太陽能電池及其制造方法與流程

本發明的實施方式涉及太陽能電池及其制造方法，更具體地，涉及具有選擇性結構的摻雜層的太陽能電池及其制造方法。

背景技術：
近來，由于預見到諸如石油和煤這樣的現有的能源會被耗盡，因此對于用另選的能源來代替石油和煤的關注度正在增大。具體地說，使用半導體元件將太陽能直接轉換或變換為電能的太陽能電池正在受到關注。在太陽能電池中，通過形成至少一個摻雜層而形成p-n結以引起光電轉換，并且形成電連接到n型摻雜層和/或p型摻雜層的電極。為了增強摻雜層的特性，提出了一種具有摻雜濃度不同的多個部分的選擇性結構。但是，為了形成選擇性結構的摻雜層，使用預定的掩模或者多次執行摻雜處理。也就是說，用于制造選擇性結構的摻雜層的處理是復雜的，因此，生產率低。

技術實現要素：
本發明的實施方式致力于一種具有增強的性能的太陽能電池以及通過簡單的工藝制造該太陽能電池的方法。本發明的實施方式致力于一種在摻雜層和電極之間具有增強的對準特性的太陽能電池及其制造方法。根據本發明的實施方式的太陽能電池包括：半導體基板；發射極層，所述發射極層形成在所述半導體基板處，其中，所述發射極層包括具有第一電阻的第一部分以及具有比所述第一電阻更高的第二電阻的第二部分，其中，所述第一部分包括具有相同導電類型的第一摻雜劑和第二摻雜劑，并且所述第二部分包括所述第二摻雜劑；鈍化層，所述鈍化層形成在所述發射極層上，其中，所述鈍化層包括所述第一摻雜劑；以及電極，所述電極經過所述鈍化層電連接到所述第一部分。根據本發明的實施方式的太陽能電池的制造方法包括：制備半導體基板；在所述半導體基板的表面上形成包括第一摻雜劑的鈍化層；以及通過局部加熱所述鈍化層的一部分來形成選擇性發射極層。所述鈍化層的被加熱的部分的所述第一摻雜劑通過所述局部加熱被擴散到所述半導體基板的內部。附圖說明圖1是根據本發明的實施方式的太陽能電池的截面圖。圖2a至圖2e是用于說明根據本發明的實施方式的太陽能電池的制造方法的截面圖。圖3是根據本發明的另一實施方式的太陽能電池的截面圖。圖4a至圖4f是用于說明根據本發明的實施方式的圖3的太陽能電池的制造方法的截面圖。圖5是根據本發明的又一實施方式的太陽能電池的截面圖。圖6a至圖6e是用于說明根據本發明的實施方式的圖5的太陽能電池的制造方法的截面圖。圖7是根據本發明的又一實施方式的太陽能電池的截面圖。圖8是根據本發明的另一實施方式的太陽能電池的截面圖。圖9是根據本發明的又一實施方式的太陽能電池的截面圖。圖10是在根據實驗性實施方式和比較性實施方式的太陽能電池中硼濃度和鋁濃度相對于與半導體基板的正面的距離的結果的曲線圖。圖11是根據本發明的實施方式的用于說明由激光形成的開口以詳細地描述開口的形狀的太陽能電池的截面圖。具體實施方式下面，將參照附圖描述本發明的實施方式。但是，本發明的實施方式不限于本發明的這些實施方式，并且可以對本發明的實施方式進行各種修改。為了清楚和簡明地說明本發明的實施方式，在圖中省略了與本發明無關的元件。另外，彼此相同或類似的元件具有相同的標號。另外，層和區域的尺寸被夸大或示意性地示出，或者為了說明的簡潔而省略了某些層。另外，如所繪制的各部件的尺寸可能并不反映實際的大小。在下面的描述中，當層或基板“包括”另一層或部分時，可以理解為層或基板還包括又一層或部分。同樣，當層或膜被稱為“位于另一層或基板上”時，可以理解為層或膜直接位于其它層或基板上，或者還存在中間層。此外，當層或膜被稱為“直接位于另一層或基板上”時，可以理解為層或膜直接位于另一層或基板上，因而不存在中間層。下面將參照附圖描述根據本發明的實施方式的太陽能電池及其制造方法。圖1是根據本發明的實施方式的太陽能電池的截面圖。參照圖1，根據實施方式的太陽能電池100包括：半導體基板10；發射極層20，其形成在半導體基板10的第一表面(以下稱為“正面”)處或鄰近半導體基板10的第一表面；形成在發射極層20上的第一鈍化層21以及防反射層22。另外，太陽能電池100可以包括：背面場層30，其形成在半導體基板10的第二表面(以下稱為“背面”)處或鄰近半導體基板10的第二表面；以及第二鈍化層32，其形成在背面場層30上。另外，太陽能電池100可以包括：第一電極(或多個第一電極)(以下稱為“第一電極”)24，其電連接到發射極層20；以及第二電極(或多個第二電極)(以下稱為“第二電極”)34，其電連接到半導體基板10或背面場層30。這將更詳細地進行描述。半導體基板10可以包括各種半導體材料。例如，半導體基板10包括具有第一導電類型的摻雜劑的硅。對于硅，可以使用單晶硅或多晶硅，并且第一導電類型可以是n型。也就是說，半導體基板10可以包括具有諸如磷(P)、砷(As)、鉍(Bi)和銻(Sb)等這樣的V族元素的單晶硅或多晶硅。當半導體基板10具有如上所述的n型摻雜劑時，p型的發射極層20形成在半導體基板10的正面處，并由此形成p-n結。