一種NANDFLASH編程的防干擾方法與流程

本發明實施例涉及集成電路領域，尤其涉及一種NANDFLASH編程的防干擾方法。

背景技術：

NANDFLASH是一種非易失閃存，可以在給定的芯片尺寸內提供較高的容量。NANDFLASH以頁為基本單元進行存儲，以塊為基本單元進行擦除，具有很快的寫入和擦除速度，是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備。

在擁有諸多優點的同時，NANDFLASH在使用SBPI(Self-boosted program inhibit)編程方案的編程過程中，對選中的字線施加編程電壓(VPP)，未選中的字線施加導通電壓(VPASS)。選中字線采用ISPP編程時序，編程電壓逐漸升高到較高電壓時，如果導通電壓還保持初始的電壓，那么最后階段在選中字線上所施加的高壓將會對相鄰的未選中字線產生編程干擾。另一方面，如果一開始就對未選中字線施加較高的導通電壓，那么較高的導通電壓可能對存儲單元中數據產生導通電壓干擾，形成軟編程效應。

可見，NANDFLASH在編程過程中，如果對選中字線施加較高的編程電壓會對其相鄰的未選中字線產生編程干擾，施加的編程電壓較低時會產生導通電壓干擾。

技術實現要素：

本發明實施例提供的一種NANDFLASH編程的防干擾方法，有效降低編程干 擾和導通電壓干擾。

本發明實施例提供了一種NANDFLASH編程的防干擾方法，該方法包括：

對選中字線施加編程電壓，未選中字線施加導通電壓；

對所述選中字線進行讀操作，確定所述字線是否被編程成功；

若所述讀操作狀態為編程失敗，以設定步進值抬升當前編程電壓值和導通電壓值，返回執行所述讀操作，直到所述讀操作狀態為編程成功為止。

進一步的，所述導通電壓大于未選中字線的開啟電壓，使所述未選中字線處于導通狀態；并且導通電壓小于編程電壓。

進一步的，以設定步進值抬升當前編程電壓值和導通電壓值包括：以設定步進值抬升當前編程電壓值和導通電壓值，且所述導通電壓步進值隨編程電壓步進值增加/減小而增加/減小。

進一步的，選中字線施加編程電壓值為5V-28V；未選中字線施加導通電壓值為4V-12V；

進一步的，所述以設定步進值抬升當前編程電壓值和導通電壓值，包括：通過控制單元控制電壓泵以設定步進值抬升編程電壓值和導通電壓值。

本發明實施例提供的一種NANDFLASH編程的防干擾方法，對選中字線施加編程電壓，未選中字線施加導通電壓，然后對所述選中字線進行讀操作，確定所述字線是否被編程成功，若讀操作狀態為編程失敗，那么以設定步進值抬升當前編程電壓值和導通電壓值，再次返回執行所述讀操作，直到所述讀操作狀態為編程成功為止。可見，采用本方案，以設定步進值抬升當前編程電壓值和導通電壓值，能夠保證編程電壓和導通電壓之間合適的電壓窗口，有效降低編 程干擾和導通電壓干擾。

附圖說明

圖1是本發明實施例一中的一種NANDFLASH編程的防干擾方法的流程示意圖；

圖2是本發明實施例一中的NANDFLASH結構圖；

圖3是本發明實施例一中的NANDFLASH編程時施加電壓的波形示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發明，而非對本發明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發明相關的部分而非全部結構。

實施例一

圖1為本發明實施例一提供的NANDFLASH編程的防干擾方法的流程示意圖，本實施例可適用于對NANDFLASH進行編程的情況下。本實施例提供的一種NANDFLASH編程的防干擾方法具體包括如下步驟：

步驟S110、對選中字線施加編程電壓，未選中字線施加導通電壓。

其中，NANDFLASH存儲單元陣列由多個MOS管組成。在MOS管中，柵極所接線就是字線，漏極所接線是位線。字線為高電平時T管導通，字線為低電平時則截止。

上述操作中，具體可以是，在使用SBPI(Self-boosted program inhibit) 編程過程中，對未選中的字線施加導通電壓，即，不編程時的電壓。選中字線采用ISPP(Increment Staircase Program Pulse)編程時序時，對選中的字線施加編程電壓。如圖2所示，圖2為本發明實施例一中的NANDFLASH結構圖。存儲單元陣列中存儲數據包括字線和位線，控制單元來控制編程(Program)電壓泵和導通(Pass)電壓泵對選中字線和非選中字線來施加不同的電壓，其中，Program電壓泵對選中字線來施加編程電壓。Pass電壓泵對未選中字線施加導通電壓，保持未選中字線處于導通狀態。

優選的，所述導通電壓大于未選中字線的開啟電壓，使所述未選中字線處于導通狀態；并且導通電壓小于編程電壓。

步驟S120、對所述選中字線進行讀操作，確定所述字線是否被編程成功。

其中，NANDFLASH以頁(512Byte)為單位讀寫數據，按照這樣的組織方式可以形成所謂的三類地址，列地址：Column Address，頁地址：Page Address，塊地址：Block Address：對于NANDFLASH來講，地址和命令只能在I/O[7:0]上傳遞，數據寬度也是8位。

