快速擦除的flash芯片及擦除方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種快速擦除的FLA甜芯片及擦除方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有技術(shù)中閃存（FlashMemory)擦除時(shí)，預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元所在阱區(qū)及預(yù)擦 除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極（巧施加正高壓，控制柵極（CG)施加負(fù)高壓，并息空漏極值）；W 此，所施加的正高壓和負(fù)高壓在存儲(chǔ)單元的浮動(dòng)?xùn)艠O（FG)和源極之間形成電壓差，產(chǎn)生隧 道效應(yīng)，使得浮動(dòng)?xùn)艠O中電荷流向源極，進(jìn)而改變存儲(chǔ)單元的闊值電壓，實(shí)現(xiàn)對(duì)預(yù)擦除存儲(chǔ) 單元的擦除。同時(shí)，在擦除時(shí)，同一阱區(qū)中的非擦除區(qū)域的存儲(chǔ)單元，源極也施加相同的正 高壓，控制柵極施加正低壓，并息空漏極；W此，在非擦除區(qū)域存儲(chǔ)單元的控制柵極施加的 正低壓和源極施加的正高壓不會(huì)使浮動(dòng)?xùn)艠O和源極之間產(chǎn)生隧道效應(yīng)。
[0003] 在控制柵極和源極產(chǎn)生電壓差的方式進(jìn)行擦除時(shí)，雖對(duì)閃存中電介質(zhì)要求較少， 但該種方式會(huì)對(duì)同一阱區(qū)中非擦除區(qū)域存儲(chǔ)單元有較強(qiáng)的擦除干擾。擦除干擾是指擦除 時(shí)，預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元柵極施加的正高壓和阱區(qū)所述施加的正高壓對(duì)非擦除區(qū)域存儲(chǔ) 單元闊值電壓產(chǎn)生的影響。例如，因在擦除時(shí)阱區(qū)施加了正高壓，同時(shí)因非擦除區(qū)域存儲(chǔ)單 元控制柵極施加的是正低壓，會(huì)使得非擦除區(qū)域存儲(chǔ)單元的控制柵極和阱區(qū)存在一個(gè)應(yīng)力 作用，引起浮動(dòng)?xùn)艠O中電荷的變化，進(jìn)而改變非擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的闊值電壓，影響存儲(chǔ) 單元數(shù)據(jù)讀取時(shí)的正確性等。
[0004] 為了消除擦除時(shí)擦除干擾的影響，現(xiàn)有技術(shù)中在擦除結(jié)束后需對(duì)非擦除區(qū)域中存 儲(chǔ)單元進(jìn)行一次擦除修復(fù)操作，即對(duì)非擦除區(qū)域進(jìn)行驗(yàn)證和寫（編程)，也即是通過驗(yàn)證操 作確定受擦除干擾影響的存儲(chǔ)單元，通過編程操作消除受擦除干擾影響存儲(chǔ)單元的闊值電 壓變化，W消除擦除干擾所引起的非擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的闊值電壓的變化。但現(xiàn)有技術(shù) 中，為消除擦除干擾而進(jìn)行的擦除修復(fù)操作，延長了擦除時(shí)間，增大了擦除操作的時(shí)間開 銷，進(jìn)而降低了擦除效率。
【發(fā)明內(nèi)容】
[000引為提升化A甜芯片的擦除效率，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種快速擦除的化A甜芯片 及FLA甜芯片的擦除方法。
[0006] 在第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種快速擦除的FLA甜芯片，包括：
[0007] 存儲(chǔ)陣列，所述存儲(chǔ)陣列包括m個(gè)子存儲(chǔ)陣列和隔離字線區(qū)域；
[0008] 所述m個(gè)子存儲(chǔ)陣列形成于同一阱區(qū)，W及每一個(gè)子存儲(chǔ)陣列的大小和FLA甜芯 片預(yù)設(shè)的最小擦除范圍的大小相同；
[0009] 隔離字線區(qū)域形成在相鄰的子存儲(chǔ)陣列之間；
[0010] m個(gè)子字線驅(qū)動(dòng)電路，分別連接于m個(gè)子存儲(chǔ)陣列，所述每一個(gè)子字線驅(qū)動(dòng)電路對(duì) 與其相連接的子存儲(chǔ)陣列提供驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)；W及
[0011] 位線選擇電路，提供多根位線，連接于所述存儲(chǔ)陣列中每列存儲(chǔ)單元的漏極，用于 選擇存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元；
[001引其中，m為正整數(shù)，2《m。
[0013] 進(jìn)一步的，快速擦除的FLA甜芯片，所述FLA甜芯片擦除時(shí)，所述FLA甜芯片配置 為：
[0014] 息空與存儲(chǔ)陣列相連接的位線，并施加一正高壓至阱區(qū)；
[0015] 施加所述正高壓至非擦除子存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元的控制柵極和源極；
[0016] 施加所述正高壓至隔離字線區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極和漏極，并施加一正低壓至隔 離字線區(qū)域中存儲(chǔ)單元的控制柵極；
[0017] 施加所述正高壓至預(yù)擦除子存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元的源極，并施加一負(fù)高壓至預(yù)擦 除子存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元的控制柵極；所述正高壓和所述負(fù)高壓的差值W使所述預(yù)擦除子 存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元產(chǎn)生隧道效應(yīng)，W實(shí)現(xiàn)擦除。
[0018] 進(jìn)一步的，所述的快速擦除的FLA甜芯片，所述隔離字線區(qū)域包括一行存儲(chǔ)單元。
[0019] 進(jìn)一步的，所述的快速擦除的FLA甜芯片，所述阱區(qū)為P阱。