當光(諸如太陽光)入射到p-n結時，生成電子-空穴對，并且由光電效應生成的電子移動到半導體基板10的背面并被第二電極34收集，并且由光電效應生成的空穴移動到半導體基板10的正面并被第一電極24收集。接著生成了電能。在這種情況下，具有比電子的遷移率更低的遷移率的空穴移動到半導體基板10的正面，而非半導體基板10的背面。因此，可以增強太陽能電池100的轉換效率。半導體基板10的正面和/或背面可以是紋理化表面以具有各種形狀(諸如棱椎形狀)的突出部分和/或凹入部分。當表面粗糙度被突出部分和/或凹入部分增加時，在半導體基板10的正面處的入射太陽光的反射率可以被紋理降低。接著，到達半導體基板10和發射極層20之間的p-n結的光量可以增大，由此降低太陽能電池100的光損失。但是，本發明的實施方式不限于此，因而，突出部分和/或凹入部分可以僅形成在正面處，或者可以在正面和背面處不存在突出部分和/或凹入部分。背面場層30在半導體基板10的背面處形成，并具有摻雜濃度比半導體基板10的摻雜濃度更高的第一導電類型的摻雜劑。背面場層30可以減少或防止在半導體基板10的背面處的電子和空穴的復合，并可以增強太陽能電池100的效率。背面場層30可以包括諸如磷(P)、砷(As)、鉍(Bi)、銻(Sb)等這樣的n型摻雜劑。在本發明的該實施方式中，背面場層30具有基本均勻的摻雜濃度。但是，本發明的實施方式不限于此。因而，背面場層30可以具有選擇性的結構，這些將在稍后參照圖3進行描述。第二鈍化層32和第二電極34可以形成在半導體基板10的背面處。第二鈍化層32可以充分地形成在除形成有第二電極34的部分以外的半導體基板10的整個背面處。第二鈍化層32將半導體基板10的背面處的缺陷鈍化。因而，可以增大太陽能電池100的開路電壓(Voc)。第二鈍化層32可以包括用于使光通過的透明絕緣材料。因而，光可以通過第二鈍化層32入射到半導體基板10的背面，由此增強太陽能電池100的效率。第二鈍化層32可以具有包括例如從由氮化硅、包括氫的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、MgF2、ZnS、TiO2和CeO2組成的組中選出的至少一種材料的單層膜結構或多層膜結構。但是，本發明的實施方式不限于此，因而，第二鈍化層32可以包括各種材料。第二電極34可以電連接到半導體基板10的背面(更具體地說，連接到背面場層30)。第二電極34可以具有比正面電極24的寬度更寬的寬度。而且，第二電極34在平面圖中可以具有各種形狀。第二電極34可以包括各種金屬，這將在稍后進行描述。第二導電類型的發射極層20可以形成在半導體基板10的正面處。在該情況下，發射極層20可以包括第一部分20b和第二部分20a，第一部分20b和第一電極24接觸，第二部分20a形成在與未形成第一電極24的防反射膜22相鄰處。第一部分20b具有比第二部分20a的摻雜濃度更高的摻雜濃度，并且第一部分20b具有比第二部分20a的電阻更低的電阻。在該情況下，第一部分20b具有比第二部分20a的結深度更大的結深度。因而，可以在太陽光入射的第二部分20a處實現淺的發射極，由此增強太陽能電池100的效率。另外，第一部分20b可以降低在第一電極24和第一部分20b之間的接觸電阻。也就是說，由于發射極層20具有選擇性的發射極結構，可以使太陽能電池100的效率最大化。因此，發射極層20可以被稱為選擇性發射極層。發射極層20的第一部分20b具有第二導電類型的第一摻雜劑201和第二摻雜劑202，并且發射極層20的第二部分20a具有第二導電類型的第二摻雜劑202。在該情況下，第二摻雜劑202以均勻的濃度摻雜到半導體基板10的整個正面。第一摻雜劑201是在發射極層20上形成的第一鈍化層21中所包括的元素，并在形成第一鈍化層21后通過擴散而被包括在發射極層20的第一部分20b中。這將在制造太陽能電池100的方法的稍后描述中更詳細地描述。在本發明的實施方式中，第一摻雜劑201和第二摻雜劑202彼此不同，因而，第一部分20b包括第一摻雜劑201連同第二摻雜劑202。但是，本發明的實施方式不限于此，并且第一摻雜劑201和第二摻雜劑202可以是相同的要素。在該情況下，第一部分20b和第二部分20a的摻雜劑的種類是相同的，并且第一部分20b和第二部分20a的摻雜濃度彼此不同。例如硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)等這樣的III族元素的p型摻雜劑可以用于第二導電類型的第一摻雜劑201和第二摻雜劑202。在該情況下，硼可以用于第二摻雜劑202，因為硼適合于完全地摻雜到半導體基板10中。鋁可以用于第一摻雜劑201，因為鋁可以按照氧化鋁的形式被包括在第一鈍化層21中，并且氧化鋁可以使鈍化特性最大化。而且，鋁和作為半導體基板10的元素的硅之間在原子半徑方面的差別小。因而，通過低功率激光，鋁可以迅速擴散到發射極層20并可以形成第一部分20b。因而，可以減小激光所導致的損傷。