儲存設備及其操作方法與流程

本申請要求2015年5月6日提交的申請號為10-2015-0063233的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用其整體合并于此。

技術領域

各種示例性實施例總體而言涉及一種儲存設備及其操作方法，更具體而言，涉及一種儲存設備的讀取操作和編程操作。

背景技術：

儲存設備包括存儲器控制器和存儲器件。儲存設備由主機控制。存儲系統包括主機和儲存設備。

主機通過接口協議(諸如外設組件互連-快速(PCI-E)、高級技術附件(ATA)、串行ATA(SATA)、并行ATA(PATA)、串行連接SCSI(SAS)、通用串行總線(USB)、多媒體卡(MMC)、增強小型磁盤接口(ESDI)和集成驅動電路(IDE)等)與儲存設備通信。

存儲器控制器控制儲存設備的全部操作，以及在主機與存儲器件之間交換命令、數據和地址。

存儲器件響應于從存儲器控制器提供的命令、數據和地址來執行編程操作、讀取操作和/或擦除操作。

技術實現要素：

各種實施例針對一種儲存設備，當儲存設備在編程操作期間接收到讀取命令時，該儲存設備停止編程操作并且執行讀取操作。

根據實施例，一種儲存設備包括：存儲器控制器，適用于輸出編程命令或讀取命令；以及存儲器件，適用于響應于編程命令來執行編程操作，以及當在編程操作期間接收到讀取命令時立即執行讀取操作。

根據實施例，一種操作儲存設備的方法可以包括：響應于編程命令來將編程數據輸入至第一鎖存單元；當在輸入編程數據期間接收到讀取命令時，臨時暫停輸入編程數據， 并立即將第一鎖存單元中的編程數據傳送至第二鎖存單元；以及使用第一鎖存單元來執行讀取操作。

根據實施例，一種操作儲存設備的方法可以包括：響應于編程命令來將編程數據輸入至第一鎖存單元；當在輸入編程數據期間接收到讀取命令時，立即將第一鎖存單元中的編程數據傳送至第二鎖存單元；以及在將編程數據輸入至第二鎖存單元期間使用第一鎖存單元來執行讀取操作。

根據實施例，一種存儲器件可以包括：外圍電路，適用于分別響應于編程命令和讀取命令來執行編程操作和讀取操作；以及控制邏輯，適用于控制外圍電路以在編程操作期間立即響應讀取命令。

附圖說明

圖1是圖示根據實施例的儲存設備的示圖；

圖2是圖示在圖1中示出的儲存設備的示圖；

圖3是圖示在圖1中示出的頁緩沖器的示圖；

圖4是圖示根據第一實施例的操作方法的流程圖；

圖5是圖示根據第一實施例的操作時間的示圖；

圖6是圖示根據第二實施例的操作方法的流程圖；

圖7是圖示根據第二實施例的操作時間的示圖；

圖8A至圖8F是圖示根據第二實施例的數據傳送的示圖；

圖9是圖示根據第三實施例的操作方法的流程圖；

圖10是圖示根據第三實施例的操作時間的示圖；以及

圖11A至圖11F是圖示根據第三實施例的數據傳送的示圖。

具體實施方式

在下文中，將參照附圖來詳細描述各種示例性實施例。在附圖中，為了方便起見可能夸大組件的厚度和長度。在下面的描述中，為了簡單和簡明可能省略對相關功能和構成的詳細解釋。貫穿說明書和附圖，相同的附圖標記指代相同的元件。

圖1是圖示根據實施例的儲存設備的示圖。

參照圖1，儲存設備1000可以包括存儲器控制器100和存儲器件200。

存儲器控制器100可以控制儲存設備1000的全部操作，以及在主機與存儲器件200之間交換命令、數據和地址。例如，當存儲器控制器100接收用于編程操作的命令時，存儲器控制器100可以將編程命令CMD_P、數據DATA和地址ADD輸出至存儲器件200。當存儲器控制器100接收用于讀取操作的命令時，存儲器控制器100可以將讀取命令CMD_R輸出至存儲器件200。即使當存儲器件200執行編程操作時，存儲器控制器100仍可以將讀取命令CMD_R輸出至存儲器件200。

