一種芯片中壞塊地址的跳轉方法和裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及電子技術領域，特別是涉及一種芯片中壞塊地址的跳轉方法和裝置。
【背景技術】
[0002]隨著現代化技術的不斷發展，嵌入式設備發展迅速，尤其是應用于智能系統，它們廣泛應用于工業控制、手機、導航等領域，這些嵌入式設備大多都搭載了大容量的閃存芯片，以滿足系統和數據的儲存要求。
[0003]然而，由于閃存芯片的生產工藝導致內部會存在無法進行讀寫操作的壞塊，但是嵌入式設備在設計過程中，會對壞塊出現的范圍有一定的要求，而閃存芯片的生產廠家一般只能保證閃存芯片無壞塊或對壞塊的數量進行控制，因而閃存芯片的生產廠家需要在閃存芯片出廠時進行壞塊檢測，嵌入式設備的生產商也會在設備生產前對采購的閃存芯片進行測試，以檢測其壞塊出現的區域是否在允許的范圍內。
[0004]在市場上有很多針對閃存芯片的燒寫、檢測工具，它們功能強大，具備檢測、燒寫、擦除、校驗等功能，但是普遍價格昂貴，使用復雜，速度慢。或者利用閃存芯片內設置的比較電路進行壞塊位置的比對，一組壞塊地址信息需要一個比較電路進行比對，過多的比較電路會占用閃存芯片的面積，造成閃存芯片的面積過大，也提高了閃存芯片的制作成本。
【發明內容】
[0005]本發明提供一種芯片中壞塊地址的跳轉方法和裝置，以解決比較電路占用閃存芯片的面積，造成閃存芯片的面積過大，也提高了閃存芯片的制作成本的問題。
[0006]為了解決上述問題，本發明提供了一種芯片中壞塊地址的跳轉方法，所述芯片包括第零芯片裸片和第一芯片裸片，所述方法包括:
[0007]將被訪問的塊的地址信息輸入至所述第一芯片裸片；
[0008]將所述第零芯片裸片中鎖存的壞塊的地址信息依次輸出至所述第一芯片裸片；
[0009]在所述第一芯片裸片中比對所述壞塊的地址信息與所述被訪問的塊的地址信息，得到比對結果；
[0010]根據所述比對結果進行壞塊地址的跳轉。
[0011]優選地，所述將被訪問的塊的地址信息輸入至所述第一芯片裸片之前，所述方法還包括:
[0012]通過列地址將所述壞塊的地址信息鎖存到所述第零芯片裸片。
[0013]優選地，所述通過列地址將所述壞塊的地址信息鎖存到所述第零芯片裸片，包括:
[0014]通過所述壞塊的地址信息在陣列中的列地址尋址讀出所述壞塊的地址信息；
[0015]通過譯碼將所述壞塊的地址信息從解碼數據輸入端鎖存至所述第零芯片裸片。
[0016]優選地，所述將所述第零芯片裸片中鎖存的壞塊的地址信息依次輸出至所述第一芯片裸片，包括:
[0017]通過所述壞塊的地址信息在陣列中的列地址將所述第零芯片裸片中鎖存的預設數量的所述壞塊的地址信息依次串聯輸出至所述第一芯片裸片。
[0018]優選地，所述根據所述比對結果進行壞塊地址的跳轉，包括:
[0019]若所述比對結果表示所述壞塊的地址信息包括所述被訪問的塊的地址信息，則進行壞塊地址的跳轉。
[0020]相應地，本發明還提供了一種芯片中壞塊地址的跳轉裝置，所述芯片包括第零芯片裸片和第一芯片裸片，所述裝置包括:
[0021 ] 訪問地址輸入模塊，用于將被訪問的塊的地址信息輸入至所述第一芯片裸片；
[0022]壞塊地址輸出模塊，用于將所述第零芯片裸片中鎖存的壞塊的地址信息依次輸出至所述第一芯片裸片；
[0023]地址比對模塊，用于在所述第一芯片裸片中比對所述壞塊的地址信息與所述被訪問的塊的地址信息，得到比對結果；
[0024]跳轉模塊，用于根據所述比對結果進行壞塊地址的跳轉。
[0025]優選地，所述裝置還包括:
[0026]壞塊地址鎖存模塊，用于在所述訪問地址輸入模塊將被訪問的塊的地址信息輸入至所述第一芯片裸片之前，通過列地址將所述壞塊的地址信息鎖存到所述第零芯片裸片。
[0027]優選地，所述壞塊地址鎖存模塊，包括:
[0028]壞塊地址讀出模塊，用于通過所述壞塊的地址信息在陣列中的列地址尋址讀出所述壞塊的地址信息；
[0029]壞塊地址輸入模塊，用于通過譯碼將所述壞塊的地址信息從解碼數據輸入端鎖存至所述第零芯片裸片。
[0030]優選地，所述壞塊地址輸出模塊通過所述壞塊的地址信息在陣列中的列地址將所述第零芯片裸片中鎖存的預設數量的所述壞塊的地址信息依次串聯輸出至所述第一芯片裸片。
