用于優化存儲設備的壽命的方法和裝置的制造方法
【專利說明】用于優化存儲設備的壽命的方法和裝置
[0001]相關串請的交叉引用
[0002]本公開內容要求提交于2013年6月21日的第61/838，008號美國臨時申請和提交于2014年6月16日的第14/305,383號美國申請的優先權，這些申請通過引用結合于此。
技術領域
[0003]本公開內容總體涉及固態存儲設備系統和方法，并且更具體地涉及優化固態存儲設備的壽命。
【背景技術】
[0004]這里提供的【背景技術】描述是為了一般地呈現公開內容的背景。當前名義的發明人的工作在這一【背景技術】章節中描述該工作的程度上以及該描述的可以在提交時未另外限定為現有技術的方面既未明確地也未暗示地承認為相對于本公開內容的現有技術。
[0005]典型固態存儲設備(例如NAND閃存設備)的壽命經常基于對設備執行多少個編程/擦除周期(P/E周期)來確定。這些設備的磨損水平往往隨著P/E周期的數目成比例地增加，這引起更大數目的讀取錯誤。然而，每個設備可以執行的P/E周期的數目可以在設備之間變化。這樣，基于P/E周期的數目確定給定的設備的壽命的典型設備造成不準確(例如過早地標記壞設備/塊)。
【發明內容】
[0006]在一些實施例中，優化存儲設備的壽命。接收用于將數據存儲到存儲設備的請求。存儲設備包括多個區域。作出多個區域的第一組區域與比多個區域的第二組區域更低的錯誤測量閾值更低的錯誤測量閾值的確定。基于該確定選擇存儲設備的在第一組區域中的區域。將數據存儲到選擇的區域。
[0007]在一些實現中，多個區域的每個區域與磨損水平關聯。在一些實現中，響應于將數據存儲到選擇的區域來調整與選擇的區域關聯的磨損水平。在一些實施例中，響應于向不同組移動選擇的區域來重置與選擇的區域關聯的磨損水平。在一些實施例中，磨損水平代表擦除計數、編程-擦除(P/E)周期和在讀取操作中出現的錯誤位的數目中的至少一個。
[0008]在一些實施例中，讀取被存儲到選擇的區域的數據。計算代表多少個錯誤由從選擇的區域讀取數據而產生的錯誤數目。響應于確定錯誤數目大于與第一組區域關聯的錯誤測量閾值，從第一組區域向第二組區域移動選擇的區域。
[0009]在一些實施例中，響應于確定第一解碼技術未能解碼在選擇的部分中存儲的數據，作出關于第二解碼技術是否成功地解碼在選擇的部分中存儲的數據的確定。第二解碼技術可以比第一解碼技術更復雜。響應于確定第二解碼技術成功地解碼數據，從第一組區域向第二組區域移動選擇的區域。
[0010]在一些實施例中，標識與用于存儲數據的請求關聯的大小。作出關于在第一組中的區域的大小是否至少對應于標識的大小的確定。在一些實現中，錯誤測量閾值代表讀取錯誤的數目和用來解碼從區域的給定一個區域讀取的數據的解碼復雜度水平中的至少一個。
[0011]在一些實施例中，一種系統優化存儲設備的壽命。該系統包括配置為接收用于將數據存儲到存儲設備的請求的控制電路裝置，其中存儲設備包括多個區域。控制電路裝置被配置為確定多個區域的第一組區域與比多個區域的第二組區域更低的錯誤測量閾值關聯。控制電路裝置被配置為基于該確定選擇存儲設備的在第一組區域中的區域。控制電路裝置被配置為將數據存儲到選擇的區域。
[0012]在一些實現中，多個區域中的每個區域與磨損水平關聯。控制電路裝置還被配置為響應于將數據存儲到選擇的區域來調整與選擇的區域關聯的磨損水平。在一些實現中，控制電路裝置還被配置為響應于向不同組移動選擇的區域來重置與選擇的區域關聯的磨損水平。磨損水平可以代表錯誤計數、編程-擦除(P/E)周期和在讀取操作中出現的錯誤位數目中的至少一個。