對于NANDFLASH來說，讀操作的最小操作單位為頁(Page)，讀操作有兩個，分別是Read1,Read2其中Read1用于讀取數據區(Data Field)的數據，而Read2則是用于讀取備用區(Spare Field)的數據。讀操作的最小操作單位為頁(Page)，也就是說當我們給定了讀取的起始位置后，讀操作將從該位置開始，連續讀取到本頁(Page)的最后一個字節(Byte)為止(可以包括備用區(Spare Field))。

上述操作中，具體可以是，Program電壓泵對選中字線施加編程電壓后，對選中字線進行編程，并對選中字線進行讀操作，根據讀操作的狀態來判斷選中字線是否被編程成功。

步驟S130、若所述讀操作狀態為編程失敗，以設定步進值抬升當前編程電壓值和導通電壓值，返回執行所述讀操作，直到所述讀操作狀態為編程成功為止。

優選的，選中字線施加編程電壓值為5V-28V；未選中字線施加導通電壓值為4V-12V。

上述操作中，具體可以是，示例性的，如果當前對選中字線施加的編程電壓為18V，未選中字線施加的導通電壓為10V，對選中字線進行讀操作后，讀操作狀態為編程失敗，那么就以設定的編程電壓步進值來提升選中字線施加的編程電壓，和設定導通電壓步進值來提升非選中字線施加的導通電壓，直到編程成功為止。如圖3所示，圖3是本發明實施例一中的NANDFLASH編程時施加電壓的波形示意圖，Vpp是對選中字線施加的編程電壓，Vpass是對非選中字線施加的導通電壓，當讀操作狀態為編程失敗時，相應的提升Vpp編程電壓步進值和Vpass導通電壓步進值，如果提升后，讀操作狀態還是編程失敗，那么再次相應的提升Vpp編程電壓步進值和Vpass導通電壓步進值。最終保持編程電壓和導通電壓之間合適的電壓范圍值，一般編程電壓和導通電壓差值保持在5V-10V為合適的范圍值。以設定步進值抬升當前編程電壓值和導通電壓值的好處在于，防止編程電壓逐漸升高到較高的電壓，此時如果導通電壓還保持初始的電壓，那么最后階段在選中字線上所施加的高壓將會對相鄰的未選中字線產生編程干擾。如果一開始就對未選中字線施加較高的導通電壓，那么較高的導通電壓可能對存儲單元陣列產生Vpass導通電壓干擾，形成軟編程效應。

優選的，以設定步進值抬升當前編程電壓值和導通電壓值，且所述導通電壓步進值隨編程電壓步進值的增加/減小而增加/減小，即當編程電壓步進值增 加時，導通電壓步進值也隨之增加，當編程電壓步進值減小時，導通電壓步進值也隨之減小。

上述操作中，具體可以是，基于步驟S130所述的讀操作，如果讀操作狀態為編程失敗，控制單元控制Program電壓泵步進值和Pass電壓泵步進值來抬升當前的編程電壓值和導通電壓值。例如，設定抬升Program電壓泵步進值為1V,當前編程電壓值為18V，設定抬升Pass電壓泵導通電壓步進值為1V,當前導通電壓為10V,讀操作狀態為編程失敗時，控制單元控制Program電壓泵增加步進值1V編程電壓抬升到19V，設定Pass電壓泵步進值為1V，控制單元控制Pass電壓泵抬升導通電壓到11V,當編程電壓步進值減小時，導通電壓的步進值也相應的減小，然后，在進行讀操作，如果讀操作狀態還是為編程失敗，再繼續通過Program電壓泵和Pass電壓泵來抬升編程電壓步進值和導通電壓步進值，直到編程成功為止。最終保持編程電壓和導通電壓差值在5V-10V之間。設置導通電壓步進值隨編程電壓步進值的增加/減小而增加/減小，可以防止因編程電壓過高，導通電壓過低，對選中字線相鄰的未選中字線產生編程干擾。

具體的，設定導通電壓步進值可以與編程電壓步進值可以不同，也可以相同，具體以需求為準。最終達到編程電壓和導通電壓之間差值范圍在5V-10V范圍內。

優選的，通過控制單元控制電壓泵以設定步進值抬升編程電壓值和導通電壓值。

本發明實施例提供的一種NANDFLASH編程的防干擾方法，對選中字線施加 編程電壓，未選中字線施加導通電壓，然后對所述選中字線進行讀操作，確定所述字線是否被編程成功，若讀操作狀態為編程失敗，那么以設定步進值抬升當前編程電壓值和導通電壓值，再次返回執行所述讀操作，直到所述讀操作狀態為編程成功為止。可見，采用本方案，以設定步進值抬升當前編程電壓值和導通電壓值，能夠保證編程電壓和導通電壓之間合適的電壓窗口，有效降低編程干擾和導通電壓干擾。

注意，上述僅為本發明的較佳實施例及所運用技術原理。本領域技術人員會理解，本發明不限于這里所述的特定實施例，對本領域技術人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調整和替代而不會脫離本發明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發明進行了較為詳細的說明，但是本發明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發明構思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發明的范圍由所附的權利要求范圍決定。