另外，因為原子半徑的差別小，所以可以減小錯配位錯并且可以降低位錯密度，由此增強太陽能電池100的效率。但是，本發明的實施方式不限于此。因而，第一鈍化層21可以包括諸如硼、鎵或銦這樣的III族元素。第一摻雜劑201的濃度和第二摻雜劑202的濃度可以根據第一部分20b和第二部分20a的期望的電阻而改變。例如，第一摻雜劑201的濃度可以高于第二摻雜劑202的濃度，因而，可以極大地降低第一部分20b的電阻。例如，第一部分可以具有約5×1020到5×1021個原子/cm3的第一摻雜劑201的表面濃度。由于處理過程中的限制，第一摻雜劑201的表面濃度很少超過約5×1021個原子/cm3。當第一摻雜劑201的表面濃度低于約5×1020個原子/cm3時，第一部分20b的電阻會沒有被充分地降低。在本發明的實施方式中，發射極層20的結深度可以是大約0.5到2μm。當結深度大于約2μm時，發射極層20的摻雜濃度可以增加，并且會難以實現淺的發射極。當結深度小于約0.5μm時，結深度會是不足的。第一鈍化層21、防反射層22和第一電極24可以形成在半導體基板10的正面處的發射極20上。第一鈍化層21和防反射層22可以大體上位于半導體基板10的除形成有第一電極24的部分以外的整個正面處。第一鈍化層21使發射極層20的表面處或體(bulk)處的缺陷鈍化。因而，在發射極層20處的缺陷被鈍化，少數載流子的復合位置被減少或消除，由此增大了太陽能電池100的開路電壓(Voc)。因此，太陽能電池100的開路電壓(Voc)和短路電流(Isc)可以被第一鈍化層21增加，因而，可以提高太陽能電池100的效率。防反射層22降低了入射到半導體基板10的正面的太陽光的反射系數(反射率)。因而，到達形成在半導體基板10和發射極層20之間的p-n結的太陽光的量可以增加，由此增加太陽能電池100的短路電流(Isc)。在本發明的實施方式中，第一鈍化層21包括用于使鈍化特性最大化并具有發射極層20的第一摻雜劑201的材料。例如，第一鈍化層21可以包括氧化鋁。由于氧化鋁具有負電荷(或負的固定電荷)，因而可以有效地引起場效應鈍化。通過場效應鈍化，氧化鋁最適合于使p型的發射極層20鈍化。而且，通過將包括在氧化鋁中的鋁擴散到半導體基板10，形成具有相對高的濃度并具有相對低的電阻的第一部分20b。這將在制造太陽能電100的方法的稍后描述中更詳細地描述。在該情況下，第一鈍化層21的厚度可以是不同的，以適合于鈍化。例如，第一鈍化層21可以比第二鈍化層32更厚，因為第一鈍化層21用于第一摻雜劑201的摻雜。在該情況下，可以將數量增加的第一摻雜劑201摻雜到第一部分20b。因此，可以有效地降低第一部分20b的電阻。防反射層22可以包括各種材料，例如，防反射層22可以包括氮化硅層。但是，本發明的實施方式不限于此。因而，防反射層22可以具有包括例如從由氮化硅、包括氫的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、MgF2、ZnS、TiO2和CeO2組成的組中選擇的至少一種材料這樣的單層膜結構或多層膜結構。在該情況下，第一鈍化層21的厚度可以不同于防反射層22的厚度。在本發明的實施方式中，考慮到其功能，防反射層22可以比第一鈍化層21更厚。例如，第一鈍化層21可以具有約5nm至20nm的厚度，并且防反射層22可以具有約50nm至120nm的厚度。當第一鈍化層21的厚度在約20nm以上時，用于形成第一鈍化層21的處理時間會增加。當第一鈍化層21的厚度在約5nm以下時，鈍化特性和第一摻雜劑201的摻雜是不充分的。通過考慮處理時間和防反射特性來確定防反射層22的厚度。但是，本發明的實施方式不限于此，并且第一鈍化層21和防反射層22可以具有不同的厚度。通過穿過第一鈍化層21和防反射層22，第一電極24電連接到發射極層20(更具體地說，連接到第一部分20b)。第一電極24可以具有能夠使接觸電阻最小化的結構和材料。第一電極24和第二電極34可以包括各種材料。例如，第一電極24和第二電極34可以具有彼此堆疊的多個金屬層以增強各種特性。由于第一電極24和第二電極34可以具有相同的堆疊結構，在圖1中僅示出第一電極24的結構。而且，堆疊結構的以下描述可以應用于第一電極24和第二電極34。第一電極24和第二電極34可以包括：半導體基板10上的第一金屬層24a；第一金屬層24a上的第二金屬層24b；以及第二金屬層24b上的第三金屬層24c。第一至第三金屬層24a、24b和24c可以包括各種材料。例如，第一金屬層24a可以包括鎳(Ni)，并且第二金屬層24b可以包括銅(Cu)。作為覆蓋層的第三金屬層24c包括單層的錫(Sn)、單層的銀(Ag)或錫和銀的堆疊結構。在該情況下，第一金屬層24a可以具有大約300nm到500nm的厚度，并且第二金屬層24b可以具有大約10μm到30μm的厚度。而且，第三金屬層24c可以具有大約5μm到10μm的厚度。