存儲器件的制作方法
【專利說明】存儲器件
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求2014年7月22日提交的申請號為10-2014-0092653的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。
技術領域
[0003]本發明的示例性實施例涉及存儲器件。
【背景技術】
[0004]隨著存儲器的集成度增加，存儲器中的字線之間的間隔減小。字線之間的間隔的變窄增加了相鄰字線之間的耦合效應。
[0005]每當數據輸入至存儲器單元/從存儲器單元輸出時，字線在激活狀態和非激活狀態之間切換。然而，如上所述隨著相鄰字線之間的耦合效應增加，與相鄰于頻繁激活字線設置的字線耦接的存儲器單元的數據可能損壞或丟失。這種現象被稱作為字線干擾。字線干擾可能在存儲器單元被刷新之前損壞存儲器單元的數據。
[0006]圖1說明存儲器中包括的單元陣列的一部分，且描述字線干擾效應。附圖描述字線干擾現象。
[0007]在圖1中，附圖標記‘WLK’表示頻繁激活字線，附圖標記‘WLK-1 ’和‘WLK+1 ’表示與頻繁激活字線WLK相鄰設置的字線。另外，附圖標記‘CELLJT表示與頻繁激活字線WLK耦接的存儲器單元，附圖標記‘CELL_K-1’表示與字線WLK-1耦接的存儲器單元。附圖標記‘CELL_K+1’表示與字線WLK+1耦接的存儲器單元。存儲器單元CELL_K、CELL_K_1和CELL_K+1分別包括單元晶體管TR_K、TR_K-1和TR_K+1和單元電容器CAP_K、CAP_K_1和CAP_K+1。
[0008]在圖1中，當頻繁激活字線WLK被激活或去激活時，字線WLK-1和字線WLK+1的電壓由于字線WLK與字線WLK-1和WLK+1之間出現的耦合效應而上升或下降，影響了儲存在單元電容器CAP_K-1和CAP_K+1中的電荷量。因此，當字線WLK被頻繁激活且因此字線WLK在激活狀態和非激活狀態之間切換時，儲存在存儲器單元CELL_K-1和CELL_K+1包括的單元電容器CAP_K-1和CAP_K+1中的電荷量的變化增大，從而劣化了存儲器單元CELL_K-1和CELL_K+1的數據。
[0009]另外，字線WLK在激活狀態和非激活狀態之間切換時產生的電磁波引起電子進入或離開與相鄰字線WLK-1和WLK+1耦接的存儲器單元的單元電容器的運動，從而損壞存儲器單元的數據。
[0010]將特定字線(例如，字線WLK)被重復激活多于預定次數、因而與相鄰字線(例如，字線WLK-1和WLK+1)耦接的存儲器單元的數據受到頻繁激活字線WLK影響的現象稱為“行擊效應(row hammer effect)”。用于解決行擊效應的方法是，對與頻繁激活字線WLK相鄰設置的相鄰字線WLK-1和WLK+1執行激活操作的方法。通過對相鄰字線WLK-1和WLK+1執行激活操作，與相鄰字線WLK-1和WLK+1耦接的存儲器單元的數據被再次編程，防止了數據被損壞。然而，這種用于解決行擊效應的方法可能不能應用至冗余字線，這將在以下參照圖2描述。
[0011]圖2說明字線WL0至WL511和冗余字線RWL0至RWL7。圖2示出了用冗余字線RWL2替代字線WL3的情況。
[0012]當如在圖2中所示用冗余字線RWL2替代字線WL3、且字線WL3被重復訪問多于預定次數時，實際上是冗余字線RWL2被激活多于預定次數。在這種情況下，激活與字線WL3相鄰設置的相鄰字線WL2和WL4對防止行擊效應不起作用。這是因為，不是與字線WL2和WL4耦接的存儲器單元由于對字線WL3的頻繁訪問而可能丟失其數據，而是與冗余字線RWL1和RWL3耦接的存儲器單元由于對字線WL3的頻繁訪問而可能丟失其數據。
【發明內容】
[0013]本發明的實施例針對防止冗余區域中的行擊效應的多種技術。
[0014]根據本發明的一個實施例，一種存儲器件包括:多個冗余字線，其中每個與多個冗余存儲器單元耦接；以及冗余刷新電路，適于順序地刷新所述多個冗余字線之中的被選中作為用于額外的刷新操作的目標字線的第一冗余字線。