當在編程操作期間接收到讀取命令CMD_R時，存儲器件200可以臨時停止執行編程操作而執行讀取操作，或者可以同時執行編程操作和讀取操作。

存儲器件200可以包括雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器(DDR SDRAM)、低功耗雙倍數據速率4(LPDDR4)SDRAM、圖形雙倍數據速率(GDDR)SDRAM、低功耗DDR(LPDDR)、Rambus動態隨機存取存儲器(RDRAM)或快閃存儲器。以下，使用快閃存儲器的存儲器件200將被用作示例。

圖2是圖示在圖1中示出的存儲器件的示圖。

參照圖2，存儲器件200可以包括：存儲單元陣列210，在其中數據被儲存；外圍電路220，被配置為對存儲單元陣列210執行編程操作、讀取操作或擦除操作；以及控制邏輯230，被配置為控制外圍電路220。

存儲單元陣列210可以包括多個存儲塊，以及存儲塊中的每個可以包括多個存儲單元。

外圍電路220可以包括電壓發生器221、行解碼器222、頁緩沖器單元223、列解碼器224和輸入/輸出電路225。

電壓發生器221可以響應于編程信號PGM或讀取信號READ來產生編程電壓Vpgm或讀取電壓Vread。電壓發生器221還可以產生用于各種操作的各種其他電壓。

行解碼器222可以響應于行地址RADD來將從電壓發生器221輸出的電壓傳送至選中存儲塊。例如，行解碼器222可以將編程電壓Vpgm或讀取電壓Vread傳送至耦接至選中存儲塊的字線WL。

頁緩沖器單元223可以包括多個頁緩沖器PB。頁緩沖器PB中的每個可以耦接至耦 接至存儲塊的位線BL中的每個。包括在頁緩沖器單元223中的頁緩沖器PB可以響應于頁緩沖器信號PBSIG而共同操作。

列解碼器224可以響應于列地址CADD來將通過列線CL施加的數據通過頁線PL傳送至頁緩沖器PB。

輸入/輸出電路225可以響應于輸入/輸出信號IN/OUT來輸入或輸出數據DATA。例如，輸入/輸出電路225可以將外部輸入的數據DATA通過列線CL傳送至列解碼器224，或者向外輸出通過列線CL提供的數據DATA。

控制邏輯230可以響應于編程命令CMD_P和地址ADD或讀取命令CMD_R來控制外圍電路220。當在響應于先前的編程命令CMD_P的編程數據輸入期間讀取命令CMD_R當前被提供給控制邏輯230時，控制邏輯230可以控制外圍電路220使得外圍電路220可以在所有編程數據被輸入之后，響應于當前的讀取命令CMD_R來執行讀取操作，并在完成讀取操作之后，響應于先前的編程命令CMD_P繼續編程操作。可替代地，當在響應于先前的編程命令CMD_P的編程數據輸入期間讀取命令CMD_R當前被提供至控制邏輯230時，控制邏輯230可以控制外圍電路220使得外圍電路220可以臨時停止編程數據的輸入，響應于當前的讀取命令CMD_R來執行讀取操作，然后在完成讀取操作之后響應于先前的編程命令CMD_P來執行編程操作。可替代地，當在響應于先前的編程命令CMD_P的編程命令輸入期間讀取命令CMD_R當前被提供給控制邏輯230時，控制邏輯230可以控制外圍電路220使得外圍電路220可以響應于先前的編程命令CMD_P而輸入編程數據并同時響應于當前的讀取命令CMD_R來執行讀取操作，然后在完成讀取操作和編程數據的輸入之后響應于先前的編程命令CMD_P來執行編程操作。

