實施例一般地涉及一種芯片封裝以及形成芯片封裝的方法。
背景技術：
：：在例如針對功率模塊的芯片嵌入封裝技術中，在芯片已經被安裝到襯底上（“管芯附著”）之后用層壓層（laminate）嵌入芯片，而芯片正面處的源和柵接觸借助于激光被打開，并且隨后被電鍍地填充。為了實現層壓層到銅襯底的更好的粘合，在層壓之前經常借助于濕法化學工藝來使銅襯底變粗糙和起紋理。在那個情況下，刻蝕化學應該被設置為使得芯片連接材料、例如擴散焊料或導電粘合劑不溶解。此外，芯片的有源正面不應該借助于起紋理工藝（texturingprocess）被損壞。芯片載體材料與層壓層之間的粘合應該經受住發生在例如溫度循環、高溫、存儲和濕法存儲（wet-storing）時的應力負荷。粗糙化工藝或起紋理工藝的一個方法是使用不同的化學品，尤其是借助于（為未知的有機物的）強刻蝕硫酸以及過氧化氫等。在該方法中，具有被安裝的組件的襯底被給到特定溫度下的上面提及的化學品的浴（bath）中，并且達預定的時間周期。然而，在常規的工藝中要求具有濃度和溫度變化的復雜的浴處理，其也能引起粗糙度的變化，并且因而引起層壓層到襯底的粘合的變化。供應商公司的有機成分是未知的，并且殘余產物的效果是未知的。要求對于對應的襯底表面和引線框架（leadframe）鍍覆（plating）的工藝設置。另外，存在芯片與襯底之間的區域的欠刻蝕的風險。在芯片焊盤-銅-金屬化的刻蝕中，由于所要求的芯片焊盤上的更厚的銅層，招致更高的成本。需要刻蝕掉開口邊緣處的鋁芯片背面金屬化，并且因而存在芯片背面金屬化的粘合問題，特別是在應力負荷之后存在（所刻蝕的間隙中的刻蝕介質殘余物引起濕度測試中的具有電化學腐蝕的局部元件）。此外，存在關于芯片粘合劑的選擇的限制。在芯片封裝中，脫層（delamination）可能發生在模化合物（moldcompound）與芯片載體之間，例如可能發生在模化合物與芯片載體上的引線框架之間。一個方法是使用諸如A2、moldPrep和uPPF之類的助促進劑（promoter）來增強模化合物與引線框架之間的粘合。然而，這些粘合助促進劑可能引起差的導線可接合性和高成本，其中粘合助促進劑殘余的沾污可能影響導線可接合性。技術實現要素：實施例提供了一種形成芯片封裝的方法。方法可以包括：在載體上附著至少一個芯片，該芯片包括與載體相對的芯片表面上的多個芯片焊盤；在載體和芯片的芯片焊盤上沉積第一粘合層，該第一粘合層包括錫或銦；在第一粘合層上沉積第二粘合層，該第二粘合層包括硅烷有機材料；以及在第二粘合層和芯片上沉積層壓層或密封層。另一個實施例提供了一種形成芯片封裝的方法。方法可以包括：在載體上附著至少一個芯片；形成芯片與載體之間的互連；在載體和互連上沉積錫層；在錫層和芯片上沉積密封層。另一實施例提供了一種形成芯片封裝的方法。方法可以包括：在所選擇的載體區域上沉積包括錫材料的粘合層；在被沉積在所選擇的載體區域中的至少一個上的粘合層上附著至少一個芯片；形成芯片與所選擇的載體區域中的至少一個之間的互連；以及在載體、粘合層和芯片上沉積密封層。附圖說明在圖中，遍及不同的視圖，相同的參考符號一般指的是相同的部分。圖不必成比例，代之的是，一般強調圖示本發明的原理。在下面的描述中，各種實施例參照下面的圖被描述，在其中：圖1示出了圖示了根據實施例的形成芯片封裝的方法的流程圖。圖2A至2F示出了用于形成根據實施例的芯片封裝的工藝。圖3圖示了根據實施例的粘合層與層壓層/密封之間的化學接合。圖4示出了圖示了根據另一個實施例的形成芯片封裝的方法的流程圖。圖5A至5D圖示了根據另一個實施例的用于形成芯片封裝的工藝。圖6示出了根據實施例的在錫層的沉積之前和之后的結構。圖7示出了圖示了根據另一實施例的形成芯片封裝的方法的流程圖。圖8A至8C圖示了根據一個實施例的用于形成芯片封裝的工藝。