用于提供導電接觸層的材料、具有上述層的接觸元件、用于提供接觸元件的方法及上述材料的用途與流程

本公開內容通常涉及導電接觸層，且涉及用于提供這樣的層的材料。背景導電接觸元件，即適合于電連接裝置的元件比如插入式連接器及滑動或固定接觸件的元件，通常包括導電的金屬主體，且為了改進某些性能，例如電性能和/或防護性能，導電接觸層覆蓋接觸元件的至少接觸區域。防護可以是關于可與其中接觸元件具有其應用的環境一起發生的磨損、腐蝕或其它有害的化學反應。金是通常適合作為接觸層但昂貴的一種材料。潛在的金替代物是銀。然而，銀并非如通常將期望的或需要的那樣惰性，且因此，可能需要進一步改進一些性能比如耐腐蝕性，尤其在包含Cl-和/或H2S的環境中，否則Cl-和/或H2S趨向于與銀反應且產生具有劣化的電性能的表面層。在WO2010/005382A1中，在條狀襯底的表面上提供由按重量計1-10％的In和按重量計90-99％的Ag，尤其由按重量計5％的In和按重量計95％的Ag組成的銀-銦合金的傳導性層。合金的電性能是好的，且不易與環境空氣中的硫反應。EP1489193公開了由按重量計0.01-5.0％的In和Sn，尤其按重量計0.5％的In和按重量計0.5％的Sn，與由銀組成的剩下部分組成的基于銀的合金的濺射靶。US6565983公開了具有用0.001μm至1mm厚的包含金屬鹽的減少摩擦的層覆蓋的接觸表面的電接觸元件，金屬鹽為金屬鹵化物或金屬硫化物。US7670689公開了一種抗硫化作用的銀基涂層，銀基涂層包括由銀基體材料制成的一個主要的層和一個在10nm和1μm之間的氧化薄膜的堆。T.R.Long，PlatinumMetalsRev.，1976，20，46-47公開了，由多于20wt.％的Pd組成的基于銀的合金具有改進的耐腐蝕性。發明概述鑒于以上，本公開內容的目的是提出一種克服或至少減少現有技術中的問題的解決方案，或是至少提出一種可選擇的解決方案。更具體的目的是提出一種能夠提供包含導電金屬基體材料的導電接觸層的解決方案，其中接觸元件與由導電金屬基體材料本身制成的接觸元件相比具有改進的耐腐蝕性。已經發現，通過添加In和Sn(高至10at.％，即原子百分率)，導電基體材料尤其是銀關于耐硫化(腐蝕變色)腐蝕性可以被改進，但耐鹽霧腐蝕性沒有將期望的那么好。之前已經發現具有高的Pd含量(>20wt.％)的基于銀的材料改進了耐腐蝕性。然而，Pd的高的價格使得這樣的材料在商業上不那么使人感興趣。因此，具有較少的Pd含量的材料可能是優選的，但對于H2S的耐腐蝕性不是那么足夠。包含In+Sn和Pd兩者的基于銀的材料的考察顯示，來自In+Sn和Pd的耐腐蝕性作用可以相互起反作用，例如與在使用In+Sn而沒有Pd時相比，Pd可以不利地影響抗硫化作用。因此，一個挑戰是尋找具有In+Sn和Pd的材料，該材料能夠充分改進對于硫化作用和鹽霧腐蝕兩者的耐腐蝕性。此外，發現可以使用基于金屬鹽比如銀鹽的材料作為基體材料本身或作為材料中的添加劑，代替基于金屬例如純銀的材料，從而能夠增強耐腐蝕性以及降低材料的摩擦系數，同時保持低的接觸電阻。盡管考察已經集中于作為基體材料的金屬的銀，In+Sn和Pd添加劑還可以與其它基體材料金屬一起使用，通常與銀、銅、錫、鎳或鈷、其一種的第一金屬鹽或其合金一起使用。本發明通過所附的獨立權利要求來限定。實施方式在從屬權利要求中及在以下描述和附圖中來陳述。