圖3是圖示在圖2中示出的頁緩沖器的示圖。

參照圖3，由于包括在頁緩沖器單元223中的所有頁緩沖器PB可以是相同的，因此僅描述頁緩沖器PB中的一個作為示例。

頁緩沖器PB可以包括兩個或更多個鎖存單元LAT1和LAT2。第一鎖存單元LAT1可以是主鎖存單元，而第二鎖存單元LAT2可以是高速緩存鎖存單元。

響應于頁緩沖器信號PBSIG的頁緩沖器PB可以將經由頁線PL傳送來的數據DATA輸入至第一鎖存單元LAT1和第二鎖存單元LAT2之一，或將來自第一鎖存單元LAT1和第二鎖存單元LAT2之一的數據輸出至頁線PL。此外，頁緩沖器PB可以響應于頁緩沖器信號PBSIG來在第一鎖存單元LAT1與第二鎖存單元LAT2之間傳送數據。

以下描述當在響應于先前的編程命令的編程操作期間讀取命令當前被輸入時，操作上述存儲器件的方法。

圖4是圖示根據第一實施例的操作方法的流程圖。

參照圖4，當在步驟S41處控制邏輯230接收編程命令CMD_P時，在步驟S42處控制邏輯230可以控制外圍電路220來將編程數據輸入至頁緩沖器單元223。

當在步驟S43處控制邏輯230在編程數據響應于步驟S41處的編程命令CMD_P而正被輸入時接收讀取命令CMD_R時，控制邏輯230可以延緩讀取操作直到所有編程數據被輸入。例如，在步驟S44處可以判斷針對步驟S41中的編程命令CMD_P的編程數據的輸入是否完成。

當作為步驟S44處的判斷的結果而編程數據的輸入未完成(否)時，控制邏輯230可以繼續控制外圍電路220來將編程數據輸入至頁緩沖器單元223。

當作為步驟S44處的判斷的結果而編程數據的輸入完成(是)時，控制邏輯230可以在步驟S45處控制外圍電路220來臨時暫停針對步驟S41中的編程命令CMD_P的編程。隨后在步驟S46處，控制邏輯230可以控制外圍電路220來響應于步驟S43中的讀取命令CMD_R來對選中存儲塊執行讀取操作。讀取操作可以包括：讀取選中存儲塊以將讀取數據臨時儲存在頁緩沖器單元223中，以及經由頁線PL輸出臨時儲存在頁緩沖器單元223中的數據。當針對步驟S43中的讀取命令CMD_R的讀取操作完成時，在步驟S47處控制邏輯230可以控制外圍電路220繼續針對步驟S41中的編程命令CMD_P的被暫停的編程操作。

圖5是圖示根據第一實施例的操作時間的示圖。

參照圖5，編程數據可以響應于編程命令CMD_P而輸入。圖5示例性地示出包括編程數據DATA1至DATA8(可以根據設計而變化)的編程數據。即使在編程數據DATA1至DATA8正被輸入時輸入讀取命令CMD_R，在所有編程數據DATA1至DATA8的輸入完成之前也不能執行讀取操作。

當所有編程數據DATA1至DATA8的輸入完成時，可以臨時暫停針對編程命令CMD_P的編程操作。該暫停可以持續第一時段PGM_S。在第一時段PGM_S之后，可以響應于讀取命令CMD_R來設置用于讀取操作的電壓，而對于第二時段可以對選中存儲塊執行讀取操作。讀取操作可以包括讀取包括在選中存儲塊中的存儲單元以及將讀取的數據輸入至頁緩沖器單元223。

當從選中存儲塊讀取的所有數據被輸入至頁緩沖器單元223時，頁緩沖器單元223中的數據可以經由頁線PL輸出。隨后，針對編程命令CMD_P的被暫停的編程操作可以繼續。對于第三時段tPROG可以執行編程操作。

根據第一實施例，總操作時間可以包括編程數據輸入時間、編程暫停時間、讀取電壓設置時間、讀取操作時間、讀取數據輸出時間和編程操作時間。

根據本發明的第一實施例，即使在用于編程操作的編程數據正被輸入至頁緩沖器單元223時接收到讀取命令，在所有編程數據被輸入至頁緩沖器單元223之前，也不可以執行讀取操作。