圖9A至9C圖示了根據另一個實施例的用于形成芯片封裝的工藝。圖10示出了各種材料的IEPS值。具體實施方式各種實施例提供了具有層壓層與芯片載體之間的良好粘合的可靠芯片封裝（例如芯片嵌入封裝）。各種實施例提供了具有密封（encapsulation）與芯片封裝之間的良好粘合以及良好的管芯/導線可接合性的健壯的芯片封裝。在形成芯片封裝的方法的上下文中的下面所述的實施例針對通過使用各自的方法所形成的各自的芯片封裝是類似地有效的，并且反之亦然。在該上下文中，載體是芯片被安裝和封裝在其上的襯底。載體可以包括引線框架，并且可以包括金屬（例如銅）或向芯片提供電連接和機械支撐的其它合適的材料（諸如銅合金或鐵合金（ferrousalloy））。在各種實施例中，多個芯片中的至少一個可以包括至少部分晶片襯底。可替換地，多個芯片中的每個都可以包括至少部分晶片襯底。多個芯片中的至少一個可以包括被形成在晶片襯底內的一個或多個電子電路，例如所述一個或多個電子電路可以通過更早的前端工藝已經被形成。多個芯片中的至少一個可能包括至少部分功率半導體芯片，其中功率半導體芯片可以包括來自由功率晶體管、功率MOS晶體管、功率雙極晶體管、功率場效應晶體管、功率絕緣柵雙極晶體管、晶閘管、MOS控制晶閘管、硅控制整流器、功率肖特基二極管、碳化硅二極管、氮化鎵器件組成的組中的至少一個功率半導體器件。可以理解的是，多個芯片可以不限于功率半導體器件，而是還可以包括邏輯器件，例如專用集成芯片ASIC或者諸如例如可編程微處理器（例如驅動器、例如控制器、例如傳感器）之類的可編程處理器，和/或諸如包括易失和/或非易失存儲器件的隨機存取存儲器件之類的存儲器件。一個實施例被引向形成芯片封裝的方法。方法可以包括附著至少一個芯片在載體上，芯片包括與載體相對的芯片表面上的多個芯片焊盤；在載體和芯片的芯片焊盤上沉積第一粘合層，第一粘合層包括錫或銦；在第一粘合層上沉積第二粘合層，第二粘合層包括硅烷有機材料；以及在第二粘合層和芯片上沉積層壓層或密封層。在實施例中，在載體上附著至少一個芯片包括在引線框架上附著至少一個芯片。在實施例中，芯片可以通過使用可印膠（printablepaste）或管芯附著膜經由管芯接合來被附著在載體上。在實施例中，第一粘合層可以包括純錫。在另一個實施例中，第一粘合層可以包括錫合金，其中錫合金可以包括錫以及一個或多個其它金屬。在一個實施例中，第一粘合層可以包括錫鎳合金。在其它實施例中，第一粘合層可以包括錫鉛合金、錫銀合金或錫銅合金。在另一個實施例中，第一粘合層可以包括純銦。在另一實施例中，第一粘合層可以包括銦合金，其中銦合金可以包括銦以及一個或多個其它金屬。根據實施例，形成到所選擇的芯片焊盤和所選擇的載體區域的多個通孔，其中通孔延伸穿過層壓層、第一粘合層和第二粘合層。在實施例中，多個通孔通過激光鉆孔被形成。在另一個實施例中，可以通過機械鉆孔或等離子刻蝕工藝來形成多個通孔。例如，所選擇的芯片焊盤可以包括到芯片的一個或多個晶體管的源和/或漏的接觸焊盤。在實施例中，用導電材料電鍍地填充多個通孔，以致實現到所選擇的芯片焊盤和到所選擇的載體區域的電連接。在另一實施例中，電連接被形成結構或形成圖形以實現想要的電路圖形。根據實施例，層壓層可以包括電介質膜材料。在實施例中，層壓層可以包括涂樹脂銅（resin-coated-copper）（RCC）材料。在另一個實施例中，層壓層可以包括銅包覆層壓層（coppercladlaminate）。根據另一個實施例，密封層可以包括密封材料。密封材料可以包括來自下面的材料的組中的至少一個，所述組由以下組成：填充的或未填充的環氧化物、預浸漬（pre-impregnated）復合纖維、加強的纖維、層壓層、模材料、模化合物、熱固材料、熱塑材料、填充物顆粒、纖維加強的層壓層、纖維加強的聚合物層壓層、具有填充物顆粒的纖維加強的聚合物層壓層。