太陽能電池及其制造方法與流程

本公開涉及太陽能電池及其制造方法，更具體地講，涉及包括雜質層的太陽能電池及其制造方法。

背景技術：
近來，隨著諸如石油和煤的已有能源正在耗盡，對替代能源的關注正在增加。具體地講，作為下一代替代能源，直接將太陽能轉換為電能的太陽能電池引人關注。在這種太陽能電池中，為了進行光電轉換，形成雜質層以形成pn結，形成電極以連接到n型雜質層和/或p型雜質層。為了增強雜質層的特性，已提出分別向雜質層中注入不同量的雜質的結構。然而，在這種結構中，在接觸各個電極的區域中的空穴和電子的表面復合可能增加，從而使太陽能電池的效率變差。

技術實現要素：
因此，鑒于上述問題，一個目的在于提供一種太陽能電池，該太陽能電池包括具有改進的結構的雜質層，從而實現增強的效率。另一目的在于提供一種用于利用簡單的工藝制造太陽能電池的方法，該太陽能電池包括具有改進的結構的雜質層從而實現增強的效率。根據一個方面，可通過提供一種太陽能電池來實現以上和其它目的，該太陽能電池包括：具有第一導電類型的半導體基板；在所述半導體基板的表面上的發射層，該發射層具有不同于所述第一導電類型的第二導電類型；以及電極，其包括電連接到所述發射層的第一電極和電連接到所述半導體基板的第二電極，其中，所述發射層包括與所述第一電極相鄰的高濃度摻雜部分以及在不包括所述高濃度摻雜部分的區域中的低濃度摻雜部分，所述低濃度摻雜部分具有比所述高濃度摻雜部分的電阻高的電阻，其中，所述高濃度摻雜部分包括具有第一電阻的第一區域以及具有比所述第一電阻高的第二電阻的第二區域。根據另一方面，提供了一種太陽能電池，該太陽能電池包括：具有第一導電類型的半導體基板；在所述半導體基板的表面上的發射層，該發射層具有不同于所述第一導電類型的第二導電類型；在所述半導體基板的另一表面上的背面場層，該背面場層具有所述第一導電類型；以及電極，其包括電連接到所述發射層的第一電極和電連接到所述背面場層的第二電極，其中，所述發射層和背面場層中的至少一個包括分別與所述第一電極或所述第二電極相鄰的高濃度摻雜部分以及在不包括所述高濃度摻雜部分的區域中的低濃度摻雜部分，所述低濃度摻雜部分具有比所述高濃度摻雜部分的電阻高的電阻，其中，所述高濃度摻雜部分包括具有第一電阻的第一區域以及具有比所述第一電阻高的第二電阻的第二區域。根據另一方面，提供了一種用于制造太陽能電池的方法，該方法包括以下步驟：在半導體基板處形成雜質層，其中，形成所述雜質層包括以下步驟，通過將雜質摻雜到所述半導體基板中來形成低濃度摻雜部分，以及通過對形成在所述低濃度摻雜部分上方的玻璃組成層選擇性地施加熱來形成具有比所述低濃度摻雜部分的電阻低的電阻的高濃度摻雜部分，其中，形成所述高濃度摻雜部分包括形成具有第一電阻的第一區域以及具有比所述第一電阻高的電阻的第二區域。附圖說明從以下結合附圖進行的詳細描述，以上和其它目的、特征和其它優點將更清楚地理解，附圖中：圖1是根據本發明的示例性實施方式的太陽能電池的截面圖；圖2是示意性地示出圖1的太陽能電池中的第一電極和發射層的結構的平面圖；圖3a至圖3k是示出根據本發明的示例性實施方式的太陽能電池的制造方法的截面圖；圖4是根據本發明的另一示例性實施方式的太陽能電池的截面圖；圖5是根據本發明的另一示例性實施方式的太陽能電池的截面圖；圖6是根據本發明的另一示例性實施方式的太陽能電池的截面圖；以及圖7是根據本發明的另一示例性實施方式的太陽能電池的截面圖。具體實施方式現在將詳細說明本發明的優選實施方式，這些優選實施方式的示例示出在附圖中。這些實施方式并非旨在限制本發明。也可提供其它實施方式。為了描述清晰起見，圖中可省略除了構成本發明的基本特征的元件之外的構成元件。相同的標號始終指代相同的元件。