但是，本發明的實施方式不限于此。可以通過各種方法形成第一至第三金屬層24a、24b和24c。例如，可以通過鍍覆方法形成第一至第三金屬層24a、24b和24c。對于鍍覆方法，可以使用諸如電鍍方法(electroplatingmethod)、化學鍍方法(electrolessplatingmethod)、光感應鍍覆方法(lightinducedplatingmethod)這樣的各種方法。但是，本發明的實施方式不限于此。第一電極24或第二電極34可以是包括各種金屬(例如，銀)的單個層，或者可以包括具有各種金屬的多個層。根據實施方式的太陽能電池100包括具有第一摻雜劑201的第一鈍化層21，因而，可以通過簡單的方法制造具有選擇性結構的摻雜層(更具體地，發射極層20)，并且可以降低制造成本。這將在制造太陽能電100的方法的稍后描述中更詳細地描述。以下，將參照圖2a至圖2e描述根據本發明的實施方式的制造太陽能電池100的方法。在下面的描述中，將省略在上文中所描述的部分，并將更詳細地描述在上文中沒有描述的部分。圖2a至圖2e是用于說明根據本發明的實施方式的制造太陽能電池的方法的截面圖。首先，如圖2a所示，制備第一導電類型的半導體基板10。半導體基板10的正面和背面可以被紋理化以具有各種形狀的突出部分和/或凹入部分(或具有粗糙表面)。對于紋理化方法，可以使用濕法蝕刻方法或干法蝕刻方法。在濕法蝕刻方法中，可以將基板10浸入紋理化溶液中。根據濕法蝕刻方法，處理時間可以是短的。在干法蝕刻方法中，半導體基板10的表面可以被金剛石鉆頭或激光蝕刻。在干法蝕刻中，可以均勻地形成突出部分和/或凹入部分；但是，半導體基板10會被損壞并且處理時間會是長的。因此，可以由各種方法將半導體基板10紋理化。接著，如圖2b所示，用于摻雜層的層200、第一鈍化層21和防反射層22形成在半導體基板10的正面上，并且背面場層30和第二鈍化層32形成在半導體基板10的背面上。首先，通過下面的方法可以形成在半導體基板10的正面處或鄰近半導體基板10的正面所形成的用于摻雜層的層200、第一鈍化層21和防反射層22。用于摻雜層的層200可以通過在半導體基板10的正面上摻雜第二導電類型的第二摻雜劑202而形成。對于摻雜方法，可以使用諸如熱擴散方法或離子注入方法這樣的各種方法。在熱擴散方法中，在半導體基板10被加熱的情況下，氣體混合物(例如，BBr3)被擴散。接著，將第二摻雜劑202摻雜到半導體基板10。熱擴散方法的制造工藝是簡單的，因而可以降低制造成本。在離子注入方法中，第二摻雜劑202被離子注入并進行用于激活的熱處理，以摻雜第二摻雜劑202。更具體地說，在離子注入后，半導體基板10受損或損壞并具有許多的晶格缺陷，并且因為離子注入后的摻雜劑沒有位于晶格格位(latticesite)處，所以摻雜劑未被激活。因而，降低了電子或空穴的遷移率。因此，離子注入后的摻雜劑通過用于激活的熱處理來進行激活。根據離子注入方法，可以降低在橫向方向上的摻雜，因而，可以增加累積的程度并可以容易地控制濃度。另外，因為僅半導體基板10的一個表面被離子注入，所以當半導體基板10的正面和背面摻雜有不同的摻雜劑時可以容易地使用離子注入方法。用于摻雜層的層200總體上具有均勻的摻雜濃度，并總體上具有均勻的電阻。在形成用于摻雜層的層200后，包括第一摻雜劑201的第一鈍化層21形成在用于摻雜層的層200上。如上所述，第一鈍化層21可以包括氧化鋁，并可以容易地通過各種方法形成。例如，第一鈍化層21可以通過原子層沉積(ALD)方法形成。ALD方法是一種低溫沉積處理，因而在制造工藝方面具有優點。但是，本發明的實施方式不限于此。因而，可以應用各種方法(諸如真空蒸發、化學氣相沉積、旋涂、絲網印刷或噴涂)。在形成第一鈍化層21后，防反射層22形成在第一鈍化層21上。可以通過各種方法(諸如真空蒸發、化學氣相沉積、旋涂、絲網印刷或噴涂)形成防反射層22。接著，在半導體基板10的背面處或鄰近半導體基板10的背面形成的背面場層30和第二鈍化層32可以通過下面的方法形成。可以通過在半導體基板10的背面上摻雜第一導電類型的第三摻雜劑來形成背面場層30。對于摻雜方法，可以使用諸如熱擴散方法和離子注入方法這樣的各種方法。在上文中描述了熱擴散方法和離子注入方法，并且將省略其具體描述。背面場層30總體上具有均勻的摻雜濃度，并總體上具有均勻的電阻。但是，本發明的實施方式不限于此。因而，背面場層30在稍后參照圖3描述的另一實施方式中可以具有選擇性的結構。在形成背面場層30后，在背面場層30上形成第二鈍化層32。可以通過各種方法(諸如真空蒸發、化學氣相沉積、旋涂、絲網印刷或噴涂)形成第二鈍化層32。在本發明的實施方式中，在用于摻雜層的層200、第一鈍化層21和防反射層22在半導體基板10的正面處順序地形成并且背面場層30和第二鈍化層32在半導體基板10的背面處順序地形成的示例中，該過程可以被改變。