另一個實施例被引向芯片封裝。芯片封裝可以包括：載體；被附著在載體上的至少一個芯片，芯片包括在與載體相對的芯片表面上的多個芯片焊盤；被部署在載體和芯片上的層壓層或密封層；延伸穿過層壓層或密封層到所選擇的芯片焊盤和所選擇的載體區域的多個通孔；以及被形成在載體與層壓層或密封層之間、以及被形成在芯片焊盤與層壓層或密封層之間的粘合層。粘合層包括硅烷有機材料。在實施里中，載體可以包括引線框架。另一實施例提供了形成芯片封裝的方法。方法可以包括：在載體上附著至少一個芯片；形成芯片與載體之間的互連；在載體和互連上沉積錫層；以及在錫層和芯片上沉積密封層。在實施例中，在載體上附著至少一個芯片包括在引線框架上附著至少一個芯片。在另一實施例中，方法可以包括在載體下沉積錫層。另一實施例提供了芯片封裝。芯片封裝包括：載體；被附著在載體上的至少一個芯片；芯片與載體之間的互連；被沉積在載體和互連上的錫層；以及被沉積在錫層和芯片上的密封層。在實施例中，載體可以包括引線框架。另一個另外的實施例提供了形成芯片封裝的方法。方法可以包括：在所選擇的載體區域上沉積包括錫材料的粘合層；在被沉積在所選擇的載體區域中的至少一個上的粘合層上附著至少一個芯片；形成芯片與所選擇的載體區域中的至少一個之間的互連；以及在載體、粘合層和芯片上沉積密封層。在實施例中，在所選擇的載體區域上沉積包括錫材料的粘合層可以包括在所選擇的引線框架區域上沉積包括錫材料的粘合層。在實施例中，方法可以進一步包括在載體下沉積粘合層。根據一個實施例，粘合層可以包括錫銀合金。在一個例子中，錫銀合金可以包括80%的錫（Sn）和20%的銀（Ag）。在另一個例子中，錫銀合金可以包括20%到30%的銀。在其它例子中，錫銀合金可以包括具有諸如10/90AgSn、30/70AgSn、40/60AgSn之類的其它比例的錫和銀，其增強了到密封層的粘合強度。在實施例中，包括錫銀合金的粘合層具有為至少2μm的厚度。根據另一個實施例，粘合層可以包括具有錫和金之間的合適的比例的錫金合金，以致增強載體與模化合物之間的粘合強度。根據另一實施例，粘合層可以包括被夾在第一銀層與第二銀層之間的錫層。在實施例中，錫層可以具有為約2μm到3μm的厚度；第一銀層與載體接觸，并且可以具有為約1μm到2μm的厚度；而第二銀層可以具有為約0.1μm到1μm的厚度。第一銀層可以防止載體材料（例如銅）到錫層的擴散。錫夾層可以增強粘合強度。第二銀層可以能夠實現導線接合以及芯片與載體之間的管芯接合。在實施例中，方法可以進一步包括在載體下沉積粘合層。另一實施例被引向芯片封裝。芯片封裝額可以包括：載體；包括錫材料并且被沉積在所選擇的載體區域上的粘合層；被附著在被沉積在所選擇的載體區域中的至少一個上的粘合層上的至少一個芯片；被形成在芯片與所選擇的載體區域中的至少一個之間的互連；以及被沉積在載體、粘合層和芯片上的密封層。在實施例中，載體可以包括引線框架。圖1示出了圖示了根據實施例的形成芯片封裝的方法的流程圖。在101，至少一個芯片被附著在載體上，其中芯片包括與載體相對的芯片表面上的多個芯片焊盤。在實施例中，芯片可以通過使用焊料或環氧化物接合的管芯接合來被附著在載體上。在103，第一粘合層被沉積在載體和芯片的芯片芯片焊盤上。第一粘合層可以包括錫。在105，第一粘合層被沉積在第一粘合層上。第二粘合層可以包括硅烷有機材料。在107，層壓層被沉積在第二粘合層和芯片上。圖2A至2F圖示了根據實施例的用于形成芯片封裝的工藝。在圖2A中，至少一個芯片203（只有一個芯片在該實施例中被示出）被附著在載體201上。芯片203可以通過使用焊料或環氧化物接合的管芯接合來被附著在載體201上。在實施例中，芯片203可以被附著在被形成為載體201的引線框架上。芯片203可以包括與載體201相對的芯片203表面上的多個芯片焊盤205。