因此，從以下描述中將明顯的上述及其它目的和益處為：根據通過一種用于提供導電接觸層的材料來實現的第一方面，材料包含為Ag、Cu、Sn、Ni、Co中的任意一種、其任意一種的第一金屬鹽或其任意一種或多種的合金的基體材料，其中所述材料還包含：在0.01at.％至10at.％的范圍內的In；在0.01at.％至10at.％的范圍內的Sn，除非基體材料已經包含較高量的Sn；及在0.01at.％至10at.％的范圍內的選自包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或其任意組合的組的至少一種元素，除非至少一種元素已經存在于基體材料中。例如，如果基體材料為Sn，材料還可以包含在0.01at.％至10at.％的范圍內的In和例如在0.01at.％至10at.％的范圍內的Pt。從這樣的材料，可以提供與僅有基體材料的涂層相比具有改進的耐腐蝕性和低的接觸電阻的接觸層。在此，關于基體材料是指構成材料的至少50at.％且為用于改進的耐腐蝕性的靶(target)的材料。基體材料可以是Ag。在一個實施方式中，材料可以包含小于或約5at.％的In、小于或約10at.％的Sn和小于或約5at.％的至少一種元素或元素的組合。材料可以包含在70at.％至99.7at.％的范圍內的基體材料，使得材料中的所有成分的總和為100at.％。這是指對于包含例如10at.％的In、10at.％的Sn和10at.％的Pt的接觸層組合物，剩下部分70at.％將由所選定的基體材料組成。根據通過一種用于提供導電接觸層的材料來實現的第二方面，材料包含為Ag、Cu、Sn、Ni中的任意一種、其一種的第一金屬鹽或其一種或多種的合金的基體材料，其中所述材料還包含：在0.01at.％至10at.％的范圍內的In、在0.01at.％至10at.％的范圍內的Pd以及在0.01at.％至10at.％的范圍內的Sn，除非基體材料已經包含較高量的Sn。例如，如果基體材料為Sn，材料還可以包含在0.01at.％至10at.％的范圍內的In和在0.01at.％至10at.％的范圍內的Pd。基體材料可以是Ag。在一個實施方式中，材料可以包含小于或約1.5at.％的In、小于或約1.5at.％的Sn、小于或約3at.％的Pd。材料還可以包含至少約0.01at.％的第二金屬鹽，優選地金屬鹵化物或金屬硫化物。通過第二金屬鹽的添加，可以進一步改進耐腐蝕性。第二金屬鹽可以包含以下金屬中的一種或多種：Ag、Sn和Cu。第二金屬鹽可以是包括以下鹵化物中的一種或多種的金屬鹵化物：碘化物、氯化物和溴化物。在一個實施方式中，Ag、Cu、Sn、Ni中的一種的第一金屬鹽是基體材料且第一金屬鹽是碘化物和溴化物中的一種或多種。第一金屬鹽可以是AgI或AgBr。在一個實施方式中，材料還可以包含在0.01at.％至10at.％的范圍內的選自包括Au、Ag、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或其任意組合的組的至少一種元素，除非至少一種元素已經存在于基體材料中。這樣的材料可以包含小于或約10at.％的至少一種元素或元素的組合，使得Pd和至少一種元素或元素的組合的總和為小于或約10at.％。在一個實施方式中，材料可以包含在70at.％至99.7at.％的范圍內的基體材料，使得材料中的所有成分的總和為100at.％。根據通過一種提供導電接觸層的材料來實現的第三方面，材料包含為Ag、Cu、Sn、Ni、Co中的任意一種、其任意一種的第一金屬鹽或其任意一種或多種的合金的基體材料，其中所述材料還包含：在0.01at.