也就是說，在用于摻雜層的層200、第一鈍化層21和防反射層22在半導體基板10的正面處順序地形成后，背面場層30和第二鈍化層32在半導體基板10的背面處順序地形成。選擇性地，在用于摻雜層的層200和背面場層30順序地或同時地在半導體基板10的正面處和背面處形成后，形成第一鈍化層21和第二鈍化層32。接著，形成防反射層22。或者，在用于摻雜層的層200和背面場層30順序地或同時地在半導體基板10的正面處和背面處形成后，形成第一鈍化層21。接著，形成第二鈍化層32和防反射層22。另外，可以根據其它過程形成用于摻雜層的層200、第一鈍化層21、防反射層22、背面場層30和第二鈍化層32。接著，如圖2c所示，第一鈍化層21被選擇性地加熱，因而如圖2d所示地形成具有第一部分20b和第二部分20a的發射極層20。更詳細地，與第一部分20b對應的第一鈍化層21的部分被選擇性地加熱，并且在第一鈍化層21中的第二導電類型的第一摻雜劑201擴散到半導體基板10之內。接著，第一摻雜劑201僅擴散到第一部分20b。因而，第一部分20b包括第一摻雜劑201連同第二摻雜劑202，該第二摻雜劑202是在形成用于摻雜層的層200(在圖2b中)時進行摻雜的。另一方面，在第二部分20a處存在當形成用于摻雜層的層200(在圖2b中)時所摻雜的第二摻雜劑202而沒有第一摻雜劑201。也就是說，在選擇性加熱的部分處形成具有第一摻雜劑201和第二摻雜劑202的第一部分20b，并且用于摻雜層的層200的其余部分變為第二部分20a。在該情況下，第一部分20b具有比第二部分20a的結深度更大的結深度。可以使用用于選擇性地加熱第一鈍化層21的各種方法。例如，可以使用激光210。由于通過利用激光210對第一鈍化層21中的第一摻雜劑201進行擴散而形成了第一部分20b，所以可以將具有選擇性結構的摻雜層的制造工藝簡化并可以增強摻雜層的特性。另一方面，在常規方法中，通過使用掩模來對第一部分和第二部分的摻雜劑劑量進行區別來形成具有選擇性結構的摻雜層。在該情況下，難以準確地對準掩模，并且由于掩模的限制而存在使得第二部分的寬度減小的局限。例如，在常規方法中，第二部分具有大約500μm的最小寬度。而且，半導體基板在具有更高的摻雜劑劑量的部分處被很大程度地損壞，因而以高溫對半導體基板進行熱處理以對損壞進行修復。在常規的激光摻雜選擇性發射極(LDSE)方法中，在形成防反射層后，在防反射層上形成用于摻雜的附加層，并接著照射激光以將摻雜劑擴散到半導體基板的內部。根據該方法，當摻雜劑對半導體基板的溶解度(solubility)低時(例如，當摻雜劑是硼時)，激光應該具有高能量密度。因而，在激光摻雜期間，半導體基板可能被熔化。而且，因為摻雜劑應當穿透防反射層，所以不容易控制對半導體基板的摻雜。另外，應該另外地執行用于形成用于摻雜的附加層并將其去除的操作。另一方面，根據本發明的實施方式，通過使用激光210，根據激光裝置的圖案數據可以進行選擇性加熱，并且第一部分20b的寬度可以被最小化。例如，第一部分20b可以具有大約150μm到350μm的寬度。而且，通過在用于摻雜層的層200和第一鈍化層21彼此接觸的狀態中擴散第一摻雜劑201可以容易地控制摻雜。因而，發射極層20的特性可以增強。而且，通過使用選擇性加熱來對位于用于將半導體基板10的正面鈍化的第一鈍化層21中的第一摻雜劑201進行擴散而形成第一部分20b。因而，可以省略用于形成用于摻雜的附加層并將其去除的操作。因而，可以簡化工藝并可以降低成本。在本發明的實施方式中，可以將各種激光用于激光210。例如，激光210可以是Nd-YVO4激光。第一部分20b可以加熱到適合于形成第一部分20b的溫度，例如大約1200℃到1600℃。通過考慮半導體基板10的熔化溫度是大約1400℃來確定溫度范圍。另外，在該溫度范圍中，可以容易地對第一鈍化層21的第一摻雜劑201進行擴散。在照射激光210后，可以執行附加的熱處理。選擇性地，可以在形成第一電極24(在圖2e中)和第二電極34(在圖2e中)后通過熱處理來對發射極層20進行附加的熱處理。在本發明的實施方式中，當選擇性地加熱第一鈍化層21時，在防反射層22和第一鈍化層21處可以形成開口204。接著，由于開口204準確地位于第一部分20b上，通過開口204形成的第一電極24可以準確地與第一部分20b對準。接著，如圖2e所示，形成電連接到發射極層20的第一部分20b的第一電極24以及電連接到背面場層30(或半導體基板10)的第二電極34。通過諸如鍍覆方法或沉積方法這樣的各種方法在形成在第一鈍化層21和防反射層22處的開口204的內部可以形成第一電極24。而且，在第二鈍化層32處形成開口304后，可以通過諸如鍍覆方法或沉積方法這樣的各種方法在開口304的內部形成第二電極34。在本發明的實施方式中，在形成第一電極24和第二電極34之后可以執行附加的熱處理。在附加的熱處理中，也可以對發射極層20進行熱處理。