在實施例中，一個或多個芯片焊盤205可以是芯片203中的一個或多個晶體管的源或漏端子處的接觸焊盤。在實施例中，載體可以包括銅。在另一個實施例中，載體可以包括銅合金，諸如包括Cu、Cr、Sn、Zn的合金；或者包括Cu、Ni、Si、Zn、Ag的合金。在另一實施例中，載體可以包括鐵合金。在圖2B中，第一粘合層207被沉積在載體201和芯片203的芯片焊盤205上。第一粘合層207可以包括錫或銦。在實施例中，第一粘合層可以包括純錫。在另一個實施例中，第一粘合層207可以包括包括錫以及一個或多個其它金屬的錫合金。在實施例中，第一粘合層207可以包括錫鎳（Sn-Ni）合金，或者可以包括錫鉛合金、錫銀合金或錫銅合金。在另一個實施例中，第一粘合層207可以包括純銦。在另一實施例中，第一粘合層207可以包括銦合金，其中銦合金可以包括銦以及一個或多個其它金屬。在實施例中，第一粘合層207通過Sn和Ni混合物的化學沉積被形成在載體201和芯片焊盤205上。在一個實施例中，第一粘合層207通過化學鍍覆（electrolessplating）來被形成在載體201和芯片焊盤205上。在其它實施例中，第一粘合層207可以通過使用諸如化學氣相沉積、物理氣相沉積或電鍍之類的其它合適的工藝來被形成。在實施例中，第一粘合層207可以被沉積在為約10nm至100nm的厚度中。在其它實施例中，第一粘合層207可以被沉積在為約50nm至100nm、60nm至90nm、70nm至80nm、20nm至90nm、30nm至80nm、40nm至70nm或50nm至60nm等的厚度中。在一個實施例中，第一粘合層207在隨后的處理期間可以完全擴散到位于下面的載體201中，并且可能不留在最后形成的芯片封裝中。在另一個實施例中，第一粘合層207在隨后的處理期間可以部分地擴散到位于下面的載體201中。在圖2C中，第二粘合層209被沉積在第一粘合層207上。第二粘合層209可以包括硅烷有機材料。在實施例中，通過把硅烷有機材料的溶液涂敷到第一粘合層207上或者通過把第一粘合層207浸在硅烷有機材料的溶液中，第二粘合層209可以被形成在第一粘合層207上。在實施例中，硅烷有機層可以通過化學氣相沉積或物理氣相沉積來被涂敷，具有在原子單層直到100nm的范圍內的厚度。在圖2D中，根據實施例，層壓層211被沉積在第二粘合層209和芯片203上。在實施例中，包括涂樹脂銅（RCC）材料的層壓層211被形成。在實施里中，RCC材料的樹脂可以包括由玻璃纖維填充的環氧樹脂。在另一個實施例中，在芯片焊盤位置處具有對應的銅層切口的銅包覆層壓層被形成為層壓層211。層壓層211可以被形成為具有為30μm至300μm的厚度。在其它實施例中，層壓層211可以被形成為具有為約60μm至150μm、或80μm至110μm的厚度。層壓層211可以通過真空層壓或其它合適的工藝來被形成。在圖2D中，根據另一個實施例，密封層211被沉積在第二粘合層209和芯片203上。在實施例中，密封層211可以包括密封材料。密封材料可以包括來自下面的材料的組中的至少一個，所述組由以下組成：填充的或未填充的環氧化物、預浸漬復合纖維、加強的纖維、層壓層、模材料、模化合物、熱固材料、熱塑材料、填充物顆粒、纖維加強的層壓層、纖維加強的聚合物層壓層、具有填充物顆粒的纖維加強的聚合物層壓層。在實施例中，密封層211可以通過球型封裝（GlobTop）被沉積，其中密封材料被沉積在第二粘合層209和芯片203上，并且之后被固化。在另一個實施例中，密封層211可以通過利用圍繞載體201的外圍的壩的壩填充封裝（Dam-and-Fill）來被沉積。在圖2E中，形成到所選擇的芯片焊盤205和所選擇的載體201區域的多個通孔213、215。