存儲(chǔ)器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器件。
【背景技術(shù)】
[0002]根據(jù)用戶的需求對存儲(chǔ)器件中的存儲(chǔ)單元編程或擦除。當(dāng)編程或擦除存儲(chǔ)單元時(shí)，對存儲(chǔ)單元的位線和字線施加高壓以使存儲(chǔ)單元能夠存儲(chǔ)邏輯數(shù)據(jù)“O”或“I”。當(dāng)讀取存儲(chǔ)單元時(shí)，檢測存儲(chǔ)單元的輸出電流或閾值電壓以獲取存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的邏輯數(shù)據(jù)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種方法，包括:從存儲(chǔ)器件中的矩陣的多個(gè)存儲(chǔ)單元中選擇目標(biāo)存儲(chǔ)單元；通過將選擇電壓施加至屬于所述矩陣的線的所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元和第一位置相關(guān)的單元，編程或擦除屬于所述矩陣的線的所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元；以及實(shí)施第一刷新操作以刷新所述第一位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元。
[0004]在上述方法中，其中，所述第一刷新操作包括:讀取存儲(chǔ)在所述第一位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)；以及將所述數(shù)據(jù)重新寫入至所述第一位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元。
[0005]在上述方法中，其中，所述第一刷新操作包括:確定所述第一位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元的電壓電平是否低于預(yù)定的驗(yàn)證電壓電平；以及當(dāng)所述電壓電平高于或等于所述預(yù)定的驗(yàn)證電壓電平時(shí)，將所述數(shù)據(jù)重新寫入至所述第一位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元。
[0006]在上述方法中，其中，所述第一刷新操作還包括:確定所述第一位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元的電流電平是否低于預(yù)定的驗(yàn)證電流電平；以及當(dāng)所述電流電平高于或等于所述預(yù)定的驗(yàn)證電流電平時(shí)，將所述數(shù)據(jù)重新寫入至所述第一位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元。
[0007]在上述方法中，其中，所述第一刷新操作還包括:確定所述第一位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元的電壓電平是否高于預(yù)定的驗(yàn)證電壓電平；以及當(dāng)所述電壓電平低于或等于所述預(yù)定的驗(yàn)證電壓電平時(shí)，將所述數(shù)據(jù)重新寫入至所述第一位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元。
[0008]在上述方法中，其中，所述第一刷新操作還包括:確定所述第一位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元的電流電平是否高于預(yù)定的驗(yàn)證電流電平；以及當(dāng)所述電流電平低于或等于所述預(yù)定的驗(yàn)證電流電平時(shí)，將所述數(shù)據(jù)重新寫入至所述第一位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元。
[0009]在上述方法中，還包括:通過實(shí)施多個(gè)子刷新操作來實(shí)施第二刷新操作以刷新保留在所述矩陣的線中的除所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元和所述第一位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元之外的所有第二位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元，所述多個(gè)子刷新操作的每個(gè)包括:讀取存儲(chǔ)在所述第二位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元的一個(gè)中的數(shù)據(jù)；以及將所述數(shù)據(jù)重新寫入至所述第二位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元的一個(gè)。
[0010]在上述方法中，其中，所述多個(gè)子刷新操作的每個(gè)還包括:確定所述第二位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元的一個(gè)的電壓電平是否低于預(yù)定的驗(yàn)證電壓電平；以及當(dāng)所述電壓電平高于或等于所述預(yù)定的驗(yàn)證電壓電平時(shí)，將所述數(shù)據(jù)重新寫入至所述第二位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元的一個(gè)。
[0011]在上述方法中，其中，所述多個(gè)子刷新操作的每個(gè)還包括:確定所述第二位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元的一個(gè)的電流電平是否低于預(yù)定的驗(yàn)證電流電平；以及當(dāng)所述電流電平高于或等于所述預(yù)定的驗(yàn)證電流電平時(shí)，將所述數(shù)據(jù)重新寫入至所述第二位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元的一個(gè)。
[0012]在上述方法中，其中，所述多個(gè)子刷新操作的每個(gè)還包括:確定所述第二位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元的一個(gè)的電壓電平是否高于預(yù)定的驗(yàn)證電壓電平；以及當(dāng)所述電壓電平低于或等于所述預(yù)定的驗(yàn)證電壓電平時(shí)，將所述數(shù)據(jù)重新寫入至所述第二位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元的一個(gè)。