在氮氣氛中，可以以大約200℃到4000℃的溫度執行該附加的熱處理達一分鐘到一百分鐘。但是本發明的實施方式不限于此，因而可以改變附加的熱處理的條件。選擇性地，可以通過燒制穿通(fire-through)或與針對第一電極24和第二電極34的印刷膏的激光燒制接觸(laserfiringcontact)而形成第一電極24和第二電極34。例如，可以通過諸如絲網印刷方法這樣的各種方法來印刷膏。在該情況下，因為在激光燒制接觸的燒制穿通期間自然地形成在第二鈍化層32處的開口304，所以不需要用于形成開口304的操作。如上所述，根據本發明的實施方式，可以由簡單的工藝形成具有選擇性發射極結構的發射極層20，并且可以增強發射極層20的特性以及發射極層20和第一電極24的對準特性。在本發明的上面的實施方式中，半導體基板10和背面場層30是n型的，發射極層20是p型的，并且第一鈍化層21包括具有III族元素的化合物(例如，氧化鋁)。因而，III族元素被擴散以形成發射極層20的第一部分20b。但是，本發明的實施方式不限于此。因此，半導體基板10和背面場層30可以是p型的，發射極層20是n型的，并且第一鈍化層21包括具有V族元素的化合物。因而，V族元素被擴散以形成發射極層20的第一部分20b。例如，第一鈍化層21可以包括氧化鉍(例如，Bi2O3)，并且發射極層20的第一部分20b可以包括作為第一摻雜劑201的鉍。在該情況下，因為磷適合于完全地摻雜到半導體基板10，因此磷可以用于第二摻雜劑202。但是，本發明的實施方式不限于此。因而，除鉍以外的各種元素的一種或更多種元素可以用作第一摻雜劑201，并且除磷以外的各種元素的一種或更多種元素可以用作第二摻雜劑202。以下，將描述根據本發明的其它實施方式的太陽能電池及其制造方法。在下面的描述中，將省略與本發明的上述實施方式的部分相同的或相似的部分，并且將更詳細地描述不同的部分。圖3是根據本發明的另一實施方式的太陽能電池的截面圖。參照圖3，在根據本發明的實施方式的太陽能電池100a中，背面場層30具有選擇性結構。因而，背面場層30可以包括與第二電極34接觸的第一部分30b以及在未形成第二電極34的部分處形成的第二部分30a。第一部分30b具有比第二部分30a的摻雜濃度更高的摻雜濃度，并且第一部分30b具有比第二部分30a的電阻更低的電阻。在該情況下，第一部分30b具有比第二部分30a的結深度更大的結深度。接著，在背面場層30的第二部分30a處可以有效地減少或防止電子和空穴的復合，并且在第二電極34和第一部分30b之間的接觸電阻可以被第一部分30b降低。也就是說，可以減少由復合所導致的損失，并且可以增加由光電轉換所生成的電子或空穴向第二電極34的傳送。因此，太陽能電池100a的效率可以被提高或最大化。可以通過各種方法形成背面場層30。例如，當形成背面場層30(在圖2b中)時，通過使用梳形的掩模將第一導電類型的摻雜劑離子注入。接著，用摻雜劑對第一部分30b進行摻雜，以具有相對高的摻雜濃度，因而具有相對低的電阻。選擇性地，當通過將第一導電類型的摻雜劑進行離子注入來形成背面場層30時，離子注入被多次執行，以使得第二部分可以具有相對低的電阻。選擇性地，如圖4a到圖4f所示，可以使用激光摻雜選擇性發射極(LDSE)方法。這將詳細地描述。首先，如圖4a所示，制備第一導電類型的半導體基板10。接著，如圖4b所示，在半導體基板10的正面上形成用于摻雜層的層200、第一鈍化層21和防反射層22，并且在半導體基板10的背面上形成背面場層30和第二鈍化層32。接著，如圖4c所示，在第二鈍化層32上形成包括第一導電類型的第三摻雜劑的用于摻雜的附加層320。用于摻雜的附加層320可以包括諸如磷(P)、砷(As)、鉍(Bi)和銻(Sb)等這樣的V族元素。附加層320可以通過涂敷形成在第二鈍化層32上。接著，如圖4d所示，半導體基板10的正面被激光210加熱，并且半導體基板10的背面被激光310加熱。接著，在半導體基板10的正面處，通過對包括在第一鈍化層21中的第一摻雜劑201進行擴散來形成發射極層20的第一部分20b。而且，在半導體基板10的背面處，通過對包括在用于摻雜的附加層320中的第一導電類型的第三摻雜劑進行擴散來形成背面場層30的第一部分30b。同時，如圖4e所示，在第一鈍化層21和防反射層22處形成開口204以對應于發射極層20的第一部分20b，并且在第二鈍化層32處形成開口304以對應于背面場層30的第一部分30b。在該情況下，在激光210照射到半導體基板10的正面以形成發射極層20的第一部分20b后，激光310可以照射到半導體基板10的背面以形成背面場層30的第一部分30b。選擇性地，在激光310照射到半導體基板10的背面以形成背面場層30的第一部分30b后，激光210可以照射到半導體基板10的正面以形成發射極層20的第一部分20b。選擇性地，如圖4d所示，激光210和310同時照射到半導體基板10的兩個表面，因而，可以同時形成發射極層20的第一部分20b和背面場層30的第一部分30b。