通孔213、215延伸穿過層壓層211、第一粘合層207和第二粘合層209，以接觸所選擇的載體201區域和所選擇的芯片焊盤205。在實施例中，通孔213、215可以通過激光鉆孔被形成。在另一個實施例中，通孔213、215可以通過機械鉆孔或等離子體刻蝕或其它合適的工藝來被形成。在圖2F中，用導電材料（例如銅、銀、錫、錫-鉛等）來電鍍地填充多個通孔213、215，以致實現到所選擇的芯片焊盤和所選擇的載體區域的電連接。在另一個實施例中，可以通過鍍覆來用導電材料填充多個通孔213、215，使得通孔的內壁的表面被覆蓋有導電材料。在實施例中，所形成的電連接從而可以被進一步形成結構或形成圖形以實現想要的電路圖形。在如在圖2F中所示的那樣的實施例中，形成到源端子和柵端子的通孔213，并且形成到漏端子的通孔215。在其它實施例中，所形成的通孔213、215和電連接從而可以針對其它電路組件被形成。圖2F示出了根據實施例所形成的芯片嵌入封裝。在另一個實施例中，根據圖2A至2F的工藝最后所形成的芯片封裝可以類似于圖2F的芯片封裝，但是沒有第一粘合層207，因為第一粘合層207可以完全擴散到載體201中。根據圖1和圖2A至2F的上面的實施例，層壓層或密封層到載體的強粘合由具有錫或銦（例如純錫或錫合金，例如錫-鎳合金，例如純銦或銦合金）的第一粘合層以及硅烷有機物的第二粘合層所實現。在如在圖3中所示的那樣的圖示的例子中，純Sn層或Sn-Ni合金層207作為第一粘合層307被涂敷到被用作載體和芯片焊盤301的銅（Cu）襯底301上。第一粘合層307可以部分或完全擴散到銅襯底301中。粘合耦合硅烷有機層309被沉積在Si層或Sn-Ni合金層307上作為第二粘合層，所述第二粘合層在層壓/密封工藝期間在金屬Sn層或Sn-Ni合金層307與層壓/密封層311之間形成化學接合。層壓/密封層311可以包括樹脂。通過優化濃度和處理，可以形成化學穩定的接合。被包括在粘合耦合硅烷有機層309中的硅烷耦合劑可以擁有化學接合到樹脂層壓/密封層311的反應組以及化學結合到Sn層或Sn-Ni合金層307的反應組。一般，硅烷耦合劑具有結構X-Y-SiZ3，其中X是能夠相互作用或者與聚合樹脂（polymericresin）反應的功能組，Y是有機鍵（linkage），而至少一個Z是能夠與Sn層或Sn-Ni合金層307反應的反應的或可水解的組。在圖3的例子中，X對應于R2而Y對應于R1，其中R1和R2可以是具有作為副原子（side-atom）的C、H、O、N、S或Si的碳鏈（C-）或Si-O鏈，Z對應于-OH。X組可以與聚合樹脂接合，而SiZ3組可以接合到被部分或完全地擴散到金屬襯底301中的Sn層或Sn-Ni合金層307。這通過有機組Y提供了從聚合樹脂到金屬襯底的化學鏈接（共價接合），從而改進聚合樹脂到金屬襯底的粘合。可以被使用的被包括在硅烷有機層309中的硅烷耦合劑的例子可以包括但不限于y-氨基丙基三甲氧基硅烷（y-APS,y-aminopropyltrimethoxysilane）、y-環氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷（y-GPS,y-glycidoxypropyltrimethoxysilane）、雙三甲氧基甲硅烷基丙基氨基硅烷bistrimethoxysilylpropylaminosilane（BTSPA）和N-(3(氨乙基)Y-氨基丙基三甲氧基硅烷（N-(3(aminoethyl)Y-aminopropyltrimethoxysilane）。在實施例中，其中Sn-Ni合金層被用作第一粘合層，Sn-Ni合金層的粗糙度可以被優化為使得納米多孔區域（其最大/平均尺寸小于100nm）可以被生成，所述納米多孔區域與不具有Sn-Ni合金粘合層的銅襯底相比具有增大的粘合力。