的聚集性(packing property)低，容易產生空隙。根據實施方式4所涉及的半導體裝置的制造方法，絕緣基板14的下側也能夠利用模塑樹脂進行封裝，而不產生由熔接縫導致的空隙。

詳細地說明了本發明，但上述說明在所有方面均為例示，本發明不限定于此。可以理解為能夠不超出本發明的范圍的條件下想到未例示的無數變形例。

此外，本發明在本發明的范圍內能夠對各實施方式自由地進行組合，或者對各實施方式適當地進行變形、省略。

標號的說明

4引線框架，4a芯片焊盤，6a半導體元件，7樹脂(第1樹脂)，8樹脂(第2樹脂)，9模具，9a下模具，9c側澆口，9d上澆口，11上模型腔，12可動銷，14絕緣基板。