％至10at.％的范圍內的In、在0.01at.％至10at.％的范圍內的Pd以及在0.01at.％至10at.％的范圍內的Sn，除非基體材料已經包含較高量的Sn。基體材料可以是Ag。在一個實施方式中，材料還可以包含在0.01at.％至10at.％的范圍內的選自包括Au、Ag、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或其任意組合的組的至少一種元素，除非至少一種元素已經存在于基體材料中。這樣的材料可以包含小于或約10at.％的至少一種元素或元素的組合，使得Pd和至少一種元素或元素的組合的總和為小于或約10at.％。在一個實施方式中，材料可以包含在70at.％至99.7at.％的范圍內的基體材料，使得材料中的所有成分的總和為100at.％。根據通過一種用于提供導電接觸層的材料來實現的第四方面，材料包含為Ag、Cu、Sn、Ni、Co中的任意一種、其任意一種的第一金屬鹽或其任意一種或多種的合金的基體材料，其中所述材料還包含：在0.01at.％至10at.％的范圍內的In及在0.01at.％至10at.％的范圍內的選自包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或其任意組合的組的至少一種元素，除非至少一種元素已經存在于基體材料中。基體材料可以是Ag。在一個實施方式中，材料可以包含小于或約5at.％的In和小于或約5at.％的至少一種元素或元素的組合。在一個實施方式中，材料可以包含在80at.％至99.8at.％的范圍內的基體材料，使得材料中的所有成分的總和為100at.％。根據通過一種用于提供導電接觸層的材料來實現的第五方面，材料包含為Ag、Cu、Sn、Ni、Co中的任意一種、其任意一種的第一金屬鹽或其任意一種或多種的合金的基體材料，其中所述材料還包含：在0.01at.％至10at.％的范圍內的Sn，除非基體材料已經包含較高量的Sn及在0.01at.％至10at.％的范圍內的選自包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os或其任意組合的組的至少一種元素，除非至少一種元素已經存在于基體材料中。基體材料可以是Ag。材料可以包含小于或約10at.％的Sn和小于或約5at.％的至少一種元素或元素的組合。在一個實施方式中，材料包含在80at.％至99.8at.％的范圍內的基體材料，使得材料中的所有成分的總和為100at.％。根據第六方面，前述及其它目的和益處通過包括襯底和涂覆在其上的包含材料的接觸層的導電接觸元件來實現。在此及下文中，關于“材料”是指前述的材料中的任意一種。導電接觸元件還可以包含沉積在接觸層上的外部保護層，其中所述外部保護層基本上由Si、O和C組成。關于“基本上組成”是指(僅)由成分組成的層，達到在如技術人員將認識到的實際情況下可實現的程度。導電接觸元件還可以包含沉積在接觸層上的外部保護層，其中所述外部保護層基本上由氧化銦和氧化錫組成。這樣的外部保護層保護接觸層，使得其不受例如接觸元件的儲存期間的褪色的損害，而沒有接觸電阻的任何顯著減少。根據第七方面，上述及其它目的和益處通過用于提供導電接觸元件的方法來實現，包括提供襯底和為襯底提供接觸層的步驟，其中接觸層包含材料。接觸層可以通過蒸發，優選地通過物理氣相沉積，且優選地從包含材料的靶材料涂覆在襯底上。