代替使用銅起紋理工藝，上面的實施例涂敷包括錫或銦層以及硅烷有機層的雙層到載體和芯片焊盤金屬化，作為載體與層壓/密封層之間的穩定的粘合層。根據這些實施例，層壓/密封到載體的強粘合借助于化學接合被實現。另外，實現了層壓/密封到芯片正面處的源接觸和柵接觸的應力敏感位置的增加的粘合。此外，可以避免根據常規的方法的襯底/載體處理期間的芯片表面損壞和芯片粘合刻蝕。也可以實現芯片正面處的電鍍地涂敷的銅焊盤厚度的節約。圖4示出了圖示了根據另一個實施例的形成芯片封裝的方法的流程圖。在401，至少一個芯片被附著在載體上。在實施例中，芯片可以被附著在引線框架上，其中引線框架可以被形成作為載體。在403，芯片與載體之間的互連被形成。在405，錫層被沉積在載體和互連上。在實施例中，錫層還被沉積在載體下。在407，密封層被沉積在錫層和芯片上。圖5A至5D圖示了根據另一個實施例的用于形成芯片封裝的工藝。在圖5A中，至少一個芯片503（只有一個芯片在該實施例中被示出）被附著在載體501上。芯片503可以通過使用焊料或環氧化物接合的管芯接合來被附著在載體501上。在實施例中，芯片503可以通過環氧化物接合或共晶接合（eutecticbonding）來被附著在載體501上。在實施例中，芯片503可以被附著在被形成為載體501的引線框架上。在圖5B中，例如通過導線接合來形成芯片503與載體501之間的互連505。在一些實施例中，可以通過熱超聲接合或激光結合通過使用焊料接合、鋁導線接合、金導線接合或銅導線接合來形成互連505。在圖5C中，錫（Sn）層507被沉積在載體501和互連505上。錫層507可以包括純錫。錫層507可以在一個例子中通過電解鍍錫被沉積，或者在另一個例子中通過浸沒（immersion）鍍錫被沉積。在實施例中，錫層507可以被形成為具有為約2μm至4μm的厚度。在另一個實施例中，錫層507可以被形成為具有為約3μm的厚度。在該實施例中，由于錫層507在管芯接合和導線接合之后被沉積，錫層507也被稱為鍍后（post-plate）錫層。在實施例中，錫層507也可以被沉積在載體501下，例如用于制作載體501下的焊接焊盤。在圖5D中，密封層509被沉積在錫層507和芯片503上，從而形成根據實施例的芯片封裝。在實施例中，密封層509可以通過壓縮模塑（compressionmolding）、轉移模塑（transfermolding）、注入模塑或其它合適的工藝來被沉積。在實施例中，密封層509可以包括密封材料。密封材料可以包括來自下面的材料的組中的至少一個，所述組由以下組成：填充的或未填充的環氧化物、預浸漬（pre-impregnated）復合纖維、加強的纖維、層壓層、模材料、模化合物、熱固材料、熱塑材料、填充物顆粒、纖維加強的層壓層、纖維加強的聚合物層壓層、具有填充物顆粒的纖維加強的聚合物層壓層。圖6（a）示出了結構，其中芯片503被附著在載體501上，而互連505在沉積錫層之前被形成在芯片503與載體501之間。圖6（b）示出了結構，其中錫層507被沉積在圖6（a）的載體501（例如載體501的傳導部分）上，而錫層507被沉積在圖6（a）的互連505上。根據圖4至6上面的實施例，在管芯接合和導線接合之后可以容易地鍍覆錫層。到密封層的粘合可以由被鍍覆在載體的傳導部分和互連上的錫層所增強。另外，由于形成可能包括例如模化合物的密封層中的模塑溫度低于錫的熔化溫度（232℃），錫層在模化合物層的沉積期間將不熔化。圖7示出了圖示了根據另一實施例的形成芯片封裝的方法的流程圖。在701，包括錫材料的粘合層被沉積在所選擇的載體區域上。在實施例中，粘合層可以被沉積在所選擇的引線框架區域上，其中引線框架可以被形成在載體上或者作為載體。在實施例中，所選擇的載體區域可以是芯片被附著到的區域或者互連將被形成的區域。