[0020] 進(jìn)一步的，所述的FLA甜芯片，還包括邏輯控制單元；
[0021] 所述邏輯控制單元連接于所述m個(gè)子字線驅(qū)動(dòng)電路和所述位線選擇電路；W提供 邏輯控制。
[0022] 在第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種FLA甜芯片的擦除方法，包括：
[0023]FLA甜芯片接收擦除指令；
[0024] 息空與存儲(chǔ)陣列相連接的位線，并施加一正高壓至阱區(qū)；
[0025] 施加所述正高壓至非擦除子存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元的控制柵極和源極；
[0026] 施加所述正高壓至隔離字線區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極和漏極，并施加一正低壓至隔 離字線區(qū)域中存儲(chǔ)單元的控制柵極；
[0027] 施加所述正高壓至預(yù)擦除子存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元的源極，并施加一負(fù)高壓至預(yù)擦 除子存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元的控制柵極；所述正高壓和所述負(fù)高壓的差值W使所述子存儲(chǔ)陣 列中存儲(chǔ)單元產(chǎn)生隧道效應(yīng)，W實(shí)現(xiàn)擦除。
[0028] 進(jìn)一步的，所述的FLA甜芯片的擦除方法，所述阱區(qū)為P阱。
[0029] 本發(fā)明實(shí)施例中提供的FLA甜芯片及其擦除方法，包括存儲(chǔ)陣列，存儲(chǔ)陣列包括 多個(gè)子存儲(chǔ)陣列，其中，多個(gè)子存儲(chǔ)陣列形成于同一阱區(qū)中，并且每個(gè)個(gè)子存儲(chǔ)陣列的大小 和FLA甜芯片預(yù)設(shè)的最小擦除范圍大小一致。在擦除時(shí)，施加負(fù)高壓至預(yù)擦除子存儲(chǔ)陣列 的控制柵極，施加正高壓至源極，并息空漏極；同時(shí)，在非擦除子存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元的源 極和控制柵極施加相同的正高壓，息空漏極；W及在阱區(qū)施加相同的正高壓。因此，本實(shí)施 例中FLASH芯片及其擦除方法，因每個(gè)子存儲(chǔ)陣列的大小同F(xiàn)LASH芯片預(yù)設(shè)的最小擦除范 圍大小相同，每次擦除時(shí)都保證了擦除子存儲(chǔ)陣列中所有存儲(chǔ)單元都進(jìn)行擦除操作；并且 同時(shí)非擦除子存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元的控制柵極和源極都施加正高壓，使得非擦除子存儲(chǔ)陣 列中存儲(chǔ)單元的控制柵極、源極和阱區(qū)保持電壓平衡，阱區(qū)和控制柵極之間的應(yīng)力作用就 會(huì)消失，非擦除子存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元受擦除干擾影響就很小，進(jìn)而在擦除完成后不再需 要再進(jìn)行擦除修復(fù)操作，減少了擦除的時(shí)間開銷，實(shí)現(xiàn)FLASH芯片的擦除速度，提高了擦除 的效率。
【附圖說明】
[0030] 此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，并不 構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限定。在附圖中：
[003。 圖1示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中FLA細(xì)芯片存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)示意圖；
[003引圖2示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中FLA細(xì)芯片存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元分布示意圖；
[0033] 圖3示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中FLA甜芯片存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元分布的截面結(jié)構(gòu) 示意圖；
[0034] 圖4示出的是本發(fā)明實(shí)施例二中FLA細(xì)芯片結(jié)構(gòu)示意圖；
[003引圖5示出的是本發(fā)明實(shí)施例H中FLA細(xì)芯片擦除方法流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036] 下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更加詳細(xì)與完整的說明?？蒞理解的 是，此處所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說明的 是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。
[0037] 圖1示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中FLA細(xì)芯片結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038] 圖2示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中FLA甜芯片存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元分布結(jié)構(gòu)示意 圖。
[0039] 圖3示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中FLA甜芯片存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元分布的截面結(jié)構(gòu) 示意圖。
[0040] 參考圖1、圖2和圖3,本實(shí)施例中，化A甜芯片包括；存儲(chǔ)陣列11，存儲(chǔ)