圖6是圖示根據第二實施例的操作方法的示圖。

參照圖6，當在步驟S61處控制邏輯230接收編程命令CMD_P時，在步驟S62處控制邏輯230可以控制外圍電路將編程數據輸入至頁緩沖器單元223。

在所有編程數據被完全輸入而不存在讀取命令CMD_R(步驟S63處“否”)之后，步驟S67處可以在響應于步驟S61中的編程命令CMD_P來執行編程操作。

當控制邏輯230在編程數據響應于步驟S61中的編程命令CMD_P而正被輸入至頁緩沖器單元223時接收到讀取命令CMD_R(步驟S63處“是”)時，在步驟S64處可以臨時暫停編程數據的輸入以在步驟S65處響應于步驟S63中的讀取命令CMD_R來立即執行讀取操作。可以執行讀取操作以讀取包括在第一存儲塊的選中頁中的存儲單元。在輸入至頁緩沖器單元223的所有讀取數據被輸出之后讀取操作可以完成。

讀取操作一旦完成，在步驟S66處就可以繼續被暫停的編程數據的輸入，以及編程數據可以被輸入至頁緩沖器單元223。當所有編程數據被輸入至頁緩沖器單元223時，在步驟S67處可以執行第二存儲塊的編程操作。

讀取操作的第一存儲塊和編程操作的第二存儲塊可以相同或不同。在下文中，參照第一存儲塊與第二存儲塊不同的示例做出描述。

圖7是圖示根據第二實施例的操作時間的示圖。

參照圖7，編程數據可以響應于編程命令CMD_P而輸入。圖7示例性地示出包括編程數據DATA1至DATA8(可以根據設計而變化)的編程數據。

當在編程數據DATA1至DATA8正被輸入時輸入讀取命令CMD_R時，編程數據的輸入可以被臨時暫停，用于讀取操作的電壓可以響應于讀取命令CMD_R來設置，以及 對于第四時段tR可以對選中存儲塊執行讀取操作。讀取操作可以包括讀取包括在選中存儲塊中的存儲單元以及將讀取數據輸出至頁緩沖器單元223。

當從選中存儲塊讀取的所有數據被輸入至頁緩沖器單元223時，頁緩沖器單元223中的數據可以經由頁線PL輸出以完成讀取操作。

當讀取操作完成時，可以繼續被暫停的編程數據的輸入。例如如圖7所示，當在編程數據DATA1至DATA8中的一部分DATA1至DATA3被輸入至頁緩沖器單元223之后接收到讀取命令CMD_R時，所有剩余數據DATA4至DATA8可以在讀取操作完成之后被輸入至頁緩沖器單元223。當所有編程數據DATA1至DATA8被輸入時，對于第五時段tPROG可以用輸入的編程數據來執行針對編程命令CMD_P的編程操作。

根據第二實施例，總操作時間可以包括編程數據輸入時間、讀取電壓設置時間、讀取操作時間、讀取數據輸出時間和編程操作時間。

根據本發明的第二實施例，當在用于編程操作的編程數據正被輸入至頁緩沖器單元223時接收到讀取命令時，可以暫停編程數據輸入過程，而可以執行讀取操作。因此，可以在編程操作之前執行讀取操作。

圖8A至圖8F是圖示根據第二實施例的數據傳送的示圖。

參照圖8A，存儲單元陣列210可以包括多個存儲塊。例如，第一存儲塊可以為讀取操作而選擇，以及第二存儲塊可以為編程操作而選擇。響應于編程命令CMD_P，編程數據DATA1至DATA3可以被順序地輸入至頁緩沖器PB的第一鎖存單元LAT1(見圖6的步驟S62)。

參照圖8B，編程數據的輸入可以根據中斷的輸入讀取命令CMD_R(見圖6中的步驟S63)而被暫停，以及第一鎖存單元LAT1的數據DATA1至DATA3可以被傳送至第二鎖存單元LAT2。