[0031]優選地，所述跳轉模塊若所述比對結果表示所述壞塊的地址信息包括所述被訪問的塊的地址信息，則進行壞塊地址的跳轉。
[0032]與現有技術相比，本發明包括以下優點:
[0033]芯片在出廠前需要進行壞塊檢測，如果檢測到存在壞塊，會把壞塊的地址信息寫入陣列的特定位置中，壞塊的地址信息在芯片壽命范圍內不會被改變，用戶也不能改變。
[0034]芯片中包括第零芯片裸片和第一芯片裸片，將被訪問的塊的地址信息輸入至第一芯片裸片；將第零芯片裸片中鎖存的壞塊的地址信息依次輸出至第一芯片裸片，即將壞塊的地址信息依次串聯在一起輸入至第一芯片裸片；在第一芯片裸片中比對壞塊的地址信息與被訪問的塊的地址信息，得到比對結果；根據比對結果進行壞塊地址的跳轉。將壞塊的地址信息依次串聯在一起通過掃描式比對，則只需要一個第一芯片裸片，節省了芯片的面積，降低了芯片的制作成本。
【附圖說明】
[0035]圖1是本發明實施例一中的一種芯片中壞塊地址的跳轉方法的步驟流程圖；
[0036]圖2是本發明實施例二中的一種芯片中壞塊地址的跳轉方法的原理示意圖；
[0037]圖3是本發明實施例二中的一種芯片中壞塊地址的跳轉方法的步驟流程圖；
[0038]圖4是本發明實施例二中的一種芯片中壞塊地址的跳轉方法的匹配波形示意圖；
[0039]圖5是本發明實施例三中的一種芯片中壞塊地址的跳轉裝置的結構圖；
[0040]圖6是本發明實施例四中的一種芯片中壞塊地址的跳轉裝置的結構圖。
【具體實施方式】
[0041]為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖和【具體實施方式】對本發明作進一步詳細的說明。
[0042]下面通過列舉幾個具體的實施例詳細介紹本發明提供的一種芯片中壞塊地址的跳轉方法和裝置。
[0043]實施例一
[0044]本發明實施例一提供了一種芯片中壞塊地址的跳轉方法。本發明實施例中的芯片可以包括第零芯片裸片和第一芯片裸片。
[0045]參照圖1，示出了本發明實施例一中的一種芯片中壞塊地址的跳轉方法的步驟流程圖。
[0046]步驟100，將被訪問的塊的地址信息輸入至所述第一芯片裸片。
[0047]在芯片上電結束后，用戶可以對芯片進行正常的操作，以讀操作為例，在正常的讀數據之前，首先要進行壞塊(bad block)掃描，被訪問的塊可以為芯片中的其中一個塊。
[0048]以NAND FLASH 為例，NAND FLASH 中共有 1024 個 block，地址從 O 到 1023，若被訪問的block的地址為314，則將RA<15:6> = 314(block的地址，即行地址為314)輸入到Diel〈ll:0>(第一芯片裸片)。
[0049]步驟102，將所述第零芯片裸片中鎖存的壞塊的地址信息依次輸出至所述第一芯片裸片。
[0050]芯片在出廠前需要測試，如果測試到壞塊的存在，則會將壞塊的地址信息寫入到陣列(ARRAY)的特定位置中。在給芯片上電后，自動將ARRAY中的壞塊的地址信息讀出。
[0051]第零芯片裸片用于存儲從ARRAY中讀出的壞塊的地址信息。
[0052]步驟104，在所述第一芯片裸片中比對所述壞塊的地址信息與所述被訪問的塊的地址信息，得到比對結果。
[0053]壞塊的地址信息和被訪問的塊的地址信息均存儲在第一芯片裸片中。
[0054]若壞塊的地址信息包括被訪問的塊的地址信息，則Hi t〈 11: 0> (比對結果)全為I ;若壞塊的地址信息不包括被訪問的塊的地址信息，則表示被訪問的塊是正常的塊。
[0055]步驟106，根據所述比對結果進行壞塊地址的跳轉。
[0056]芯片內部電路會根據:0>的值來確定跳轉到替換壞塊的塊的操作。
[0057]本發明實施例通過采用上述方案，芯片在出廠前需要進行壞塊檢測，如果檢測到存在壞塊，會把壞塊的地址信息寫入陣列的特定位置中，壞塊的地址信息在芯片壽命范圍內不會被改變，用戶也不能改變。
[0058]芯片中包括第零芯片裸片和第一芯片裸片，將被訪問的塊的地址信息輸入至第一芯片裸片；將第零芯片裸片中鎖存的壞塊的地址信息依次輸出至第一芯片裸片，即將壞塊的地址信息依次串聯在一起輸入至第一芯片裸片；在第一芯片裸片中比對壞塊的地址信息與被訪問的塊的地址信息，得到比對結果；根據比對結果進行壞塊地址的跳轉。將壞塊的地址