復原多個存儲單元的陣列的方法、電子裝置及控制器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明是有關于一種方法、電子裝置及控制器，且特別是有關于一種復原多個存儲單元的陣列的方法、電子裝置及控制器。
【背景技術】
[0002]在閃存中，數據通過捕獲電荷所建立的存儲單元的閾值狀態來進行儲存。通過感測存儲單元的閾值狀態，數據可以被讀取。然而，隨著存儲單元的尺寸縮小，電荷保持(charge retent1n)及其數據保持可能會受到影響。長時間儲存數據的非易失性存儲器中，在電源經常開啟/關閉的情況下，數據保存成為相當重要的效能因素。
[0003]目前急需提供適當的技術來改善非易失存儲器的效能，以改善集成電路存儲器的數據保存能力。
【發明內容】
[0004]本發明是有關于一種復原多個存儲單元的陣列的方法、電子裝置及控制器，其利用輸入一復原控制信號(recovery control signal)來執行一保持寫入程序(retent1nwriting procedure),使得儲存于存儲單元的數據可以長時間儲存。
[0005]根據本發明的第一方面，提出一種復原多個存儲單元的陣列的方法(method forrecovering an array of memory cells)。復原存儲單元的陣列的方法包括以下步驟。判斷一復原控制信號(recovery control signal)是否已被接收。若復原控制信號已被接收，則執行一保持檢查程序(retent1n checking procedure)以識別位于高閾值狀態的存儲單元的至少一位的一閾值電壓分布(threshold voltage distribut1n)是否已飄移(shift)。若位于高閾值狀態的存儲單元未通過保持檢查程序，則執行一保持寫入程序(retent1n writing procedure)于此些存儲單兀。
[0006]根據本發明的一第二方面，提出一種電子裝置。電子裝置包括多個存儲單元的陣列(array of memory cells)及一控制器。控制器包括一保持檢查電路(retent1nchecking circuit)及一保持寫入電路(retent1n writing circuit)。若一復原控制信號(recovery control signal)已被接收,則保持檢查電路執行一保持檢查程序(retent1nchecking procedure)以識別位于高閾值狀態的存儲單元的至少一位的一閾值電壓分布(threshold voltage distribut1n)是否已飄移(shift)。若位于高閾值狀態的存儲單元未通過保持檢查程序，則保持寫入電路執行一保持寫入程序(retent1n writingprocedure)于此些存儲單元。
[0007]根據本發明的一第三方面，提供一種控制器。控制器設置于一電子裝置中。電子裝置包括多個存儲單元的陣列(array of memory cells)及一控制器。控制器包括一保持檢查電路(retent1n checking circuit)及一保持寫入電路(retent1n writingcircuit) ο若一復原控制信號(recovery control signal)已被接收,則保持檢查電路執行一保持檢查程序(retent1n checking procedure)以識別位于高閾值狀態的存儲單元的至少一位的一閾值電壓分布(threshold voltage distribut1n)是否已飄移(shift)。若位于高閾值狀態的存儲單元未通過保持檢查程序，則保持寫入電路執行一保持寫入程序(retent1n writing procedure)于此些存儲單兀。
[0008]為了對本發明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下:
【附圖說明】
[0009]圖1繪示一電子裝置的示意圖。
[0010]圖2繪示存儲單元的閾值電壓分布圖。
[0011]圖3繪示一復原存儲單元的陣列的方法的流程圖。
[0012]圖4繪示存儲單元的數種操作模式。
[0013]【符號說明】
[0014]1000:電子裝置
[0015]110:存儲單元
[0016]120:控制器
[0017]121:保持檢查電路
[0018]122:保持寫入電路
[0019]123:地址標識電路
[0020]Cl、Cl’:高閾值分布
[0021]C2:低閾值分布
[0022]Ml:電力開啟狀態
[0023]M2:待命狀態
[0024]M3:寫入狀態
[0025]M4:讀取狀態
[0026]PV0、PV1、PV2:電壓電平