在附圖中，為了說明清晰和方便起見，構成元件的寬度、厚度等可能被夸大或縮小。本發明不限于所示出的厚度、寬度等。還將理解，當用在本說明書中時，術語“包括”和/或“包含”指明存在所提及的特征、整數、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或增加一個或更多個其它特征、整數、步驟、操作、元件、組件和/或其組合。另外，在對實施方式的描述中，將理解，當提及層（或膜）、區域、焊盤、圖案或結構被設置在另一層、區域、焊盤、圖案或基板“上/上面/上方”時，其可直接與另一層、區域、焊盤、圖案或基板接觸，或者還可存在一個或更多個介于其間的層、區域、焊盤、圖案或結構。另外，還將理解，當提及層（或膜）、區域、焊盤、圖案或結構被設置在兩個層、兩個區域、兩個焊盤、兩個圖案或兩個結構“之間”時，其可為這兩個層、兩個區域、兩個焊盤、兩個圖案和兩個結構之間的僅有的層、區域、焊盤、圖案或結構，或者還可存在一個或更多個介于其間的層、區域、焊盤、圖案或結構。以下將參照附圖詳細描述根據本發明的示例性實施方式的太陽能電池及其制造方法。圖1是根據本發明的示例性實施方式的太陽能電池的截面圖。圖2是示意性地示出圖1的太陽能電池中的第一電極和發射層的結構的平面圖。參照圖1和圖2，根據例示的實施方式的太陽能電池（由標號“100”指代）包括半導體基板10、形成在半導體基板10處的雜質層20-30以及電連接到半導體基板10或雜質層20和30的電極24-34。更詳細地講，雜質層20-30可包括形成在半導體基板10的第一表面（以下稱作“正面”）上方的發射層20以及形成在半導體基板10的第二表面（以下稱作“背面”）上方的背面場層30。電極24-34可包括電連接到發射層20的第一電極24以及電連接到半導體基板10或背面場層30的第二電極34。另外，太陽能電池100還可包括減反射膜22和鈍化膜32。這將在下文更詳細地描述。半導體基板10可包括各種半導體材料。例如，半導體基板10可包括包含第一導電類型的雜質的硅。對于硅，可使用單晶硅或多晶硅。第一導電類型可為p型。即，半導體基板10可為摻雜有III族元素（例如，硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)和銦(In)）的單晶硅或多晶硅。當半導體基板10具有p型導電性時，形成在半導體基板10的正面處的發射層20具有n型導電性，這樣形成pn結。當用光照射該pn結時，根據光電效應生成的電子朝著半導體基板10的正面遷移，以被第一電極24收集。同時，空穴朝著半導體基板10的背面遷移，以被第二電極34收集。結果，產生電能。雖然未示出，但是半導體基板10的正面和/或背面可設置有例如具有根據紋理化工藝的錐形圖案的不均勻性。當根據（例如）形成在其正面上方的不均勻性，半導體基板10的表面粗糙度增加時，可降低半導體基板10的正面的反射率。因此，可增加到達形成在半導體基板10與發射層20之間的界面處的pn結的光的量，進而使光損失最小。當然，本發明不限于上述結構。例如，可僅在半導體基板10的正面上方形成不均勻性。另選地，可根本不形成不均勻性。形成在半導體基板的正面處的發射層20包含第二導電類型的雜質。發射層20與半導體基板10一起形成pn結。在這種情況下，發射層20可通過在半導體基板10中摻雜V族元素（例如，磷(P)、砷(As)、鉍(Bi)和銻(Sb)）來形成。在示例性實施方式中，發射層20具有選擇性發射極結構，該選擇性發射極結構包括具有相對低的摻雜濃度同時呈現高電阻的正面低濃度摻雜部分210以及具有相對高的摻雜濃度同時呈現低電阻的正面高濃度摻雜部分220。更詳細地講，呈現低電阻的正面高濃度摻雜部分220形成在半導體基板10中的與各個第一電極24相鄰的區域中。