接著，處理可以被更加簡化。接著，如圖4f所示，在去除用于摻雜的附加層320之后，在開口204和304中形成第一電極24和第二電極34。圖5是根據本發明的又一實施方式的太陽能電池的截面圖。在下面的描述中，將省略對與本發明的上述實施方式的部分相同的或相似的部分的描述，并且將更詳細地描述不同的部分。參照圖5，在根據本發明的該實施方式的太陽能電池100b中，局部地形成背面場層30c，以對應于第二電極34。根據本發明的實施方式，可以有效地減少或防止在背面場層30c處的電子和空穴的復合，并且可以降低與第二電極34的接觸電阻。可以通過各種方法形成背面場層30c。例如，當形成了背面場層30c(在圖5中)時，通過使用掩模將第一導電類型的摻雜劑離子注入。選擇性地，如圖6a至圖6e所示，可以使用激光摻雜選擇性發射極(LDSE)方法以形成背面場層30c。這將更詳細地描述。首先，如圖6a所示，制備第一導電類型的半導體基板10。接著，如圖6b所示，在半導體基板10的正面上形成用于摻雜層的層200、第一鈍化層21和防反射層22，并且在半導體基板10的背面上形成第二鈍化層32。也就是說，與上面的實施方式相反，在本發明的該實施方式中，在第二鈍化層32之前不形成背面場層30c。接著，如圖6c所示，在第二鈍化層32上形成包括第一導電類型的第三摻雜劑的用于摻雜的附加層320。接著，如圖6d所示，半導體基板10的正面被激光210加熱，并且半導體基板10的背面被激光310加熱。接著，如圖6e所示，在半導體基板10的正面處，通過擴散包括在第一鈍化層21中的第一摻雜劑201來形成發射極層20的第一部分20b。而且，在半導體基板10的背面處，通過擴散包括在用于摻雜的附加層320中的第一導電類型的第三摻雜劑來局部地形成背面場層30c。同時，如圖6e所示，在第一鈍化層21和防反射層22處形成開口204以對應于發射極層20的第一部分20b，并且在第二鈍化層32處形成開口304以對應于背面場層30c。接著，如圖5所示地，在去除了用于摻雜的附加層320之后，可以在開口204和304中形成第一電極24和第二電極34。圖7是根據本發明的又一實施方式的太陽能電池的截面圖。參照圖7，在根據本發明的該實施方式的太陽能電池100c中，包括在第一鈍化層21中的第一摻雜劑201被擴散并被包括在發射極層20的第一部分20b中，并且包括在第二鈍化層32中的第三摻雜劑301被擴散并被包括在背面場層30的第一部分30b中。也就是說，如同發射極層20，通過使用包括在第二鈍化層32中的第三摻雜劑301，背面場層30也具有選擇性的結構。在該情況下，在分別將第二摻雜劑202和第四摻雜劑204完全地并均勻地摻雜到半導體基板10的正面和背面后，通過分別對第一鈍化層21和第二鈍化層32照射激光來使第一摻雜劑201和第三摻雜劑301擴散以形成第一部分20b和30b。用于制造發射極層20和背面場層30的方法與參照圖2a至圖2e所描述的制造發射極層20的方法相同或相似，因而省略其詳細描述。第二鈍化層32的厚度和第三摻雜劑301的濃度分別與第一鈍化層21的厚度和第一摻雜劑201的濃度相同或相似，因而省略其詳細描述。當半導體基板10和背面場層30是n型的并且發射極層20是p型的時，第一鈍化層21可以包括具有III族元素(例如，鋁)的化合物(例如，氧化鋁)，并且第二鈍化層32可以包括具有V組元素(例如，鉍)的化合物(例如，氧化鉍)。在該情況下，因為硼適合于完全地摻雜到半導體基板10，所以硼可以用于第二摻雜劑202。而且，因為磷適合于完全地摻雜到半導體基板10，所以磷可以用于第四摻雜劑302。當半導體基板10和背面場層30是p型并且發射極層20是n型的時，第一鈍化層21可以包括具有V組元素(例如，鉍)的化合物(例如，氧化鉍)。而且，第二鈍化層32可以包括具有III族元素(例如，鋁)的化合物(例如，氧化鋁)。在該情況下，磷可以用于第二摻雜劑202，因為磷適合于完全地摻雜到半導體基板10。而且，硼可以用于第四摻雜劑302，因為硼適合于完全地摻雜到半導體基板10。但是，本發明的實施方式不限于此。因而，其它各種元素中的一種或更多種元素可以用于第一摻雜劑201、第二摻雜劑202、第三摻雜劑301和第四摻雜劑302。如上所述，根據本發明的實施方式，可以通過簡單的工藝來形成具有選擇性的結構的發射極層20和背面場層30，并且發射極層20和背面場層30的特性、發射極層20與第一電極24之間的對準特性以及背面場層30和第二電極34之間的對準特性可以得到增強。圖8是根據本發明的又一實施方式的太陽能電池的截面圖。參照圖8，在根據本發明的該實施方式的太陽能電池100d中，背面場層30僅包括與第二電極34接觸的第一部分30b。可以通過完全省略用于摻雜第四摻雜劑302的操作來形成僅具有第一部分30b的背面場層30。因此，第一部分30b包括第三摻雜劑301并且不包括第四摻雜劑302。