參照圖8C，可以對被選中用于讀取操作的第一存儲塊執行讀取操作。讀取數據可以經由第一鎖存單元LAT1輸出。當所有讀取數據經由第一鎖存單元LAT1輸出時，讀取操作可以完成。

參照圖8D，當讀取操作完成時，臨時傳送至第二鎖存單元LAT2的數據DATA1至DATA3可以被回傳至第一鎖存單元LAT1。

參照圖8E，可以繼續被暫停的編程數據的輸入，使得剩余的編程數據DATA4至 DATA8可以被輸入至第一鎖存單元LAT1。

參照圖8F，當所有編程數據被輸入至第一鎖存單元時，可以用第一鎖存單元中的編程數據DATA1至DATA8來對第二存儲塊執行編程操作。

圖9是圖示根據第三實施例的操作方法的流程圖。

參照圖9，當在步驟S91處控制邏輯230接收編程命令CMD_P時，在步驟S92處控制邏輯230可以控制外圍電路220將編程數據輸入至頁緩沖器單元223。

在所有編程數據完全被輸入而不存在讀取命令CMD_R(步驟S93處“否”)之后，在步驟S97處可以響應于步驟S91中的編程命令CMD_P來執行編程操作。

當控制邏輯230在編程數據響應于步驟S91中的編程命令CMD_P而正被輸入至頁緩沖器單元223時接收到讀取命令CMD_R(步驟S93處“是”)時，在步驟S95處可以同時執行針對讀取命令CMD_R的讀取操作以及用于編程命令CMD_P的編程數據的輸入二者，這可以減少總操作時間。在步驟S95處執行的讀取操作可以包括讀取選中存儲塊以及將讀取的數據輸出至頁緩沖器單元223。在針對讀取命令CMD_R的讀取操作和用于編程命令CMD_P的編程數據的輸入二者完成之后，在步驟S96處可以輸出頁緩沖器單元223中的讀取數據，以及在步驟S97處可以用頁緩沖器單元223中的編程數據來執行選中存儲塊的編程操作。

圖10是圖示根據第三實施例的操作時間的示圖。

參照圖10，編程數據可以響應于編程命令CMD_P而輸入。圖10示例性地示出包括編程數據DATA1至DATA8(可以根據設計而變化)的編程數據。

當在編程數據DATA1至DATA8正被輸入時輸入讀取命令CMD_R時，用于讀取操作的電壓可以響應于讀取命令CMD_R來設置，對于繼續編程數據的輸入的第六時段tR，可以執行選中存儲塊的讀取操作。對于第六時段tR執行的讀取操作可以包括感測來自選中存儲單元的數據。在讀取操作期間或對于第六時段tR，編程數據(例如圖10中示出的DATA4至DATA8)可以被輸入至頁緩沖器單元223。

當從選中存儲塊讀取的所有數據被輸入至頁緩沖器單元223時，讀取數據可以經由頁線PL輸出，從而完成讀取操作。

一旦完成讀取操作，就可以對于第七時段tPROG而響應于編程命令CMD_P來利用頁緩沖器單元223中的編程數據來執行編程操作。

如上所述，根據第三實施例，總操作時間可以包括編程數據輸入時間、讀取電壓設置時間、讀取數據輸出數據和編程操作時間。

根據本發明的第三實施例，當在用于編程操作的編程數據正被輸入至頁緩沖器單元223時接收到讀取命令時，可以同時執行編程數據輸入過程和讀取操作二者，使得可以在編程操作之前執行讀取操作，且可以減少操作時間。

圖11A至圖11F是圖示根據第三實施例的數據傳送的示圖。

參照圖11A，存儲單元陣列210可以包括多個存儲塊。例如，第一存儲塊可以被選中用于讀取操作，以及第二存儲塊可以被選中用于編程操作。響應于編程命令CMD_P，編程數據DATA1至DATA3可以被順序地輸入至頁緩沖器PB的第一鎖存單元LAT1(見圖9中的步驟S92)。