正面低濃度摻雜部分210形成在半導體基板10中的除了形成有正面高濃度摻雜部分220的區域之外的區域中。正面高濃度摻雜部分220的摻雜深度可大于正面低濃度摻雜部分210。因而，在例示的實施方式中，正面低濃度摻雜部分210形成在相鄰的第一電極24之間的上面有光入射的區域中，以實現淺結發射極。因此，可增強太陽能電池100的電流密度。另外，正面高濃度摻雜部分220形成在與各個第一電極24相鄰的區域中，以減小與第一電極24的接觸電阻。因而，根據例示的實施方式的發射層可根據其選擇性發射極結構使太陽能電池100的效率最大。在示例性實施方式中，正面高濃度摻雜部分220可包括具有第一電阻的第一區域222以及各自具有比第一電阻高的第二電阻的第二區域224。在這種情況下，第一區域222的摻雜深度可大于第二區域224。這將稍后更詳細地描述。減反射膜22和第一電極24可形成在半導體基板10的正面處的發射層20上。減反射膜22可基本上形成在半導體基板10的除了形成有第一電極24的區域之外的整個正面上方。減反射膜22降低通過半導體基板10的正面入射的光的反射率。因此，可增加到達形成在半導體基板10與發射層20之間的界面處的pn結的光的量。因此，太陽能電池100的短路電流Isc可增大。減反射膜22還可用作鈍化膜以使發射層20的表面或主體中存在的缺陷失效。因此，去除了少數載流子的復合位點。因而，可增大太陽能電池100的開路電壓Voc。由于太陽能電池100的開路電壓和短路電流通過減反射膜22而增大，所以太陽能電池100的轉換效率可提高。減反射膜22可包含能夠防止反射的各種材料。例如，減反射膜可包括氮化硅膜。當然，本發明不限于這種材料，因此，減反射膜22可包含各種材料。即，減反射膜22可具有通過一個膜形成的單層膜結構，所述一個膜選自由氮化硅膜、包含氫的氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、MgF2膜、ZnS膜、TiO2膜和CeO2膜組成的組，或者可具有通過選自所述組的兩個或更多個膜的組合形成的多層結構。各個第一電極24可延伸穿過半導體基板10的正面處的減反射膜22，以電連接到發射層20。各個第一電極24可具有各種平面形狀。例如，如圖2所示，各個第一電極24可包括指狀電極24a，所述指狀電極24a平行排列并具有第一間距D1。另外，各個第一電極24可包括總線電極24b，所述總線電極24b形成為在與指狀電極24a交叉的方向上延伸。各個第一電極24可包括一個總線電極24b。另選地，如圖2所示，各個第一電極24可包括多個總線電極24b，這些總線電極24b平行排列并具有比第一間距D1大的第二間距D2。在這種情況下，各個總線條24b的寬度W2可大于各個指狀電極24a的寬度W1。當然，本發明不限于這些寬度。例如，總線條24b的寬度與指狀電極24a相同。即，各個第一電極24的形狀僅是示意性的，本發明不限于此。各個第一電極24可由各種材料制成。再次參照圖1，包含摻雜濃度比半導體基板10高的第一導電類型的雜質的背面場層30形成在半導體基板10的背面處。背面場層30不是必需的，因此，可根據設計等來實施。在示例性實施方式中，背面場層30可具有選擇性背面場結構，該選擇性背面場結構包括具有相對低的摻雜濃度同時呈現高電阻的背面低濃度摻雜部分310以及具有相對高的摻雜濃度同時呈現低電阻的背面高濃度摻雜部分320。更詳細地講，呈現低電阻的背面高濃度摻雜部分320形成在半導體基板10中的與各個第二電極34相鄰的區域中。背面低濃度摻雜部分310形成在半導體基板10中的除了形成有背面高濃度摻雜部分320的區域之外的區域中。背面高濃度摻雜部分320的摻雜深度可大于背面低濃度摻雜部分310。