例如，所使用的物理氣相沉積技術可以是直流磁控濺射和高功率脈沖磁控濺射(HIPIMS)。其它可能的涂覆方法為電鍍、化學鍍和等離子噴涂、滾壓(rolling)等。方法還包括用由基本上由Si、O和C組成的聚合物涂層或由基本上由氧化銦和氧化錫組成的金屬氧化物的PVD或CVD所產生的外部保護層涂覆接觸層的表面的步驟。根據第八方面，上述及其它目的和益處通過材料作為導電接觸元件的接觸層的用途來實現。根據第九方面，上述及其它目的和益處通過材料作為用于通過蒸發，優選地通過物理氣相沉積進行沉積的靶材料的用途來實現。附圖簡述參考所附的示意圖，通過以下闡述性且非限制性的詳細描述，將更好地理解本發明的以上及其它方面、目的和益處。圖1a-圖1b顯示導電接觸元件的實施方式的示意性局部橫截面圖。圖2是示意性地顯示在用于提供導電接觸元件的方法中的步驟的框圖。圖3顯示在使元件經歷鹽霧腐蝕測試之前和之后且在使元件暴露到腐蝕變色環境之前和之后，來自導電接觸元件的實施方式的評估的實驗結果。在圖中，甚至在參考編號指的是不同實施方式中的特征時，相同的參考編號用于相同、相似或相應的特征。詳細描述圖1a顯示包括襯底4a、4b和涂覆在其上的包含下文將詳細討論的材料的接觸層6的導電接觸元件2的示意性局部橫截面圖。襯底4a可以是具有電鍍在其上的鎳合金4b的銅合金或具有通過PVD涂覆在其上的鎳合金4b的不銹鋼。同時，其它類型的襯底可能是其它材料的和/或包括僅一層或多于兩層的堆。通常，可以使用任何常規的導電接觸元件襯底。很好地認識到的是，電接觸元件通常用于其中期望能夠以可重復的方式產生和/或斷開電連接的各種不同的應用中。可以使用本解決方案的應用包括即通常的連接器、開關和斷開器、電源連接器、智能卡連接器、電池接觸應用、移動電話的充電接觸、消費電子產品中的接觸、在工業應用、汽車應用、防御和領空應用中的電接觸元件及用于信號應用的電接觸元件，且包括低電壓、中等電壓和高電壓應用。導電接觸元件2可以用于代替任何常規的電接觸元件。材料包含為Ag、Cu、Sn、Ni、Co中的任意一種或其一種的第一金屬鹽或其一種或多種的合金的基體材料，材料還包含從0.01高至10at.％的In、從0.01高至10at.％的Sn(除非Sn以較高含量為基體材料的一部分)及從0.01高至10at.％的Pd。因此，In、Sn和Pd中的每一種的量為至少高于0，在此至少0.01at.％，盡管實際上有效量通常將是至少0.1at.％。基體材料通常基本上構成材料的剩余部分，或至少至在實際情況中可能的程度。然而，可以可能的是，不是基體材料、In、Sn和Pd中的任意一種的一部分的若干量的額外的添加劑也存在于材料中，但不應對由結合In、Sn和Pd的基體材料所提供的作用具有任何實質性的有害影響，即與其中材料將基本上由基體材料、In、Sn和Pd組成的材料的情況相比，對接觸電阻和耐腐蝕性不具有任何實質性的有害影響。在任意情況下，基體材料應構成材料的至少50at.％。材料的更詳細說明的實施方式將在下文中。通常，接觸層6由材料形成，且因此可以基本上由材料組成，但在一些實施方式中，材料可以是部分，例如為由材料組成或包含材料的接觸層6的子區域(subarea)或子層(sublayer)。接觸層6還可以包含不是材料本身的一部分的額外的試樣，例如試樣可以部分地存在于接觸層中，以提供一些額外的性能或功能。這樣的接觸層6的一個較詳細說明的實例將在下文給出。接觸層6的厚度通常超過10nm，但較小的厚度也是可能的。然而，優選地，厚度小于1μm，或約0.3μm。