消除擦除干擾的flash芯片擦除方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲器技術領域，尤其涉及一種消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方 法。
【背景技術】
[0002]現(xiàn)有技術中閃存（FlashMemory)擦除時，預擦除區(qū)域中存儲單元所在阱區(qū)及預擦 除存儲單元的源極（S)施加正高壓，控制柵極（CG)施加負高壓，并息空漏極（D);W此，所施 加的正高壓和負高壓在存儲單元的浮動柵極（FG)和源極之間形成電壓差，產(chǎn)生隧道效應， 使得浮動柵極中電荷流向源極，進而改變存儲單元的闊值電壓，實現(xiàn)對預擦除存儲單元的 擦除。同時，在擦除時，同一阱區(qū)中的非擦除區(qū)域的存儲單元，源極施加也施加相同的正高 壓，控制柵極施加正低壓，并息空漏極；W此，在非擦除區(qū)域存儲單元的控制柵極施加的正 低壓和源極施加的正高壓不會使浮動柵極和源極之間產(chǎn)生隧道效應。
[0003]在控制柵極和源極產(chǎn)生電壓差的方式進行擦除時，雖對閃存中電介質(zhì)要求較少， 但該種方式會對同一阱區(qū)中非擦除區(qū)域存儲單元有較強的擦除干擾。擦除干擾是指擦除 時，預擦除區(qū)域預擦除存儲單元柵極施加的正高壓和阱區(qū)所述施加的正高壓對非擦除區(qū)域 存儲單元闊值電壓產(chǎn)生的影響。例如，因在擦除時阱區(qū)施加了正高壓，同時因非擦除區(qū)域存 儲單元控制柵極施加的是正低壓，會使得非擦除存儲單元的控制柵極和阱區(qū)存在一個應力 作用，引起非擦除區(qū)域中存儲單元浮動柵極中電荷的變化，進而改變非擦除區(qū)域中存儲單 元的闊值電壓，影響存儲單元數(shù)據(jù)的正確讀取等。
[0004]為了消除擦除時擦除干擾的影響，現(xiàn)有技術中在擦除結(jié)束后需對非擦除區(qū)域中存 儲單元進行一次擦除修復操作，即對非擦除區(qū)域進行一次驗證和寫(編程)，也即是通過驗 證操作確定受擦除干擾影響的存儲單元，通過編程操作消除受擦除干擾影響存儲單元的闊 值電壓變化，W消除擦除干擾所引起的非擦除區(qū)域中存儲單元的闊值電壓的變化。但現(xiàn)有 技術中，為消除擦除干擾而進行的擦除修復操作，延長了擦除時間，增大了擦除的時間開 銷，進而降低了擦除效率。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明目的在于提出一種消除擦除干擾的FLA甜芯片擦除方法，W提升擦除效 率。
[0006]本發(fā)明實施例提供的消除擦除干擾的FLA甜芯片擦除方法，包括：
[0007]FLA甜芯片接收擦除指令；
[0008]施加一正高壓至所述阱區(qū)；
[0009]施加所述正高壓至阱區(qū)中非擦除區(qū)域中存儲單元的控制柵極和源極，并息空所述 非擦除區(qū)域中存儲單元的漏極；
[0010] 施加所述正高壓至阱區(qū)中預擦除區(qū)域中存儲單元的源極，并施加一負高壓至所述 預擦除區(qū)域中存儲單元的控制柵極，息空所述預擦除區(qū)域中存儲單元的漏極；所述正高壓 和所述負高壓使所述預擦除區(qū)域中存儲單元產(chǎn)生隧道效應，實現(xiàn)擦除。
[0011] 進一步的，所述的消除擦除干擾的FLA甜芯片擦除方法，所述存儲陣列中同一阱 區(qū)的存儲單元劃分為至少兩個子存儲陣列；
[0012] 所述阱區(qū)中預擦除區(qū)域為預擦除子存儲陣列；W及
[0013] 所述阱區(qū)中非擦除區(qū)域中為阱區(qū)中非擦除子存儲陣列。
[0014] 進一步的，所述的消除擦除干擾的FLA甜芯片擦除方法，所述預擦除區(qū)域為一個 預擦除子存儲陣列。
[0015] 進一步的，所述的消除擦除干擾的FLA甜芯片擦除方法，所述施加所述正高壓至 阱區(qū)中非擦除區(qū)域存儲單元的控制柵極和源極，并息空所述非擦除區(qū)域中存儲單元的漏 極；包括：