因而，在例示的實施方式中，背面低濃度摻雜部分310形成在相鄰的第二電極34之間的上面有光入射的區域中，從而有效防止電子和空穴的復合。因此，可提高太陽能電池100的電流密度，同時增大太陽能電池100的開路電壓。另外，背面高濃度摻雜部分320形成在與各個第二電極34相鄰的區域中，以減小與第二電極34的接觸電阻。即，根據例示的實施方式的背面場層30通過其選擇性背面場結構提高了太陽能電池100的效率。在示例性實施方式中，背面高濃度摻雜部分320可包括具有第三電阻的第一區域322以及各自具有比第三電阻高的第四電阻的第二區域324。這將在稍后更詳細地描述。在這種情況下，第一區域322的摻雜深度可大于第二區域324。鈍化膜32和第二電極34可形成在半導體基板10的背面處。鈍化膜32可基本上形成在半導體基板10的除了形成有第二電極34的區域之外的整個背面上方。鈍化膜32可使半導體基板10的背面處存在的缺陷失效，從而去除少數載流子的復合位點。因而，可增大太陽能電池100的開路電壓。鈍化膜32可由透明絕緣材料制成，以允許光通過。因此，光可穿過鈍化膜32入射在半導體基板10的背面上，因此，太陽能電池100的效率可提高。鈍化膜32可具有通過一個膜形成的單層膜結構，所述一個膜選自由氮化硅膜、包含氫的氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、MgF2膜、ZnS膜、TiO2膜和CeO2膜組成的組，或者可具有通過選自所述組的兩個或更多個膜的組合形成的多層結構。當然，本發明不限于這些結構。鈍化膜32可包括各種材料。各個第二電極34可包括呈現優異的導電性等的各種金屬。各個第二電極34的結構可類似于圖2所示的各個第一電極24的結構。因此，對各個第二電極34的具體結構將不再進一步詳細描述。在例示的實施方式中，具有選擇性發射極結構的發射層20和具有選擇性背面場結構的背面場層30可使太陽能電池100的效率最大化。這將更詳細地描述。在下面的描述中，正面高濃度摻雜部分220和背面高濃度摻雜部分320將被統稱為“高濃度摻雜部分220和320”，以方便描述。正面高濃度摻雜部分220的第一區域222和背面高濃度摻雜部分320的第一區域322將被統稱為“第一區域222和322”。正面高濃度摻雜部分220的第二區域224和背面高濃度摻雜部分320的第二區域324將被統稱為“第二區域224和324”。另外，電連接到正面高濃度摻雜部分220的第一電極24和電連接到背面高濃度摻雜部分320的第二電極34將被統稱為“電極24和34”。在例示的實施方式中，正面高濃度摻雜部分220可包括呈現不同電阻的第一區域222和第二區域224。背面高濃度摻雜部分320可包括呈現不同電阻的第一區域322和第二區域324。因此，通過高濃度摻雜部分220和320增加了空穴和電子的復合。結果，可防止開路電壓減小。這將更詳細地描述。正面高濃度摻雜部分220的寬度通常大于各個第一電極24。背面高濃度摻雜部分320的寬度通常大于各個第二電極34。當高濃度摻雜部分220和320的寬度分別與電極24和34的寬度相同時，由于在形成電極24和34期間不可避免地生成的工藝誤差，電極24和34可能無法完全或部分地分別接觸高濃度摻雜部分220和320。在這種情況下，可能難以減小與電極24和34的接觸電阻。為此，考慮工藝裕度，高濃度摻雜部分220和320形成為比電極24和34寬。同時，高濃度摻雜部分220和320的低電阻有效減小了與電極24和34的接觸電阻。然而，由于高濃度摻雜部分220和320的高濃度，可能容易發生表面復合。結果，太陽能電池100的電流密度和開路電壓可減小。