嵌入式閃存的測試方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及存儲器技術領域，特別涉及一種嵌入式閃存的測試方法。
【背景技術】
[0002]嵌入式閃存，用于存儲電子數據信息，由于閃存是一種非易失性存儲器，即斷電數據也不會丟失，具有反復擦除、讀、寫等優點，因此廣泛應用于手機、數碼照相機、平板電腦等電子設備中。但是在制造閃存出廠前，需要對閃存的電氣連接性能、功耗、讀、寫、擦除、串擾等參數進行測試，目前，上述參數的測試廣泛采用閃存測試機進行測試。現有技術中的嵌入式閃存的測試方法中，在進行寫入與讀取參數測試時，需預先設置閃存芯片的寫入與讀取的期望值，然后將閃存芯片實際測得的寫入與讀取的數據值與預先設置的寫入與讀取的期望值進行比較，當實際測得的數據值等于期望期時，判斷該閃存所測試的參數合格，否則不合格；當進行擦除與讀取參數時；需預先設置閃存芯片的擦除與讀取的期望值，然后將閃存芯片實際測得的擦除與讀取的數據值與預先設置的擦除與讀取的期望值進行比較，當實際測得的數據值等于期望期時，判斷該閃存所測試的參數合格，否則不合格；當進行串擾與讀取參數時，需預先設置閃存芯片的串擾與讀取的期望值，然后將閃存芯片實際測得的串擾與讀取的數據值與預先設置的串擾與讀取的期望值進行比較，當實際測得的數據值等于期望期時，判斷該閃存所測試的參數合格，否則不合格。
[0003]上述測試方法的缺點是:在寫入與讀取、擦除與讀取、串擾與讀取等每一項參數進行測試時，每次實際測得的數據值均需與預先設置參數值進行比較判斷是否合格，從而使嵌入式閃存的整體參數測試時間較長、耗時時間長、測試周期長等缺陷。
【發明內容】
[0004]本發明所要解決的技術問題是，提供一種嵌入式閃存的測試方法，以使嵌入式閃存的測試周期短、耗時時間短、測試時間短。
[0005]為了解決上述技術問題，本發明的技術方案是:一種嵌入式閃存的測試方法，包括以下步驟，分別預先設置待測閃存的測試項目的期望值；所述期望值為數字信號；同時或分時進行閃存的所述測試項目的實際測試，得到實際測得數據值；所述實際測得數據值為數字信號；將所述實際測得數據值以扇區或者塊區壓縮記錄數據信息的方式存入到錯誤捕獲內存中；將存入到所述錯誤捕獲內存中的所有測試項目的實際測得數據值與所述閃存中預先設置的測試項目的期望值一一進行并行比較，判斷每一個測試項目是否合格；當所測的測試項目的實際測得數據值與所述閃存中預先設置的測試項目的期望值相同時，則判斷所述閃存中所測的測試項目為合格，否則為不合格；判斷閃存是否為合格品，當所有測試項目為合格時，則測試的閃存為合格品，否則為不合格品。
[0006]進一步的，上述嵌入式閃存的測試方法中，所述測試項目為寫入與讀取功能、擦除與讀取功能或串擾與功能時，寫入或擦除或串擾的實際測試次數為N次，每次寫入或擦除或串擾的數據量不相同，其中N為大于0的自然數。
[0007]進一步的，上述嵌入式閃存的測試方法中，分別定義每個所述測試項目的錯誤代碼，當實際測試的測試項目為不合格時，輸出對應所述測試項目的錯誤代碼。
[0008]進一步的，當所述測試項目的實際測得數據值與所述閃存中預先設置的測試項目的期望值相同，是指實際測得數據值的數字信號與所述閃存的期望值的數字信號都為高電平或低電平。
[0009]進一步的，當所述測試項目為寫入與讀取功能時，其實際測得數據值與所述閃存中預先設置的寫入與讀取功能的期望值相同時，則判斷寫入與讀取功能為合格，否則為不合格。
[0010]進一步的，當所述測試項目為擦除與讀取功能時，其實際測得數據值與所述閃存中預先設置的擦除與讀取功能的期望值相同時，則判斷擦除與讀取功能為合格，否則為不合格。