參照圖11B，編程數據的輸入可以根據中斷的輸入讀取命令CMD_R(見圖9中的步驟S93)而被暫停，以及第一鎖存單元LAT1中的數據DATA1至DATA3可以被傳送至第二鎖存單元LAT2。

參照圖11C，可以對被選中用于讀取操作的第一存儲塊執行讀取操作。讀取數據可以被輸入至第一鎖存單元LAT1。同時地，編程數據DATA4至DATA8可以被輸入至第二鎖存單元LAT2。因此，即使在讀取操作響應于中斷的輸入讀取命令CMD_R而被執行時，所有編程數據DATA1至DATA8仍可以被輸入至第二鎖存單元LAT2而不暫停編程數據的輸入。

參照圖11D，當所有讀取數據被輸入至第一鎖存單元LAT1且編程數據DATA4至DATA8被輸入至第二鎖存單元LAT2時，第一鎖存單元LAT1中的讀取數據可以被輸出，從而完成讀取操作。

參照圖11E，讀取操作一旦完成，則第二鎖存單元LAT2中的所有編程數據DATA1至DATA8可以被傳送至第一鎖存單元LAT1。

參照圖11F，當所有編程數據被傳送至第一鎖存單元LAT1時，可以用第一鎖存單元LAT1中的編程數據來對第二存儲塊執行編程操作。

根據本發明的各種實施例，當存儲器件在編程操作期間接收讀取命令時，存儲器件可以立即執行讀取操作，使得讀取操作和編程操作所需的操作時間可以減少，以改善包括存儲器件的儲存設備的性能。

對于本領域技術人員來說明顯的是，在不脫離本發明的精神或范圍的情況下能夠對本發明的上述示例性實施例做出各種修改。因此，本發明意在覆蓋所有這種修改，只要這種修改落入由所附權利要求及其等同物的范圍之內。