[0016] 施加所述正高壓至阱區(qū)中非擦除區(qū)域中第一預設范圍內(nèi)存儲單元的控制柵極和 源極，并息空第一預設范圍內(nèi)存儲單元的漏極
[0017] 進一步的，所述的消除擦除干擾的FLA甜芯片擦除方法，所述施加所述正高壓至 阱區(qū)中預擦除區(qū)域中存儲單元的源極，并施加一負高壓至所述預擦除區(qū)域中存儲單元的控 制柵極，息空所述預擦除區(qū)域中存儲單元的漏極；包括：
[0018] 施加所述正高壓至阱區(qū)中預擦除區(qū)域中全部存儲單元的源極，并施加一負高壓至 控制柵極，息空阱區(qū)中預擦除區(qū)域中全部存儲單元的漏極。
[0019] 進一步的，所述的消除擦除干擾的FLA甜芯片擦除方法，所述施加所述正高壓至 阱區(qū)中預擦除區(qū)域中存儲單元的源極，并施加一負高壓至所述預擦除區(qū)域中存儲單元的控 制柵極，息空所述預擦除區(qū)域中存儲單元的漏極；包括：
[0020] 施加所述正高壓至阱區(qū)中預擦除區(qū)域中第二預設范圍內(nèi)存儲單元的源極，并施加 一負高壓至控制柵極，息空第二預設范圍內(nèi)存儲單元的漏極。
[0021] 進一步的，所述的消除擦除干擾的FLA甜芯片擦除方法，所述阱區(qū)為P阱。
[0022] 本發(fā)明實施例提供的消除擦除干擾的FLA甜芯片擦除方法，擦除時，對預擦除區(qū) 域中存儲單元的控制柵極施加負高壓，源極施加正高壓進行擦除，并同時在非擦除區(qū)域存 儲單元的源極和控制柵極施加相同的正高壓。因此，本發(fā)明實施例提供的技術方案，在對 預擦除區(qū)域中存儲單元進行擦除時，同時施加正高壓至非擦除區(qū)域中存儲單元的控制柵極 和源極；使得非擦除區(qū)域的控制柵極、源極及阱區(qū)之間維持相同的電壓值，控制柵極、源極 和阱區(qū)之間的電壓維持平衡。因非擦除區(qū)域存儲單元源極、控制柵極和阱區(qū)之間的電壓平 衡，阱區(qū)和控制柵極之間的應力作用就會消失，非擦除區(qū)域存儲單元受擦除干擾影響大大 降低，進而在擦除完成后不再需要擦除修復操作，減少了擦除的時間開銷，提高了擦除的效 率。
【附圖說明】
[0023] 此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，并不 構(gòu)成對本發(fā)明的限定。在附圖中：
[0024] 圖1示出的是本發(fā)明實施例一中擦除時FLA甜芯片存儲陣列同一阱區(qū)中擦除區(qū)域 和非擦除區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖；
[00巧]圖2示出的是本發(fā)明實施例一中同一阱區(qū)中的擦除區(qū)域和非擦除區(qū)域中存儲單 元分布示意圖；
[0026] 圖3示出的是本發(fā)明實施例一中消除擦除干擾的FLA甜芯片擦除方法流程示意 圖；
[0027] 圖4示出的是本發(fā)明實施例二中擦除時FLA甜芯片存儲陣列同一阱區(qū)中擦除子存 儲陣列和非擦除子存儲陣列結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028] 圖5示出的是本發(fā)明實施例二中消除擦除干擾的FLA甜芯片擦除方法流程示意 圖；
[0029] 圖6示出的是本發(fā)明實施例二中存儲陣列中預擦除區(qū)域為一個子存儲陣列的結(jié) 構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0030] 下面結(jié)合附圖及具體實施例對本發(fā)明進行更加詳細與完整的說明?？蒞理解的 是，此處所描述的具體實施例僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的 是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關的部分而非全部內(nèi)容。