通過例如鍍覆或涂敷，粘合層被選擇沉積在所選擇的載體區域上。在另一個實施例中，包括錫材料的粘合層也可以被沉積在載體下。粘合層可以包括錫合金材料，或者可以包括與其它金屬層一起的錫層。在703，至少一個芯片被附著在被沉積在所選擇的載體區域中的至少一個上的粘合層上。在705，形成芯片與所選擇的載體區域中的至少一個之間的互連。在實施例中，互連可以經由導線接合被形成。在707，密封層被沉積在載體、粘合層和芯片上。圖8A至8C圖示了根據一個實施例的用于形成芯片封裝的工藝。在圖8A中，包括錫材料的粘合層803被沉積在所選擇的載體801區域上。在實施例中，所選擇的載體801區域可以是芯片被附著的區域或者互連將被形成的區域。在一個實施例中，包括AgSn合金的粘合層803被選擇性地鍍覆在載體801上。在例子中，粘合層803可以包括20%的Ag和80%的Sn。在其它例子中，粘合層803可以包括提供想要的粘合強度的為其它合適的比例的Ag和Sn。在實施例中，粘合層803可以具有為至少2μm的厚度。在另一個實施例中，粘合層803可以包括具有錫和金之間合適的比例的錫金（AuSn）合金，以致增強載體與密封層之間的粘合強度。在其它實施例中，粘合層803可以包括其它合適的錫合金，諸如錫銅合金、錫鈀合金或錫鎳合金。粘合層803可以被形成具有為最小2μm的厚度，以致保證之后到密封層的良好粘合。在該實施例中，由于錫合金層803在管芯接合和導線接合之前被沉積，所以錫合金層803也被稱為鍍前（pre-plate）Sn合金層。粘合層803在一個例子中可以通過電解鍍覆被沉積，或者在另一個例子中可以通過浸沒鍍覆被沉積。在另一個實施例中，粘合層803也可以被沉積在載體801下，例如以覆蓋載體801的背面，例如用于在載體801下制作焊接焊盤。在其它實施例中，粘合層803可以被鍍覆在整個載體801上，而不要求選擇性鍍覆技術。在圖8B中，至少一個芯片805被附著在被沉積在所選擇的載體801區域中的至少一個上的粘合層803上。芯片805可以通過管芯接合被附著在粘合層803上。在實施例中，芯片805可以通過環氧化物接合或共晶接合被附著在粘合層803上。形成芯片805與所選擇的載體區域中的至少一個之間的互連807。在實施例中，互連807可以經由導線接合被形成。在一些實施例中，可以通過熱超聲接合或激光結合通過使用焊料接合、鋁導線接合、金導線接合或銅導線接合來形成互連807。在圖8C中，密封層809被沉積在載體801、粘合層803和芯片805上，從而形成根據實施例的芯片封裝。密封層809可以通過壓縮模塑、轉移模塑、注入模塑或其它合適的工藝來被沉積。在實施例中，密封層809可以包括密封材料。密封材料可以包括來自下面的材料的組中的至少一個，所述組由以下組成：填充的或未填充的環氧化物、預浸漬復合纖維、加強的纖維、層壓層、模材料、熱固材料、熱塑材料、填充物顆粒、纖維加強的層壓層、纖維加強的聚合物層壓層、具有填充物顆粒的纖維加強的聚合物層壓層。根據實施例，在芯片接合和導線接合之前，AgSn合金被涂敷在載體的芯片接合面，并且也可以被涂敷在與芯片相對的載體的背面。AgSn（20/80）合金的高熔化溫度（約350℃）能夠實現共晶管芯接合和導線接合，而不引起所鍍的AgSn合金熔化。傳導的AgSn層具有對于管芯和導線可接合性的最小影響。該錫合金層可以增強對于密封層的粘合強度（由于AgSn合金的低的表面等電點（IEPS）），并且同時實現良好的可接合性。圖9A至9C圖示了用于形成根據另一個實施例的芯片封裝的工藝。在圖9A中，包括錫材料的粘合層903被沉積在所選擇的載體901區域上。在實施例中，所選擇的載體901區域可以是芯片將被附著到的區域，或者可以是互連將被形成的區域。在另一個實施例中，粘合層也可以被沉積在載體901下（未被示出），例如用于在載體901下制作焊接焊盤。