[0015]所述第一冗余字線可以基于所述多個冗余字線之中的用于修復操作的第二冗余字線的數量而被選中作為所述目標字線。
[0016]所述多個冗余字線之中的用于修復操作的冗余字線可以被包括在所述第一冗余字線中。
[0017]在所述存儲器件中，在偶數編號的冗余字線全部用于修復操作之后，奇數編號的冗余字線可以用于修復操作。
[0018]所述第一冗余字線可以基于所述奇數編號的冗余字線之中的用于所述修復操作的第三冗余字線的數量而被選中作為所述目標字線。
[0019]當所述奇數編號的冗余字線之中沒有字線用于所述修復操作時，沒有目標字線用于所述額外的刷新操作。
[0020]在所述存儲器件中，在奇數編號的冗余字線全部用于所述修復操作之后，偶數編號的冗余字線可以用于修復操作。
[0021]所述第一冗余字線可以基于用于修復操作的第四冗余字線的數量而被選中作為所述目標字線。
[0022]當所述偶數編號的冗余字線之中沒有字線用于所述修復操作時，沒有目標字線用于所述額外的刷新操作。
[0023]根據本發明的另一個實施例，一種存儲器件包括:多個正常字線，其中每個與多個正常存儲器單元耦接；多個冗余字線，其中每個與多個冗余存儲器單元耦接；正常刷新電路，適于當刷新信號被使能時，順序地刷新所述多個正常字線之中的未修復的正常字線和所述多個冗余字線之中的用于修復操作的第一冗余字線；以及冗余刷新電路，適于當冗余刷新信號被使能時，順序地刷新所述多個冗余字線之中的被選中作為額外的刷新操作的目標字線的第二冗余字線。
[0024]每當所述刷新信號被使能預定次數時，所述冗余刷新信號可以被使能。
[0025]所述冗余刷新電路可以包括:計數單元，適于在每當所述冗余刷新信號被使能時增加碼的值；刷新使能信號發生單元，適于通過對所述碼進行譯碼來產生對應于所述多個冗余字線的多個刷新使能信號；以及初始化單元，適于當所述碼的值達到設置值時初始化所述碼，其中，所述設置值基于所述第二冗余字線的數量來確定。
[0026]所述第二冗余字線可以基于所述第一冗余字線的數量而被選中作為所述目標字線。
[0027]所述第一冗余字線可以被包括在所述第二冗余字線中。
[0028]在所述存儲器件中，在偶數編號的冗余字線全部用于修復操作之后，奇數編號的冗余字線可以用于修復操作。
[0029]所述第二冗余字線可以基于用于所述修復操作的第三冗余字線的數量而被選中作為所述目標字線。
[0030]當所述奇數編號的冗余字線之中沒有字線用于修復操作時，可以沒有目標字線用于所述額外的刷新操作。
[0031]在所述存儲器件中，在奇數編號的冗余字線全部用于所述修復操作之后，偶數編號的冗余字線可以用于所述修復操作。
[0032]所述第二冗余字線可以基于用于所述修復操作的第四冗余字線的數量而被選中作為所述目標字線。
[0033]當所述偶數編號的冗余字線之中沒有字線用于所述修復操作時，可以沒有目標字線用于所述額外的刷新操作。
[0034]根據本發明的另一個實施例，一種存儲器件包括:多個冗余字線，適于修復多個正常字線；正常刷新電路，適于針對刷新操作而順序地刷新所述多個冗余字線之中的用于修復所述多個正常字線的第一冗余字線；以及冗余刷新電路，適于針對當所述刷新操作被執行了預定次數時執行一次的額外的刷新操作，順序地刷新所述第一冗余字線之中的被選中作為目標字線的第二冗余字線。
[0035]所述第二冗余字線可以基于所述第一冗余字線的數量而被選中作為所述目標字線。
【附圖說明】
[0036]圖1說明存儲器中包括的單元陣列的一部分且描述字線干擾效應。
[0037]圖2說明字線WL0至WL511和冗余字線RWL0至RWL7。
[0038]圖3是說明根據本發明的一個實施例的存儲器件的框圖。
[0039]圖4說明在冗余刷新信號發生器350中產生的冗余刷新信號R_REF。
[0040]圖5是說明根據本發明的另一個實施例的存儲器件的框圖。
[0041]圖6是說明圖5中所示的冗余行電路320的框圖。
[0042]圖7是說明圖5中所示的冗余刷新電路540的框圖。
[0043]圖8A和圖8B說明圖5至圖7的存儲器件的第一應用實例。
[0044]圖9A和圖9B說