技術特征：
技術總結
本發明提供一種磁性隨機存儲器，包括多個磁性記憶單元構成的陣列，磁性隨機存儲器還包括自參照讀取模塊，自參照讀取模塊用于根據磁性記憶單元的磁性隧道結改變為高阻態的狀態電壓，讀取磁性記憶單元的邏輯狀態。本發明還提供一種磁性隨機存儲器的磁性記憶單元讀取方法。本發明提供的磁性隨機存儲器及其磁性記憶單元讀取方法,利用磁性隧道結的磁電阻偏壓依賴性，實現自參照的數據讀取，解決了讀取數據對參考電阻的標準差分布要求苛刻的而導致讀取錯誤率高的問題。
技術研發人員：俞華樑;郭一民;陳峻
受保護的技術使用者：上海磁宇信息科技有限公司
技術研發日：2016.04.29
技術公布日：2017.11.10