[0013]在上述方法中，其中，所述多個(gè)子刷新操作的每個(gè)還包括:確定所述第二位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元的一個(gè)的電流電平是否高于預(yù)定的驗(yàn)證電流電平；以及當(dāng)所述電流電平低于或等于所述預(yù)定的驗(yàn)證電流電平時(shí)，將所述數(shù)據(jù)重新寫入至所述第二位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元的一個(gè)。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種系統(tǒng)，包括:選擇模塊，配置為從存儲(chǔ)器件中的布置成矩陣的多個(gè)存儲(chǔ)單元中選擇目標(biāo)存儲(chǔ)單元；處理模塊，配置為編程或擦除屬于所述矩陣的線的所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元，用于編程或擦除所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元的操作包括將選擇電壓施加至屬于所述矩陣的線的所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元和位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元；以及刷新模塊，配置成對所述位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元實(shí)施第一刷新操作，所述第一刷新操作包括:讀取存儲(chǔ)在所述位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)；和將所述數(shù)據(jù)重新寫入至所述位置相關(guān)的存儲(chǔ)單
J Li ο
[0015]在上述系統(tǒng)中，其中，所述刷新模塊還配置為實(shí)施:確定所述位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元的電壓電平是否低于預(yù)定的驗(yàn)證電壓電平；以及當(dāng)所述電壓電平高于或等于所述預(yù)定的驗(yàn)證電壓電平時(shí)，將所述數(shù)據(jù)重新寫入至所述位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元。
[0016]在上述系統(tǒng)中，其中，所述刷新模塊還配置為實(shí)施:確定所述位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元的電流電平是否低于預(yù)定的驗(yàn)證電流電平；以及當(dāng)所述電流電平高于或等于所述預(yù)定的驗(yàn)證電流電平時(shí)，將所述數(shù)據(jù)重新寫入至所述位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元。
[0017]在上述系統(tǒng)中，其中，所述刷新模塊還配置為實(shí)施:確定所述位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元的電壓電平是否高于預(yù)定的驗(yàn)證電壓電平；以及當(dāng)所述電壓電平低于或等于所述預(yù)定的驗(yàn)證電壓電平時(shí)，將所述數(shù)據(jù)重新寫入至所述位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元。
[0018]在上述系統(tǒng)中，其中，所述刷新模塊還配置為實(shí)施:確定所述位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元的電流電平是否高于預(yù)定的驗(yàn)證電流電平；以及當(dāng)所述電流電平低于或等于所述預(yù)定的驗(yàn)證電流電平時(shí)，將所述數(shù)據(jù)重新寫入至所述位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元。
[0019]在上述系統(tǒng)中，其中，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元位于多條位線和多條字線的相應(yīng)交叉點(diǎn)處。
[0020]在上述系統(tǒng)中，其中，通過所述存儲(chǔ)器件的所述多條字線的一條電連接所述線中的所述多個(gè)存儲(chǔ)單元。
[0021]在上述系統(tǒng)中，其中，通過所述存儲(chǔ)器件的所述多條位線的一條電連接所述線中的所述多個(gè)存儲(chǔ)單元。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供了一種包括非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，所述介質(zhì)具有存儲(chǔ)在所述介質(zhì)上的指令，當(dāng)通過處理器執(zhí)行所述指令時(shí)，所述指令使所述處理器執(zhí)行以下操作:從存儲(chǔ)器件中的矩陣的多個(gè)存儲(chǔ)單元中選擇目標(biāo)存儲(chǔ)單元；通過將選擇電壓施加至屬于所述矩陣的線的所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元和第一位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元，編程或擦除屬于所述矩陣的線的所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元；以及實(shí)施第一刷新操作以刷新所述第一位置相關(guān)的存儲(chǔ)單元。
【附圖說明】
[0023]通過參考附圖閱讀各個(gè)實(shí)施例的以下詳細(xì)描述，可以更完全地理解本發(fā)明，附圖如下:
[0024]圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的示出非易失性存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)單元陣列的配置的電路圖；
[0025]圖2是示出利用刷新操作編程和擦除圖1中所示的存儲(chǔ)單元陣列的存儲(chǔ)單元的步驟的流程圖；
[0026]圖3A至圖3C是示出與圖1中所示的存儲(chǔ)單元陣列的整個(gè)存儲(chǔ)單元上的單元電流值相對應(yīng)的位計(jì)數(shù)分布曲線的示意圖；以及
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