到存儲器控制器810。
[0154]命令輸出單元811可將用于請求存儲器操作的命令CMD提供到存儲器裝置820。另外，電力調節器812可將控制信號(C0N_Vol)提供到存儲器裝置820，以調節在存儲器裝置820中使用的各種電壓。漏電流分析單元813可根據一個或更多個實施例執行漏電流分析操作，并且可將分析結果提供到電力調節器812。電力調節器812可給存儲器裝置820提供與漏電流分析單元813的分析結果對應的控制信號。
[0155]在圖19中示出的實施例中，可通過與存儲器單元陣列821的字線和/或位線連接的漏電流測量單元823來執行漏電流測量操作。另外，漏電流分析單元813可通過使用測量結果來執行漏電流分析操作并且可基于分析結果而輸出用于調節一個或更多個禁止電壓的電平的控制信息。電力發生器822可基于來自存儲器控制器810的控制信號為存儲器單元陣列821提供電平被調節的禁止電壓，使得可管理在存儲器單元陣列821中出現的漏電流。
[0156]圖20是示出根據發明構思的實施例的可包含電阻型存儲器系統的存儲卡系統900的框圖。
[0157]參照圖20，存儲卡系統900可包括主機910和存儲卡920。主機910可包括主機控制器911和主機連接器912。存儲卡920可包括卡連接器921、卡控制器922和存儲器裝置923。這里，可通過使用圖1至圖19中示出的實施例中的一個實施例來實施存儲器裝置923，使得存儲器裝置923可包括用于測量和分析漏電流的單元，并且可根據漏電流的分析結果，調節被提供到布置在存儲器裝置923中的存儲器單元陣列的各種禁止電壓的電平。
[0158]主機910可將數據寫入存儲卡920或者可讀取存儲在存儲卡920中的數據。主機控制器911可經由主機連接器912將命令CMD、主機910中的時鐘發生器(未示出)產生的時鐘信號CLK和數據DATA發送到存儲卡920。
[0159]響應于經由卡連接器921接收到的命令CMD，卡控制器922可與由卡控制器922中的時鐘發生器(未示出)產生的時鐘信號同步地將數據DATA存儲在存儲器裝置923中。存儲器裝置923可存儲從主機910發送的數據DATA。
[0160]存儲卡920可被實施為CFC、微驅動器、SMC、MMC、安全數字卡(SDC)、記憶棒或USB閃存驅動器。
[0161]圖21示出了根據發明構思的實施例的電阻型存儲器模塊1000。參照圖21，電阻型存儲器模塊1000可包括存儲器裝置1021至1024和控制芯片1010。可通過使用圖1至圖19中示出的實施例之一來實施存儲器裝置1021至1024中的每個。響應于由外部存儲器控制器發送的各種信號，控制芯片1010可控制存儲器裝置1021至1024。例如，根據從外部源發送的各種命令和地址，控制芯片1010可啟動與各種命令和地址對應的存儲器裝置1021至1024，因此可控制寫操作和讀操作。另外，控制芯片1010可對從存儲器裝置1021至1024中的每個輸出的讀數據執行各種后處理操作，例如，控制芯片1010可對讀數據執行檢錯操作和糾錯操作。
[0162]在本實施例中，存儲器裝置1021至1024中的每個可包括用于測量和分析漏電流的單元，并且可根據漏電流的分析結果，調節被提供到布置在存儲器裝置1021至1024中的每個中的存儲器單元陣列的各種禁止電壓的電平。
[0163]圖22是示出根據發明構思的實施例的包括電阻型存儲器系統的計算系統1100的框圖。
