高密度電容器結構及其制作方法與流程

技術特征：
1.一種高密度電容器的制作方法，包括步驟：提供半導體襯底；在所述半導體襯底上形成多個堆膜，所述堆膜自下而上包括第一金屬層、第一介質層、第二金屬層和第二介質層；刻蝕所述堆膜的側壁，暴露出所述半導體襯底；各向同性刻蝕所述堆膜的其中一側壁，刻蝕去除一部分第一介質層，暴露出一部分第一金屬層以及第二金屬層的表面；各向同性刻蝕所述堆膜的另一側壁，刻蝕去除一部分第二介質層，暴露出一部分第二金屬層以及第一金屬層的表面；在所述堆膜的側壁及表面形成第三介質層，所述第三介質層暴露出部分所述第一金屬層和第二金屬層的表面；在所述堆膜側壁、半導體襯底表面上形成金屬連接線，其中，所述金屬連接線形成在第三介質層的表面并與暴露出的第一金屬層和第二金屬層的表面電連接。2.如權利要求1所述的高密度電容器的制作方法，其特征在于，所述堆膜的個數大于等于1個。3.如權利要求1所述的高密度電容器的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層和第二金屬層的材質為氮化鈦、氮化鉭或鋁。4.如權利要求3所述的高密度電容器的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層和第二金屬層的厚度范圍是100埃～10000埃。5.如權利要求1所述的高密度電容器的制作方法，其特征在于，所述第一介質層的材質為二氧化硅。6.如權利要求5所述的高密度電容器的制作方法，其特征在于，所述第一介質層的厚度范圍是20埃～2000埃。7.如權利要求1所述的高密度電容器的制作方法，其特征在于，所述第二介質層的材質為氮化硅。8.如權利要求7所述的高密度電容器的制作方法，其特征在于，所述第二介質層的厚度范圍是20埃～2000埃。9.如權利要求1所述的高密度電容器的制作方法，其特征在于，所述第三介質層的材質為二氧化硅。10.如權利要求9所述的高密度電容器的制作方法，其特征在于，所述第三介質層的厚度范圍是20埃～2000埃。11.如權利要求1所述的高密度電容器的制作方法，其特征在于，所述金屬連接線的材質為氮化鈦、氮化鉭、鋁或銅。12.如權利要求11所述的高密度電容器的制作方法，其特征在于，所述金屬連接線采用化學氣相淀積、物理氣相淀積、電鍍或類電鍍形成。13.一種高密度電容器結構，采用如權利要求1至12中任一種方法形成，所述高密度電容器結構包括：半導體襯底；形成在所述半導體襯底上的堆膜，所述堆膜自下而上包括第一金屬層、第一介質層、第二金屬層和第二介質層，其中，所述堆膜的一側壁暴露出所述第一金屬層的表面，所述堆膜的另一側壁暴露出所述第二金屬層的表面；形成在所述堆膜側壁以及表面的第三介質層，所述第三介質層包圍所述堆膜，僅暴露出所述第一金屬層和第二金屬層的部分表面；形成在所述堆膜側壁的金屬連接線，其中，所述金屬連接線形成在第三介質層的表面并與暴露出的第一金屬層和第二金屬層的表面電連接。