考慮這些問題，根據例示的實施方式，高濃度摻雜部分220和320分別包括呈現不同電阻的第一區域222和第二區域224以及呈現不同電阻的第一區域322和第二區域324。在這種情況下，與很可能接觸相應電極24和34的中間部分對應的第一區域222和322分別具有相對低的第一電阻和第三電阻。布置在相應第一區域222和322的外部并且僅在存在工藝誤差時接觸相應電極24和34的第二區域224和324具有第二電阻和第四電阻，所述第二電阻和第四電阻分別高于第一電阻和第三電阻，但低于低濃度摻雜部分210和310的電阻。因此，即使在最大工藝誤差率下，電極24和34也可被布置為使得電極24和34的至少部分分別接觸第一區域222和322，電極24和34的剩余部分分別設置在第二區域224和324中。即，在例示的實施方式中，考慮工藝裕度，可在接觸相應電極24和34的區域（即，相應高濃度摻雜部分220和320）中通過使高濃度摻雜部分220和320的電阻低于相應低濃度摻雜部分210和310的電阻來減小與相應電極24和34的接觸電阻。另外，通過使很可能接觸相應電極24和34的第一區域222和322分別具有相對低的第一電阻和第三電阻，同時使第二區域224和324分別具有相對高的第二電阻和第四電阻，可減少與僅在存在工藝誤差時接觸相應電極24和34的工藝裕度區域對應的第二區域224和324中的表面復合。因此，可使電流密度減小和開路電壓減小最小化。因此，可使太陽能電池100的效率最大化。在例示的實施方式中，通過在對應第一區域222和322的相對側布置第二區域224和324，可更有效地應對由工藝誤差引起的未對準。在發射層20中，各個第二區域224的寬度T2與第一區域222的寬度T1之比可為0.5至1.5。當所述比超過1.5時，第二區域224可能過寬，使得可能難以有效防止電流密度減小和開路電壓減小。另一方面，當所述比小于0.5時，如果存在工藝誤差，則第一電極24可能延伸至正面低濃度摻雜部分210超過第二區域224。即，考慮工藝誤差和第二區域224的面積來確定所述比。類似地，在背面場層30中，第二區域324的寬度與第一區域322的寬度之比可為0.5至1.5。當然，本發明不限于上述比。上述比可考慮工藝誤差等而變化。第一區域222的寬度T1與第一電極24的寬度W之比可為0.8至1.2。第一電極24的寬度W對應于指狀電極24a處的第一寬度W1，同時對應于總線條電極24b處的第二寬度W2。因此，基于第一寬度W1，考慮與指狀電極24a相鄰的區域中的第一區域222的寬度，而基于第二寬度W2，考慮與總線條電極24b相鄰的區域中的第一區域224的寬度。當所述比超過1.2時，具有相對高濃度和低電阻的第一區域過寬。結果，在該區域中發生表面復合，從而使太陽能電池100的效率變差。另一方面，當所述比小于0.8時，第一電極24與第一區域222之間的接觸面積不足，使得可能難以充分減小接觸電阻。類似地，第二電極34的寬度與背面場層30中的第一區域322的寬度之比可為0.8至1.2。當然，本發明不限于上述比。上述比可考慮工藝誤差等而變化。在示例性實施方式中，第一區域222和322的電阻可為30Ω/平方至70Ω/平方（歐姆/平方）（更精確地，30Ω/平方至40Ω/平方）。第二區域224和324的電阻可為80Ω/平方至90Ω/平方。低濃度摻雜部分210和310可呈現100Ω/平方或更高（更精確地，100Ω/平方至120Ω/平方）的電阻。第二區域224和324中的每一個的電阻被確定為至少是能夠確保與對應電極24或34的預定水平或更高的接觸電阻的電阻。同時，發射層20的各個第二區域224的電阻被確定為在能夠防止半導體基板10中形成分流的范圍內。低濃度摻雜部分210和310的電阻被確定為允許形成淺結發射極的水平。