[0011]進一步的，當所述測試項目為串擾與讀取功能時，其實際測得數據值的數字信號與所述閃存中預先設置的串擾與讀取的期望值相同時，則判斷串擾與讀取功能為合格，否則為不合格。
[0012]進一步的，當所述測試項目為電氣連接性能時，將實際測得數據值的數字信號與所述閃存中預先設置的期望值的數字信號相同時，則判斷電氣連接性能為合格，否則為不合格。
[0013]進一步的，當所述測試項目為功耗時，將實際測得數據值的數字信號與所述閃存中預先設置的期望值的數字信號相同時，則判斷功耗為合格，否則為不合格。
[0014]與現有技術相比，本發明的有益效果是:本發明是將閃存的所有測試項目實際測試得到實際測得數據值后存儲到錯誤捕獲內存中，然后將錯誤捕獲內存中的實際所有測試項目的實際測得數據值與閃存預先設置的期望值進行一一對比，即將錯誤捕獲內存中的實際測得數據值與閃存中預先設置的期望值進行并行對比，而不是采用現有技術中的一個測試項目測試完成得到的實際測得的數據值與預先設置的期望值對比后，再進行下一個測試項目測試和對比。本發明將所有測試項目同時進行并列的測試后，再將所有測試項目的實際測得的數據值與預先設置的期望值進行并列對比，從而節省了二次測試及二次對比的步驟，從而使所測閃存的測試項目的耗時時間短、測試時間短，進而提高了所測閃存的測試周期。
【附圖說明】
[0015]圖1是本發明一實施例的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0016]下面結合附圖對本發明作詳細描述:
[0017]圖1是本發明一實施例的流程示意圖。請參考圖1，本發明提供的嵌入式閃存的測試方法，包括以下步驟，
[0018]步驟S1，分別預先設置待測閃存的測試項目的期望值；所述期望值為數字信號；其中，測試項目可以根據實際需要進行增減，例如:可以是寫入、讀取、擦除、串擾，寫入與讀取、擦除與讀取、串擾與讀取，電氣連接性能、功耗等等；
[0019]步驟S2，同時或分時進行閃存的所述測試項目的實際測試，得到實際測得數據值；所述實際測得數據值為數字信號；其中，同時進行所有測試項目的實際測試能夠節省大量的測試周期；其中，分時進行所有測試項目的實際測試，具有可以對所測測試項目進行多次測量，以多次確認測試項目的結果的正確性。
[0020]步驟S3，將所述實際測得數據值以扇區或者塊區壓縮記錄數據信息的方式存入到錯誤捕獲內存中；其中，記錄數據信息，是指記錄測試項目的實際測得的的數據值；其中，將實際測得的數據值以扇區或塊區壓縮，作用是充分利用捕獲內存的存儲空間，比較以字節或比特存儲數據信息而言，能夠存儲更多的實際測得的數據值；
[0021]步驟S4，將存入到所述錯誤捕獲內存中的所有測試項目的實際測得數據值與所述閃存中預先設置的所有測試項目的期望值一一進行并行比較，判斷每一個測試項目是否合格；當所測的測試項目的實際測得數據值與所述閃存中預先設置的測試項目的期望值相同時，則判斷所述閃存中所測的測試項目為合格，否則為不合格；其中，所述測試項目的實際測得數據值與所述閃存中預先設置的測試項目的期望值相同，是指實際測得數據值的數字信號與所述閃存的期望值的數字信號都為高電平或低電平；
[0022]步驟S5，判斷閃存是否為合格品，當所有測試項目為合格時，則測試的閃存為合格品，否則為不合格品。
[0023]例如，當所述測試項目為寫入與讀取功能時，其實際測得數據值與所述閃存中預先設置的寫入與讀取功能的期望值相同時，則判斷寫入與讀取功能為合格，否則為不合格。
[0024]例如，當所述測試項目為擦