[0164]參照圖22，計算系統1100可包括存儲器系統1110、處理器1120、RAM1130、輸入/輸出(I/o)裝置1140和電源裝置1150。存儲器系統1110可包括存儲器裝置1111和存儲器控制器1122。盡管在圖22中未示出，但計算系統1100還可包括用于與視頻卡、聲卡、存儲卡或USB裝置通信的端口、或者其它電子裝置。計算系統1100可被實施為PC、或者諸如筆記本計算機、移動電話、個人數字助理(PDA)或相機的便攜式電子裝置。
[0165]處理器1120可執行特定的計算或任務。在本實施例中，處理器1120可以是微處理器、中央處理單元(CPU)等。處理器1120可經由諸如地址總線、控制總線或數據總線的總線1160來與RAM 1130、I/O裝置1140和存儲器系統1110執行通信。這里，可通過使用圖1至圖19中示出的實施例之一的存儲器裝置來實施存儲器系統1110和/或RAM 1130。
[0166]在本實施例中，處理器1120還可連接到諸如外圍組件互連(PCI)總線的擴展總線。
[0167]RAM 1130可存儲用于計算系統1100的操作的數據。如上所述，根據發明構思的一個或更多個實施例的存儲器裝置可應用于RAM 1130。可供選擇地，DRAM、移動DRAM、SRAM、PRAM、FRAM 或 MRAM 可用作 RAM 1130。
[0168]I/O裝置1140可包括諸如鍵盤、小型鍵盤或鼠標的輸入單元和諸如打印機或顯示器的輸出單元。電源裝置1150可供應用于計算系統1100的操作的操作電壓。
[0169]雖然已經參照發明構思的示例性實施例具體示出和描述了發明構思，但將理解的是，可在不脫離權利要求的范圍的情況下，在其中進行形式和細節上的各種變化。
【主權項】
1.一種電阻型存儲器裝置的操作方法，所述方法包括下述步驟: 向電阻型存儲器裝置的存儲器單元陣列施加偏置控制電壓； 測量響應于施加的偏置控制電壓在存儲器單元陣列中出現的漏電流，以產生測量結果; 基于測量結果來產生控制信號；以及 響應于控制信號來調節偏置控制電壓的電平。2.根據權利要求1所述的操作方法，所述操作方法還包括: 存儲與調節偏置控制電壓的電平關聯的控制信息。3.根據權利要求1所述的操作方法，所述操作方法還包括: 在電阻型存儲器裝置的通電時間段期間進入測試模式，其中，偏置控制電壓的施加步驟、漏電流的測量步驟、控制信號的產生步驟以及偏置控制電壓的電平的調節步驟是在測試模式期間執行的。4.根據權利要求1所述的操作方法，所述操作方法還包括: 進入電阻型存儲器裝置的正常模式，在正常模式期間執行正常存儲器操作， 其中，偏置控制電壓的施加步驟、漏電流的測量步驟、控制信號的產生步驟和偏置控制電壓的電平的調節步驟是在正常模式期間執行的。5.根據權利要求1所述的操作方法，其中，漏電流的測量步驟包括: 使用與存儲器單元陣列的字線連接的測量儀器，測量正向漏電流； 使用與存儲器單元陣列的位線連接的測量儀器，測量反向漏電流。6.根據權利要求5所述的操作方法，其中，控制信號的產生步驟包括響應于對正向漏電流的值和反向漏電流的值的分析來產生控制信號。7.根據權利要求6所述的操作方法，其中，控制信號的產生步驟包括基于對正向漏電流和反向漏電流的增大模式和減小模式的分析來產生控制信號。8.根據權利要求7所述的操作方法，其中，偏置控制電壓的電平的調節步驟包括根據正向漏電流的值和反向漏電流的值中的至少一個來調節禁止電壓的電平。9.根據權利要求5所述的操作方法，其中，控制信號的產生步驟包括訪問列出的與正向漏電流和反向漏電流對應的控制信息的查詢表。10.根據權利要求1所述的操作方法，其中，偏置控制電壓的施加步驟包括向存儲器單元陣列施加多個禁止電壓，其中，所述多個禁止電壓中的每個禁止電壓具有隨機設置的電平。11.根據權利要求1所述的操作方法，其中，偏置控制電壓的施加步驟包括向存儲器單元陣列施加多個禁止電壓，其中，所述多個禁止電壓中的每個禁止電壓具有按照存儲器操作設置的電平。