根據本發明的實施方式，在背面場層30處可以有效地減少或防止電子和空穴的復合，并可以降低與背面電極34的接觸電阻。因而可以增強太陽能電池100d的效率。在本發明的實施方式中，第二鈍化層32被激光選擇性地加熱，并且背面場層30具有選擇性的結構或局部結構。但是本發明的實施方式不限于此。因此，如圖9所示，太陽能電池100e的背面場層30具有均勻的濃度的均質結構。為了形成具有該結構的背面場層30，形成第二鈍化層32，并且完全地加熱第二鈍化層32。接著，第二鈍化層32的第三摻雜劑301擴散到半導體基板10的內部，并且形成均質結構的背面場層30。對于用于完全地加熱第二鈍化層32的方法，可以使用各種方法中的一種或更多種方法，諸如用于在擴散爐中進行熱處理的方法或通過激光進行熱處理的方法。此后，在第二鈍化層32處形成開口，并且形成第二電極34。但是本發明的實施方式不限于此。因而，通過使用導致燒制穿通的膏可以形成第二電極34。以下，將通過實驗示例更詳細地描述本發明的實施方式。僅為了本發明的實施方式的說明性目的來提供實驗示例，并且本發明的實施方式不限于此。實驗性實施方式制備n型半導體基板。將作為p型摻雜劑的硼摻雜到半導體基板的正面，并且將作為n型摻雜劑的磷摻雜到半導體基板的背面以形成背面場層。在半導體基板的正面上形成包括氧化鋁的第一鈍化層和包括氮化硅的防反射層，并且在半導體基板的背面上形成包括氮化硅層和氧化硅層的第二鈍化層。將激光照射到半導體基板的正面以選擇性地加熱第一鈍化層并且將鋁擴散，因而形成發射極層的第二部分。接著，在半導體基板的正面上將第一膏絲網印刷，在半導體基板的背面上將第二膏絲網印刷，并且將它們進行燒制以形成第一電極和第二電極。接著，執行隔離工藝。比較性實施方式除了用于制造發射極層的第二部分的方法以外，用與實驗性實施方式相同的方法來制造太陽能電池。也就是說，在比較性實施方式中，第一鈍化層包括氧化硅。而且，在形成防反射層以后，在防反射層上形成包括鋁的用于摻雜的附加層。接著，將激光照射到用于摻雜的附加層，并且將鋁擴散，因而形成了發射極層的第二部分。此后，將用于摻雜的附加層去除。其它工藝與在實驗性實施方式中的工藝相同。對在根據實驗性實施方式和比較性實施方式的太陽能電池中的相對于與半導體基板的正面的距離的硼濃度和鋁濃度進行測量。在圖10中示出了結果。參照圖10，可以看到，實驗性實施方式的硼濃度類似于比較性實施方式的硼濃度，并且實驗性實施方式的鋁濃度類似于比較性實施方式的鋁濃度。實驗性實施方式沒有用于形成用于摻雜的附加層并將其除去的操作，并且實驗性實施方式的鋁濃度類似于比較性實施方式的鋁濃度。也就是說，根據實驗性實施方式，方法可以簡化并可以實現足夠的鋁濃度。因此，在實驗性實施方式中，可以通過簡單的工藝形成高性能的具有選擇性結構的發射極層。在該情況下，鋁濃度一般高于硼濃度，因而可以有效地降低發射極層的第二部分中的電阻。在用于描述本發明的上述實施方式的截面圖中，由激光形成的第一鈍化層21和防反射層22的開口204的側表面與半導體基板10的正面垂直，并且由激光形成的第二鈍化層32的開口304的側表面與半導體基板10的背面垂直。也就是說，開口204和304具有統一的區域。但是，實際上，如圖11所示，由激光形成的開口204和304在截面圖中具有諸如傾斜側面或圓側面這樣的各種側面形狀。在該情況下，熔化的第一鈍化層21和防反射層22會在開口204的邊緣處堆積，并且熔化的第二鈍化層32會在開口304的邊緣處堆積。在圖11中，為了清楚地示出開口204和304，示出了由激光形成的開口204和304的狀態。根據本發明的實施方式，可以通過簡單的工藝形成具有選擇性發射極結構的發射極層，并且發射極層的特性以及發射極層與第一電極的對準特性可以增強。也就是說，通過形成包括第一摻雜劑的第一鈍化層并選擇性地加熱第一鈍化層以擴散第一摻雜劑，形成了具有選擇性結構的發射極層。因而，可以省略形成用于摻雜的附加層并將附加層去除的操作。因而，可以簡化工藝并且可以降低成本。在該情況下，當用激光對第一鈍化層選擇性地加熱時，可以使第二部分的寬度最小化。而且，可以通過激光在防反射層和第一鈍化層處形成開口，通過開口形成的第一電極可以準確地與發射極層的高濃度部分(第一部分)對準。當鋁用于第二摻雜劑時，鋁和作為半導體基板的元素的硅之間在原子半徑方面的差別小。因而，可以使用低功率的激光，并且位錯密度可以降低，由此提高太陽能電池的效率。已經描述了本發明的特定的實施方式。但是，本發明的實施方式不限于上面描述的具體實施方式，并且在不偏離由所附權利要求限定的范圍的情況下可以由本發明所屬領域的技術人員做出對實施方式的各種修改。相關申請的交叉引用本申請要求于2012年4月17日在韓國知識產權局提交的第10-2012-0039832號韓國專利申請以及于2012年4月17日在韓國知識產權局提交的第10-2012-0039830號韓國專利申請的優先權和利益，在此通過引用并入其公開內容。