響應于潛在干擾的存在刷新一組存儲器單元的制作方法
【專利說明】
【背景技術】
[0001]存儲器設備包括用于存儲數據值的存儲器單元。示例類型的存儲器設備是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設備。隨著存儲器制造技術進步，存儲器單元的特征尺寸減小，以增大存儲器設備中存儲器單元的密度。增大存儲器單元的密度提供存儲器設備中增加的存儲容量。
【附圖說明】
[0002]關于下圖描述一些實施例:
[0003]圖1是包括一些實現方式的示例存儲器設備的框圖；
[0004]圖2和圖3圖示根據一些實現方式的在存儲器設備中使用的檢測電路的不同示例；
[0005]圖4是根據一些實現方式的示例系統的框圖；以及
[0006]圖5是根據一些實現方式的干擾管理過程的流程圖。
【具體實施方式】
[0007]隨著存儲器設備的存儲器單元由于減小特征尺寸而變得更密集，存儲器單元會變得對可能損壞在存儲器單元中存儲的數據的各種噪聲源更加靈敏。一種噪聲源包括由數據存取操作引起的干擾，其中對一組存儲器單元執(zhí)行的數據存取操作可能引起至少另一組存儲器單元的干擾。
[0008]在一些示例中，存儲器設備可以是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設備，其具有由存儲電容器和存取晶體管形成的存儲器單元，存取晶體管可以被激活或被去激活來控制各個存儲電容器的存取。存儲電容器存儲與相應數據值(例如“O”或“I”)對應的電壓。盡管在下面的介紹中參考DRAM設備，但是注意，根據一些實現方式的技術或機制還可以應用于其它類型的存儲器設備。
[0009]在DRAM設備中，數據存取操作可以激活一組(例如，一排)存儲器單元，從該組中提取內容，以及將內容歸還至該組存儲器單元。激活該組存儲器單元和歸還該組存儲器單元中的內容的過程可以導致對相鄰一組單元的干擾。
[0010]例如，對一排存儲器單元執(zhí)行的數據存取操作可以干擾相鄰一排(或相鄰多排)存儲器單元。對于特定一排存儲器單元而言，對相鄰多排存儲器單元的重復數據存取操作可能導致對該特定一排存儲器單元的重復干擾。這種重復的干擾可能導致在該特定一排的至少一個存儲器單元中存儲的數據值改變，這造成數據損壞。例如，如果存儲器單元存儲與“O”或“ I ”數據值對應的電壓，那么由多次重復干擾導致的該存儲器單元內的電壓改變可能足以造成由該電壓表示的數據值從“ O ”改變?yōu)椤?I ”或者從“ I ”改變?yōu)椤?O ”。
[0011]圖1是具有存儲器單元的布置102的存儲器設備100的框圖。如圖所示，存儲器單元的布置102被分成多組存儲器單元。這些組包括組X和與組X相鄰的相鄰組X-1和X+1。其它相鄰組包括組X-2和X+2，組X-2和X+2各自距離組X —個組。
[0012]在一些示例中，一“組”存儲器單元包括一排(或一頁)存儲器單元。在其它示例中，一組可以包括多排存儲器單元，或存儲器單元的任何其它集合。一般概念是一組存儲器單元可能由于對至少一個相鄰組的存儲器單元執(zhí)行的數據存取操作而被干擾?！皵祿嫒〔僮鳌被颉皵祿拇嫒 敝笇Υ鎯ζ鲉卧臄祿M行存取的操作，該操作作為讀操作和/或寫操作的部分。對存儲器設備的特定存儲器單元執(zhí)行的數據存取操作不同于一次擦除一塊內所有存儲器單元中包含的電荷的擦除操作。
[0013]圖1還示出用于特定組的存儲器單元(在圖1的示例中其是組X)的檢測電路104。注意，類似的檢測電路可以與存儲器設備100中的其它組關聯。
[0014]響應于對至少一個相鄰組的存儲器單元執(zhí)行的至少一次數據存取，更新檢測電路104。例如，在圖1中，響應于在組X-2、X-1、X+1和X+2的任一組中執(zhí)行的數據存取，可以更新檢測電路104。“更新”檢測電路可以指改變檢測電路104的狀態(tài)。如下面關于圖2進一步解釋的，更新檢測電路104可以涉及推進(advancing)計數器?？商娲?，更新檢測電路104可以涉及改變被布置為讀取一個或多個感應存儲器單元(下面關于圖3進一步介紹)的感應電路的狀態(tài)。
[0015]當檢測電路104已經改變至指示組X中存儲器單元的潛在干擾存在的狀態(tài)時，檢測電路104激活干擾指示106。在一些示例中，干擾指示106可以是信號，其具有指示沒有組X的干擾的第一狀態(tài)和指示組X的潛在干擾的不同的第二狀態(tài)。