在一些實施方式中，材料可以包含小于或約5at.％的In和/或5at.％的Sn和/或5at.％的Pd，或甚至小于或約1.5at.％的In和/或小于或約1.5at.％的Sn和/或小于約3at.％的Pd。例如，其中與全部材料相比較的Sn、In和Pd的量在以下的表1中的A-M標記的范圍之內的實施方式是可能的。SnInPdA≤10at.％≤10at.％≤10at.％B≤10at.％≤5at.％≤10at.％C≤5at.％≤10at.％≤10at.％D≤5at.％≤5at.％≤5at.％E≤5at.％≤5at.％≤3at.％F≤5at.％≤5at.％≤10at.％G≤5at.％≤5at.％≤3at.％H≤5at.％≤1.5at.％≤10at.％I≤5at.％≤1.5at.％≤3at.％J≤1.5at.％≤5at.％≤10at.％K≤1.5at.％≤5at.％≤3at.％L≤1.5at.％≤1.5at.％≤10at.％M≤1.5at.％≤1.5at.％≤3at.％表1-可能范圍的實例根據表1中的A-M的量是可能與為Ag、Cu、Sn、Ni、Co中的任意一種、其一種的第一金屬鹽的任意基體材料一起使用的每一種量，但當基體材料為Ag時，可以是特別感興趣的。保持In+Sn和Pd之間的關系可以是有利的，使得Pd的at.％小于至少約兩倍的In+Sn按at.％計的量，或甚至小于約1.5倍的In+Sn按at.％計的量。在一個更特定的實施方式中，襯底4a為已經PVD涂覆有包含至少72at.％的Ni的鎳合金的304等級不銹鋼，該鎳合金形成了其上已經用PVD涂覆接觸層6的襯底層4b。接觸層由包含95.5at.％的Ag、1at.％的In、1at.％的Sn以及2.5at.％的Pd的銀合金形成。注意到，襯底不必是導電的，且因此在一些實施方式中可以為不導電的。在其中基體材料包含Ag、Cu、Sn、Ni中的任意一種的第一金屬鹽的實施方式中，第一金屬鹽優選地為碘化物和溴化物中的一種或多種，比如AgI或AgBr。在一個實施方式中，基體材料為在95.5at.％下的Ag和AgI(比例約1:1)，且材料還可以包含約1at.％的In、約1at.％的Sn和約2.5at.％的Pd。當基體材料包含不是Ag的其它材料即Cu和/或Sn和/或Ni和/或Co時，In、Sn和Pd的量可以選自相應范圍A-M的上部部分，即以相對較高的量，以較好地補償這些材料比Ag弱的惰性。在一些實施方式中，材料還可以包含至少約0.01at.％，或實際上通常至少約0.1at.％的第二金屬鹽，優選地金屬鹵化物或金屬硫化物。優選地，金屬為銀、錫和銅中的一種或多種，且優選地鹵化物為碘化物、氯化物和溴化物中的任意一種。在一個實施方式中，基體材料為Ag，材料包含約1at.％的In、約1at.％的Sn和約2.5at.％的Pd，且還包含45％的AgI(碘化銀)，剩下部分基本上由基體材料Ag組成。在涉及鹽霧暴露(所使用的測試與IEC60068-2-11測試Ka很好地相一致)和硫化氫暴露(所使用的測試與IEC60068-2-60測試Ke很好地相一致)的環境腐蝕測試中評估設置有不同組成的接觸層6的導電接觸元件2。用于環境腐蝕測試的導電接觸元件2相應于圖1a所示的導電接觸元件2，其中襯底4a為涂覆有包含至少72at.％的Ni的0.3μm鎳合金的304等級不銹鋼，該鎳合金形成了在其上涂覆0.3μm接觸層6的襯底4b。鹽霧暴露測試涉及在48小時期間內，使室溫下置于密閉容器內的導電接觸元件2每天經歷鹽霧噴射(在水中的5％(w/w)NaCl)5-10次。