12.根據權利要求1所述的操作方法，其中，存儲器單元陣列包括多個存儲器單元區， 漏電流的測量步驟包括測量所述多個存儲器單元區中的每個存儲器單元區的漏電流，以產生所述多個存儲器單元區中的每個存儲器單元區的測量結果， 基于測量結果來產生控制信號的步驟包括分別基于所述多個存儲器單元區中的每個存儲器單元區的測量結果來產生多個控制信號， 偏置控制電壓包括多個禁止電壓，調節偏置控制電壓的電平的步驟包括分別響應于所述多個控制信號中的對應的控制信號來調節所述多個禁止電壓的電平。13.根據權利要求1所述的操作方法，其中，所述存儲器單元陣列包括字線和位線， 偏置控制信號包括第一禁止電壓和第二禁止電壓，其中，被提供到至少一條字線的第一禁止電壓的電平是響應于控制信號來調節的，被提供到至少一條位線的第二禁止電壓的電平是響應于控制信號來調節的。14.一種操作電阻型存儲器裝置的方法，所述方法包括下述步驟: 向選擇的字線施加第一偏置控制電壓并且向未選擇的字線施加第一禁止電壓； 向選擇的位線施加第二偏置控制電壓并且向未選擇的位線施加第二禁止電壓； 經由與存儲器單元連接的字線和位線中的至少一種來測量與所述存儲器單元關聯的漏電流，以產生測量結果； 響應于測量結果來調節第一禁止電壓和第二禁止電壓中的至少一個的電平。15.根據權利要求14所述的方法，其中，漏電流的測量步驟包括借助至少兩條字線來測量漏電流，使得借助所述至少兩條字線之中的一條字線來測量正向漏電流，借助所述至少兩條字線中的另一條字線來測量反向漏電流。16.根據權利要求14所述的方法，其中，漏電流的測量步驟包括借助至少兩條位線來測量漏電流，使得借助所述至少兩條位線之中的一條位線來測量正向漏電流，借助所述至少兩條位線中的另一條位線測量來反向漏電流。17.根據權利要求14所述的方法，其中，漏電流的測量步驟包括測量正向漏電流和反向漏電流， 響應于測量結果調節第一禁止電壓和第二禁止電壓中的所述至少一個的電平的步驟包括當正向漏電流增大時增大第一禁止電壓的電平，當反向漏電流增大時增大第二禁止電壓的電平。18.根據權利要求14所述的方法，所述方法還包括: 接收請求存儲器操作的命令，其中，根據被請求的存儲器操作的類型，響應于測量結果來按不同方式調節第一禁止電壓和第二禁止電壓的各個電平。19.一種電阻型存儲器裝置，包括: 存儲器單元陣列，包括字線和位線； 電力發生器，產生被施加到存儲器單元陣列的至少一個禁止電壓； 測量和分析單元，連接到字線和位線中的至少一條，以測量存儲器單元陣列中出現的漏電流，從而產生調節所述至少一個禁止電壓的相應電平的控制信號。20.根據權利要求19所述的電阻型存儲器裝置，所述電阻型存儲器裝置還包括: 控制邏輯器，控制相對于存儲器單元陣列的讀/寫操作， 其中，控制邏輯器響應于測量和分析單元產生的控制信號，控制電力發生器以調節所述至少一個禁止電壓的所述相應電平。
【專利摘要】提供了一種電阻型存儲器裝置和一種電阻型存儲器裝置的操作方法，所述操作方法包括：向電阻型存儲器裝置的存儲器單元陣列施加偏置控制電壓；測量響應于施加的偏置控制電壓在存儲器單元陣列中出現的漏電流，以產生測量結果；基于測量結果來產生控制信號；響應于控制信號來調節偏置控制電壓的電平。
【IPC分類】G11C13/00
【公開號】CN105244055
【申請號】CN201510394397
【發明人】樸賢國, 李永宅, 邊大錫, 李镕圭, 權孝珍
【申請人】三星電子株式會社
【公開日】2016年1月13日
【申請日】2015年7月7日
【公告號】US20160005463