當然，本發明不限于上述電阻。可采用各種電阻，只要其滿足其中的電阻關系即可。在例示的實施方式中，示出半導體基板10和背面場層30包含p型雜質，發射層20包含n型雜質的情況。當然，本發明不限于例示的情況。例如，半導體基板10和背面場層30可包含n型雜質，發射層20可包含p型雜質。以下將參照圖3a至圖3k詳細描述根據本發明的示例性實施方式的太陽能電池的制造方法。在下面的描述中，將不再對與上述內容相同的內容進行描述。首先，如圖3a所示，半導體基板10具有第一導電類型。盡管未示出，半導體基板10的正面和/或背面可根據紋理化工藝設置有不均勻性。作為紋理化工藝，可采用濕法或干法紋理化。濕法紋理化可通過將半導體基板10浸入紋理化溶液中來進行。濕法紋理化的優點在于處理時間短。干法紋理化通過利用金剛石鉆頭、激光等切割半導體基板10的表面來進行。干法紋理化能夠形成均勻的不均勻性，但需要較長的處理時間。另外，半導體基板10可能被損壞。根據本發明，半導體基板10可利用各種方法來紋理化。隨后，如圖3b至圖3d所示，在半導體基板10的正面處形成發射層20。這將更詳細地描述。首先，如圖3b所示，根據熱擴散工藝在半導體基板10中摻雜雜質，從而形成正面低濃度摻雜部分210。熱擴散工藝通過在半導體基板10處于受熱狀態的條件下將雜質的氣態化合物（例如，包含磷(P)的化合物）擴散到半導體基板10中，從而利用雜質對半導體基板10進行摻雜來進行。該工藝的優點在于簡單，因此便宜。利用上述熱擴散工藝，可分別在半導體基板10的相對表面上方形成低濃度摻雜部分210。玻璃組成層212可形成在正面低濃度摻雜部分210上方。在利用熱擴散工藝形成正面低濃度摻雜部分210期間不可避免地形成玻璃組成層212。例如，玻璃組成層212可包含磷硅玻璃(PSG)。隨后，如圖3c和圖3d所示，對形成在正面低濃度摻雜部分210上方的玻璃組成層212選擇性地施加熱，從而形成具有比正面低濃度摻雜部分210的電阻低的電阻的正面高濃度摻雜部分220。當在選擇區域中加熱玻璃組成層212時，玻璃組成層212中包含的雜質（例如，磷）從選擇區域擴散至與半導體基板10的與選擇區域對應的部分中，從而增加選擇區域的摻雜濃度。結果，選擇區域的電阻減小。更詳細地講，在如圖3c所示形成第一區域222之后，可如圖3d所示形成第二區域224。當然，本發明不限于這種程序。例如，可在形成第二區域224之后形成第一區域222。可采用各種方法來選擇性地加熱與相應正面高濃度摻雜部分220對應的區域。例如，可采用利用激光束230照射的方法。在這種情況下，通過采用不同功率的激光束來照射第一區域222和第二區域224，可使第一區域222和第二區域224具有不同的摻雜濃度和不同的電阻。即，當如圖3c所示，利用激光束230照射與相應第一區域222對應的區域時，使用相對高的功率，因此，第一區域222具有相對高的摻雜濃度和相對低的電阻。另一方面，當如圖3d所示，利用激光束230照射與相應第二區域224對應的區域時，可使用相對低的功率，因此，第二區域224具有相對低的摻雜濃度和相對高的電阻。例如，當采用脈沖激光時，照射第一區域222的激光束的功率可為1.75焦耳至2焦耳，照射第二區域224的激光束的功率可為1焦耳至1.5焦耳。當然，本發明不限于上述值。激光功率可根據激光束的類型和激光束的波長范圍而變化。代替不同的激光功率，可采用不同的激光束。可根據輸入給激光器的圖案通過激光束230選擇性地加熱玻璃組成層212。可形成第一區域222和第二區域224，使得它們具有較小的寬度。在例示的實施方式中，根據熱擴散工藝形成的玻璃組成層212中包含的雜質擴散到半導體基板10中，從而形成選擇性發射極結構。因此，可利用簡單的工藝形成選擇性發射極結構，而無需使用針對選擇性發射極結構形成單獨的摻雜層的工藝。