之后，在去離子水中沖洗導電接觸元件2。在硫化氫暴露測試中，導電接觸元件2固定在高出50mlNa2S(22.8g/l)溶液的表面10-100mm的燒杯中，持續24小時。燒杯位于在室溫下的密閉容器中。在鹽霧暴露后，檢驗導電接觸元件2的電性能和所述元件2的接觸層6的耐腐蝕性。在暴露到硫化氫后，檢驗接觸層6的耐腐蝕變色性(tarnishresistance)，即其抗硫化作用。腐蝕變色導致導電接觸元件2的增加的接觸電阻。一些接觸層6組合物在暴露到硫化氫后展示不明顯的淺黃色褪色，然而褪色沒有不利地影響導電接觸元件2的電性能。設置有純Ag(100at.％)的接觸層6的導電接觸元件2在暴露到鹽霧和硫化氫兩者后經歷腐蝕。通過將Pd添加到接觸層6中，Ag-Pd(90-10at.％)實現比純Ag接觸層6好得多的耐鹽霧腐蝕性和稍微改進的抗硫化作用。如通常已知的，在Ag組合物中的甚至較高水平的Pd還可導致改進的抗硫化作用。通過將In和Sn添加到基體材料中，對于Sn高至10at.％且對于In低于5at.％，設置有包含作為基體材料的Ag的接觸層6的導電接觸元件2的耐腐蝕性關于腐蝕變色而言是增強的。然而，對于這樣的接觸層6組合物，沒有改進耐鹽霧腐蝕性。甚至對于非常低濃度的Pd和In(0.5at.％的Pd和1at.％的In)，設置有Ag-Pd-In的接觸層6組合物的導電接觸元件2在暴露到鹽霧后沒有展示可檢測到的腐蝕，且在暴露到硫化氫后展示不明顯的淺黃色褪色，然而，褪色沒有不利地影響導電接觸元件2的電性能。對于低至非常低濃度的Pd和Sn(0.5at.％的Pd，1at.％的Sn)的Ag-Pd-Sn的接觸層6組合物，也得到了相同的結果。對于包含Ag、Pd、In和Sn的接觸層6組合物，In+Sn和Pd的耐腐蝕性作用可以相互起反作用。與如果僅使用In+Sn相比，Pd可以不利地影響耐腐蝕變色性。具有0.01at.％的Pd含量和在以上指定的區間內的In/Sn水平的Ag-Pd-In-Sn的接觸層6組合物導致與純Ag的接觸層6相比的改進的耐腐蝕變色性，但沒有導致顯著改進的耐鹽霧腐蝕性。具有在Ag-Pd-In-Sn組合物中的0.5at.％的增加的Pd水平，在鹽霧或硫化氫暴露后，不存在腐蝕跡象。因此，這樣的接觸層6展示比純Ag好得多的耐鹽霧腐蝕性和耐硫化氫腐蝕性和與Ag-In-Sn相比的改進的耐鹽霧腐蝕性。在0.01at.％和5at.％的范圍內的Pd，Ag-Pd-In-Sn組合物導致比純Ag好的耐硫化氫腐蝕性和耐鹽霧腐蝕性。在0.1at.％至5at.％的范圍內的Pd含量導致與純Ag的接觸層6組合物相比的改進的耐硫化氫腐蝕性和耐鹽霧腐蝕性，和與Ag-In-Sn組合物相比的改進的耐鹽霧腐蝕性。通過改變Ag-Pd-In-Sn組合物中的Sn和In的含量，發現在0.01至10at.％的范圍內的Sn水平和在0.01至5at.％的范圍內的In水平導致與純Ag相比的改進的耐腐蝕性。在上述區間內，對于具有不是Pd或與Pd結合的其它貴金屬的Ag-In-Sn合金，在環境測試中得到類似的結果。對于包含Ag-Ru-Pd-In-Sn(97.5-0.25-0.25-1-1at.％)、Ag-Pt-In-Sn(97.5-0.5-1-1at.％)和Ag-Au-In-Sn(97.5-0.5-1-1)的接觸層6組合物，任一項環境測試中均不存在腐蝕跡象。所有三個接觸層6組合物展示比Ag-In-Sn或純Ag的接觸層6高得多的耐腐蝕性。