[0031] 圖1示出的是本發(fā)明實施例一中擦除時FLA甜芯片存儲陣列同一阱區(qū)中擦除區(qū)域 和非擦除區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032] 圖2示出的是本發(fā)明實施例一中同一阱區(qū)中的擦除區(qū)域和非擦除區(qū)域中存儲單 元分布示意圖。
[0033] 參考圖1和圖2,本實施例中，在擦除時，存儲陣列同一阱區(qū)11中存儲單元可W劃 分為預擦除區(qū)域12和非擦除區(qū)域13。預擦除區(qū)域12和非擦除區(qū)域13中分別由阱區(qū)11中 多個存儲單元14劃分而成，其中，預擦除區(qū)域12和非擦除區(qū)域13位于同一阱區(qū)11，W及每 一存儲單元14具有控制柵極（CG)、浮動柵極（FG)、源極（巧和漏極值）。具體的，預擦除區(qū) 域12或非擦除區(qū)域13中存儲單元的數(shù)量根據(jù)FLASH芯片擦除時具體劃分的擦除區(qū)域和非 擦除區(qū)域的大小為根據(jù)，本實施例中不作具體限定。
[0034] 同時，參考圖1，本實施例中還示出了字線驅(qū)動電路15和位線選擇電路16。字線 驅(qū)動電路15在擦除或?qū)懭?編程)時提供相應的電壓，W完成擦除或?qū)懭?；位線選擇電路16 在對存儲陣列中存儲單元進行讀取時，選擇相應位置的存儲單元實現(xiàn)讀取。同時參考圖2， 阱區(qū)11外設端點Q，通過外設端點Q對阱區(qū)提供所需施加的電壓。
[00巧]圖3示出的是本發(fā)明實施例一中消除擦除干擾的FLA甜芯片擦除方法流程示意 圖；具體的，參考圖1、圖2及圖3,本實施例中擦除方法包括：
[0036]Sla、FLA甜芯片接收擦除指令。
[0037]FLA甜芯片接收與其相連接的相關數(shù)據(jù)處理模塊或信號產(chǎn)生模塊發(fā)送的擦除指 令，經(jīng)編譯或解碼等過程后，控制FLA甜芯片進入擦除操作。
[0038]S2a、施加一正高壓至阱區(qū)。
[0039] 對阱區(qū)11施加一正高壓Vhigh，具體的通過外設端點Q，施加一正高壓Vhigh至阱區(qū) 11，W使阱區(qū)11的電壓為正高壓Vhigh。
[0040] S3a、施加正高壓至阱區(qū)中非擦除區(qū)域存儲單元的控制柵極和源極，并息空非擦除 區(qū)域存儲單元的漏極。
[0041] 具體的，字線驅(qū)動電路15產(chǎn)生一正高壓Vhigh的電壓信號，通過與非擦除區(qū)域13存 儲單元相連接的字線1以施加所述正高壓Vhigh至非擦除區(qū)域13中存儲單元的控制柵極；W及通過源極線化施加所述正高壓Vhigh至非擦除區(qū)域存儲單元的源極S。同時，息空漏極， W使漏極在擦除時不受信號干擾，也即是息空與存儲單元漏極相連接的位線化。
[0042] 作為一種可W選方式，本實施例中，施加正高壓Vhigh至阱區(qū)11中非擦除區(qū)域13中 第一預設范圍內(nèi)的存儲單元。非擦除區(qū)域13中第一預設范圍內(nèi)的存儲單元為受擦除干擾 較大的區(qū)域。本可選方式中，對可能受擦除干擾較大的存儲單元的控制柵極和源極施加正 高壓，簡化了正高壓Vhigh施加流程，進一步提升了擦除速度。
[0043]S4a、施加正高壓Vhigh至阱區(qū)中預擦除區(qū)域存儲單元的源極，并施加一負高壓V"eg 至預擦除區(qū)域存儲單元控制柵極，息空預擦除區(qū)域存儲單元漏極；所述正高壓Vhigh和負高 壓V。。,使預擦除區(qū)域中存儲單元產(chǎn)生隧道效應，實現(xiàn)擦除。
[0044] 具體的，字線驅(qū)動電路15產(chǎn)生一正高壓Vhigh的電壓信號，通過與預擦除區(qū)域12存 儲單元相連接的字線1以施加所述正高壓Vhigh至預擦除區(qū)域12中存儲單元的控制柵極；W 及通過源極線化施加所述正高壓Vhigh至預擦除區(qū)域12中存儲