另外，可利用激光束容易地使各個正面高濃度摻雜部分220的第一區域222和第二區域224具有不同的電阻。隨后，如圖3e所示，在形成正面高濃度摻雜部分220之后，去除玻璃組成層212。可利用諸如氫氟酸或鹽酸的酸蝕劑實現玻璃組成層212的去除。隨后，如圖3f所示，可在發射層20上方形成減反射膜22。可根據各種方法（例如真空沉積方法、化學氣相沉積方法、旋涂方法、絲網印刷方法和噴涂方法）形成減反射膜22。然后，如圖3g至圖3i所示，在半導體基板10的背面處形成背面場層30。這將更詳細地描述。首先，如圖3g所示，根據熱擴散工藝利用雜質對半導體基板10進行摻雜，從而形成背面低濃度摻雜部分310。更詳細地講，可在對半導體基板10的背面進行蝕刻以去除形成在半導體基板10的背面處的低濃度摻雜部分210之后形成背面低濃度摻雜部分310。另選地，可根據以高于正面的濃度利用雜質對背面進行摻雜的過摻雜工藝形成背面低濃度摻雜部分310。可根據熱擴散工藝在半導體基板10的背面處形成背面低濃度摻雜部分310。在背面低濃度摻雜部分310上方可能形成玻璃組成層312。在利用熱擴散工藝形成背面低濃度摻雜部分310期間不可避免地形成玻璃組成層312。例如，玻璃組成層312可包含硼硅玻璃(BSG)。隨后，如圖3h和圖3i所示，對形成在背面低濃度摻雜部分310上方的玻璃組成層312選擇性地施加熱，從而形成具有比背面低濃度摻雜部分310的電阻低的電阻的背面高濃度摻雜部分320。當在選擇區域中加熱玻璃組成層312時，玻璃組成層312中包含的雜質（例如，硼）從選擇區域擴散到半導體基板10的與選擇區域對應的部分中，從而增大選擇區域的摻雜濃度。結果，選擇區域的電阻減小。更詳細地講，在如圖3h所示形成第一區域322之后，可如圖3i所示形成第二區域324。當然，本發明不限于這種程序。例如，可在形成第二區域324之后形成第一區域322。可采用各種方法來選擇性地加熱與相應背面高濃度摻雜部分320對應的區域。例如，可采用利用激光束330照射的方法。在這種情況下，通過采用不同功率的激光束照射第一區域322和第二區域324，可使第一區域322和第二區域324具有不同的摻雜濃度和不同的電阻。即，當如圖3h所示，利用激光束330照射與相應第一區域322對應的區域時，使用相對高的功率，因此，第一區域322具有相對高的濃度和相對低的電阻。另一方面，當如圖3i所示，利用激光束330照射與相應第二區域324對應的區域時，可使用相對低的功率，因此，第二區域324具有相對低的濃度和相對高的電阻。具體的激光功率與發射層20類似，因此，將不再對其進行詳細描述。可根據輸入給激光器的圖案通過激光束330選擇性地加熱玻璃組成層312。可形成第一區域322和第二區域324，使得它們具有較小的寬度。在例示的實施方式中，根據熱擴散工藝形成的玻璃組成層312中包含的雜質擴散到半導體基板10中，從而形成選擇性背面場結構。因此，可利用簡單的工藝形成選擇性背面場結構，而無需使用針對選擇性背面場結構形成單獨的摻雜層的工藝。另外，可利用激光照射容易地使各個背面高濃度摻雜部分320的第一區域322和第二區域324具有不同的電阻。隨后，如圖3j所示，去除玻璃組成層312，然后形成鈍化膜32。可利用諸如氫氟酸或鹽酸的酸蝕劑實現玻璃組成層312的去除。可根據各種方法（例如真空沉積方法、化學氣相沉積方法、旋涂方法、絲網印刷方法和噴涂方法）形成鈍化膜32。隨后，如圖3k所示，在半導體基板10的正面處形成第一電極24，以接觸發射層20的相應第一區域222。還在半導體基板10的背面處形成第二電極34，以接觸背面場層30的相應第一區域322。為了形成第一電極24，可在減反射膜22處形成開口。