[0016]干擾指示106被提供給刷新控制器108。刷新控制器108用于刷新存儲器設備100的存儲器單元。在像DRAM設備這樣的存儲器設備中，定期地刷新在存儲器單元中存儲的電壓。刷新存儲器單元指的是增強該存儲器單元中的電壓以對抗由該存儲器單元的存儲電容器的電流泄露導致的潛在數據損壞。如果在存儲器單元中存儲的電壓表示“ I ”數據值，那么刷新存儲器單元導致該電壓被增加，使得該電壓提供“I”的更可靠表示。另一方面，如果在存儲器單元中存儲的電壓表示“O”數據值，那么刷新存儲器單元導致該電壓被降低，以提供“O”的更可靠表示。刷新多排存儲器單元提高由這些存儲器單元表示的數據值的完整性。在其它示例中，“ I”數據值可以由低電壓表示，而“O”數據值可以由高電壓表示。
[0017]根據一些實現方式，除了執(zhí)行定期刷新操作以外(在存儲器設備108中的刷新控制器108的控制下或者響應于由外部存儲器控制器提供的刷新命令)，刷新控制器108能夠對來自檢測電路104的干擾指示106做出響應，來執(zhí)行對應組(在此實例中是組X)中存儲器單元的刷新。響應于干擾指示106執(zhí)行組X中存儲器單元的刷新是組X中存儲器單元的一種按需刷新形式。這種按需刷新由于檢測到組X中存儲器單元的可能導致數據損壞的潛在干擾而被執(zhí)行。
[0018]由于存儲器設備100的其它組中的每個組與能夠提供它們各自的干擾指示的各自檢測電路關聯，所以刷新控制器108還能夠對來自這些其它檢測電路的干擾指示做出響應來引起其它組的刷新。刷新通過使用由刷新控制器108輸出的刷新控制信號110來控制。刷新控制信號110可以導致特定組的存儲器單元被激活，這導致該組中的存儲器單元的刷新。
[0019]在一些實現方式中，用于各個特定組的存儲器單元的檢測電路104可以提供在存儲器設備100中。在替代實現方式中，檢測電路104可以提供在存儲器設備100的外部，如在存儲器控制器中或在另一設備中。
[0020]圖2是根據一些實現方式的包括檢測電路104的存儲器設備100的一些組件的框圖。圖2的檢測電路104包括計數器202和比較器204。圖2還示出存取控制器206。存取控制器206接收輸入命令，輸入命令可以來自位于存儲器設備100外部的存儲器控制器，其中該輸入命令可以是讀命令或寫命令。該輸入命令具有與存儲器設備100中要被存取(讀或寫)的位置對應的地址。
[0021]響應于該輸入命令，存取控制器206生成用于對指定存儲器位置進行存取的存取信號。例如，存取信號可以指定對例如圖1的組X-1中的存儲器位置中的數據進行存取。如上面介紹的，組X-1中的數據的存取可能對相鄰組(如組X)造成干擾。
[0022]響應于對組X-1執(zhí)行的數據存取，存取控制器206可以提供推進信號208來推進檢測電路104(其與組X關聯)中的計數器202。根據特定實現方式，推進計數器202可以指遞增計數器202或遞減計數器202。在一些示例中，計數器202可以起始于初始小值(例如，O)并且在收到每個推進信號208時遞增。在替代示例中，計數器202被初始化至初始大值，并且在推進信號208的每次激活時遞減。
[0023]在一些示例中，存取控制器206可以響應于對相鄰組的集合中任一組執(zhí)行的數據存取操作，來激活推進信號208。例如，在該集合包括組X-1和組X+1的示例中，存取控制器206可以響應于對組X-1或組X+1的數據存取操作，來激活推進信號208。作為另一示例，該集合可以包括組X-2、X-U X+1和X+2，在此情況下，存取控制器206響應于對組X-2、X-U X+1和X+2中任一組執(zhí)行的數據存取操作，來激活推進信號208。
[0024]盡管圖2示出存取控制器206響應于特定組的數據存取而僅激活一個推進信號208，但是注意，存取控制器206可以通過激活多個推進信號來推進與多個相鄰組關聯的檢測電路中的計數器，而對特定組的數據存取做出響應。
[0025]計數器202的計數值被提供給比較器204的輸入，比較器204將該計數值與預定義的閾值做比較。如果該計數值具有與該預定義的閾值預定的關系(例如，該計數值大于該預定義的閾值或者小于該預定義的閾值)，那么比較器激活干擾指示106