[0027]SlOl?S105:流程步驟
[0028]W:箭號
【具體實施方式】
[0029]以下是提出各種實施例進行詳細說明，其利用輸入一復原控制信號(recoverycontrol signal)來執行一保持寫入程序(retent1n writing procedure),使得儲存于存儲單元的數據可以長時間儲存。然而，實施例僅用以作為范例說明，并不會限縮本發明欲保護的范圍。此外，實施例中的圖式系省略部份元件，以清楚顯示本發明的技術特點。
[0030]現將詳細的撰寫本發明中較佳實施例的參考，也將于伴隨圖式中說明其例子。于圖式與實施方式中，相同或相似的參考號碼會被用來指向相同或類似的部份。應被注意的是，圖式為一簡化形式，且于所有實施例中，圖式不是自動地被假設成依照精確的尺寸所繪制。也就是說，它們意指本發明中不同方面的實施例的例子，且根據一些但不是全部的實施例，為按比例縮放。當根據一些特定的實施例，這些圖式中的結構被解釋成有縮放的話，于其他實施例中相同的架構則不應解釋成有縮放。于本發明中一些方面，圖式與實施方式中，相同的指定號碼的使用系企圖意指相似或類似但不一定相同的部件或元件。根據其它方面，圖式與實施方式中，相同的指定號碼的使用系企圖被解釋成指向相同、實質相同、或功能相同的部件和元件。關于實施方式，只為了方便和清楚的目的，方向性用語，例如是頂、底、左、右、上、下、在上面、在上方、下、在下面、在下方、后面，以及前面，將伴隨圖式使用。這些方向性用語于任一方面都不應該被解釋為限制發明范圍。
[0031]雖然于此實施方式與一些所描述的實施例有關，該明了的是這些實施例是以例子的方式呈現，而不是以構成限制的方式存在。該伴隨此說明書的目的為通過以下的實施方式的說明來討論示范性的實施例，實施方式可解釋為包含為由專利范圍所定義的本發明的精神和范圍的范圍內的所有的潤飾、改變或等效實施例。該明了的是，于此描述的方法步驟和結構不包含為了非易失性存儲器的操作的一完整方法流程。本發明可與不同的操作方法與其它被使用于此領域是已知技術一起使用，且只有共同實施的步驟會包含于此實施方式中，以理解本發明。本發明于此半導體裝置和一般操作領域有可應用性。然而為了說明目的，下述描述是針對一非易失性存儲器裝置和相關方法。
[0032]請參照圖1，其繪示電子裝置1000的示意圖。電子裝置1000包括多個存儲單元110的陣列(array of memory cells)及一控制器120。存儲單元110用以儲存數據數據，例如是「O」、或「I」。計算機可以讀取這些數據來執行一個程序或進行一演算程序。舉例來說，存儲單元110可以是一種非易失存儲單元(non-volatile memory cells)。
[0033]控制器120用以執行各種控制程序或計算程序。舉例來說，控制器120可以是一芯片、芯片內的一電路區塊、含有多個電子元件及導線的電路板或儲存程序代碼的計算機可讀取媒體。在本實施例中，控制器120包括一保持檢查電路(retent1n checkingcircuit) 121、一保持寫入電路(retent1n writing circuit) 122 及一地址標識電路(address flag circuit) 123。保持檢查電路121用以執行一保持檢查程序(retent1nchecking procedure)。保持寫入電路122用以執行一保持寫入程序(retent1n writingprocedure)。地址標識電路123用以記錄一地址標識(address flag)。
[0034]在一實施例中，控制器120及存儲單元110的陣列可以整合于一半導體裝置中。在一實施例中，存儲單元110的陣列可以是一存儲器芯片，而控制器120則是含有硬盤的一設備，多個程序代碼儲存于硬盤中。
[0035]請參照圖2，其繪示存儲單元110的閾值電壓分布圖。縱軸表示具有特定閾值電壓(足以啟動的字線的電壓)的存儲單元的數量，橫軸表示對應的字線電壓。存儲單元110通過一高閾值狀態(high threshold state)及一低閾值狀態(low threshold state)來儲存數據數據。以存儲單元110而言，高閾值分布Cl對應于位于高閾值狀態的存儲單元110，低閾值分布C2對應于位于低閾值狀態的存儲單元110。在一讀取模式中，控制器120施加電壓電平PVO的一讀取電壓。電壓電平PVO位于高閾值分布Cl及低閾值分布C2之間。介于低閾值分布C2的最大閾值電壓與高閾值分布Cl的最小閾值電壓之間的范圍代表能夠成功讀取存儲單元110的邊際。
[0036]在浮動柵極及電荷捕獲閃存中，隨著尺寸逐漸降低，漏電的問題可能使數據保存遭遇困難。此