在一個實施例中，粘合層903可以是通過一層一層的選擇性AgSnAg快速鍍覆所形成的AgSnAg層。粘合層903的形成可以是在為約200℃的溫度下為10分鐘至30分鐘的工藝。粘合層903可以包括被夾在第一銀層905與第二銀層909之間的錫層907。第一銀層905可以防止載體材料（例如銅）到錫層907的擴散。錫夾層907可以增強粘合強度。第二銀層909可以能夠實現芯片與載體901之間的管芯接合以及導線接合。在實施例中，錫層907可以具有為約2μm至3μm的厚度；第一銀層905與載體901接觸并且可以具有為約1μm至2μm的厚度；而第二銀層909可以具有為約0.1μm至1μm的厚度。在另一個實施例中，第一銀層905、錫層907與第二銀層909的厚度可以分別為約2μm至4μm、2μm至4μm以及0.5μm至1μm。錫層907、第一銀層905與第二銀層909可以以其它合適的厚度被形成，以實現各自層的各自功能。在該實施例中，由于AgSnAg層903在管芯接合和導線接合之前被沉積，AgSnAg層903也可以被稱為鍍前AgSnAg層。在另一個實施例中，粘合層903可以包括被夾在第一銀層905與第二有機涂層909（例如自組裝單層）之間的錫層907。第一銀層905可以具有為約2μm至4μm的厚度，而錫層907可以具有為約2μm至4μm的厚度。在另一實施例中，粘合層903可以是多層結構，依次包括為約0.5μm至1μm的Ni層、為約0.01μm至0.03μm的Pd層、為約2μm至4μm的AgSn合金層（例如20%的Ag和80%的Sn）以及有機涂層（自組裝單層）。在另一實施例中，粘合層903可以包括為約2μm至4μm的AgSn合金層（例如20%的Ag和80%的Sn）和有機涂層（自組裝單層）。在圖9B中，至少一個芯片911被附著在被沉積在所選擇的載體901區域的至少一個上的粘合層903上。芯片911可以通過管芯接合被附著在粘合層903上。在實施例中，芯片911可以通過環氧化物接合或共晶接合來被附著在粘合層903上。形成芯片911與所選擇的載體901區域中的至少一個之間的互連913。在實施例中，互連913可以經由導線接合來被形成。在一些實施例中，可以通過熱超聲接合或激光接合通過使用焊料接合、鋁導線接合、金導線接合或銅導線接合來形成互連913。在圖9C中，密封層915被沉積在載體901、粘合層903和芯片911上，從而形成根據實施例的芯片封裝。密封層915可以通過壓縮模塑、轉移模塑、注入模塑或其它合適的工藝來被沉積。在實施例中，密封層915可以包括密封材料。密封材料可以包括來自下面的材料的組中的至少一個，所述組由以下組成：填充的或未填充的環氧化物、預浸漬復合纖維、加強的纖維、層壓層、模材料、熱固材料、熱塑材料、填充物顆粒、纖維加強的層壓層、纖維加強的聚合物層壓層、具有填充物顆粒的纖維加強的聚合物層壓層。上面所述的各種實施例基于錫材料的低的表面等電點（IEPS），錫材料具有到密封（例如模化合物）的良好的粘合，并且增強模化合物上的粘合強度。IEPS是這樣的PH，在其處，表面的電荷關于它的酸/堿以及電子施主-受主反應是中性的。如在圖10中所示，錫（Sn）與許多其它金屬材料相比具有低的IEPS值。因此，各種實施例通過電解鍍覆在載體上引入包括錫或錫合金的層，從而增強對于模化合物的粘合強度。雖然本發明已經參照特定的實施例被特別地示出和描述，但是本領域的技術人員應該理解的是，形式和細節的各種改變可以在那里被完成，而不離開如由所附權利要求所限定的那樣的本發明的精神和范圍。本發明的范圍因而由所附權利要求所指示，并且因此意圖包括與權利要求的等同物的意思和范圍內的所有改變。當前第1頁1 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