這些結果表明，與如果使用純Ag或Ag-In-Sn組合物相比，在Ag-In-Sn組合物中添加任意貴金屬包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或貴金屬的組合可增強接觸層6的耐腐蝕性。如上文所討論的，包含Ag-Pd-In的接觸層6組合物導致與純Ag相比的改進的耐腐蝕性。因此，以上關于在Ag-In-Sn組合物中使用任意貴金屬包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或貴金屬的組合的確定指示應該還可以適用于Ag-In組合物。對于Ag-Sn的接觸層組合物，適用相同的推理。認為可能的是，包含不是Ag的其它基體材料例如Cu、Sn、Ni、Co或基體材料的組合的接觸層6組合物還將產生具有與僅具有基體材料本身的接觸層6的導電接觸元件2相比的改進的耐腐蝕性的導電接觸元件2。通過形成兩種或更多種金屬的合金，顯著改進具有持久的或改進的接觸電阻的基體材料的耐腐蝕性是可能的。例如，本領域已知的是，由于如與單獨的Cu和Ni相比的增強的耐腐蝕性，已經發現Cu和Ni的合金在船舶應用中的廣泛使用。圖1b顯示包括襯底4a、4b和涂覆在其上的接觸層6的導電接觸元件2的示意性局部橫截面圖。所示結構的這些部分相應于圖1a的結構，且相應的部分可以是如關于圖1a在上文討論的相同或相似的部分。此外，圖1b包括沉積在接觸層6上的外部保護層8。外部保護層8可以是由主要由Si、O和C組成的聚合物涂層或主要由氧化銦和氧化錫組成的金屬氧化物的PVD或CVD產生的，參見例如M.Grischke,A.Hieke,F.Morgenweck,H.Dimigen,DiamondsandRelatedMaterials,1998,7,454-458。聚合物涂層厚度可以小于20nm。金屬氧化物層的涂層厚度可以小于100nm。通過聚合物層的沉積，可以形成保護層8，使得其包括由沉積產生的包括Si、O、C、F的外部(頂部)部分，和/或在用下面的形成至少部分保護層8的接觸層6沉積的過程中可以存在反應。通常，接觸層例如Au層是用電鍍來沉積的。根據本公開內容的材料也可以被電鍍，但有利地用蒸發技術尤其是物理氣相沉積(PVD)來沉積。形成這的益處包括涂覆難以電鍍的材料例如不銹鋼和鋁的可能性，該益處允許更好地控制層的組成和厚度，且可以更環境友好地進行沉積。在保護涂層8由聚合物層的沉積產生時，使用具有單獨的室的PVD涂覆設備是有利的，其中具有在一個室中涂覆的接觸層6的接觸元件4被移至用于涂覆保護層8的后一個室。本申請人的PVD設備和可以有利地被使用且適合于大量生產，大量生產一直是相比于電鍍的蒸發技術的缺點。除了如上文所提及的涂覆技術以外，接觸層可以單獨形成且然后附接例如通過焊接到接觸元件上。可使用其它常規的技術，例如將一片材料例如由材料制成的線滾壓(rollingdown)至襯底4的表面中或至起始材料的在之前的步驟中已經提供在襯底之上的已經存在的接觸層中。圖2是示意性地顯示在用于制造導電接觸元件的方法中的步驟的框圖。在步驟102中提供襯底，襯底可以為在前面所討論的襯底中的一種。步驟102可以包括襯底比如在預先生產的襯底4a上的如前述討論中的層4b的涂層例如通過PVD，但還可以包括提供完全預先生產的襯底，例如襯底可以是由基體金屬(basemetal)或金屬合金制成的接觸元件。接著，在步驟104中，用接觸層6涂覆襯底4a、4b，其中接觸層包括如在前面所討論的材料。