通過以上實施例可以看出，本申請提供了以下的技術方案。

技術方案1.一種儲存設備，包括：

存儲器控制器，適用于輸出編程命令或讀取命令；以及

存儲器件，適用于響應于編程命令來執行編程操作，以及當在編程操作期間接收到讀取命令時立即執行讀取操作。

技術方案2.如技術方案1所述的儲存設備，其中，存儲器件包括：

多個存儲塊；

外圍電路，適用于對所述多個存儲塊執行編程操作或讀取操作；以及

控制邏輯，適用于響應于編程命令來控制外圍電路執行編程操作，以及當在編程操作期間接收到讀取命令時立即執行讀取操作。

技術方案3.如技術方案2所述的儲存設備，其中，外圍電路包括：

電壓發生器，適用于分別響應于編程信號和讀取信號來產生編程電壓和讀取電壓；

行解碼器，適用于將編程電壓和讀取電壓傳送至存儲塊；

多個頁緩沖器，適用于緩沖數據；

接口單元，適用于在頁緩沖器與外部設備之間傳送數據。

技術方案4.如技術方案3所述的儲存設備，其中，頁緩沖器中的每個包括兩個或更多個鎖存單元。

技術方案5.如技術方案4所述的儲存設備，

其中，鎖存單元與接口單元通過頁線耦接，以及

其中，存儲塊與頁緩沖器通過位線耦接。

技術方案6.如技術方案4所述的儲存設備，其中，鎖存單元彼此交換數據。

技術方案7.如技術方案4所述的儲存設備，其中，鎖存單元中的每個接收從接口單元提供的數據。

技術方案8.如技術方案3所述的儲存設備，其中控制邏輯控制外圍電路以：

響應于編程命令來將編程數據輸入至頁緩沖器，

當接收到讀取命令時，臨時暫停輸入編程數據并立即執行讀取操作，

讀取操作一旦完成就繼續輸入編程數據，以及

輸入編程數據一旦完成，就用頁緩沖器中的編程數據來執行編程操作。

技術方案9.如技術方案8所述的儲存設備，

其中，頁緩沖器中的每個包括第一鎖存單元和第二鎖存單元，以及

其中，控制邏輯控制外圍電路以：

響應于編程命令來將編程數據輸入至第一鎖存單元，

當在編程數據的輸入期間接收到讀取命令時，臨時暫停編程數據的輸入并將第一鎖存單元中的編程數據立即傳送至第二鎖存單元，

使用第一鎖存單元來執行讀取操作，

讀取操作一旦完成，就從第二鎖存單元將編程數據回傳至第一鎖存單元，

繼續將編程數據輸入至第一鎖存單元，以及

用第一鎖存單元中的編程數據來執行編程操作。

技術方案10.如技術方案3所述的儲存設備，其中控制邏輯控制外圍電路以：

響應于編程命令來將編程數據輸入至頁緩沖器單元，

當在輸入編程數據期間接收到讀取命令時，在輸入編程數據期間執行讀取操作，以及

一旦完成讀取操作和輸入編程數據，就用頁緩沖器單元中的編程數據來執行編程操作。

技術方案11.如技術方案10所述的儲存設備，

其中，頁緩沖器中的每個包括第一鎖存單元和第二鎖存單元，以及

其中，控制邏輯控制外圍電路以：

響應于編程命令來將編程數據輸入至第一鎖存單元，

當在編程數據的輸入期間接收到讀取命令時，立即將儲存在第一鎖存單元中的編程數據傳送至第二鎖存單元，

使用第一鎖存單元來執行讀取操作，并在讀取操作期間將編程數據輸入至第二鎖存單元，

一旦完成讀取操作和輸入編程數據，就從第二鎖存單元將編程數據回傳至第一鎖存單元，以及

用第一鎖存單元中的編程數據來執行編程操作。

技術方案12.一種操作儲存設備的方法，所述方法包括：

響應于編程命令來將編程數據輸入至第一鎖存單元；

當在輸入編程數據期間接收到讀取命令時，臨時暫停輸入編程數據并立即將第一鎖存單元中的編程數據傳送至第二鎖存單元；以及

使用第一鎖存單元來執行讀取操作。

技術方案13.如技術方案12所述的方法，其中執行讀取操作包括：

將來自存儲塊的讀取數據輸入至第一鎖存單元；以及

向外輸出第一鎖存單元中的讀取數據。

技術方案14.如技術方案13所述的方法，還包括，在輸出讀取數據之后，

將第二鎖存單元中的編程數據傳送至第一鎖存單元；

繼續將編程數據輸入至第一鎖存單元；以及

用第一鎖存單元中的編程數據來執行編程操作。

技術方案15.一種操作儲存設備的方法，所述方法包括：

響應于編程命令來將編程數據輸入至第一鎖存單元；

當在輸入編程數據期間接收到讀取命令時，立即將第一鎖存單元中的編程數據傳送至第二鎖存單元；以及

在將編程數據輸入至第二鎖存單元期間使用第一鎖存單元來執行讀取操作。

技術方案16.如技術方案15所述的方法，還包括：當所有讀取數據被輸入至第一鎖存單元且所有編程數據被輸入至第二鎖存單元時，輸出第一鎖存單元中的讀取數據。

技術方案17.如技術方案16所述的方法，還包括：在輸出讀取數據之后，將第二鎖存單元中的編程數據傳送至第一鎖存單元。

技術方案18.如技術方案17所述的方法，還包括：在將第二鎖存單元中的編程數據傳送至第一鎖存單元之后，用第一鎖存單元中的編程數據來執行編程操作。

技術方案19.一種存儲器件，包括：

外圍電路，適用于分別響應于編程命令和讀取命令來執行編程操作和讀取操作；以 及

控制邏輯，適用于控制外圍電路以在編程操作期間立即響應讀取命令。

技術方案20.如技術方案19所述的存儲器件，

其中，外圍電路包括第一鎖存單元和第二鎖存單元，以及

其中，控制邏輯控制外圍電路以：

使用第一鎖存單元來執行讀取操作；

在編程操作期間根據不存在讀取命令來將用于編程操作的編程數據緩存在第一鎖存單元中，以及

在編程操作期間響應于讀取操作來立即將編程數據臨時緩存在第二鎖存單元中。