閃存單元邏輯狀態讀取值的判斷方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種閃存單元邏輯狀態讀取值的判斷方法。
【背景技術】
[0002]快閃存儲器應用于現今的多種應用中，快閃存儲器可以讀取或者寫入數據，而且存儲于其中的數據不需要依靠電源來維持，因此，適用于各種數據存儲的用途。
[0003]現有技術中，閃存單元單元陣列的連接示意圖參考圖1所示，通常在對閃存單元的的邏輯狀態的讀取方法為:設定一固定電流，對每一行的閃存單元都采用同一個判斷標準，當閃存單元的電流值大于等于固定電流值時，判斷為邏輯狀態為“1”，當閃存單元的電流值小于固定電流時，判斷為邏輯狀態為“O”。由于每一行閃存單元的金屬連線的長短不一致，使得每一行閃存單元的寄生電阻不同，造成的電流值差異不同，因此，難以采用相同的判斷標準。
[0004]然而，對于每一行設定一單獨的參考電流，即每一行的閃存單元采用不同的判斷標準，當閃存單元的電流值大于等于該行參考電流值時，判斷為邏輯狀態為“1”，當閃存單元的電流值小于該行參考電流值時，判斷為邏輯狀態為“O”。然而，由于作為參考的閃存單元一直做擦除，使得該閃存單元的電流遠大于正常的閃存單元，導致判斷的標準偏離。
【發明內容】
[0005]本發明的目的在于，提供一種閃存單元邏輯狀態讀取值的判斷方法，減小閃存陣列中的負載效應對于閃存陣列中每一行判斷閃存單元邏輯狀態讀取的影響。
[0006]為解決上述技術問題，本發明提供一種閃存單元邏輯狀態讀取值的判斷方法，包括:
[0007]提供一 m行的閃存單元陣列，設定一固定電流Ici;
[0008]在每一行中選取若干個所述閃存單元作為參考單元，取所述參考單元的電流的平均值為該行的參考電流ΙΗ，其中，i = I，......，m;
[0009]取第一比例的所述固定電流、與第二比例的第i行的所述參考電流I η相加的和為第i行的臨界電流Ii,當第i行的閃存單元的電流大于等于該行的臨界電流Ii時，判斷所述閃存單元為第一邏輯狀態，當第i行的所述閃存單元的電流小于該行的臨界電流Ii時，判斷所述閃存單元為第二邏輯狀態。
[0010]可選的，所述第一比例的范圍為70% -80%。
[0011]可選的，所述第二比例的范圍為15% -25%。
[0012]可選的，所述參考單元包括3-5個所述閃存單元。
[0013]可選的，所述閃存單元陣列至少500行所述閃存單元。
[0014]可選的，所述閃存陣列包括多條源線、多條位線和多條字線，每個所述閃存單元連接其中的一條所述源線、一條所述位線和一條所述字線。
[0015]可選的，同一行的所述閃存單元的控制柵極連接在同一個柵極控制電壓上。
[0016]可選的同一列的所述閃存單元連接在一條源線、一條字線上。
[0017]可選的所述第一邏輯狀態由邏輯I表示。
[0018]可選的所述第二邏輯狀態由邏輯O表示。
[0019]本發明提供的閃存單元邏輯狀態讀取值的判斷方法中，由于閃存單元陣列中不同行的閃存單元的寄生電阻的不同，導致每一行閃存單元的電流的差異，即閃存單元陣列中的負載效應，取第一比例的固定電流^與第二比例的第i行的參考電流I H相加的和為第i行的臨界電流Ii,可以減小負載效應對于閃存單元邏輯狀態讀取的影響。
【附圖說明】
[0020]圖1為閃存單元陣列的結構示意圖；
[0021]圖2為本發明一實施例中閃存單元邏輯狀態讀取值的判斷方法的流程圖；
[0022]圖3為本發明一實施例中固定電流、參考電流以及臨界電流的關系圖。
【具體實施方式】
[0023]下面將結合示意圖對本發明的閃存單元邏輯狀態讀取值的判斷方法進行更詳細的描述，其中表示了本發明的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發明，而仍然實現本發明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發明的限制。
[0024]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
[0025]本發明的核心思想在于，提供一種閃存單元邏輯狀態讀取值的判斷方法，包括:提供一 m行的閃存單元陣列，設定一固定電流Itl;在每一行中選取若干個所述閃存單元作為參考單元，取所述參考單元的電流的平均值為該行的參考電流其中，i = 1，......，m;取第一比例的所述固定電流^與第二比例的第i行的所述參考電流I H相加的和為第i行的臨界電流Ii,當第i行的閃存單元的電流大于等于該行的臨界電流Ii時，判斷所述閃存單元為第一邏輯狀態，當第i行的所述閃存單元的電流小于該行的臨界電流^時，判斷所述閃存單元為第二邏輯狀態。本發明中，取第一比例的固定電流^與第二比例的第i行的參考電流U相加的和為第i行的臨界電流I i，減小負載效應對于閃存單元邏輯狀態讀取的影響。
[0026]下文結合圖1至圖3對本發明的閃存單元邏輯狀態讀取值的判斷方法進行具體說明。
[0027]執行步驟SI，提供一 m行η列的閃存單元陣列，參考圖1所示，閃存單元陣列中包括有多條源線SL、多條位線BL、多條字線WL。本實施例中，所述閃存單元陣列包括至少500行閃存單元，例如，可以為500、1000、2000等，本發明中并不對閃存單元的行數做具體限制。每個閃存單元連接其中的一條源線SL、一條位線BL、一條字線WL。同一行的所述閃存單元連接在一條字線WL，每一行的所述閃存單元的柵極連接在一條控制柵極CG上，同一列的所述閃存單元的源極和漏極分別連接在一條源線SL和一條位線BL上。所述字線WL用于控制是否對所述閃存單元進行讀取。在判斷一個所述閃存單元的邏輯狀態時，首先在控制柵CG上加上一電壓，然后在源線SL和位線BL上加上另一電壓，測量一閃存單元的源線SL和位線BL之間的電流的大小判斷閃存單元的邏輯狀態，電流的大小取決于閃存單元中的浮動柵極FG中存儲的電荷的多少決定。在本發明中，設定一固定電流Itl，該固定電流Itl的大小根據閃存單元的制備工藝條件設定，一般設定的條件為要滿足:陣列中的每個閃存單元的電流值大于等于所述固定電流時，該閃存單元設定為第一邏輯狀態，陣列中的每個閃存單元的電流值小于所述固定電流時，該閃存單元設定為第二邏輯狀態。
[0028]執行步驟S2，在每一行中選取若干個所述閃存單元作為參考單元，取所述參考單元中的若干個所述閃存單元的電流的