如已經提及的，步驟104優選地通過蒸發，優選地通過物理氣相沉積(PVD)，且優選地從包含材料的靶材料進行。然而，還可以使用多個靶比如用于材料的每一種成分的靶。在下文的一些進一步的詳述中，討論如何提供包含材料的靶材料。在最后的任選的步驟中，用Si-O-C層涂覆接觸層6，也優選地通過PVD，使得結果為通常具有低于約20nm的厚度的外部保護層8。這樣的保護層在上文討論。本公開內容的材料可以以不同的方式預先生產，以便進一步用作用于使用PVD來沉積接觸層的涂覆材料，即可以以靶材料的形式來提供且用作靶材料。在一個實施方式中，成分材料是合金化的，即熔化且在液態下混合且然后冷卻。在另外的實施方式中，成分中的一種或多種以被燒結的粉末的形式來提供，包括冷或熱的等壓壓制(CIPing或HIPing)的粉末。然后，在約200-400℃下熱處理壓制的粉末，持續1-4小時。在另外的實施方式中，包含材料的靶材料由為純金屬或部分材料的合金的起始材料制成，例如將基體材料用作起始材料，然后通過在起始材料所處的烘箱、真空室或化學浴中擴散來提供其余的成分。圖3顯示來自在環境測試之前和之后的導電接觸元件2的一個實施方式的評估的實驗結果。在每一組中，左邊的柱表示沉積的結果，中間的柱表示在鹽霧暴露(IEC60068-2-11測試Ka)后的結果且右邊的柱表示在混合氣體暴露(IEC60068-2-60測試Ke)后的結果。評估的導電接觸元件與圖1a相一致，其中襯底4a為已經用包含至少72at.％Ni的0.3μm鎳合金涂覆的304等級不銹鋼，該鎳合金形成了其上已經用PVD涂覆0.3μm接觸層6的襯底層4b。接觸層由包含95.5at.％的Ag、1at.％的In、1at.％的Sn和2.5at.％的Pd的Ag合金形成。鹽霧暴露涉及在48小時的期間內，使導電接觸元件2在35℃和90-95％相對濕度(RH)下經歷鹽霧。混合氣體暴露涉及使導電接觸元件經歷混合氣體(H2S0,1ppm+SO20,5ppm，在25℃、75％RH下)，持續2至96小時。可以看做復合材料的本公開內容中的材料是指i.a.包括構成元素的混合物，即基于金屬的材料或金屬混合物，例如但不必一定是在合金中，且不要求混合的成分的完全均勻的分布。例如，當材料以在前面討論的接觸層6的形式提供時，構成元素中的一些例如Sn和In可以以較高的濃度存在于層的表面部分中。還可能的是，具有在由材料制成的整個接觸層中的組成的其它變化，例如在濃度上的其它變化，比如梯度，且層可以包括多層的結構，例如包括用另外的構成材料的層層壓的一些構成材料的原子薄層。用在本公開內容中的化學元素的縮寫都是已知的，每一個明確地相應于化學元素：Ag(銀)，Au(金)，Ni(鎳)，Sn(錫)，In(銦)、Pd(鈀)，Cu(銅)，Si(硅)，C(碳)，O(氧)，F(氟)，Na(鈉)，Cl(氯)，Br(溴)，I(碘)，S(硫)，H(氫)，鈷(Co)。在圖中且在前述文字中的任何闡述和描述將被認為是示例性且非限制性的。本發明不限于所公開的實施方式。本發明通過權利要求來限定，且在實施所要求保護的本發明時，例如通過學習附圖、公開內容及權利要求，本領域的技術人員可以理解且實現關于所公開的實施方式的變化。在權利要求中的詞匯“包含(comprising)”的使用不排除其他元素或步驟，且冠詞“一(a)”或“一(an)”的使用不排除復數。在不同的從屬權利要求中出現的特征本身不排除這些特征的組合。在權利要求中的任意參考符號是用于增強可理解性，且不應被解釋成限制權利要求的范圍。