[0013]在一些實施例中，控制電路裝置還被配置為響應于確定第一解碼技術未能解碼在選擇的部分中存儲的數據來確定第二解碼技術是否成功地解碼在選擇的部分中存儲的數據，其中第二解碼技術比第一解碼技術更復雜。響應于確定第二解碼技術成功地解碼數據，控制電路裝置還被配置為從第一組區域向第二組區域移動選擇的區域。
[0014]在一些實施例中，控制電路裝置還被配置為標識與用于存儲數據的請求關聯的大小。控制電路裝置還被配置為確定在第一組中的區域的大小是否至少對應于標識的大小。在一些實現中，錯誤測量閾值可以代表讀取錯誤的數目和用來解碼從區域的給定一個區域讀取的數據的解碼復雜度水平中的至少一個。
[0015]在一些實施例中，一種存儲設備被劃分成多個區域。錯誤特性與多個區域的每個區域關聯。多個區域的每個區域基于相應區域的關聯錯誤特性而被分組成多個組的對應組，其中每個組對應于不同的錯誤測量閾值。
【附圖說明】
[0016]在附圖和以下描述中闡述一個或者多個實現的細節。其它特征和各種優點將在考慮結合附圖進行的以下具體描述時更清楚，在附圖中:
[0017]圖1是根據本公開內容的實施例的不例存儲設備系統的圖；
[0018]圖2是根據本公開內容的實施例的示例存儲塊分組表的圖；以及
[0019]圖3和圖4是根據本公開內容的實施例的用于優化存儲設備的壽命的示例過程。
【具體實施方式】
[0020]本公開內容總體涉及優化存儲設備的壽命。出于示例目的，在固態存儲設備(例如閃存設備或者基于NAND的存儲設備)的上下文中描述本公開內容。然而，應當理解本公開內容適用于任何其它類型的非易失性存儲設備(例如磁存儲設備、ROM、PROM, EPROM,EEPROM、nvSRAM、FeRAM、MRAM、PRAM、CBRAM、S0N0S、RRAM、NRAM、Millipede 存儲器或者全息存儲設備)。
[0021]圖1是根據本公開內容的實施例的示例存儲設備系統100的圖。系統100包括控制電路裝置110、固態存儲設備120、存儲塊分組表130和錯誤糾正/檢測電路裝置140。
[0022]在一些實施例中，控制電路裝置110可以從另一系統部件(未示出)接收數據140。例如數據140可以由應用或者另一存儲設備(例如DRAM)提供。數據140可以包括用戶數據部分、地址部分和指示讀取或者寫入請求(例如指示是否讀取或者向地址部分寫入用戶數據)的控制部分。
[0023]存儲塊分組表130可以包括存儲設備120的塊和組編號的映射。例如存儲設備120可以包括多個部分或者區域(例如塊)。每個部分或者區域可以被配置為存儲預定數目的信息位。在一些實現中，每個部分或者區域可以包括信息部分。信息部分可以存儲或跟蹤在給定的部分或者區域執行的P/E周期的數目和/或在該部分或者區域中出現的讀取錯誤的數目。初始地，所有部分或者區域可以與可以是最低級組的第一組編號(例如組0)關聯。在一些實施例中，控制電路裝置110可以在系統100被重置或者接收重置信號時關聯存儲設備120的所有部分或者區域與第一組編號。為了關聯存儲設備120的所有部分或者區域與第一組編號，控制電路裝置110可以在表130中在與第一級組對應的行中存儲與存儲設備120中的所有部分或者區域的標識符。在一些實施例中，存儲設備120的所有部分或者區域可以在存儲設備120在工廠中被生產之后就立即與第一組編號關聯。在存儲設備120的部分或者區域與不同組編號之間的后續關聯可以在系統被重置或者接收重置信號時未改變。
[0024]在一些實施例中，表130可以被劃分成多組。每個組可以與不同水平和不同錯誤測量閾值項關聯。在一些實現中，錯誤測量閾值可以代表從給定的部分或者區域讀取數據產生的讀取錯誤的數目。在一些實現中，錯誤測量閾值可以代表用來解碼從給定的部分或者區域讀取的數據的解碼復雜度水平(例如一個水平可以是使用硬信息的LDPC