根據諸如電鍍方法和沉積方法的各種方法在相應開口中形成第一電極24。為了形成第二電極34，可在鈍化膜32處形成開口。根據諸如電鍍方法和沉積方法的各種方法在相應開口中形成第二電極34。另選地，還可通過根據絲網印刷方法分別在減反射膜22和鈍化膜32上方涂布用于形成第一電極24和第二電極34的涂料，并使涂布的涂料經受燒穿工藝（firethroughprocess）或激光燒制接觸工藝（laserfiringcontactprocess）來形成具有上述形狀的第一電極24和第二電極34。在這種情況下，無需執行形成開口的處理。即使存在工藝誤差時，第一電極24和第二電極34的至少部分也分別接觸第一區域222和322。在例示的實施方式中，發射層20和背面場層30（雜質層）不僅包括相應的高濃度摻雜部分220和320（包括相應第一區域222和322和相應第二區域224和324），而且包括相應的低濃度摻雜部分210和310。因此，可使太陽能電池100的效率最大化。在這種情況下，激光束照射根據熱擴散工藝從雜質層形成的玻璃組成層（例如，PSG和BSG層），從而形成高濃度摻雜部分220和320。因此，無需形成單獨的摻雜層。因此，可利用簡單的工藝形成包括相應第一區域222和322和相應第二區域224和324的高濃度摻雜部分220和320以及低濃度摻雜部分210和310。上述實施方式中的工藝順序僅是示意性的，并且可變化。在上述實施方式中，如上所述，發射層20和背面場層30（雜質層）不僅包括相應高濃度摻雜部分220和320（包括相應第一區域222和322和相應第二區域224和324），而且包括相應的低濃度摻雜部分210和310。然而，本發明不限于這些結構。可采用各種替代方式，如圖4至圖7所示。即，如圖4所示，背面場層30可包括背面高濃度摻雜部分320和背面低濃度摻雜部分310，但是各個背面高濃度摻雜部分320可在其整個部分上具有均勻的摻雜濃度和均勻的電阻。即，各個正面高濃度摻雜部分220可包括第一區域222和第二區域224，而背面高濃度摻雜部分320可不包括第一區域和第二區域。可利用上述實施方式中使用的激光束來形成這種背面高濃度摻雜部分。可根據（例如）采用掩模的離子注入方法來形成具有上述結構的背面場層30。另選地，如圖5所示，背面場層30可在其整個部分上具有均勻的摻雜濃度和均勻的電阻。在這種情況下，背面場層30在其整個部分上具有減小的摻雜濃度。因此，可有效防止半導體基板10的背面處發生的電子和空穴的復合。另外，可簡化背面場層30的制造工藝。另外，如圖6所示，發射層20可包括正面高濃度摻雜部分220和正面低濃度摻雜部分210，但是各個正面高濃度摻雜部分220可在其整個部分上具有均勻的摻雜濃度和均勻的電阻。即，各個背面高濃度摻雜部分320可包括第一區域322和第二區域324，而正面高濃度摻雜部分220可不包括第一區域和第二區域。可利用上述實施方式中使用的激光束來形成這種正面高濃度摻雜部分。可根據（例如）采用掩模的離子注入方法來形成具有上述結構的發射層20。另選地，如圖7所示，發射層20可在其整個部分上具有均勻的摻雜濃度和均勻的電阻。在這種情況下，發射層20在其整個部分上具有減小的摻雜濃度。因此，可有效防止半導體基板10的正面處發生的電子和空穴的復合。另外，可簡化發射層20的制造工藝。盡管出于示意性目的公開了本發明的優選實施方式，但是本領域技術人員將理解，在不脫離本發明的范圍和精神的情況下，可進行各種修改、添加和替換。相關申請的交叉引用本申請要求2012年5月7日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2012-0048179的優先權，通過引用將其公開并入本文。